减反射膜、减反射光学制品、显示屏、摄像机镜片及视窗玻璃的制作方法

本实用新型涉及光学制品镀膜技术领域，特别是涉及一种减反射膜、减反射光学制品、显示屏、摄像机镜片及视窗玻璃。

背景技术：

减反射膜，也称增透膜，用于减少光学元件表面的反射光强度，增加该光学元件在工作波段内透光率，是光学薄膜中用量最大的一种。减反射膜主要是通过复合膜层设计，使光在多层折射率不同的膜层中发生干涉，降低光在界面处的反射率，进而增强透射光的强度，降低反射光的强度，达到减反射的效果。传统的用于制备减反射膜材料包括tio2、hfo2、zro2、nb2o5、ta2o5、al2o3、sio2等，用于制备减反射膜中各膜层的方法一般是溅射镀膜法或蒸发镀膜法。

现如今，在如摄像机镜头、手机屏幕、车载及工业触控显示屏保护盖板玻璃等应用领域，通常需要兼具高透光率和高硬度的减反射膜。传统技术中通常会采用在减反射膜表面增加耐磨层，如类金刚石碳涂层、类金刚石碳涂层与af防指纹层的组合，碳氮化合物、硅氮化合物等，以提升减反射膜的硬度和耐磨性。除了在减反射膜表面增加耐磨层之外，还可以在减反射膜和基材中间加夹耐磨层以提高减反射膜制品的耐磨性能。但是额外的一层耐磨层会影响光线在减反射膜界面处的干涉情况，从而显著影响减反射膜的透光率，因此防护膜的厚度都较薄，这限制了减反射膜硬度的进一步提升，并且额外的一层膜也增加了额外的制备工艺。

技术实现要素：

基于此，有必要提供一种无需额外添加额外的耐磨层即能够提升制品表面硬度和耐磨性的减反射膜，进一步，提供一种减反射光学制品及产品。

根据本实用新型的一个实施例，一种减反射膜，其包括交替层叠设置的低折射率膜层和高折射率膜层，所述低折射率膜层的折射率低于所述高折射率膜层；所述减反射膜的底部膜层和顶部膜层均为所述低折射率膜层；设置于所述顶部膜层下的高折射率膜层是氮化硅膜层，厚度为500nm～2000nm。

在其中一个实施例中，所述低折射率膜层包括第一低折射率膜层、第二低折射率膜层、第三低折射率膜层和第四低折射率膜层，所述高折射率膜层包括第一高折射率膜层、第二高折射率膜层和第三高折射率膜层；所述减反射膜依次包括第一低折射率膜层、第一高折射率膜层、第二低折射率膜层、第二高折射率膜层、第三低折射率膜层、第三高折射率膜层和第四低折射率膜层。

在其中一个实施例中，所述第一低折射率膜层为所述底部膜层，所述第三高折射率膜层为所述氮化硅膜层，所述第四低折射率膜层为所述顶部膜层；所述低折射率膜层均为二氧化硅膜层；和/或

所述第一高折射率膜层和所述第二高折射率膜层的材质分别独立地选自氧化锆膜层、氧化钛膜层、氧化钽膜层、氧化铌膜层、氧化铪膜层或氮化硅膜层。

在其中一个实施例中，所述低折射率膜层均为二氧化硅膜层，所述高折射率膜层均为氮化硅膜层。

在其中一个实施例中，所述第一低折射率膜层为所述底部膜层，所述第三高折射率膜层为所述氮化硅膜层，所述第四低折射率膜层为所述顶部膜层，所述第一低折射率膜层的厚度为10nm～90nm，所述第一高折射率膜层的厚度为5nm～30nm，所述第二低折射率膜层的厚度为20nm～70nm，所述第二高折射率膜层的厚度为15nm～150nm，所述第三低折射率膜层的厚度为10nm～40nm，所述第四低折射率膜层的厚度为70nm～100nm。

在其中一个实施例中，所述氮化硅膜层的厚度为500nm～1000nm。

一种减反射光学制品，其包括基材和设置于所述基材至少一侧表面上的减反射膜，所述减反射膜为根据上述任一实施例所述的减反射膜。

在其中一个实施例中，在所述减反射膜的顶部膜层上还设置有防指纹层。

在其中一个实施例中，所述防指纹层的厚度为5nm～30nm。

一种减反射光学制品，其包括基材和设置于所述基材至少一侧表面上的减反射膜，所述减反射膜为根据上述任一实施例所述的减反射膜。

一种显示屏、摄像机镜片或视窗玻璃，其特征在于，所述显示屏包括保护盖板和显示屏功能主体，所述保护盖板覆盖于所述显示屏功能主体表面，所述保护盖板是减反射光学制品或由所述减反射光学制品加工制成；所述摄像机镜片是所述减反射光学制品或由所述减反射光学制品加工制成；所述视窗玻璃是所述减反射光学制品或由所述减反射光学制品加工制成；其中：所述减反射光学制品是根据上述任一实施例所述的减反射光学制品。

上述减反射膜将位于顶部膜层下的高折射率膜层设计为厚度为500nm～2000nm的氮化硅层，厚度非常高，能够有效提高减反射膜的硬度。由于该减反射膜并未采取设置耐磨层以增加纳米硬度的方式，而是提升了氮化硅膜层的厚度，能够在保证透光率的同时具有较高的纳米硬度，也相当于简化了制备流程。同时，氮化硅膜层拥有500nm～2000nm可变的厚度，可以对应选择并设计以获得不同的光学制品的硬度。

附图说明

图1为一实施例的减反射光学制品示意图；

图2为一实施例的减反射光学制品的制备方法流程图；

图3为试验例1和对比例3的光学制品在不同波段的透光率的示意图；

图4为试验例2和对比例3的光学制品在不同波段的透光率的示意图。

具体实施方式

为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。本文所使用的“多”包括两个以上的项目。本文所使用的“某数以上”应当理解为某数及大于某数的范围。

在光学减反射膜中间或表面增加透明耐磨层是传统技术中较为常用的增加减反射膜耐磨性能的方法，传统的多层减反射膜系，大都由厚度相对均匀的高折射率材料和低折射率材料交替循环组成。因为减反射膜的减反射效果依赖于各膜层的材质及厚度的搭配，使得光线在其中产生多次折射、反射及干涉以降低光线的反射率，通常改变其中一层膜层的材质或厚度，还需要经过大量调试以同时调整其他膜层的材质和厚度，工作量极大，因而传统技术经常采用设置一层额外的耐磨层的方式以提高减反射膜的纳米硬度和耐磨性。同时，改进和优化耐磨层的成分与结构是提高传统多层减反膜耐磨性能的一种重要手段。但这种方法制备成本更高、制备工艺也更复杂且耐磨效果提升有限。

本实用新型提供了一种通过结构设计以提升减反射膜的纳米硬度和耐磨性的新的技术构思，其结构如下。

一种减反射光学制品，其包括：基材和设置于所述基材的表面上的减反射膜，该减反射膜中包括有加厚的氮化硅膜层。

该减反射膜包括交替层叠设置的低折射率膜层和高折射率膜层，且该减反射膜层的底部膜层和顶部膜层均为低折射率膜层。设置于顶部膜层下的高折射率膜层是氮化硅膜层，厚度为500nm～2000nm。并且，该减反射膜具有11gpa以上的纳米硬度。可以理解，将减反射膜设置于基材上，其中靠近基材的膜层即为底部膜层，最远离基材的膜层即为顶部膜层。

进一步，该减反射膜具有11.4gpa以上的纳米硬度；更进一步，该减反射膜具有12gpa以上的纳米硬度；再进一步，该减反射膜具有12.2gpa以上的纳米硬度。

在传统技术中，往往会在减反射膜上方或中间设置有耐磨层，但是耐磨层的引入会影响减反射效果，导致透光率的下降。在本实施例中，该减反射膜200应当在例如可见光范围在400nm～700nm波段范围内(更具体地，例如约420nm～约700nm，或约450nm～约680nm之间)具有较优的减反射性能，该减反射膜200的平均透光率在94％以上。

其中，低折射率膜层及高折射率膜层为相对的概念，并不表示明确的折射率数值范围。低折射率膜层的折射率相比起高折射率膜层的折射率较低。

在一些具体示例中，设于基材上的减反射膜中的低折射率膜层的总数为三层以上。更具体地，请参照图1，一种减反射光学制品的详细结构示意图，该减反射光学制品10包括基材100及设置于基材100第一表面110上的减反射膜200。其中，减反射膜200包括第一低折射率膜层210、设置于第一低折射率膜层210上的第一高折射率膜层220、设置于第一高折射率膜层220上的第二低折射率膜层230、设置于第二低折射率膜层230上的第二高折射率膜层240、设置于第二高折射率膜层240上的第三低折射率膜层250、设置于第三低折射率膜层250上的第三高折射率膜层260、设置于第三高折射率膜层260上的第四低折射率膜层270。可以理解，在该具体的实施例中，第一低折射率膜层210即为底部膜层，第四低折射率膜层270即为顶部膜层，第三高折射率膜层260即为氮化硅层，则第三高折射率膜层260的厚度为500nm～2000nm。

在一些具体示例中，第一低折射率膜层210的厚度为10nm～90nm，可选地，第一低折射率膜层210的厚度为30nm～80nm，进一步，第一低折射率膜层210的厚度为40nm～70nm，例如40nm、45nm、50nm、55nm、60nm、65nm或70nm，包括它们之间的所有范围和子范围。

在一些具体示例中，第一高折射率膜层220的厚度为5nm～30nm，可选地，第一高折射率膜层220的厚度为5nm～20nm，进一步，第一高折射率膜层220的厚度为10nm～20nm，例如10nm、11nm、12nm、13nm、14nm、15nm、16nm、17nm、18nm、19nm或20nm，包括它们之间的所有范围和子范围。

在一些具体示例中，第二低折射率膜层230的厚度为20nm～70nm，可选地，第二低折射率膜层230的厚度为30nm～70nm，进一步，第二低折射率膜层230的厚度为40nm～70nm，例如40nm、45nm、50nm、55nm、59nm、65nm或70nm，包括它们之间的所有范围和子范围。

在一些具体示例中，第二高折射率膜层240的厚度为15nm～150nm，可选地，第二高折射率膜层240的厚度为15nm～100nm，进一步，第二高折射率膜层240的厚度为15nm～60nm，例如15nm、20nm、25nm、30nm、31nm、35nm、40nm、45nm、50nm、55nm或60nm，包括它们之间的所有范围和子范围。

在一些具体示例中，第三低折射率膜层250的厚度为10nm～40nm，可选地，第三低折射率膜层250的厚度为15nm～35nm，进一步，第三低折射率膜层250的厚度为10nm～30nm，例如10nm、13nm、15nm、18nm、21nm、22nm、25nm、28nm或30nm，包括它们之间的所有范围和子范围。

在一些具体示例中，第三高折射率膜层260的厚度为500nm～2000nm，可选地，第三高折射率膜层260的厚度为500nm～1500nm，进一步，第三高折射率膜层260的厚度为500nm～1000nm，例如500nm、581nm、650nm、700nm、750nm、800nm、850nm、900nm、949nm或1000nm，包括它们之间的所有范围和子范围。

在一些具体示例中，第四低折射率膜层270的厚度为70nm～100nm，可选地，第四低折射率膜层270的厚度为75nm～95nm，进一步，第四低折射率膜层270的厚度为80nm～90nm，例如80nm、81nm、82nm、83nm、84nm、85nm、86nm、87nm、88nm、89nm或90nm，包括它们之间的所有范围和子范围。

可选地，在减反射膜200的第四低折射率膜层270上还设置有防指纹层300。在一些具体示例中，防指纹层300为af防指纹层，其厚度为5nm～30nm，例如5nm、8nm、10nm、12nm、14nm、16nm、18nm、20nm、23nm、25nm或30nm，包括它们之间的所有范围和子范围。

在一些具体示例中，该减反射膜200应当表现出随着第三高折射率膜层260的厚度增加而增加的纳米硬度。进一步，基材100的纳米硬度应当小于减反射光学制品10的纳米硬度。

在一些具体示例中，基材100的材料可以是玻璃、蓝宝石玻璃、石英或pmma树脂等；其中玻璃可以是钠钙玻璃、铝硅玻璃或硼硅玻璃等。本领域技术人员可以根据该减反射光学制品10的具体应用领域而选择合适的基材。

适用于作为高折射率膜层的材料包括：氧化锆(zro2)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铌(nbo2)、氧化铪(hfo2)或氮化硅(si3n4)。适用于作为低折射率膜层的材料包括：二氧化硅(sio2)。应当理解，上述化合物对应的化学式仅作为本领域技术人员的常用标识，但不代表其中各原子的化学计量比严格与下标数字相符。例如，在具体制备氮化硅层的过程中，有可能会受到具体制备工艺的影响，从而产生一定的晶格缺陷，得到的氮化硅实际上为sinx(x≠3/4)，但这并不超出上述化合物的范围。

在一些更具体的示例中，第一低折射率膜层210、第二低折射率膜层230、第三低折射率膜层250和第四低折射率膜层270的材质均为二氧化硅；第一高折射率膜层220、第二高折射率膜层240和第三高折射率膜层260的材质均为氮化硅。其中，氮化硅具有较高的纳米硬度，将氮化硅作为第三高折射率膜层260的材料，并对减反射膜200进行设计以大幅增加第三高折射率膜层260的厚度，能够有效提升该减反射膜200的纳米硬度。

在一些具体示例中，在上述各低折射率膜层和高折射率膜层沉积的过程中，通过电感耦合等离子体辅助磁控溅射，并同时采用阳极层线性离子源进行辅助线性离子束轰击，以增加减反射膜200的整体纳米硬度。进一步，基材100是预先经过阳极层线性离子源进行清洗处理后的基材，以增强减反射膜200与基材100之间的附着力。

另一方面，一种减反射光学制品的制备方法。其包括如下步骤：

采用阳极层线性离子源对基材表面进行清洗处理，并依次沉积减反射膜的各膜层，减反射膜包括交替层叠设置的低折射率膜层和高折射率膜层，且减反射膜的底部膜层和顶部膜层均为低折射率膜层；设置于顶部膜层下的高折射率膜层是氮化硅膜层；

沉积各膜层的方法为电感耦合等离子体辅助磁控溅射，并在磁控溅射的同时采用阳极层线性离子源进行辅助线性离子束轰击；控制沉积时间使得氮化硅膜层的厚度为500nm～2000nm。

可以理解，磁控溅射是一种常用的用于沉积薄膜的制备方法。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。电感耦合等离子体辅助磁控溅射指的是通过放置在靶材与基材之间的电感耦合线圈以产生二次等离子体(icp)，可以大幅度提高离化率和等离子体密度。以电感耦合等离子体辅助磁控溅射进行沉积，工作压力范围较宽，离解率高，高浓度反应性离子及自由基团能使膜层充分化合，膜层吸收小，沉积速率快，能够显著提高膜层的致密度和硬度。

在沉积各膜层时，还包括使用阳极层线性离子源对基材及基材表面沉积的膜层进行轰击。进一步增加的辅助线性离子束轰击能够除去沉积过程中膜层表面的吸附气体以及表面结合松散的原子，夯实膜层，并消除膜层应力，大大增强各膜层间的结合力，提高膜层的致密性及纳米硬度，改善其耐磨、耐划伤性能。

请参照图2，在一些具体示例中，其为以下步骤。

步骤s100，采用阳极层线性离子源(lp)对基材表面进行清洗处理。

在一些具体示例中，在步骤s100前还包括对基材进行预清洗以去除该基材表面的灰尘、油渍及其他残留异物。

在一些具体示例中，在步骤s100前还包括将基材放置到真空室内抽真空及预热步骤。更具体地，真空压力≤5×10^-3pa，预热的温度为120℃～150℃，可选地，预热的温度为130℃。

在一些具体示例中，在线性离子清洗处理过程中，阳极层线性离子源的电流为300ma～600ma，电压为600v～2000v，时间为3min～10min。线性离子清洗处理过程在保护性气氛中完成，保护性气体可以是氩气、氮气或其他惰性气体。保护性气体为流动气体，气体流速为30sccm～100sccm。

从线性离子源引出的离子束轰击基材表面，不仅可以除去基材表面的污染物，更能够在基材-减反射膜层界面处形成原子混合区，提高膜基结合强度和附着力。

步骤s200，沉积各低折射率膜层和高折射率膜层。

具体地，采用电感耦合等离子体(icp)辅助磁控溅射进行沉积各低折射率膜层和高折射率膜层，同时采用阳极层线性离子源进行辅助线性离子束轰击。

在一些具体示例中，磁控溅射选自脉冲直流磁控溅射、中频磁控溅射、射频溅射或高功率脉冲磁控溅射。可选地，磁控溅射是脉冲直流磁控溅射。对于脉冲直流磁控溅射技术，电弧响应速度快，能有效抑制靶面或膜层表面电荷积累引起的放电电弧，有效避免电弧放电对膜层造成的损伤缺陷，从而进一步提高膜层的质量，改善其耐磨、耐划伤性能。

在一些具体示例中，低折射率膜层的材质为二氧化硅，则磁控溅射靶材为硅靶，反应气体为氧气。更具体地，在沉积低折射率膜层时的工艺为：氧气流速为100sccm～300sccm，硅靶功率为3kw～12kw，电感耦合等离子体源功率为2kw～5kw，阳极层线性离子源电流为300ma～600ma，电压为100v～600v，成膜温度为150℃～300℃。控制合适的沉积时间以获得所需各低折射率膜层的厚度。各低折射率膜层的厚度可以参照上述减反射光学制品10中的各低折射率膜层的厚度。

在一些具体示例中，高折射率膜层的材质为氮化硅，则磁控溅射靶材为硅靶，反应气体为氮气。更具体地，在沉积低折射率膜层时的工艺为：氮气流速为100sccm～300sccm，硅靶功率为3kw～12kw，电感耦合等离子体源功率为2kw～5kw，阳极层线性离子源电流为300ma～600ma，电压为100v～600v，成膜温度为150℃～300℃。控制合适的沉积时间以获得所需各高折射率膜层的厚度。各低折射率膜层的厚度可以参照上述减反射光学制品10中的各低折射率膜层的厚度。

步骤s300，制备防指纹层。

在一些具体示例中，防指纹层为af防指纹层。制备af防指纹层的方式是蒸镀，调整成膜时间至目标膜厚。

上述减反射光学制品将位于顶部膜层下的高折射率膜层设计为氮化硅层，并大大增加其厚度，以有效提高减反射光学制品的纳米硬度。该减反射光学制品表现出极佳的纳米硬度和耐磨性，其包括减反射膜的一面表现出11gpa以上的纳米硬度，并且能够通过2000次循环以上的线性拖磨测试。并且，由于该减反射光学制品并未增加设置一耐磨层，而是提升了氮化硅膜层的厚度，使得该高折射率膜层同时具备提升纳米硬度的功能，因而无需添加耐磨层即能够提升制品表面纳米硬度和耐磨性，相当于简化了制备流程。同时，氮化硅膜层拥有500nm～2000nm可变的厚度，可以对应选择并设计以提高光学制品的纳米硬度。

进一步，上述减反射光学制品还可应用于显示屏、摄像机镜头或视窗玻璃中。

根据一实施例，一种显示屏，其包括保护盖板和显示屏功能主体，保护盖板覆盖于显示屏功能主体表面。保护盖板是上述实施例提供的减反射光学制品，或上述实施例提供的减反射光学制品的制备方法制备所得的减反射光学制品。

根据另一实施例，一种摄像机镜片，该摄像机镜片是上述实施例提供的减反射光学制品，或上述实施例提供的减反射光学制品的制备方法制备所得的减反射光学制品。

根据又一实施例，一种视窗玻璃，该视窗玻璃可以是例如车窗玻璃或门窗玻璃等。该视窗玻璃是上述实施例提供的减反射光学制品，或上述实施例提供的减反射光学制品的制备方法制备所得的减反射光学制品。

为了更易于理解及实现本实用新型，以下还提供了如下较易实施的、更为具体详细的试验例及对比例作为参考。通过下述具体试验例和对比例的描述及性能结果，本实用新型的各实施例及其优点也将显而易见。

如无特殊说明，以下各试验例所用的原材料皆可从市场上常规购得。

另外，由于在实际制备过程中，各膜层的厚度通过调控制备工艺的特定参数进行制备，因而其实际厚度可能与预计厚度略有出入，但不影响各对比例及试验例的进行。

各试验例及各对比例的基材选用铝硅玻璃。

试验例1

对玻璃基材进行预清洗，除去基材表面的灰尘、油渍及其他残留异物。

将经检验清洗合格的基材放置到真空室内抽真空及预热，真空压力≤5.0×10^-3pa，预热温度为130℃。

采用阳极层线性离子源进行线性离子清洗处理，通入流动氩气，流速为100sccm，电流为600ma，电压为1000v，清洗时间为10min，以活化基材表面。

沉积第一低折射率膜层，si靶接脉冲直流电源，通入流动氩气及流动氧气，氩气流速为300sccm，氧气流速为300sccm，si靶功率10kw，电感耦合等离子体源功率为5kw，阳极层线性离子源的电流为600ma，电压500v，沉积所得第一低折射率膜层膜厚约为50nm。

沉积第一高折射率膜层，si靶接脉冲直流电源，通入流动氩气及流动氮气，氩气流速为300sccm，氮气流速为300sccm，si靶功率10kw，电感耦合等离子体源功率为5kw，阳极层线性离子源的电流为600ma，电压500v，沉积所得第一高折射率膜层膜厚约为11nm。

沉积第二低折射率膜层，si靶接脉冲直流电源，通入流动氩气及流动氧气，氩气流速为300sccm，氧气流速为300sccm，si靶功率10kw，电感耦合等离子体源功率为5kw，阳极层线性离子源的电流为600ma，电压500v，沉积所得第二低折射率膜层膜厚约为55nm。

沉积第二高折射率膜层，si靶接脉冲直流电源，通入流动氩气及流动氮气，氩气流速为300sccm，氮气流速为300sccm，si靶功率10kw，电感耦合等离子体源功率为5kw，阳极层线性离子源的电流为600ma，电压500v，沉积所得第二高折射率膜层膜厚约为31nm。

沉积第三低折射率膜层，si靶接脉冲直流电源，通入流动氩气及流动氧气，氩气流速为300sccm，氧气流速为300sccm，si靶功率10kw，电感耦合等离子体源功率为5kw，阳极层线性离子源的电流为600ma，电压500v，沉积所得第三低折射率膜层膜厚约为21nm。

沉积第三高折射率膜层，si靶接脉冲直流电源，通入流动氩气及流动氮气，氩气流速为300sccm，氮气流速为300sccm，si靶功率10kw，电感耦合等离子体源功率为5kw，阳极层线性离子源的电流为600ma，电压500v，沉积所得第三高折射率膜层膜厚约为581nm。

沉积第四低折射率膜层，si靶接脉冲直流电源，通入流动氩气及流动氧气，氩气流速为300sccm，氧气流速为300sccm，si靶功率10kw，电感耦合等离子体源功率为5kw，阳极层线性离子源的电流为600ma，电压500v，沉积所得第四低折射率膜层膜厚约为86nm。

通过蒸镀在第四低折射率膜层上形成af防指纹层，af防指纹层的厚度约为10nm。

试验例1各层厚度参数如下：

第一低折射率膜层厚度约为50nm；

第一高折射率膜层厚度约为11nm；

第二低折射率膜层厚度约为55nm；

第二高折射率膜层厚度约为31nm；

第三低折射率膜层厚度约为21nm；

第三高折射率膜层厚度约为581nm；

第四低折射率膜层厚度约为86nm；

af防指纹层厚度约为10nm。

试验例2

本试验例与试验例1的区别在于，各层厚度略有区别，其余制备工艺基本相同。试验例2各层厚度参数如下：

第一低折射率膜层厚度约为65nm；

第一高折射率膜层厚度约为10nm；

第二低折射率膜层厚度约为59nm；

第二高折射率膜层厚度约为30nm；

第三低折射率膜层厚度约为22nm；

第三高折射率膜层厚度约为949nm；

第四低折射率膜层厚度约为86nm；

af防指纹层厚度约为20nm。

试验例3

本试验例与试验例1的区别在于，各层厚度略有区别，其余制备工艺基本相同。试验例3各层厚度参数如下：

第一低折射率膜层厚度约为20nm；

第一高折射率膜层厚度约为21nm；

第二低折射率膜层厚度约为27nm；

第二高折射率膜层厚度约为46nm；

第三低折射率膜层厚度约为5nm；

第三高折射率膜层厚度约为510nm；

第四低折射率膜层厚度约为86nm；

af防指纹层厚度约为10nm。

试验例4

本试验例与试验例1的区别在于，各层厚度略有区别，其余制备工艺基本相同。试验例4各层厚度参数如下：

第一低折射率膜层厚度约为108nm；

第一高折射率膜层厚度约为8nm；

第二低折射率膜层厚度约为57nm；

第二高折射率膜层厚度约为27nm；

第三低折射率膜层厚度约为23nm；

第三高折射率膜层厚度约为2000nm；

第四低折射率膜层厚度约为86nm；

af防指纹层厚度约为10nm。

对比例1

对比例1各层厚度及制备工艺与试验例1基本相同，主要区别在于，在制备各膜层时，不采用阳极层线性离子源进行辅助轰击。

对比例2

对比例2各层的制备工艺与试验例1及试验例2基本相同，主要区别在于，在制备各膜层时，不采用阳极层线性离子源进行辅助轰击，并且第三高折射率膜层的厚度仅有50nm。对比例2各层厚度参数如下：

第一低折射率膜层厚度约为30nm；

第一高折射率膜层厚度约为15nm；

第二低折射率膜层厚度约为46nm；

第二高折射率膜层厚度约为48nm；

第三低折射率膜层厚度约为20nm；

第三高折射率膜层厚度约为50nm；

第四低折射率膜层厚度约为97nm；

af防指纹层厚度约为10nm。

对比例3

对比例3各层的制备工艺与试验例1及试验例2基本相同，主要区别在于，第三高折射率膜层的厚度仅有50nm。对比例3各层厚度参数如下：

第一低折射率膜层厚度约为30nm；

第一高折射率膜层厚度约为15nm；

第二低折射率膜层厚度约为46nm；

第二高折射率膜层厚度约为48nm；

第三低折射率膜层厚度约为20nm；

第三高折射率膜层厚度约为50nm；

第四低折射率膜层厚度约为97nm；

af防指纹层厚度约为10nm。

对比例4

未沉积减反射膜的空白铝硅玻璃。

上述各试验例及对比例的纳米硬度、线性拖磨测试结果及透光率测试结果可见于表1。

所述硬度测试使用gb/t22458、astme2546-07标准中规定的方法，所述纳米硬度通过anton-paarnht³纳米压痕测试仪测得，如本文所用，纳米硬度测试包括通过利用金刚石玻氏纳米硬度计压头对材料表面进行压刻，采用基于载荷-深度数据确定纳米硬度和材料参数的方法，测量膜层的纳米硬度，试验载荷为2mn，载荷加载及卸载速率为4mn/min，压痕深度在约50-200nm范围内。

“线性拖磨测试”是指使用taber5750线性磨耗仪和由taber公司提供的附件、在约22℃±3℃的温度和不超过约70％的相对湿度的环境下进行的测试方法，载重500g，循环速率40次/min，钢丝绒型号为bonstar#0000，钢丝绒摩擦面积为20mm*20mm，符合astmd1044-99标准中规定的内容。

表1

试验例1和对比例5的透光率光谱可见于图3，可知试验例1所得减反射光学制品在400nm～700nm的广阔波长范围内均获得了94％以上的透光率。

试验例2和对比例5的透光率光谱可见于图4，可知试验例1所得减反射光学制品在400nm～700nm的波长范围内均获得了94％以上的透光率。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。