包括静电夹具的物体保持器的制作方法

包括静电夹具的物体保持器
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2019年3月1日递交的欧洲申请号19160194.7的优先权，所述欧洲申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
3.本发明涉及一种用于光刻设备中的物体保持器。所述物体保持器包括一个或更多个静电夹具，所述静电夹具被布置成将所述物体夹持至台和/或将物体夹持至所述物体保持器。


背景技术：

4.光刻设备是将期望的图案施加到衬底上(通常施加到所述衬底的目标部分上)的机器。例如，可以在集成电路(ic)的制造中使用光刻设备。在该示例中，替代地被称为掩模或掩模版的图案形成装置可以用于生成待形成于ic的单个层上的电路图案。此图案可以被转印至衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的一部分、一个或若干管芯)。图案的转印通常是经由成像到所述衬底上所设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括所谓的步进器和所谓的扫描器，其中每个目标部分通过一次将整个图案曝光至所述目标部分上而被照射，其中，通过在给定方向(“扫描
”‑
方向)上通过辐射束扫描所述图案，同时平行或反向平行于此方向同步地扫描所述衬底，从而照射每个目标部分。还可以通过将所述图案压印到所述衬底上，将所述图案从图案形成装置转移到所述衬底。
5.已经提出将所述光刻投影设备中的衬底浸没于具有相对高折射率的液体中，例如水，以便填充介于投影系统的最终元件与衬底之间的空间。该液体可以是蒸馏水，但是可以使用另一种液体，并且本文参考液体描述了技术。然而，另一种流体可以是合适的，尤其是润湿流体、不可压缩流体和/或具有比空气更高的折射率、期望地比水更高的折射率的流体。不含气体的流体是尤其可取的。这一点是为了能够对较小的特征进行成像，因为曝光辐射在液体中将具有较短波长(液体的影响也可以被视为增加了所述系统的有效数值孔径(na)，并且也增加了聚焦深度)。已经提出了其它浸没液体，包括具有悬浮在其中的固体颗粒(例如石英)的水，或具有纳米颗粒悬浮液的液体(例如具有高达10nm的最大尺寸的颗粒)。悬浮颗粒可能具有或可能不具有与其悬浮在其中的液体相似或相同的折射率。可能适合的其它液体包括烃，例如芳烃、氟烃和/或水溶液。
6.在常规光刻设备中，待曝光的所述衬底可以由衬底保持器(即直接支撑衬底的物体)支撑，衬底保持器继而由衬底台(反射镜块或平台，即所述物体，诸如支撑所述衬底保持器并且提供围绕所述衬底保持器的上表面的台)支撑。所述衬底保持器通常是与所述衬底在大小和形状方面相对应的平坦的刚性圆盘(尽管其可能具有不同大小或形状)。它具有从至少一侧突出的突出物(称为突节或凸斑)的阵列。所述衬底保持器可以在两个相反侧上具有突出物的阵列。在这种情况下，当所述衬底保持器被放置在所述衬底台上时，所述衬底保
持器的主体被保持在所述衬底台上方的一小段距离，而所述衬底保持器的一侧上的突节的端部位于所述衬底台的所述表面上。类似地，当所述衬底搁置于所述衬底保持器的相反侧上的突节的顶部上时，所述衬底与所述衬底保持器的主体间隔开。这样的目的是帮助防止所述衬底台或衬底保持器上可能存在的颗粒(即，污染颗粒，诸如灰尘颗粒)使所述衬底保持器或衬底变形。因为突节的总表面积仅是所述衬底或衬底保持器的总面积的一小部分，所以任何颗粒都非常可能位于突节之间，且其存在将不会具有任何影响。通常，所述衬底保持器和衬底被容纳在所述衬底台的凹部内，使得所述衬底的所述上表面基本上与所述衬底台的所述上表面共面。
7.由于在使用高生产量光刻设备时由所述衬底经历了高加速度，因此仅允许所述衬底搁置于所述衬底保持器的突节上是不够的。它被夹持就位。将所述衬底夹持就位的两种方法是已知的
‑
真空夹持和静电夹持。在真空夹持中，介于所述衬底保持器与衬底之间以及可选地介于所述衬底台与衬底保持器之间的空间被部分地抽空，以便所述衬底由其上方的较高的气体或液体保持至位。然而，在衬底或衬底保持器附近的环境和/或束路径被保持处于低压或非常低的压力的情况下，例如用于极紫外(euv)辐射光刻的情况下，可能无法使用真空夹持。在这种情况下，可能无法横跨所述衬底(或衬底保持器)形成足够大的压差以夹持所述衬底。因此，可以使用静电夹持。在静电夹持中，在所述衬底或其下表面上所镀覆的电极与所述衬底台和/或衬底保持器上或中所设置的电极之间建立电位差。这两个电极表现为大电容器，在合理的电位差的情况下可以产生相当大的夹持力。静电布置或装置可以是这样的：使得单一对电极(一个位于所述衬底台上且一个位于所述衬底上)将所述衬底台、衬底保持器和衬底的整个叠层夹持在一起。在已知布置或装置中，一个或更多个电极可以被设置在所述衬底保持器上或所述衬底保持器内，使得所述衬底保持器被夹持至所述衬底台，并且所述衬底被分立地夹持至所述衬底保持器。
8.需要改进包括一个或更多个静电夹具的衬底保持器，以将衬底保持器夹持至衬底台和/或将衬底夹持至衬底保持器。更一般地，需要改进物体保持器，诸如图案形成装置保持器，其包括一个或更多个静电夹具，用于将所述物体保持器保持至台和/或将物体保持抵靠于所述物体保持器。


技术实现要素：

9.根据本发明的第一方面，提供了一种被布置成支撑物体的物体保持器，所述物体保持器至少包括芯层和电极层；其中，所述物体保持器具有被布置成由静电夹具夹持至用于所述物体保持器的台上的表面；其中，所述物体保持器包括多个突节布置或装置，每个突节布置包括突节主体、沟槽、突节电极和绝缘部分；其中，对于每个突节布置，所述突节主体的部分从所述物体保持器的所述表面突出，所述沟槽在与所述物体保持器的所述表面平行的平面中围绕所述突节主体，所述沟槽沿与所述物体保持器的所述表面正交的方向延伸，从所述物体保持器的所述表面到至少通过所述电极层，所述突节电极由所述电极层构成并且围绕所述沟槽，并且所述绝缘部分由所述电极层构成并且围绕所述电极层；其中，所述电极层还包括一个或更多个夹持电极，所述夹持电极是静电夹具的电极，所述静电夹具被布置成将所述表面夹持至用于所述物体保持器的台上，并且，在所述电极层内，突节布置的每个绝缘部分由夹持电极围绕；并且其中，所述物体保持器包括布置在每个突节电极与所述
芯层之间的一个或更多个导电通孔。替代地或另外地，所述一个或更多个导电通孔在每个突节电极与所述芯层之间延伸。
10.优选地，所述物体保持器还至少包括绝缘层和介电层；其中，所述绝缘层被布置在所述芯层与所述电极层之间；所述介电层被布置在所述电极层与所述衬底的所述表面之间；并且，对于每个突节布置，所述沟槽延伸穿过所述介电层和所述绝缘层。
11.优选地，对于每个突节布置，所述沟槽延伸至所述芯层的至少一部分内。
12.优选地，对于每个突节布置，所述突节主体包括位于所述突节主体的从所述表面突出的部分的端部处的金属层。
13.优选地，每个突节布置还包括布置在所述金属层与所述芯层之间的一个或更多个导电通孔。
14.优选地，所述电极层包括两个夹持电极。
15.优选地，所述芯层处于地电位。
16.优选地，所述表面是圆形的，且所述多个突节布置以基本均匀的轴向分布定位在所述表面上。
17.优选地，所述物体是衬底或图案形成装置。
18.根据本发明的第二方面，提供了一种用于支撑物体的物体保持器，所述物体保持器至少包括芯层和电极层；其中，所述物体保持器具有被布置成由静电夹具夹持至所述物体的表面；其中，所述物体保持器包括多个突节布置；其中，每个突节布置包括突节主体和突节电极；其中，对于每个突节布置，突节的端部提供所述物体保持器的所述表面的凸起部分，并且所述突节电极被布置在至少所述突节主体的提供所述凸起部分的端部上；其中，所述电极层包括一个或更多个夹持电极，所述夹持电极是静电夹具的电极，所述静电夹具被布置成将所述表面夹持至物体；其中，所述物体保持器包括一个或更多个导电通孔，所述导电通孔在每个电极与所述芯层之间延伸；并且其中，所述电极层包括多个绝缘部分，所述绝缘部分被布置成使得每个通孔的穿过所述电极层的部分被绝缘部分围绕。
19.优选地，所述物体保持器还至少包括绝缘层和介电层；其中，所述绝缘层被布置在所述芯层与所述电极层之间；并且其中，所述介电层被布置在所述电极层与所述衬底的所述表面之间；并且每个通孔延伸穿过所述介电层和所述绝缘层。
20.优选地，对于每个突节布置，所述突节电极还被设置在所述突节主体的侧壁上并在与所述表面平行的平面内围绕所述突节主体的基部。
21.优选地，每个通孔在一端处被附接至围绕每个突节主体的基部而设置的突节电极部分。
22.优选地，所述电极层包括两个夹持电极。
23.优选地，所述芯层处于地电位。
24.优选地，所述物体是衬底或图案形成装置。
25.根据本发明的第三方面，提供了一种用于支撑物体的物体保持器布置或装置，所述物体保持器布置包括：根据第一方面所述的物体保持器，所述物体保持器被布置成以静电方式将所述物体保持器夹持至用于所述物体保持器的台；和/或根据第二方面所述的物体保持器，所述物体保持器被布置成将物体以静电方式夹持至所述物体保持器。
26.根据本发明的第四方面，提供了一种包括根据第三方面所述的物体保持器布置的
光刻设备。
附图说明
27.现在将仅通过示例，参考随附的示意性图来描述本发明的实施例，在附图中：
28.图1描绘了光刻设备；
29.图2和图3描绘了用于光刻投影设备的液体供给系统；
30.图4描绘了用于光刻投影设备的另一液体供给系统；
31.图5以横截面描绘了可以用作浸入式液体供给系统的屏障构件；
32.图6描绘了光刻设备；
33.图7是图6的设备的更详细视图；
34.图8是图6和图7的设备的源收集器的更详细视图；
35.图9以横截面方式描绘了衬底台和衬底保持器；
36.图10示出了穿过已知物体保持器的部分的横截面；
37.图11a示出了已知物体保持器的下表面；
38.图11b示出了已知物体保持器的电极层中的结构；
39.图11c示出了穿过已知物体保持器的横截面；
40.图12a示出了根据实施例的长突节的突节主体的端部；
41.图12b示出了根据实施例的电极层的部分；
42.图12c示出了根据实施例的穿过长突节的横截面；
43.图13示出了根据实施例的穿过长突节的横截面；
44.图14是根据实施例的电极层的视图；
45.图15示出了根据实施例的可以设置在物体保持器的上表面上的短突节；和
46.图16示出了根据实施例的可以设置在物体保持器的上表面上的短突节。
47.虽然本发明容易受到各种修改和替代形式的影响，但其具体实施例在附图中以示例的方式示出，并可以在本文中详细描述。附图可能不按比例绘制。然而，应当理解，附图及其详细描述并不旨在将本发明限于所披露的特定形式，相反，其预期涵盖落入由所附权利要求所限定的本发明的精神和范围内的所有修改、等效物和替代物。
具体实施方式
48.图1和图6示意性地描绘了可以使用根据本发明的实施例的静电夹具的光刻设备。每个设备可以包括：
49.‑
照射系统(照射器)il，所述照射系统被配置为调节辐射束b(例如uv辐射、duv辐射或euv辐射)；
50.‑
支撑结构(例如掩模台)mt，所述支撑结构被构造成用以支撑图案形成装置(例如掩模)ma，并且连接至第一定位器pm，所述第一定位器pm被配置为根据某些参数准确地定位所述图案形成装置；
51.‑
衬底台(例如，晶片台)wt，所述衬底台被构造用于保持衬底保持器，所述衬底保持器被布置成用以保持衬底(例如，抗蚀剂涂覆的晶片)w，并且被连接至第二定位器pw，所述第二定位器pw被配置成根据某些参数精确地定位所述衬底。如本文所描述的衬底保持器
可以用于将所述衬底w保持在所述衬底台wt上；以及
52.‑
投影系统(例如，折射或反射投影透镜系统)ps，所述投影系统被配置成通过图案形成装置ma将被赋予辐射束b的图案投射到衬底w的目标部分c(例如，包括一个或更多个管芯)上。
53.照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件，或其任何组合，用于引导、成形或控制辐射。
54.支撑结构mt保持所述图案形成装置。所述支撑结构mt保持所述图案形成装置的方式依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计、和其它条件，诸如例如所述图案形成装置是否被保持在真空环境中。所述支撑结构mt可以使用机械式、真空式、静电式或其它夹持技术来保持图案形成装置。所述支撑结构mt可以是例如可以根据需要是固定的或移动的框架或台。所述支撑结构mt可以确保图案形成装置处于例如相对于投影系统的期望位置。本文中术语“掩模版”或“掩模”的任何使用可以被认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。
55.本文中使用的术语“图案形成装置”应广义地解释为指任何可以用于在在辐射束的横截面中向辐射束赋予图案的装置，例如在衬底的目标部分中创建图案。应注意，赋予辐射束的图案可能不确切地对应于在衬底的目标部分中的期望图案，例如，如果图案包括相移特征或所谓的辅助特征。通常，赋予辐射束的图案将对应于在目标部分中创建的器件(诸如集成电路)中的特定功能层。
56.所述图案形成装置可以是透射型的或反射型的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列和可编程lcd面板。掩模在光刻中是公知的，包括诸如二元掩模、交替相移掩模、和衰减相移掩模、以及各种混合掩模类型的掩膜类型。可编程反射镜阵列的一个示例采用小反射镜的矩阵布置，每个小反射镜可以被单独地倾斜以便在不同方向反射入射的辐射束。倾斜的反射镜在由反射镜矩阵反射的辐射束中赋予图案。
57.本文使用的术语“投影系统”，如术语“照射系统”，应被广义地解释为包括任何类型的投影系统，包括折射型、反射型、折射反射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统或其它类型的光学部件，或其任何组合(视情况而定)，适用于正在使用的曝光辐射或其它因素(诸如浸没液体的使用或真空的使用)。这里使用的任何术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。如照射系统，所述投影系统可以包括各种类型的光学部件，诸如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件，或其任何组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用真空的其它因素所适合的。可能期望将真空用于euv辐射，这是由于其它气体可能吸收过多辐射。因此，可以借助于真空壁和真空泵而将真空环境提供至整个束路径。
58.如图1所描绘的，所述设备是透射型的(例如，使用透射型掩模)。替代地，如图6所描述的，所述设备可以是反射型的(例如，使用如上所述类型的可编程反射镜阵列，或使用反射型掩模)。
59.所述光刻设备可以是具有两个或更多个台(或平台或支撑件)的类型，其可以被称为双平台，例如，两个或更多个衬底台，或者一个或更多个衬底台与一个或更多个传感器或测量台的组合。在这种“多平台”机器中，可以并行地使用额外的台，或者在一个或更多个台上执行准备步骤，而同时使用一个或更多个其它台用于曝光。所述光刻设备可以具有两个或更多个图案形成装置台(或平台或支撑件)，其可以用与衬底、传感器和测量台类似的方
式并行使用。
60.参考图1和图6，所述照射器il从图1中的辐射源so或图6中的源收集器设备so接收辐射束。所述源和所述光刻设备可以是单独的实体，例如当所述源是准分子激光器时。在这种情况下，所述源不被视为形成光刻设备的一部分，并且辐射束借助包括例如合适的定向反射镜和/或束扩展器的这样的束传送系统bd从所述源so传递到所述照射器il。在其它情况下，所述源可以是光刻设备的组成部分，例如当所述源是汞灯时。所述源so和所述照射器il，与束传递系统bd一起(在需要时)，可以被称为辐射系统。
61.用以产生euv辐射的方法包括但不必限于利用在euv范围内的一个或更多个发射谱线将具有至少一个元素(例如氙、锂或锡)的材料转换成等离子体状态。在一种这样的方法(常常被称为激光产生等离子体“lpp”)中，可以通过利用激光束来照射燃料(诸如具有所需谱线发射元素的材料的小滴、流或簇)而产生所述等离子体。所述源收集器设备so可以是包括激光器(图6中没有图示)的euv辐射系统的一部分，所述激光器用以提供激发所述燃料的激光束。得到的等离子体发射输出辐射，例如euv辐射，所述辐射是使用安置于所述源收集器设备中的辐射收集器来收集的。例如，当使用co2激光器以提供用于燃料激发的激光束时，所述激光器与所述源收集器设备可以是分立的实体。在这些情况下，不会将激光器看成形成所述光刻设备的一部分，且借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统bd，将所述辐射束从所述激光器传递至所述源收集器设备。在其它情况下，所述源可以是所述源收集器设备的组成部分(例如，当所述源是放电产生等离子体euv发生器(常常被称为dpp源)时)。
62.照射器il可以包括被配置用以调整辐射束的角强度分布的调节器ad。通常，至少可以调整所述照射器的光瞳平面中的强度分布的外部径向范围及/或内部径向范围(通常分别称为σ
‑
外部和σ
‑
内部)。此外，所述照射器il可以包括各种其它部件，诸如积分器in、聚光器co、琢面场反射镜装置和/或光瞳反射镜装置。所述照射器可以用于调节辐射束，以在其横截面中具有期望的均匀性和强度分布。与所述源so类似，所述照射器il可以被看作或不被看作形成所述光刻设备的一部分。例如，所述照射器il可以是光刻设备的组成部分或可以是与光刻设备分开的实体。在后一种情形中，光刻设备可以配置成允许照射器il安装在其上。可选地，照射器il是可拆卸的并且可以被单独地提供(例如，由光刻设备制造商或其它供应商提供)。
63.辐射束b入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)mtmt上的图案形成装置上，并且由图案形成装置(例如，掩模)ma进行图案化。在已穿过所述图案形成装置ma之后，辐射束b传递通过投影系统ps，投影系统ps将所述束b聚焦到衬底w的目标部分c上。借助第二定位器pw和位置传感器ps1(例如干涉装置、线性编码器、或电容传感器)，可以精确地移动衬底台wt，例如，以便将不同的目标部分c定位在辐射束b的路径中。类似地，第一定位器pm和另一位置传感器(未在图1中明确描绘)可以用于相对于辐射束b的路径精确地定位所述图案形成装置ma，例如在从掩模库机械获取之后或在扫描期间。一般而言，所述支撑结构mt的移动可以借助于构成第一定位器pm的一部分的长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精细定位)来实现。类似地，衬底台wt的移动可以使用形成第二定位器pw的一部分的长行程模块和短行程模块来实现。在步进器(相对于扫描仪)的情况下，所述支撑结构mt可以仅连接至短行程致动器，或者可以是固定的。图案形成装置ma和衬底w可以使用图案形成装置对准标记m1、
m2和衬底对准标记p1、p2来对准。尽管如图所示的衬底对准标记占据专用目标部分，但它们可以位于目标部分之间的空间中(这些被称为划道对准标记)。类似地，在所述图案形成装置ma上设置多于一个管芯的情况下，所述图案形成装置对准标记可以位于管芯之间。
64.所描绘的设备可以在以下模式中的至少一种中使用：
65.1.在步进模式中，所支撑结构mt和衬底台wt保持基本上静止，而同时将赋予辐射束的整个图案一次投影到目标部分c上(即单次静态曝光)。然后，衬底台wt在x和/或y方向上移位，从而可以暴露不同的目标部分c。在步进模式中，曝光场的最大大小限制了在单次静态曝光中所成像的目标部分c的大小。
66.2.在扫描模式中，同步地扫描所述支撑结构mt和衬底台wt，而同时将赋予辐射束的图案投影到目标部分c(即，单次动态曝光)。衬底台wt相对于所述支撑结构mt的速度和方向可以由投影系统ps的放大率(缩小率)和图像反转特性来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单次动态曝光中目标部分c的宽度(在非扫描方向上)，而扫描运动的长度确定了目标部分的高度(在扫描方向上)。
67.3.在另一模式中，所述支撑结构mt保持基本上静止，保持可编程图案形成装置，并且当赋予辐射束的图案被投射到目标部分c的同时移动或扫描所述衬底台wt。在该模式中，通常使用脉冲式辐射源并且可编程图案形成装置在衬底台wt的每次移动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间根据需要进行更新。这种操作模式可以容易地应用于利用可编程图形形成装置的无掩模光刻术，诸如如上所述类型的可编程反射镜阵列。
68.也可以采用上述使用模式或完全不同的使用模式的组合和/或变型。
69.图7更详细地示出所述euv设备4100，包括源收集器设备so、照射系统il、和投影系统ps。源收集器设备so被构造和布置成使得可以在所述源收集器设备so的封闭结构4220中维持真空环境。发射euv辐射的等离子体4210可以由放电产生的等离子体源形成。euv辐射可以由气体或蒸汽产生，例如xe气体、li蒸汽或sn蒸汽，其中产生非常热的等离子体4210以在电磁频谱的euv范围内发射辐射。例如通过放电导致至少部分地电离的等离子体，来产生非常热的等离子体4210。例如，为了有效地产生辐射，可能需要xe、li、sn蒸汽或任何其它合适的气体或蒸汽的10pa的分压。可以提供受激发锡(sn)的等离子体以产生euv辐射。
70.由热等离子体4210发射的辐射经由定位于源腔室4211中的开口中或后面的可选的气体屏障或污染物阱4230(在一些情况下也称为污染物屏障或箔阱)从源腔室4211进入收集器腔室4212。所述污染物阱4230可以包括通道结构。污染物阱4230还可以包括气体屏障、或气体屏障与通道结构的组合。在本文中进一步指示的所述污染物阱或污染物屏障4230至少包括通道结构，如本领域中已知的。
71.所述收集器腔室4212可以包括辐射收集器co，其可以是所谓的掠入射收集器。辐射收集器co具有上游辐射收集器侧4251和下游辐射收集器侧4252。穿过收集器co的辐射可以被光栅光谱滤波器4240反射离开，以被聚焦在虚拟源点if中。所述虚拟源点if通常被称为中间焦点，并且所述源收集器设备布置成使得所述中间焦点if位于所述封闭结构4220中的开口4421处或附近。所述虚拟源点if是发射辐射的等离子体4210的图像。
72.随后，所述辐射穿过所述照射系统il，所述照射系统il可以包括琢面场反射镜装置42422和琢面光瞳反射镜装置424，它们被布置成在所述图案形成装置ma处提供所述辐射束421的所需的角分布，以及在所述图案形成装置ma处提供所需的辐射强度均匀性。当辐射
束421在由所述支撑结构mt保持的所述图案形成装置ma处被反射时，形成了图案化的束426，并且图案化的束426由所述投影系统ps经由反射元件428、430成像到由晶片平台或衬底台wt所保持的衬底w上。
73.通常，在照射光学器件单元il和投影系统ps中可以存在比所示元件更多的元件。光栅光谱滤波器4240可以可选地存在，这依赖于光刻设备的类型。此外，可能存在比图中所示反射镜更多的反射镜，例如，与图中所示相比，在所述投影系统ps中可能存在1至6个额外的反射元件。
74.如图7所图示，收集器光学器件co被描绘为具有掠入射反射器4253、4254和4255的嵌套式收集器，如收集器(或收集器反射镜)的示例。所述掠入射反射器4253、4254和4255围绕光轴o沿轴向对称设置，并且这种类型的收集器光学器件co优选地与放电产生的等离子体源(通常称为dpp源)结合使用。
75.替代地，所述源收集器设备so可以是如图8所示的lpp辐射系统的一部分。激光器la被布置成将激光能量淀积到燃料中，诸如氙(xe)、锡(sn)或锂(li)，从而产生具备数十电子伏特(ev)的电子温度的深度电离的等离子体4210。在这些离子的去激发和复合期间所产生的能量辐射从所述等离子体发射，由近正入射收集器光学器件co收集，并且被聚焦到封闭结构4220中的开口4221上。
76.在许多光刻设备(例如浸没式光刻设备)中，使用液体供给系统ih在所述投影系统的所述最终元件之间提供流体，尤其是液体，以能够实现较小特征的成像和/或增加所述设备的有效na。下文将参考这种浸没设备进一步描述一种实施方式，但也可以同样地体现在非浸没设备中。用以在所述投影系统的最终元件与所述衬底之间提供液体的布置可以分为至少两大类。这些是浴式布置和所谓的局部浸没系统。在浴式布置中，基本上整个所述衬底以及可选地所述衬底台的部分被浸没在液体的浴中。所述局部浸入系统使用液体供应系统，在所述液体供应系统中液体仅被提供至所述衬底的局部区域。在后一种类中，由液体填充的所述空间在平面上小于所述衬底的所述顶部表面，且填充有液体的区域相对于所述投影系统保持基本上静止，而所述衬底在该区域下方移动。另一种可以直接用于实施的布置是液体不受限制的全湿溶液。在这种布置中，基本上所述衬底的整个顶部表面和所述衬底台的全部或部分被浸没液体所覆盖。覆盖至少所述衬底的液体的深度小。液体可以是所述衬底上的液体膜，诸如薄膜。
77.四种不同类型的局部液体供应系统如图2至图5所示。图2至图5中的任何液体供应装置均可以用于无约束系统；但是，密封特征不存在、未被激活、效率不如正常情况、或另外仅对于局部区域对密封液体无效。
78.针对局部浸没系统所提出的布置之一是，液体供给系统用以仅在所述衬底的局部区域上、以及在所述投影系统的最终元件与所述衬底之间使用液体限制系统来提供液体(所述衬底通常具有比投影系统的最终元件更大的表面积)。pct专利申请公开号wo 99/49504中为此披露了一种已提出的布置方式。如图2和图3所示，液体由至少一个入口供应到所述衬底上，期望沿所述衬底的相对于所述最终元件的移动方向，并且在已通过所述投影系统下方之后由至少一个出口移除。也就是说，当所述衬底沿
‑
x方向扫描于所述元件下方时，液体在所述元件的+x侧处被供应，并且在
‑
x侧处被提取。
79.图2示意性地示出了经由入口供应液体，并且通过连接至低压源的出口在所述元
件的另一侧提取液体的布置。所述衬底w上方的箭头图示了液体流动的方向，且所述衬底w下方的箭头图示了所述衬底台的移动方向。在图2的图示中，所述液体沿所述衬底的相对于所述最终元件的移动方向而被供应，但是情况并非必需如此。可以在所述最终元件周围定位各种方向和数目个入口和出口，图3中图示了一个示例，其中在所述最终元件周围提供了呈规则图案的四组入口，每侧各有一个出口。液体供应和液体回收装置中的箭头指示液体流动的方向。
80.带有局部液体供给系统的另一浸没式光刻溶液如图4所示。液体由所述投影系统ps的任一侧上的两个凹槽入口供给，并且由所述入口的径向向外布置的多个离散出口移除。入口和出口可以被布置在具备位于中心处的孔的板中，并且所述投影束被投影通过所述孔。液体由位于所述投影系统ps的一侧上的一个凹槽入口供应，并且由所述投影系统ps的另一侧上的多个离散出口移除，从而在所述投影系统ps与所述衬底w之间形成液体薄膜的流动。选择使用入口和出口的哪种组合可以依赖于所述衬底w的移动的方向(入口和出口的另一种组合处于非工作状态)。在图4的截面图中，箭头图示了入口和出口中的液体流动的方向。
81.已提出的另一布置是为所述液体供给系统提供液体限制构件，所述液体限制构件沿介于所述投影系统的最终元件与所述衬底台之间的空间的边界的至少一部分延伸。这种布置如图5所图示。所述液体限制构件在xy平面上相对于所述投影系统是基本上静止的，但是在z方向(光轴的方向)可能存在一些相对移动。在所述液体限制与所述衬底的所述表面之间形成密封。在一种实现方式中，在所述液体限制结构与所述衬底的所述表面之间形成密封，并且可以是诸如气体密封之类的非接触式密封。这种系统在通过引用全部并入本文的美国专利申请公开号us 2004
‑
0207824中被披露。
82.图5示意性地描绘了具有流体处理结构12的局部液体供给系统。所述流体处理结构沿介于所述投影系统的所述最终元件与所述衬底台wt或衬底w之间的空间的边界的至少一部分延伸(请注意，以下文字中提及的所述衬底w的表面也指代所述衬底的表面之外或替代所述衬底的表面，除非另有明确说明)。所述流体处理结构12在xy平面中相对于所述投影系统是基本上静止的，但是在z方向(光轴方向)可能存在一些相对移动。在一种实现方式中，在所述屏障构件与所述衬底w的所述表面之间形成密封，并且所述密封可以是非接触式密封，诸如流体密封，期望地是气体密封。
83.所述流体处理结构12在介于所述投影系统ps的所述最终元件与所述衬底w之间的所述空间11中至少部分地包含液体。可以在所述投影系统的所述图像场周围形成对所述衬底w的非接触式密封16，使得液体被限制在介于所述衬底w表面与所述投影系统ps的所述最终元件之间的空间内。所述空间至少部分由位于所述投影系统ps的所述最终元件下方和周围的所述流体处理结构12形成。液体可以通过液体入口13进入所述投影系统下方的以及在流体处理结构12内的空间。所述液体可以通过液体出口13移除。所述流体处理结构12可以延伸到所述投影系统的所述最终元件略上方。液位上升到所述最终元件上方，使得提供液体的缓冲。在一实现方式中，所述流体处理结构12具有内周边，所述内周边在上端处紧密地适形于所述投影系统或其所述最终元件的形状，并且可以例如是圆形的。在底部处，所述内周边紧密地适形于所述图像场的形状，例如，矩形的，但是情况并非必需如此。
84.在一实现方式中，所述液体由气体密封16而被容纳在空间11中，所述气体密封16
在使用期间被形成在所述流体处理结构12的所述底部与所述衬底w的所述表面之间。所述气体密封由气体形成，所述气体例如空气或合成空气，但在一实现方式中，所述气体是n2或其它惰性气体。所述气体密封中的气体在压力下经由入口15而被提供至介于所述流体处理结构12与所述衬底w之间的间隙。气体经由出口14而被抽取。所述气体入口15上的超压、出口14上的真空度、以及所述间隙的几何形状被布置成使得存在限制液体的向内的高速气流16。作用于所述流体处理结构12与所述衬底w之间的液体的气体力包含空间11中的液体。入口/出口可以是围绕所述空间11的环形凹槽。所述环形凹槽可以是连续的或不连续的。气流16有效地将液体容纳在所述空间11中。通过引用全部并入本文的美国专利申请公开号us 2004
‑
0207824中披露了这种系统。
85.图5的示例是局部区域布置，其中液体在任何时间仅被提供至所述衬底w的顶部表面的局部区域。其它布置是可能的，包括使用单相提取器或两相提取器的流体处理系统，如在通过引用全部并入本文的美国专利申请公开号us 2006
‑
0038968中所披露的。
86.另一种可能的布置是一种基于气阻原理的布置。例如，在通过引用全部并入本文的美国专利申请公开号us 2008
‑
0212046、us 2009
‑
0279060和us 2009
‑
0279062中描述了所谓的气阻原理。在该系统中，提取孔被布置呈期望地具有拐角部的形状。拐角部可以与步进或扫描方向对准。与两个出口垂直于扫描方向而被对准的情况相比，这减少了在步进或扫描方向上作用于给定速度的流体处理结构的表面中的两个开口之间的弯液面的力。
87.在通过引用全部并入本文的us 2008
‑
0212046中也披露了一种气刀，所述气刀被定位于主要液体回收特征的径向外部。所述气刀捕获通过主要液体回收特征的任何液体。这种气刀可以存在于所谓的气阻原理布置(如通过引用全部并入本文中的us 2008
‑
0212046中所披露的)中，存在于单相或两相提取器布置中(诸如在通过引用全部并入本文中的美国专利申请公开号us 2009
‑
0262318中所披露的)或任何其它布置。
88.许多其它类型的液体供应系统是可能的。本发明既不限于任何特定类型的液体供给系统，也不限于浸没式光刻术。本发明同样可以应用于任何光刻。在euv光刻设备中，束路径是基本上真空的，并且不使用上述的浸没布置。
89.图1所示的控制系统500控制所述光刻设备的整体操作，并且特别是执行下文进一步描述的优化过程。控制系统500可以被实现为适当地编程的通用计算机，包括中央处理单元、易失性和非易失性存储装置、一个或更多个输入和输出装置(诸如键盘和屏幕)、一个或更多个网络连接、以及到所述光刻设备的各个部分的一个或更多个接口。应当理解，在控制计算机与光刻设备之间不必需一对一的关系。在一实现方式中，一台计算机可以控制多个光刻设备。在一实现方式中，可以使用多个联网计算机来控制一个光刻设备。所述控制系统500也可以被配置成控制在光刻元或簇中的一个或更多个相关联的过程装置和衬底处理装置，其中所述光刻设备形成光刻元或簇的一部分。所述控制系统500也可以被配置成从属于光刻元或簇的管理控制系统和/或晶片厂的整体控制系统。
90.图9描绘了根据一实现方式的衬底保持器100。它可以被保持在衬底台wt中的凹部内并且支撑衬底w。在实施例中，所述衬底保持器的主体100a是基本上平坦的，并且在形状和大小方面与所述衬底w相对应，所述衬底w例如平板，例如碟形件或圆盘。在两侧的实施例中，至少在顶侧上，所述衬底保持器具有凸出物106(即突节)，通常称为突节。在实施例中，所述衬底保持器是衬底台的组成部分，并且在下表面上不具有突节。图9中没有按比例示出
突节。在实际实施例中，跨越即遍及直径例如为200mm、300mm或450mm的衬底保持器上可以分布数百、数千或数万个突节。突节的尖端具有较小的面积，例如小于1mm2，从而使得所述衬底保持器100的一侧上的所有突节的总面积小于所述衬底保持器的总表面积的约10％。由于所述保持器上的突节布置，因此位所述于衬底、衬底保持器或衬底台的表面上的任何颗粒很可能将落入突节之间，且因此不会导致所述衬底或衬底保持器的变形。可以形成图案的突节布置可以是规则的，或者也可以根据需要改变，以在所述衬底和所述衬底台上提供适当的力分布。突节在平面中可以具有任何形状，但在平面中通常是圆形的。突节在其整个高度上可以具有相同的形状和尺寸，但通常是锥形的。凸出物(即突节)可以从所述衬底保持器100的主体100a的其余表面突出从约1μm至约5mm的距离，期望地从约5μm至约250μm。所述衬底保持器100的主体100a的厚度可以在约1mm至约50mm的范围内，期望地在约5mm至20mm的范围内，典型地为10mm。
91.所述衬底保持器100可以由刚性材料制成。期望所述材料具有高导热性或低热膨胀系数。合适的材料包括sic(碳化硅)、sisic(硅化碳化硅)、si3n4(氮化硅)、石英、和/或各种其它陶瓷和玻璃陶瓷，诸如zerodur
tm
玻璃陶瓷。所述衬底保持器100可以通过选择性地从相关材料的实心圆盘上移除材料来制造，以便留下突出的突节。用以去除材料的合适技术包括电火花加工即放电加工(edm)、蚀刻、机加工和/或激光烧蚀。也可以通过使突节生长通过掩模来制造所述衬底保持器。可以由与衬底相同的材料制成所述突节，并且可以通过物理气相沉积过程或溅射来生长所述突节。
92.在一种实现方式中，衬底保持器包括用于静电夹具的一个或更多个电极。电极之间可以产生电位差，以便在所述衬底w与所述衬底保持器100之间和/或所述衬底保持器100与所述衬底台wt之间提供静电夹持力。在实施例中，所述电极被封装在电绝缘层之间。电极之间所产生的电位差可能为约10伏至5,000伏。美国公开号2011
‑
0222033中描述了使用一个或更多个加热器和温度传感器来局部地控制衬底的温度的布置，该公开通过引用全部并入本文，并且其中的技术可以应用于本文中的技术。
93.在上面参考图9的描述中，提及了包括安装在衬底台wt上的衬底保持器100的实现方式。然而，本说明同样适用于其中提供图案形成装置保持器100以代替衬底保持器100并且提供用于图案形成装置的支撑结构ma以代替衬底台wt的等效实现方式。此外，本说明同样适于用以支撑用于在光刻设备中使用的物体的任何物体保持器。
94.对于静电夹具的电极，连续金属膜的两半(但与突节的端部表面绝缘)可以被彼此分离约500μm，并且被沉积以形成静电夹具的正极和负极元件。因此可能有两个电极。电极的金属线可以具有大于约20nm、期望地大于约40nm的层厚度。金属线期望具有小于或等于约1μm、期望地小于约500nm、期望小于约200nm的层厚度。
95.上电极层可以被配置为将所述物体(诸如衬底w)以静电方式夹持至所述物体保持器，且下电极层可以被配置为将所述物体保持器以静电方式夹持至用于所述物体保持器的支撑结构，所述支撑结构可以被称为物体台或仅被称为台。所述台可以是例如用于支撑衬底保持器的衬底台wt。所述台可替代地是例如用于支撑图案形成装置保持器的支撑结构mt。
96.一个或更多个电极将待由所述物体保持器支撑的物体(例如衬底或图案形成装置)以静电方式夹持抵靠于所述物体保持器的表面上的突节上。所述物体被保持成与所述
突节的远端接触。替代地或另外地，可以设置一个或更多个电极来将所述物体保持器以静电方式夹持至适于支撑所述物体保持器的台(例如，衬底台或用于图案形成装置的支撑结构)上。所述物体台被保持成与所述物体保持器的表面上的突节的远端接触。
97.可以设置接地层，所述接地层将两个或更多个突节(可选地，所有突节)电连接至至地或公共电位。可以通过沉积相对较厚的crn层来形成所述接地层。然后对沉积层进行图案化以形成所述接地层。所述图案可以包括一系列金属线，所述金属线将所述突节的远端连接在一起。这些图案有时被称为“曼哈顿(manhattan)”图案。
98.上述技术是已知的并且至少在全部内容通过引用并入本文的wo2014/154428a2中被描述。
99.如上所描述的，物体保持器可以用静电方式夹持至用于物体保持器的台，和/或物体可以用静电方式夹持至所述物体保持器。
100.图10示出了当所述物体保持器的下表面被夹持至台1012且物体1001被夹持至所述物体保持器的所述上表面时，穿过已知物体保持器的部分的横截面。如前文所描述的，所述物体可以是衬底或图案形成装置。所述台可以是如前所描述的衬底台或掩模台。
101.如图10所示，所述物体保持器包括芯层1006。所述芯层1006下方是第一绝缘层1008。所述第一绝缘层1008下方是第一电极层1009。所述第一电极层1009下方是第一介电层1010。所述芯层1006上方是第二绝缘层1005。所述第二绝缘层1005上方是第二电极层1004。所述第二电极层1004上方是第二介电层1003。
102.在所述物体保持器的下表面上设置多个突节1011。在从所述物体保持器的下表面突出的每个凸起1011的端部处设置金属层。在所述物体保持器的上表面上也设置多个突节1002。金属层被设置在从所述物体保持器的所述上表面突出的每个凸起1002的端部处。
103.所述下表面上的突节1011是长突节。所述上表面上的突节1002是短突节。
104.如图10所示，长突节1011周围具有沟槽1007。所述沟槽1007可以从所述物体保持器的所述下表面延伸到所述芯层1006内。所述沟槽1007增加了介于所述长突节1011的远端与基部之间的距离。所述沟槽的设置在一定程度上允许每个长突节1011的远端以横向方式移动，即以平行于所述物体保持器的上表面和下表面的方式移动。每个长突节1011的端部的横向移动有助于防止所述物体保持器与所述台之间发生滑移。应防止这种滑移，因为它是重叠误差的原因。
105.如图10所示，在短突节1002周围没有设置沟槽。
106.所述下表面包括长突节1011和短突节。在所述下表面上设置金属线、或轨道或涂覆显影装置，它们被布置呈圆弧和曼哈顿图案。将所述短突节彼此连接并且连接至所述曼哈顿图案的金属线是圆弧。所述曼哈顿图案包括围绕所述长突节而设置的金属线、连接在这些部件之间的金属线、以及与所述物体保持器的周边连接的金属线。
107.图11a更详细地示出了所述物体保持器的下表面上的曼哈顿图案的一些金属线。
108.图11b示出了所述物体保持器内的所述第一电极层1009中的结构。所述第一电极层1009也包括呈曼哈顿图案的金属线。
109.图11c示出了在与所述物体保持器的下表面正交的平面中，沿图11a和图11b中的线a至a*穿过所述物体保持器的横截面。
110.如图11a和图11b所示，呈曼哈顿图案的所述金属线的用途是使每个长突节1011的
与所述台接触的端部基本上处于地电位。这是通过将每个突节的所述沟槽的周围部分(此处称为突节电极)保持处于地电位来实现的。如图11a和图11b所示，所述金属线将每个长突节1011周围的突节电极连接至所述物体保持器的外周边。与所述外周边的连接可以是经由多个长突节1011的突节电极。所述物体保持器的外周边处于地电位，并且因此所述长突节1011的突节电极也处于地电位。
111.如图11b所示，第一电极层1009包括呈曼哈顿图案的金属线，这些金属线将每个突节电极连接至地。所述第一电极层1009也包括所述静电夹具的一个或更多个夹持电极，所述静电夹具将所述物体保持器夹持至所述台。所述夹持电极的金属线通过绝缘部分与接地连接的金属线分离，从而所述夹持电极未被连接至地。所述绝缘部分可能只是介于夹持电极与接地连接之间的间隙，或者可以使用多种已知绝缘体中的任何一种以将夹持电极与接地连接绝缘。
112.所述物体保持器的下表面上的短突节由所述物体保持器的下表面上的金属线保持接地，位于所述短突节与所述曼哈顿图案之间。
113.由所述第二电极层1004中的一个或更多个第二夹持电极，在物体保持器的上表面与所述物体之间实现静电夹持。在所述物体保持器的所述上表面上仅设置短突节1002。将金属线设置在所述上表面上的短突节1002之间且设置至所述上表面的周边，以便短突节1002的与所述物体接触的端部被连接至地。
114.图10所示的已知物体保持器有效地包括两个单独的静电夹具。第一静电夹具将所述物体保持器保持至所述台，并且第二静电夹具将物体保持至所述物体保持器。
115.上述已知物体保持器的问题在于，提供接地连接的金属线降低了夹持效率，因为在所述物体保持器的上表面和下表面上设置接地连接的金属线的情况下没有夹持力。特别地，由于由呈曼哈顿图案的金属线所提供的接地连接以及长突节1011所需的相对较大的表面积，使用长突节1011显著地降低夹持效率。因此，在上述已知设计的物体保持器的所述下表面上所设置的长突节1011的数目受到限制，因为当所述长突节1011的数目增加时夹持效率降低。
116.上述已知的物体保持器设计所经历的另一个问题是，呈曼哈顿图案的金属线能够增加表面剩余电荷的量。表面剩余电荷可以由表面泄漏和/或循环诱导充电(cic)引起，这两种情况都与呈曼哈顿图案的金属线的使用有关。当存在残余电荷的大量积聚时，所述残余电荷可能会阻止从所述台移除所述物体保持器。当发生这种情况时，可能需要停止所述光刻设备的操作，以便可以将其打开并且由其它技术将所述物体保持器从所述台移除。这样的停机时间可能高达11小时，尤其是对于euv设备，因为需要恢复真空条件。
117.实施例提供了一种新的物体保持器，其不经历由已知物体保持器所经历的至少一些问题。实施例通过降低当长突节的数目增加时夹持效率降低的影响来改进所述物体保持器的已知设计。实施例也可以减少在物体保持器的表面上的残余电荷积聚的量。
118.利用物体保持器的上述已知设计，由于夹持效率的所产生的降低，不可能仅在所述下表面上使用长突节。因此，在所述下表面上使用长突节和短突节两者。不同类型的突节的定位依赖于所述物体保持器被设计用于夹持至的台的特定马达定位。
119.对于根据实施例的物体台，可以在所述下表面上仅使用长突节。所述长突节可以均匀地分布在所述下表面上(即，对于圆形的物体保持器，所述长突节可以被设置呈多个同
心圆，且每个同心圆中的长突节的轴向间距是基本上恒定的)。与其中在所述下表面上使用短突节且夹持力不均匀的物体台的上述已知设计相比，这改善了性能。根据实施例的所述物体保持器也是通用的，因为它可以与任何数目个电机一起使用，并且针对所述物体保持器被夹持至的台，可以定位所述电机。
120.图12a、图12b、图12c、图13和图14示出了根据实施例，可以在物体保持器的所述下表面上设置多长的突节。参考至少图10，所述物体保持器可以包括芯层1006、第一绝缘层1008、第一电极层1009、第一介电层1010、第二绝缘层1005、第二电极层1004、第二介电层1003，呈前述分层布置，用于物体保持器的已知设计。在实施例中，根据物体保持器的已知设计，每层可以由相同的材料制成。
121.根据实施例的所述物体保持器不同于物体保持器的已知设计，因为其不包括所述物体保持器的所述下表面上以及所述第一电极层1009中的呈曼哈顿图案的金属线。每个长突节具有围绕所述第一电极层1009中的沟槽1303的突节电极1304。所述突节电极1304由绝缘部分1302与夹持电极1301分离。所述突节电极1304由在一端处连接至在第一电极层1009中的突节电极1304并且在另一端处连接至所述物体保持器的芯层1006的一个或更多个导电通孔1305连接至地。所述物体保持器的所述芯层1006处于地电位。
122.根据实施例的所述物体保持器与物体保持器的已知设计之间的差异在于，根据实施例的所述突节电极1304不被所述第一电极层1009中的呈曼哈顿图案的金属线直接连接至物体保持器的周边。在多个实施例中，所述物体保持器的所述下表面上也不存在呈曼哈顿图案的金属线。
123.图12a示出了根据实施例的长突节的突节主体的端部，在该实施例中，在所述物体保持器的所述下表面上没有为物体保持器的周边提供接地连接的金属线。
124.图12b示出了根据实施例的所述第一电极层1009的一部分，在该实施例中，长突节的突节电极在第一电极层1009中未被直接连接至所述物体保持器的周边。对于每个长突节，所述第一电极层包括围绕突节主体的沟槽1303、围绕所述沟槽1303的突节电极1304、围绕每个突节电极1304的绝缘部分1302、和围绕所述绝缘部分1302的一个或更多个夹持电极1301。
125.图12c示出了根据实施例，沿图12a和图12b中的线a至a*线，在与所述物体保持器的下表面正交的平面中穿过长突节的横截面。对于每个长突节，所述第一电极层包括围绕突节主体的沟槽1303、围绕所述沟槽1303的突节电极1304、围绕每个突节电极1304的绝缘部分1302、和围绕所述绝缘部分1302的一个或更多个夹持电极1301。在所述第一电极层1009中的突节电极1304与所述芯层1006之间设置通孔1305。可以在每个长突节的远端处设置金属层1306。
126.图13示出了根据实施例的穿过长突节的横截面。
127.图14是根据实施例的物体保持器的下表面上的长突节的所述第一电极层1009的视图。在图14中，两个通孔1305将所述长突节的突节电极1304连接至所述芯层1006。然而，实施例也包括连接至突节电极1304的仅一个通孔1305，或连接至所述突节电极1304的两个以上的通孔1305。
128.许多已知技术可以用于提供穿过所述第一绝缘层1008的每个通孔1305。例如，每个通孔1305可以被蚀刻或激光钻孔。当在所述第一电极层1009中沉积金属以形成金属时，
金属也将被沉积到每个通孔1305的侧壁上，且由此形成与所述芯层1006的电连接。
129.实施例也包括提供一个或更多个通孔，所述一个或更多个通孔在一端处连接至每个长突节的突节主体的远端处的金属层1306，并且在它们的另一端处连接至所述芯层1006。由此，与所述台接触的长突节的端部由通孔1305穿过所述长突节的中心主体直接地连接至地。
130.与静电夹具的上述已知设计相比，实施例提高了夹持效率。对于静电夹具的已知设计，在下表面上设置特征将夹持效率从若所述下表面上没有特征的情况降低至约92.0％。对于上述实施例的静电夹具，所述下表面上的特征将夹持效率从若所述下表面上没有特征的情况降低至约93.8％。因此，根据实施例的静电夹具通过具有更高的夹持效率来改进了静电夹具的已知设计。
131.因为没有呈曼哈顿图案的金属线，剩余电荷的影响也被减小。
132.此外，在所述下表面上仅设置了长突节，并且这能够使得操作更加灵活，介于所述支撑结构与所述台之间的相对移动增加，以及夹持力更加均匀。
133.图15和图16示出了根据实施例可以设置在所述物体保持器的所述上表面上的短突节1603。所述物体保持器包括用于将物体夹持至所述物体保持器的所述上表面的静电夹具。设置一个或更多个导电通孔1602，用于将每个短突节1603的端部连接至接地芯层1006。
134.在图15所示的实现方式中，通孔1602穿过短突节1603的主体，并且直接连接至所述短突节1603的端部表面上的金属层1601。
135.在图16所示实施例的实现方式中，短突节1603的端部表面上的金属层1601连接至所述短突节1603的侧壁上的金属层和围绕所述短突节1603的基部的金属层。每个通孔1602连接至围绕所述短突节1603的基部的金属层，且所述通孔1603不延伸至每个短突节1603的主体。由于围绕所述基部的金属层、侧壁上的金属层、和每个短突节1603的端部表面上的金属层之间的电连接，因此每个短突节1603的端部表面上的金属层1601接地。
136.在图15和图16所示的实施例中，每个通孔1602的穿过所述第二导电层1004的部分被绝缘部分1604围绕，使得通孔1602不与所述静电夹具的电极1605电连接，用于将物体夹持至所述物体保持器的所述上表面。
137.在图15和图16所示的实施例中，在所述物体保持器的所述上表面上没有金属线将短突节1603相互连接并且连接至所述上表面的接地周边。这减少了所述上表面上的金属线的数目，且由此减少了残余电荷积累的量。夹持效率也可以被改进。
138.根据实施例，用于制造所述物体保持器的所有部件的材料可以是用于制造已知物体保持器的任何已知材料。具体地，可以利用如在全部内容通过引用并入本文的wo2015/120923a1、wo2014/154428a2和us2013/0094009a1中所披露的材料来制造根据实施例的所述物体保持器的部件。
139.具体地，用于所述第一电极层1009和所述第二电极层1004中的电极的金属可以是cr或ti。所述突节的远端表面上所使用的金属可以是crn或tin。介于夹持电极与突节电极之间的绝缘部分、以及夹持电极和通孔可以是氧化铬。所述芯层1006可以是sisic。所述第一绝缘层1008和所述第二绝缘层1005可以是玻璃，诸如例如，通孔可以由钨与组合而成。通孔直径可以低至50μm。
140.长突节的数目可能是数万。短突节的数目可能是数万。
141.根据实施例的所述物体保持器的尺寸及其特征(诸如突节、沟槽、电极间距、和提升销或引脚)可以与已知物体保持器基本相同，并且在通过引用并入本文的上述文件中被披露。实施例也包括从根据已知技术的特征大小来减小物体保持器的上表面和下表面上的特征大小。特征大小的减小提高了夹持效率。
142.实施例包括对如上所述的实施例的实现方式的许多修改和变型。
143.所述物体保持器可以是包括一个或更多个静电夹具的任何类型的支撑结构。
144.为了帮助清楚的解释，已经参考物体保持器的上表面和下表面描述了实施例。上表面和下表面是所述物体保持器的第一表面和第二表面。所述第一表面是物体可以被夹持至的表面。所述第二表面是台可以被夹持至的表面。当物体保持器在水平面上定向时，所述第一表面是上表面，且所述第二表面是下表面。然而，实施例也包括不在水平面中定向的物体保持器。
145.实施例包括物体保持器，其包括根据实施例的长突节和/或短突节以及根据已知技术提供的长突节和/或短突节。
146.优选地，所述物体保持器仅具有在所述下表面上的长突节。然而，所述物体保持器可以包括在其下表面上的短突节和长突节的混合物。
147.根据实施例的技术也可以用于将物体保持器的表面上的其它特征接地。例如，这些技术可以用于将直立销或引脚接地。
148.接地电位可能是0v或任何其它电压。
149.实施例包括在任何光刻设备中所使用的物体保持器。所述光刻设备可以包括在衬底制造、测试和检查中使用的任何设备，诸如电子束检查设备。
150.尽管上面可能已在物体检查和光学光刻的情境中具体提及使用本发明的实施例，但是应当理解，在情境允许的情况下，本发明不限于这些情境，并且可以在其它应用中使用，例如压印光刻。
151.在情境允许的情况下，本发明的实施例可以实施为硬件、固件、软件或其任何组合。本发明的实施例也可以被实施为存储在机器可读介质上的指令，所述指令能够由一个或更多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括用于储存或传输呈机器(例如，计算装置)可读的形式的信息的任何机制。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(rom)；随机存取存储器(ram)；磁存储介质；光存储介质；闪速存储器装置；电学、光学、声学或其它形式的传播信号(例如，载波、红外信号、数字信号等)以及其它。另外，本文中，可以将固件、软件、例程、指令描述为执行某些动作。然而，应理解，这样的描述仅仅是为了方便，并且这些动作实际上是由计算装置，处理器，控制器或执行固件、软件、例程、指令等的其它装置产生的，并且在这样做时可能引起致动器或其它装置与物理世界相互作用。
152.虽然上文已经描述了本发明的具体实施例，但是应认识到，本发明可以用与上述不同的方式来实践。上文的描述旨在是示例性的而非限制性的。因此，本领域的技术人员将明白，在不背离下面阐述的权利要求书的范围的情况下，可以对所描述的发明进行修改。