突发统计数据聚合滤波器的制作方法

突发统计数据聚合滤波器
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2019年12月11日提交的标题为burst statistics data aggregation filter的美国申请号62/946,889的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
3.本公开涉及用于分析和使用与激光源相关联的数据的系统和方法。


背景技术：

4.光刻装置是一种将期望图案施加到衬底上的机器，通常施加到衬底的目标部分上。例如，可以在集成电路(ic)的制造中使用光刻装置。在这种情况下，替代地被称为掩模或掩模版的图案化器件可以被用来生成要在正被形成的ic的个体层上形成的电路图案。该图案可以被转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分的、一个或若干管芯)上。图案的转移通常经由成像到衬底上所提供的辐射敏感材料(光刻胶或简称为“抗蚀剂”)层上。一般来说，单个衬底将包含连续图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻装置包括所谓的步进器和所谓的扫描仪，在步进器中通过将整个图案一次曝光到目标部分上来辐射每个目标部分，而在扫描仪中通过在给定方向(“扫描”方向)上通过辐射射束扫描图案同时平行或反平行于该扫描方向同步地扫描衬底来辐射每个目标部分。还可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案化器件转移到衬底上。
5.激光源可以与光刻装置一起使用，用于例如生成用于照射图案化器件和曝光衬底的照射辐射。激光源和光刻装置可以生成大量数据。因此，需要一种系统和方法来聚合、聚类并分析与激光源相关联的数据，以了解和控制激光源和/或光刻装置的操作。


技术实现要素：

6.在本公开中描述了用于聚合和分析与激光源相关联的数据的系统和方法的实施例。
7.本公开的一个方面提供了一种系统，该系统包括被配置为生成激光脉冲的一个或多个突发的激光源以及数据收集与分析系统。数据收集与分析系统被配置为从激光源接收与激光脉冲的一个或多个突发相关联的数据，并基于接收到的数据来确定激光脉冲的一个或多个突发是用于外部使用。数据收集与分析系统还被配置为基于接收到的数据来确定激光脉冲的一个或多个突发是用于晶片上操作还是用于校准操作。
8.在一些实施例中，数据收集与分析系统被配置为：从接收到的数据，确定与激光脉冲的一个或多个突发相关联的能量控制模式(ecm)值；并将所确定的ecm值与第一ecm值进行比较。响应于所确定的ecm值不同于第一ecm值，数据收集与分析系统被配置为确定激光脉冲的一个或多个突发是用于外部使用。
9.在一些实施例中，数据收集与分析系统还被配置为确定激光脉冲的一个或多个突发中的突发数量。响应于确定激光脉冲的一个或多个突发包括一个突发，数据收集与分析
系统被配置为确定激光脉冲的一个突发是用于校准操作。
10.在一些实施例中，数据收集与分析系统还被配置为响应于确定激光脉冲的一个或多个突发包括多于一个突发而不是恰好包含一个突发而对接收到的数据应用校准类别测试。
11.在一些实施例中，响应于校准类别测试被满足，数据收集与分析系统还被配置为确定一个或多个突发中的最后一个突发是用于校准操作，并且确定一个或多个突发中的其他突发是用于晶片上操作。
12.在一些实施例中，响应于校准类别测试未被满足，数据收集与分析系统还被配置为确定一个或多个突发是用于晶片上操作。
13.在一些实施例中，数据收集与分析系统还被配置为：从接收到的数据中，排除与一个或多个突发的第一突发和最后一个突发相关联的数据，以生成第一修改数据。数据收集与分析系统还被配置为：从第一修改数据中，排除与具有最大突发间隔(ibi)值的突发相关联的数据，以生成第二修改数据。数据收集与分析系统还被配置为：基于第二修改数据中的ibi值，生成平均ibi值；基于第二修改数据中的ibi值，生成标准偏差值，以及基于平均ibi值、标准偏差值和ibi参数；生成ibi阈值。
14.在一些实施例中，数据收集与分析系统还被配置为响应于与最后一个突发相关联的ibi值大于ib阈值、与最后一个突发相关联的每突发脉冲(ppb)大于pbb阈值或与最后一个突发相关联的高压命令方差(hvv)大于hvv阈值，确定校准类别测试被满足。响应于确定校准类别测试被满足，数据收集与分析系统还被配置为确定一个或多个突发中的最后一个突发是用于校准操作，并确定一个或多个突发中的其他突发是用于晶片上操作。
15.在一些实施例中，数据收集与分析系统还被配置为确定一个或多个突发的第一部分是用于校准操作并且确定一个或多个突发的第二部分是用于晶片上操作。数据收集与分析系统还被配置为使用来自接收到的数据中的、与一个或多个突发的第二部分相关联的数据来确定用于一个或多个突发的第二部分的一个或多个度量。
16.在一些实施例中，一个或多个突发包括被用于校准操作的校准突发和被用于晶片上操作的一个或多个晶片上突发。校准突发包括区分校准突发与一个或多个晶片上突发的特性。数据收集与分析系统被配置为：使用校准突发的特性来区分校准突发和晶片上突发。
17.在一些实施例中，数据收集与分析系统还被配置为将晶片标识符指派给校准突发。
18.在一些实施例中，一个或多个突发包括被用于校准操作的第一校准突发、被用于第二校准操作的第二校准突发、以及被用于晶片上操作的一个或多个晶片上突发。第一校准突发包括区分将第一校准突发与一个或多个晶片上突发的第一特性，并且第二校准突发包括区分第二校准突发与一个或多个晶片上突发的第二特性。数据收集与分析系统被配置为使用第一校准突发的第一特性和第二校准突发的第二特性来区分第一校准突发和第二校准突发与一个或多个晶片上突发。
19.本公开的另一方面提供一种方法，包括从激光源并在数据收集与分析系统处，接收与由激光源生成的激光脉冲的一个或多个突发相关联的数据。该方法还包括由数据收集与分析系统并基于接收到的数据，确定激光脉冲的一个或多个突发是用于外部使用。该方法还包括由数据收集与分析系统基于接收到的数据，确定激光脉冲的一个或多个突发是用
于晶片上操作还是用于校准操作。
20.本公开的另一方面提供了一种光刻装置，其包括被配置为调节辐射射束的照射系统和被配置为将赋予辐射射束的图案投影到衬底上的投影系统。照射系统包括被配置为生成激光脉冲的一个或多个突发的激光源以及数据收集与分析系统。数据收集与分析系统被配置为从激光源接收与激光脉冲的一个或多个突发相关联的数据，并基于接收到的数据来确定激光脉冲的一个或多个突发是用于外部使用。数据收集与分析系统还被配置为基于接收到的数据来确定激光脉冲的一个或多个突发是用于晶片上操作还是用于校准操作。
21.本公开的另一方面提供了一种存储指令的非暂时性计算机可读介质，所述指令在由处理器执行时使处理器执行操作。操作包括：从激光源接收与由激光源生成的激光脉冲的一个或多个突发相关联的数据，基于接收到的数据来确定激光脉冲的一个或多个突发是用于外部使用，以及基于接收到的数据来确定激光脉冲的一个或多个突发是用于晶片上操作还是用于校准操作。
22.下面参考附图详细描述各种实施例的另外的特征以及结构和操作。需要注意的是，本公开不限于本文描述的特定实施例。这些实施例在本文中仅出于说明性目的而被呈现。基于本文包含的教导，其他实施例对于(多个)相关领域的技术人员将是显而易见的。
附图说明
23.被并入本文并形成说明书一部分的附图图示了本公开，并且与说明书一起进一步用于解释本公开的实施例的原理并使得(多个)相关领域的技术人员能够制作和使用本公开的实施例的技术。
24.图1a是根据实施例的反射光刻装置的示意图示。
25.图1b是根据实施例的透射光刻装置的示意图示。
26.图2是根据实施例的反射光刻装置的更详细示意图示。
27.图3是根据实施例的光刻单元的示意图示。
28.图4a示意图示了根据本公开的一些实施例的具有数据收集与分析系统的激光源。
29.图4b-图4d图示了根据本公开的一些实施例的描绘示例性分类的示例性图表。
30.图5图示了描绘根据本公开的一些实施例的实现数据收集与分析系统的示例系统的示例性功能框图。
31.图6图示了根据本公开的一些实施例的用于确定和分类激光脉冲的一个或多个突发的示例方法。
32.图7a和图7b是图示了根据本公开的一些实施例的用于将一个或多个突发确定和分类为晶片上突发或校准突发的方法的流程图。
33.图8是用于实现本公开的一些实施例或其一部分的示例计算机系统。
34.本公开的特征将从以下与附图相结合进行阐述的详细描述中变得更加明显，其中相同的参考标记自始至终标识对应的元件。在附图中，除非另有说明，否则相似的参考标号通常指示相同的、功能相似的和/或结构相似的元件。此外，一般来说，参考标号的最左边的一个或多个数字标识参考标号第一次出现的附图。除非另有说明，否则在整个公开中提供的附图不应被解释为按比例绘制的附图。
具体实施方式
35.本说明书公开了合并本发明的特征的一个或多个实施例。所公开的(多个)实施例仅例示了本发明。本公开的范围不限于所公开的实施例。本公开的广度和范围由所附权利要求及其等同物限定。
36.所描述的(多个)实施例以及说明书中对“一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”、“一个示例性实施例”、“示例性实施例”等的引用指示所描述的(多个)实施例可以包括特定的特征、结构或特性，但是每个实施例可以未必包括特定的特征、结构或特性。此外，这样的短语未必是指相同的实施例。此外，当结合实施例描述特定的特征、结构或特性时，应当理解，结合其他实施例(无论是否明确描述)实现这样的特征、结构或特性在本领域技术人员的知识范围内。
37.为了便于描述，可以在本文中使用诸如“下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上”、“上部”等空间相关术语来描述附图中所图示的一个元件或特征与另一个(多个)元件或特征的关系。除了附图中描绘的取向之外，空间相对术语旨在涵盖设备在使用或操作中的不同取向。装置可以以其他方式而被定向(旋转90度或在其他取向)，并且本文中所使用的空间相对描述符同样可以相应地进行解释。
38.如本文中所使用的，术语“大约”指示可以基于特定技术而变化的给定量的值。基于特定技术，术语“大约”可以指示给定量的值，该值在例如该值的10-30％范围内变化(例如，该值的
±
10％、
±
20％或
±
30％)。
39.本公开的实施例可以以硬件、固件、软件或其任何组合来实现。本公开的实施例还可以被实现为存储在机器可读介质上的指令，该指令可以由一个或多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括用于以机器(例如，计算设备)可读的形式存储或传输信息的任何机制。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(rom)；随机存取存储器(ram)；磁盘存储介质；光存储介质；闪存设备；电、光、声或其他形式的传播信号(例如，载波、红外信号、数字信号等)等等。此外，固件、软件、例程和/或指令可以在本文中被描述为执行某些动作。然而，应当了解，这样的描述仅仅是为了方便，并且这样的动作实际上是由执行固件、软件、例程、指令等的计算设备、处理器、控制器或其他设备产生的。
40.然而，在更详细地描述这些实施例之前，呈现可以实现本公开的实施例的示例环境是有益的。
41.示例光刻系统
42.图1a和图1b分别是在其中可以实现本公开的实施例的光刻装置100和光刻装置100’的示意图示。光刻装置100和光刻装置100’均包括以下：照射系统(照射器)il，其被配置为调节辐射射束b(例如，深紫外(duv)辐射或极紫外(euv)辐射)；支撑结构(例如，掩模台)mt，其被配置为支撑图案化器件(例如，掩模、掩模版或动态图案化器件)ma并且被连接到第一定位器pm，该第一定位器pm被配置为准确地定位图案化器件ma；以及诸如工作台(例如，晶片台)wt之类的衬底保持器，其被配置为保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)w并且被连接到第二定位器pw，该第二定位器pw被配置为准确地定位衬底w。光刻装置100和100’还具有投影系统ps，其被配置为将通过图案化器件ma赋予辐射射束b的图案投影到衬底w的目标部分c(例如，包括一个或多个管芯)上。在光刻装置100中，图案化器件ma和投影系统ps是反射的。在光刻装置100’中，图案化器件ma和投影系统ps是透射的。
43.照射系统il可以包括用于引导、成形或控制辐射射束b的各种类型的光学组件，诸如折射、反射、反射折射、磁、电磁、静电或其他类型的光学组件或者它们的任何组合。
44.支撑结构mt以取决于图案化器件ma相对于参考系的取向、光刻装置100和100’中至少一个的设计以及其他条件(诸如图案化器件ma是否被保持在真空环境中)的方式来保持图案化器件ma。支撑结构mt可以使用机械、真空、静电或其他夹持技术来保持图案化器件ma。支撑结构mt例如可以是框架或桌子，其根据需要可以是固定的或可移动的。通过使用传感器，支撑结构mt可以确保图案化器件ma例如相对于投影系统ps而处于期望的位置处。
45.术语“图案化器件”ma应该被广义地解释为是指可以被用来在其横截面中向辐射射束b赋予图案以便在衬底w的目标部分c中产生图案的任何器件。赋予辐射射束b的图案可以对应于在目标部分c中创建以形成集成电路的器件中的特定功能层。
46.图案化器件ma可以是透射的(如图1b的光刻装置100’中)或反射的(如图1a的光刻装置100中)。图案化器件ma的示例包括掩模版、掩模、可编程反射镜阵列或可编程lcd面板。掩模在光刻中是众所周知的，并且包括诸如二进制、交替相移或衰减相移之类的掩模类型，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的一个示例采用小反射镜的矩阵布置，每个小反射镜都可以被单独倾斜，以便在不同方向上反射入射辐射射束。倾斜的反射镜在辐射射束b中赋予图案，该图案由小反射镜矩阵反射。
47.术语“投影系统”ps可以涵盖任何类型的投影系统，包括折射、反射、反射折射、磁、电磁和静电光学系统或它们的任何组合，对于所使用的曝光辐射或者对于诸如在衬底w上使用浸没液体或使用真空之类的其他因素是适合的。真空环境可以被用于极紫外(euv)或电子射束辐射，因为其他气体会吸收过多的辐射或电子。因此可以借助真空壁和真空泵为整个射束路径提供真空环境。
48.光刻装置100和/或光刻装置100’可以是具有两个(双级)或多个衬底台wt(和/或两个或多个掩模台)的类型。在这种“多级”机器中，可以并行地使用附加的衬底台wt，或者可以在一个或多个台上执行准备步骤，而同时一个或多个其他衬底台wt被用于曝光。在一些情形中，附加的台可能不是衬底台wt。
49.光刻装置还可以是这样一种类型，其中衬底的至少一部分可以被具有相对高折射率的液体(例如，水)覆盖，从而填充投影系统和衬底之间的空间。也可以将浸没液体施加到光刻装置中的其他空间，例如，在掩模和投影系统之间。用于增加投影系统的数值光圈的浸没技术在本领域中是众所周知的。如本文中所使用的，术语“浸没”并不意味着诸如衬底的结构必须被沉没在液体中，而是仅意味着在曝光期间液体位于投影系统和衬底之间。
50.参考图1a和图1b，照射器il接收来自辐射源so的辐射射束。源so和光刻装置100、100’可以是分开的物理实体，例如当源so是准分子激光器时。在这种情况下，源so不被认为形成光刻装置100或100’的一部分，并且辐射射束b在包括例如合适的导向镜和/或射束扩展器的射束递送系统bd的帮助下从源so传递到照射器il(在图1b中)。在其他情况下，源so可以是光刻装置100、100’的组成部分，例如当源so是汞灯时。如果需要，源so和照射器il以及射束递送系统bd可以被称为辐射系统。
51.照射器il可以包括用于调节辐射射束的角强度分布的调节器ad(在图1b中)。通常，可以调整照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部和/或内部径向范围(通常分别称为“σ-外部”和“σ-内部”)。此外，照射器il可以包括各种其他组件(在图1b中)，诸如积分器
in和聚光器co。照射器il可以被用来调节辐射射束b，以在其横截面中具有期望的均匀性和强度分布。
52.参考图1a，将辐射射束b入射在被保持在支撑结构(例如，掩模台)mt上的图案化器件(例如，掩模)ma上，并且被图案化器件ma图案化。在光刻装置100中，辐射射束b从图案化器件(例如，掩模)ma被反射。辐射射束b在从图案化器件(例如掩模)ma被反射之后穿过投影系统ps，投影系统ps将辐射射束b聚焦到衬底w的目标部分c上。在第二定位器pw和位置传感器if2(例如，干涉测量器件、线性编码器或电容传感器)的帮助下，衬底台wt可以准确地移动(例如，以便在辐射射束b的路径中定位不同的目标部分c)。类似地，第一定位器pm和另一个位置传感器if1可以被用来相对于辐射射束b的路径准确地定位图案化器件(例如，掩模)ma。图案化器件(例如，掩模)ma和衬底w可以使用掩模对准标记m1、m2和衬底对准标记p1、p2来对准。
53.参考图1b，将辐射射束b入射在被保持在支撑结构(例如，掩模台mt)上的图案化器件(例如，掩模ma)上，并且被图案化器件图案化。在穿越掩模ma之后，辐射射束b穿过投影系统ps，投影系统ps将射束聚焦到衬底w的目标部分c上。投影系统具有与照射系统光瞳ipu的光瞳共轭ppu。部分辐射从照射系统光瞳ipu处的强度分布发出并穿越掩模图案而不受掩模图案处的衍射影响，并在照射系统光瞳ipu处产生强度分布的镜像。
54.投影系统ps将掩模图案mp的镜像mp’投影到涂覆在衬底w上的光刻胶层上，其中镜像mp’是由通过来自强度分布的辐射从标记图案mp产生的衍射射束形成的。例如，掩模图案mp可以包括线和空间的阵列。在阵列处且与零级衍射不同的辐射衍射会生成偏转的衍射射束，其方向在垂直于线的方向上发生变化。未衍射射束(即所谓的零级衍射射束)在传播方向没有任何变化的情况下穿越图案。零级衍射射束在投影系统ps的光瞳共轭ppu的上游穿越投影系统ps的上部透镜或上部透镜组，以到达光瞳共轭ppu。与零级衍射射束相关联并且在光瞳共轭ppu的平面中的强度分布的部分是照射系统il的照射系统光瞳ipu中的强度分布的镜像。例如，光圈器件pd被设置在或基本上在包括投影系统ps的光瞳共轭ppu的平面处。
55.投影系统ps被布置成借助于透镜或透镜组l不仅捕获零阶衍射射束，而且捕获一阶或一阶与更高阶衍射射束(未示出)。在一些实施例中，用于对在垂直于线的方向上延伸的线图案进行成像的偶极照射可以被用来利用偶极照射的分辨率增强效果。例如，一级衍射射束在晶片w的水平处与对应的零级衍射射束发生干涉，从而以尽可能高的分辨率和工艺窗口创建线图案mp的镜像(即，可用的焦深与可容忍的暴露剂量偏差相结合)。在一些实施例中，可以通过在照射系统光瞳ipu的相对象限中提供辐射极(未示出)来减少像散像差。此外，在一些实施例中，可以通过在投影系统的光瞳共轭ppu中阻挡与相反象限中的辐射极相关联的零阶射束来减少像散像差。
56.在第二定位器pw和位置传感器if(例如，干涉测量器件、线性编码器或电容传感器)的帮助下，可以准确地移动衬底台wt(例如，以便在辐射射束b的路径中定位不同的目标部分c)。类似地，第一定位器pm和另一个位置传感器(图1b中未示出)可以被用来相对于辐射射束b的路径而准确地定位掩模ma(例如，在从掩模库进行机械取回之后或在扫描过程期间)。
57.通常，掩模台mt的移动可以借助于长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精确定
位)来实现，长行程模块和短行程模块形成第一定位器pm的一部分。类似地，可以使用长行程模块和短行程模块来实现衬底台wt的移动，长行程模块和短行程模块形成第二定位器pw的一部分。在步进器的情况下(与扫描仪相反)，掩模台mt可以仅连接到短行程致动器或者可以是固定的。可以使用掩模对准标记m1、m2和衬底对准标记p1、p2来对准掩模ma和衬底w。尽管衬底对准标记(如所图示)占据专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间中(被称为划线对准标记)。类似地，在掩模ma上提供多于一个管芯的情形中，掩模对准标记可以位于管芯之间。
58.掩模台mt和图案化器件ma可以在真空室v中，其中真空机器人ivr可以被用来将诸如掩模之类的图案化器件移入和移出真空室。替代地，当掩模台mt和图案化器件ma在真空室的外部时，真空外机器人可以被用于各种运输操作，类似于真空内机器人ivr。真空内和真空外机器人都需要被校准，以便将任何有效负载(例如掩模)顺利转移到转移站的固定运动支架上。
59.光刻装置100和100’可以用于以下模式中的至少一种：
60.1.在步进模式中，支撑结构(例如，掩模台)mt和衬底台wt处于基本静止，同时将赋予辐射射束b的整个图案一次投影到目标部分c上(即，单次静态曝光)。然后衬底台wt在x和/或y方向上被偏移，从而可以曝光不同的目标部分c。
61.2.在扫描模式中，同步扫描支撑结构(例如，掩模台)mt和衬底台wt，同时将赋予辐射射束b的图案投影到目标部分c上(即，单词动态曝光)。衬底台wt相对于支撑结构(例如，掩模台)mt的速度和方向可以由投影系统ps的(缩小)放大率和镜像反转特性来确定。
62.3.在另一种模式中，支撑结构(例如，掩模台)mt处于基本静止，以保持可编程图案化器件，并且移动或扫描衬底台wt，同时将赋予辐射射束b的图案投影到目标部分c上。可以采用脉冲辐射源so，并且在扫描期间在连续的辐射脉冲之间或在衬底台wt的每次移动之后根据需要更新可编程图案化器件。这种操作模式可以很容易被应用于利用诸如可编程反射镜阵列之类的可编程图案化器件的无掩模光刻。
63.还可以采用所描述的使用模式的组合和/或变型或者完全不同的使用模式。
64.在另外的实施例中，光刻装置100包括极紫外(euv)源，其被配置为生成用于euv光刻的euv辐射射束。一般而言，euv源被配置在辐射系统中，并且对应的照射系统被配置为调整euv源的euv辐射射束。
65.图2更详细地示出了光刻装置100，包括源收集器装置so、照射系统il和投影系统ps。源收集器装置so被构造和布置成使得可以在封闭结构220中维持真空环境。源收集器装置so包括源室211和收集器室212并且被配置为产生和传输euv辐射。euv辐射可以由气体或蒸气产生，例如氙气、锂蒸气或锡蒸气，其中产生euv辐射发射等离子体210以发射电磁光谱的euv范围内的辐射。至少部分电离的euv辐射发射等离子体210可以通过例如放电或激光射束来产生。为了有效地生成辐射，可能需要例如10pa的xe、li、sn蒸气或任何其他合适的气体或蒸气的分压。在一个实施例中，提供激发锡(sn)的等离子体以产生euv辐射。
66.由euv辐射发射等离子体210发射的辐射经由位于源室211中的开口中或后方的可选气体屏障或污染物捕集器230(在某些情况下也被称为污染物屏障或箔捕集器)、从源室211进入到收集器室212中。污染物捕集器230可以包括通道结构。污染物捕集器230还可以包括气体屏障或气体屏障与通道结构的组合。本文进一步指出的污染物捕集器或污染物屏
障230至少包括通道结构。
67.收集器室212可以包括辐射收集器co，辐射收集器co可以是所谓的掠入射收集器。辐射收集器co具有上游辐射收集器侧251和下游辐射收集器侧252。穿过收集器co的辐射可以被光栅光谱滤光器240反射出来，以被聚焦在虚拟源点if中。虚拟源点if通常被称为中间焦点，并且源收集器装置被布置为使得中间焦点if位于封闭结构220中的开口219处或附近。虚拟源点if是辐射发射等离子体210的镜像。光栅光谱滤光器240被特别用于抑制红外(ir)辐射。
68.随后，辐射穿过照射系统il，该照射系统il可以包括场分面反射镜设备222和分面光瞳反射镜设备224，其被布置为在图案化器件ma处提供辐射射束221的期望角度分布，并且在图案化器件ma处提供期望辐射强度均匀性。当辐射射束221在由支撑结构mt保持的图案化器件ma处反射时，形成图案化射束226，并且图案化射束226由投影系统ps经由反射元件228、229成像到由晶片台或衬底台wt所保持的衬底w上。
69.在照射光学单元il和投影系统ps中通常可以存在比所示更多的元件。取决于光刻装置的类型，可以可选地存在光栅光谱滤光器240。此外，可能存在比图2中所示的更多的反射镜，例如图2中所示的投影系统ps中可能存在一到六个附加反射元件。
70.如图2中所图示，收集器光学器件co被描绘为具有掠入射反射器253、254和255的嵌套收集器，其仅作为收集器(或收集器反射镜)的示例。掠入射反射器253、254和255围绕光轴o轴向对称地安置，并且这种类型的收集器光学器件co优选地与通常被称为dpp源的放电产生的等离子体源结合使用。
71.示例性光刻单元
72.图3示出了光刻单元300，有时也称为光刻单元或簇。光刻装置100或100’可以形成光刻单元300的一部分。光刻单元300还可以包括用于在衬底上执行预曝光和后曝光过程的一个或多个装置。通常，这些包括用于沉积抗蚀剂层的旋涂器sc、用于显影曝光的抗蚀剂的显影剂de、冷却板ch和烘烤板bk。衬底处理器或机器人ro从输入/输出端口i/o1、i/o2拾取衬底，在不同的处理装置和站之间移动它们，并将它们递送到光刻装置100或100’的装载台lb。这些通常被统称为轨道的装置由轨道控制单元tcu控制，轨道控制单元tcu本身由监督控制系统scs控制，监督控制系统scs还经由光刻控制单元lacu来控制光刻装置。因此，可以操作不同的装置以最大化吞吐量和处理效率。
73.示例性数据收集与分析系统
74.图4a示意图示了根据本公开的一些实施例的具有数据收集与分析系统403的激光源401。在一些实施例中，激光源401可以被用作光刻装置100或100’的源so的一部分或作为其补充。在一些实施例中，激光源401可以被用作图2的光刻装置的源so的一部分或作为其补充。附加地或替代地，激光源401可以被用于生成在光刻装置100或100’或其他duv光刻装置中使用的duv辐射。如图4a中所图示，激光源401可以生成激光405，该激光405被用于光刻装置中。在一些实施例中，其中激光源401被用作图2的光刻装置的源so的一部分或作为其补充，激光源401生成激光405，该激光405可以被用来将目标材料转换成等离子体，等离子体生成euv辐射，该euv辐射被引导至光刻装置并在光刻装置中使用。
75.根据一些实施例，激光源401可以包括和/或可以可通信地耦合到数据收集与分析系统403。数据收集与分析系统403被配置为从激光源401接收数据407。附加地或替代地，数
据收集与分析系统403可以将数据和/或控制信息409发送回给激光源401。
76.根据一些实施例，来自激光源401的数据407可以包括与激光源401相关联的原始突发数据。原始突发数据是由数据收集与分析系统403从激光源401接收的数据并且表示存在于激光源401上的、与激光源401相关联的聚合的逐脉冲数据(例如，流式传输的数据)。换句话说，根据一些实施例，存在于激光源401上的逐脉冲数据可以被认为是流式传输的数据。根据一些实施例，与激光源401相关联的流式传输的数据是脉冲级数据并且可以包括与每个脉冲相关联的关于能量控制模式、能量级、波长等的信息。该信息作为示例信息而被提供，并且与激光源401相关联的流式传输的数据可以包括与激光脉冲相关联的其他数据。在一些示例中，流式传输的数据可以包括每个脉冲的一行数据，并且这一行的每一列包括与脉冲相关联的参数。然而，流式传输的数据可以包括与激光脉冲相关联的其他数据集合。
77.根据一些实施例，数据收集与分析系统403被配置为接收数据407(例如，原始突发数据)。在一些示例中，原始突发数据是突发级数据并且是突发中的多个激光脉冲的流式传输的数据的聚合。例如，原始突发数据可以包括聚合数据，诸如但不限于，与突发中的多个激光脉冲相关联的流式传输的数据的最大值、最小值、滑动窗口平均值、每突发脉冲数(ppb)、高压命令方差(hvv)等。在一些示例中，原始突发数据可以包括每个突发脉冲的一行数据，并且这一行的每一列包括与突发相关联的参数。然而，原始突发数据可以包括与突发相关联的其他数据集合。
78.根据一些实施例，数据收集与分析系统403被配置为分析接收到的数据407。该分析可以包括但不限于将数据聚类成不同的群组、生成一个或多个数据子集、基于数据407和/或数据子集来确定一个或多个度量(例如，性能测量)等。这些操作被提供作为数据收集与分析系统403的(多个)示例性操作。数据收集与分析系统403可以被配置为执行对数据407的附加或其他操作。
79.例如，数据收集与分析系统403可以被配置为从接收到的数据407生成突发数据。在一些示例中，突发数据可以包括每个突发一行并且可以是原始突发数据(例如，数据407)的子集。然而，突发数据可以包括与原始突发数据相关联的其他数据集合。在另一个示例中，数据收集与分析系统403可以被配置为确定突发统计数据。例如，收集与分析系统403可以从突发数据生成突发统计数据。在一些示例中，突发统计数据可以包括与突发数据相关联的一个或多个度量(例如，性能度量)。该度量可以包括但不限于最小值、最大值、平均值、标准偏差值和/或其他度量。在一个示例中，突发统计数据可以包括每个衬底(例如，晶片)一行和/或每个能量控制模式(ecm)一行。
80.根据一些实施例，数据收集与分析系统403被配置为将数据407(或数据407的子集)分类为两个或更多类别。如上面所讨论的，数据407可以包括与由激光源401生成的激光脉冲的一个或多个突发相关联的原始突发数据。在一些示例中，数据收集与分析系统403被配置为将原始突发数据分类为两个或更多类别。附加地或替代地，数据收集与分析系统403被配置为将突发数据(例如，原始突发数据的子集)分类为两个或更多类别。关于对数据407进行分类讨论了本公开的一些实施例。然而，如上面所指出，分类可以是在数据407(例如，原始突发数据)和/或数据407的子集(例如，突发数据)上。
81.根据一些实施例，对数据407进行分类的第一步可以包括：基于与数据407相关联的能量控制模式(ecm)对数据407进行分类。与一个或多个突发相关联的数据407可以指示
每个突发被生成以供外部使用(例如，与光刻装置一起使用——例如，被用来照射/曝光光刻装置中的衬底(例如，晶片))还是突发被生成以供内部使用(例如，在激光源401中供内部使用，而不是用于衬底的曝光)。换言之，当ecm指示内部使用时，光刻装置(例如，光刻装置的扫描仪)不控制激光源401中的激光脉冲的能量，而是激光源401控制激光脉冲的能量。作为非限制性示例，数据407可以包括ecm值。ecm值指示突发是针对外部使用还是内部使用而被生成。
82.数据收集与分析系统403被配置为确定数据407的ecm值，并使用ecm值对数据407进行分类。例如，数据收集与分析系统403可以聚合具有相同ecm值的连续突发块。在将数据407分类和聚合为外部使用类别或内部使用类别之后，数据收集与分析系统403可以确定用于每个聚合突发块的一个或多个度量(例如，确定突发统计数据)。根据一些实施例，数据收集与分析系统403被配置为确定用于外部使用类别中的聚合突发块的一个或多个度量和/或用于内部使用类别中的聚合突发块的一个或多个度量(例如，确定突发统计数据。)
83.图4b图示了根据本公开的一些实施例的描绘示例性分类的示例性图表420。如图4b中所图示，在一个示例中，数据收集与分析系统403可以使用ecm的两个值(ecm1 421和ecm2 423)来对数据407进行分类。在该示例中，图表420图示了与ecm2 423的ecm值相关联的外部使用块425，ecm2 423的ecm值指示被分类在外用类别中的数据。在该示例中，图表420还图示了与ecm1 421的ecm值相关联的内部使用块427，ecm1 421的ecm值指示被分类在内部使用类别中的数据。注意，虽然在本公开的一些实施例中讨论了两个ecm值，但是数据收集与分析系统403可以使用其他数量的ecm值来对数据407进行分类。
84.根据一些实施例，当生成供外部使用的激光脉冲的突发(例如，激光405的一部分)时(例如，数据407中的ecm值指示外部使用)，该突发可以被用于晶片上操作或用于一个或多个校准操作。晶片上操作可以包括曝光操作——例如，用于照射光刻装置中的图案化器件并将图案赋予辐射射束以便在衬底(例如，晶片)的目标部分中产生图案的操作。一个或多个校准操作可以包括校准激光源401和/或光刻装置的任何操作。例如，一个或多个校准操作可以包括在晶片上操作之前校准激光增益。在一些示例中，一个或多个校准操作可以包括正弦校准(例如，使用正弦波的校准)。作为另一示例，一个或多个校准操作可以包括使用/基于激光的波长和/或带宽的校准。然而，本公开的实施例可以包括其他校准操作。
85.根据一些实施例，当激光脉冲的突发被用于一个或多个校准操作时，突发与指示外部使用的ecm值一起使用。如以下更详细讨论的，数据收集与分析系统403被配置为区分被用于晶片上操作的(多个)突发和被用于一个或多个校准操作的(多个)突发。因此，数据收集与分析系统403被配置为将外部使用类别中的数据进一步分类为晶片上操作类别和校准操作类别。换言之，数据收集与分析系统403被配置为将数据407分类为至少三个类别——(1)内部使用类别，(2)晶片上操作类别，以及(3)校准操作类别。
86.在一些实施例中，“晶片上”类别指的是间接且最终涉及晶片上的曝光操作的激光突发操作。例如，激光脉冲的突发可以激发目标材料以将固体目标材料转换为产生euv辐射的等离子体。euv辐射被引导到光刻装置中的图案化器件，在其中euv辐射被图案化，以便在衬底(例如，晶片)的目标部分中产生图案。
87.在将数据407分类和聚合成这至少三个类别之后，数据收集与分析系统403可以确定用于每个聚合突发块的一个或多个度量(例如，性能测量)(例如，确定突发统计数据)。根
据一些实施例，数据收集与分析系统403被配置为确定用于内部使用类别中的聚合突发块的一个或多个度量，用于校准操作类别中的聚合突发块的一个或多个度量，和/或用于晶片上操作类别中的聚合突发块的一个或多个度量(例如，确定突发统计数据)。在一些示例中，突发统计数据可以包括每个衬底(例如，晶片)至少三行。在该示例中，突发统计数据的一行与内部使用类别相关联，突发统计数据的另一行与晶片上操作类别相关联，并且突发统计数据的一个或多个其他行与一个或多个校准操作相关联。在一些示例中，每个ecm模式块最多可以有两行。例如，与内部使用类别相关联的ecm块可以只有一行。替代地，当没有校准操作类别中的突发时，与外部使用类别相关联的ecm块可以有一行，当具有块中的单个突发时可以有一行，或者当具有校准操作类别中的(多个)突发和(多个)晶片上突发时，可以有两行。在一些示例中，突发统计数据可以是图5的校准滤波器503的输出和/或图5的度量生成器505的输出。
88.根据一些实施例，通过在晶片上操作类别和校准操作类别之间进行区分，数据收集与分析系统403能够生成用于晶片上操作类别中的聚合突发块的一个或多个度量。因此，数据收集与分析系统403能够通过滤除与校准操作类别相关联的数据来生成更好且更准确地表示晶片上操作类别中的聚合突发块的一个或多个度量。换言之，数据收集与分析系统403能够生成更准确地表示曝光数据的(多个)性能度量并且可以被数据收集与分析系统403进一步使用在监视和控制激光源401中。
89.尽管关于至少三个类别讨论了本公开的一些实施例，但是本公开不限于这些类别。在一些实施例中，校准操作类别可以进一步被划分为两个或更多个子类别，并且数据收集与分析系统403可以被配置为分析和聚合校准操作类别的两个或更多子类别中的数据407。例如，校准操作类别中的两个或更多子类别中的每一个可以与一个校准操作相关联。根据一些实施例，数据收集与分析系统403可以被配置为基于与该校准操作相关联的一个或多个参数来聚合与对应的校准操作相关联的子类别中的数据407。使用与每个校准操作相关联的一个或多个参数，数据收集与分析系统403可以将数据407聚合到其关联的校准操作子类别中。
90.根据一些实施例，在分析、分类、聚合和/或生成用于与晶片上操作类别相关联的数据的一个或多个度量之后，数据收集与分析系统403可以被配置为使用该一个或多个度量用于进一步监视和控制激光源401(例如，数据和/或控制信息409)。换句话说，数据收集与分析系统403能够生成和使用(例如，通过监视和控制激光源401)更准确地表示曝光数据的(多个)性能度量。
91.在一些示例中，数据收集与分析系统403可以与激光源401一起位于本地。附加地或替代地，数据收集与分析系统403可以位于从一个或多个激光源接收数据的中心位置。在一些示例中，数据收集与分析系统403可以包括与激光源401一起位于本地和/或分布在不同地理位置并使用一个或多个网络相互通信的组件。
92.图4c图示了根据本公开的一些实施例的描绘另一示例性分类的示例性图表430。如图4c中所图示，在一个示例中，数据收集与分析系统403可以使用ecm的两个值(ecm1 421和ecm2 423)来对数据407进行分类。在该示例中，图表430图示了与ecm2 423的ecm值相关联的一个或多个突发的块434，ecm2 423的ecm值指示被分类在晶片上操作类别中的数据。在该示例中，图表430还图示了与ecm1 421的ecm值相关联的一个或多个突发的内部块427，
ecm1421的ecm值指示被分类在内部使用类别中的数据。在该示例中，图表430进一步图示了与ecm2 423的ecm值相关联的突发436，ecm2 423的ecm值指示被分类在校准操作类别中的数据。
93.在一些示例中，被分类在校准操作类别中的突发可以是与ecm2423的ecm值相关联的块的最后一个突发。换言之，在图4c的示例中，突发436是一个或多个突发的块434之后的最后一个突发。然而，本公开的实施例不限于此示例，晶片上操作类别中的(多个)突发和校准类别中的(多个)突发可以具有其他数量和关系。
94.图4d图示了根据本公开的一些实施例的描绘另一示例性分类的示例性图表440。如图4d中所图示，在一个示例中，数据收集与分析系统403可以使用ecm的两个值(ecm1 421和ecm2 423)来对数据407进行分类。在该示例中，图表440图示了与ecm2 423的ecm值相关联的一个或多个突发的块444，ecm2 423的ecm值指示被分类在晶片上操作类别中的数据。在该示例中，图表440还图示了与ecm1 421的ecm值相关联的一个或多个突发的内部块427，ecm1421的ecm值指示被分类在内部使用类别中的数据。在该示例中，图表440进一步图示了与ecm2 423的ecm值相关联的突发446，ecm2 423的ecm值指示被分类在校准操作类别中的数据。
95.在一些示例中，被分类在校准操作类别中的突发可以是与ecm2 423的ecm值相关联的块的最后一个突发。换言之，在图4d的示例中，突发446是在块444之后的最后一个突发。然而，本公开的实施例不限于此示例，晶片上操作类别中的(多个)突发和校准类别中的(多个)突发可以具有其他数量和关系。例如，在图4d的示例中，突发448不是校准突发，并且一个或多个突发的块445和突发448都可被分类在晶片上操作类别中。在此示例中，突发449可以是校准突发。
96.图5是描绘根据本公开的一些实施例的实现数据收集与分析系统403的示例系统的功能框图。图5的系统500可以是数据收集与分析系统403和/或可以在数据收集与分析系统403内实现。
97.系统500包括聚类控制器501、校准滤波器503、度量生成器505和表格507a-507c。注意，这些组件被描绘为系统500的示例性组件，并且系统500可以包括更少、更多或其他组件。
98.根据一些实施例，聚类控制器501被配置为接收突发数据502。在一些示例中，突发数据502基于在数据收集与分析系统403处从激光源401到达的数据407(例如，原始突发数据)生成，如图4a中所图示。例如，数据407(例如，原始突发数据)到达数据收集与分析系统403(例如，系统500)处并且被聚合成突发数据502。根据一些实施例，这种聚合可以包括丢弃数据407中的一些参数，但是该聚合不排除任何突发。
99.根据一些实施例，聚类控制器501被配置为接收与激光源401相关联的突发数据502。聚类控制器501还被配置为对突发数据502进行分类(例如，聚类)并生成(多个)突发数据块504。根据一些实施例，聚类控制器501被配置为基于与突发数据502相关联的ecm值对突发数据502进行分类。ecm值可以指示与突发数据502相对应的激光脉冲的一个或多个突发是为外部使用还是内部使用而生成的。聚类控制器501被配置为确定突发数据502的ecm值，并使用ecm值对突发数据502进行分类。例如，如果ecm值指示与突发数据502相对应的激光脉冲的一个或多个突发是用于内部使用，则聚类控制器501可以将突发数据502分类(例
如聚类)到内部类别。如果ecm值指示激光脉冲的一个或多个突发是用于外部使用，则聚类控制器501可以将突发数据502分类到外部类别。
100.例如，随着激光脉冲的连续突发以相同的ecm值到达，聚类控制器501可以将它们分类(例如，聚类)并将它们存储为块，直到聚类控制器501确定ecm值发生改变。一旦聚类控制器501确定ecm值已经改变，则聚类块被聚合并存储为内部使用或被发送到校准滤波器503以用于校准类别测试。
101.在基于ecm值进行分类之后，聚类控制器501可以输出突发数据块504。根据一些实施例，突发数据块504是与被分类在内部使用类别或外部使用类别中的一个或多个突发相关联的突发数据块。根据一些实施例，突发数据块504被输入到校准滤波器503。在一些实施例中，如果突发数据块504被分类在内部使用类别中，则校准滤波器503被配置为将数据506a输出到度量生成器505。替代地，如果突发数据块504被分类在内部使用类别中，则聚类控制器501可以将突发数据块504作为数据506a直接发送到度量生成器505(例如，绕过校准滤波器503)。换言之，如果聚类控制器501将突发数据502分类在内部使用类别中，则聚类控制器501可以绕过校准滤波器503并且可以将突发数据块504作为数据506a直接发送到度量生成器505。根据一些实施例，度量生成器505可以生成用于数据506a的一个或多个度量。在一些示例中，一个或多个度量可以被存储在表507a中。在一些示例中，表507a可以是存储设备中的数据库。在一些实施例中，如果聚类控制器501确定突发数据502将被分类在内部使用类别中，则聚类控制器501可以将突发数据块504直接发送到度量生成器505(不经过校准滤波器503)。替代地，聚类控制器501可以将突发数据块504直接发送到表(未示出——例如，不同于表507a)(例如，绕过校准滤波器503和度量生成器505)。
102.然而，如果突发数据块504被分类在外部使用类别中，则校准滤波器503被配置为进一步对突发数据块504进行分类。例如，校准滤波器503可以确定突发数据块504是否指示与突发数据502相关联的一个或多个突发将被用于晶片上操作和/或用于一个或多个校准操作。如以下更详细讨论的，校准滤波器503被配置为将校准类别测试应用到突发数据块504以确定与突发数据502相关联的一个或多个突发是否将被用于晶片上操作和/或用于一个或多个校准操作。
103.如果使用突发数据块504，校准滤波器503确定激光脉冲的一个或多个突发(或一个或多个突发的子集)将被用于晶片上操作，则校准滤波器503将突发数据块504(或突发数据块504的子集)分类在晶片上操作类别中并生成数据506b。数据506b被发送到度量生成器505。度量生成器505可以生成用于数据506b的一个或多个度量并且将它们存储在例如表507b中。在一些示例中，表507b可以是存储设备中的数据库。在一些实施例中，校准滤波器503可以将突发数据块504(或突发数据块504的子集)直接发送到表(未示出——例如，不同于表507b)(例如，绕过度量生成器505)。
104.如果使用突发数据块504，校准滤波器503确定激光脉冲的一个或多个突发(或一个或多个突发的子集)将被用于一个或多个校准操作，则校准滤波器503将突发数据块504(或突发数据块504的子集)分类在校准操作类别中并生成数据506c。在一些实施例中，数据506c可以被发送到度量生成器505。在这些实施例中，度量生成器505可以生成用于数据506c的一个或多个度量并且将它们存储在例如表507c中。在一些示例中，表507c可以是存储设备中的数据库。在一些实施例中，校准滤波器503可以将突发数据块504(或突发数据块
504的子集)直接发送到表(未示出——例如，不同于表507c)(例如，绕过度量生成器505)。
105.如上面所讨论的，在一些实施例中，校准操作类别可以进一步被划分为两个或更多的子类别，并且校准滤波器503可以被配置为分析和聚合突发数据块504(或突发数据块504的子集)在两个或更多子类别中。例如，校准操作类别中的两个或更多子类别中的每一个可以与一个校准操作相关联。根据一些实施例，校准滤波器503可以被配置为在与对应的校准操作相关联的子类别中、基于与该校准操作相关联的一个或多个参数聚合突发数据块504。使用与每个校准操作相关联的一个或多个参数，校准滤波器503可以将突发数据块504聚合到其关联的校准操作子类别中。
106.根据一些实施例，为了将突发数据块504分类为晶片上操作类别和/或校准操作类别，校准滤波器503可以通过检查与突发数据块504相关联的激光脉冲的突发数量来开始。在该示例中，如果校准滤波器503确定突发数据块504与一个突发相关联，则校准滤波器503确定这一个突发被用于校准操作。因此，校准滤波器503可以将突发分类(例如，聚类)到校准操作类别中。
107.然而，如果校准滤波器503确定突发数据块504包括多于一个突发(激光脉冲的两个或更多突发)，则校准滤波器503可以执行校准类别测试。下面讨论的示例性校准类别测试是关于一个校准操作(例如，正弦校准操作)来讨论的。然而，本公开的实施例不限于该示例性校准类别测试。其他校准类别测试可以被用于不同的校准操作。换言之，校准滤波器503可以针对一个或多个校准操作而执行一个或多个校准类别测试。在一些示例中，可以基于特定于校准操作的一个或多个参数来设计校准类别测试中的每一个。
108.根据一些示例，为了执行校准类别测试，校准滤波器503可以考虑与突发数据块504中的每个突发相关联的三个参数。这些参数可以包括每突发脉冲(ppb)数量、高压命令方差(hvv)和突发间隔(ibi)。然而，在其他实施例中，校准滤波器503可以为校准类别测试考虑更少或更多的参数或不同的参数。
109.对于每个突发，突发数据块504可以包括突发中的脉冲(ppb)数量。校准滤波器503被配置为确定突发数据块504中的每个突发的ppb数量。在一些实施例中，激光源401使用高压命令来生成突发中的每个激光脉冲。突发的hvv是针对该突发中的激光脉冲的高压命令之间的差异。此外，根据一些实施例，ibi可以被定义为突发数据块504中的两个突发之间的时间段。
110.根据一些实施例，可以基于突发数据块504中的突发数量将校准类别测试划分为两个部分。例如，突发数量阈值可以被用来将校准类别测试划分在两个部分中。如果突发数据块504中的突发数量小于或等于突发数量阈值，则校准滤波器503使用与突发数据块504的最后一个突发相关联的ppb和hvv的数量来执行校准类别测试。如果突发数据块504中的突发数量大于突发数量阈值，则校准滤波器503使用与突发数据块504的最后一个突发相关联的ppb、hvv和ibi的数量来执行校准类别测试。下面关于图6、图7a和图7b讨论执行校准类别测试的方法的一些示例性实施例。
111.图6图示了根据本公开的一些实施例的用于确定和分类激光脉冲的一个或多个突发的示例方法600。为了方便而非限制，图6可以关于图1-图5的元件来描述。方法600可以表示用于确定和分类激光脉冲的一个或多个突发的数据收集与分析系统403的操作。方法600可以由图4a的数据收集与分析系统403、聚类控制器501和校准滤波器503、和/或图8的计算
机系统800来执行。但是方法600不限于那些图中描绘的特定实施例，并且可以使用其他系统来执行该方法，正如本领域技术人员将理解的那样。应当了解，并非所有操作都可能是必需的，并且这些操作可能不会以与图6中所示相同的顺序来执行。
112.在602中，接收与激光脉冲的一个或多个突发相关联的数据。例如，聚类控制器501接收突发数据502。突发数据502可以基于与来自激光源401的一个或多个突发相关联的原始突发数据。
113.在604中，从接收到的突发数据来确定与一个或多个突发相关联的能量控制模式(ecm)值，并且将ecm值与第一ecm值进行比较。根据一些示例，第一ecm值可以与用于内部使用的突发相关联。例如，第一ecm值可以是图4b-图4d的ecm1 421。
114.如果所确定的与一个或多个突发相关联的ecm值等于第一ecm值，则方法600移动到606。在606中，将一个或多个突发确定并且分类为供内部使用的突发。例如，聚类控制器501可以确定与接收到的突发数据相关联的一个或多个突发是用于内部使用。根据一些实施例，可以将接收到的突发数据分类并存储在例如与内部使用突发相关联的表507a中。附加地或替代地，接收到的突发数据可以被发送到度量生成器505以基于突发数据来生成一个或多个度量。在该示例中，所生成的一个或多个度量可以被存储在例如表507a中和/或被用于监视和/或控制激光源401。
115.如果所确定的与一个或多个突发相关联的ecm值不同于第一ecm值，则方法600移动到608。在608中，从突发数据来确定与接收到的突发数据相关联的突发的数量并且将该突发的数量与值1进行比较。附加地或替代地，在608中，将一个或多个突发确定并且分类为供外部使用的突发。例如，聚类控制器501可以确定与接收到的突发数据相关联的一个或多个突发是用于外部使用。根据一些实施例，发送接收到的突发数据到校准滤波器503以进一步确定与接收到的突发数据相关联的一个或多个突发是否用于晶片上操作和/或用于一个或多个校准操作。
116.如上面所提及的，在608中，从突发数据来确定与接收到的突发数据相关联的突发的数量并且将该突发的数量与值1进行比较。如果一个或多个突发包括一个突发，则方法600移动到610，其中确定与接收到的突发数据相关联的一个突发并将其分类为校准突发。例如，校准滤波器503确定一个突发是校准突发，将突发数据分类在校准操作类别中，并将突发数据存储在例如表507c中。附加地或替代地，可以发送接收到的突发数据到度量生成器505以基于突发数据生成一个或多个度量。在该示例中，所生成的一个或多个度量可以被存储在例如表507c中和/或用于监视/控制激光源401和/或监视/控制使用激光源401的光刻装置。
117.如果一个或多个突发包括多于一个突发(两个或更多突发)，则方法600移动到612，其中对接收到的突发数据执行校准类别测试。校准类别测试的应用将在下文关于图7a和图7b进一步讨论。
118.在614中，确定校准类别测试是否被满足。例如，校准滤波器503应用校准类别测试，并且基于结果对与接收到的突发数据相关联的一个或多个突发进行分类。如果校准类别测试未被满足，则方法600移动到616，其中将一个或多个突发确定并分类为晶片上突发。例如，校准滤波器503确定突发是晶片上突发，将突发数据分类在晶片上操作类别中，并将突发数据存储在例如表507b中。附加地或替代地，接收到的突发数据可以被发送到度量生
成器505以基于突发数据来生成一个或多个度量。在该示例中，所生成的一个或多个度量可以被存储在例如表507b中和/或用于监视/控制激光源401和/或监视/控制使用激光源401的光刻装置。
119.如果校准类别测试被满足，则方法600移动到618。在618中，将一个或多个突发中的最后一个突发确定并分类为校准突发。例如，校准滤波器503确定最后一个突发是校准突发，将与最后一个突发相关联的突发数据分类在校准操作类别中，并将与最后一个突发相关联的突发数据存储在例如表507c中。附加地或替代地，可以发送与最后一个突发相关联的接收到的突发数据到度量生成器505以基于突发数据来生成一个或多个度量。在该示例中，所生成的一个或多个度量可以被存储在例如表507c中和/或用于监视/控制激光源401和/或监视/控制使用激光源401的光刻装置。
120.此外，在618中，将其余的突发(不包括最后一个突发)确定并分类为晶片上突发。例如，校准滤波器503确定其余突发是晶片上突发，将与其余突发相关联的突发数据分类在晶片上操作类别中，并将与其余突发相关联的突发数据存储在例如表507b中。附加地或替代地，与其余突发相关联的接收到的突发数据可以被发送到度量生成器505以基于突发数据来生成一个或多个度量。在该示例中，所生成的一个或多个度量可以被存储在例如表507b中和/或用于监视/控制激光源401和/或监视/控制使用激光源401的光刻装置。
121.图7a和图7b图示了根据本公开的一些实施例的用于将一个或多个突发确定和分类为晶片上突发或校准突发的示例方法700。为了方便而不是限制，可以关于图1-图6的元件来描述图7a和图7b。方法700可以表示用于将一个或多个突发确定和分类为晶片上突发或校准突发的数据收集与分析系统403的操作。方法700可以由图4a的数据收集与分析系统403、校准滤波器503、和/或图8的计算机系统800来执行。但是方法700不限于那些图中描绘的特定实施例，并且可以使用其他系统来执行该方法，正如本领域技术人员将理解的那样。应当了解，并非所有操作都可能是必需的，并且这些操作可能不会以与图7a和图7b中所示相同的顺序来执行。
122.根据一些实施例，方法700可以是部分(或包括)图6的方法600的步骤612、614、616和618。换言之，根据一些实施例，校准类别测试的应用和校准类别测试的结果的分析可以通过方法700来执行。
123.在702中，从突发数据确定与接收到的突发数据相关联的突发的数量并且将突发数量与突发数量阈值进行比较。如果与突发数据相关联的突发数量小于或等于突发数量阈值(例如，没有足够的突发可用)，则方法700移动到704。在704中，使用两个阈值来确定突发并对其进行分类。例如，在704中，(例如，从接收到的突发数据)可以确定与突发数据相关联的一个或多个突发中的最后一个突发的每突发脉冲(ppb)数量。可以将最后一个突发的ppb数量与ppb阈值进行比较。附加地或替代地，(例如，从接收到的突发数据)可以确定与突发数据相关联的一个或多个突发中的最后一个突发的高压命令方差(hvv)。可以将最后一个突发的hvv与hvv阈值进行比较。
124.如果与最后一个突发相关联的ppb数量大于ppb阈值或与最后一个突发相关联的hvv大于hvv阈值，则确定校准类别测试被满足(图6的614为是)。在该示例中，方法700移动到708，其类似于图6的618。
125.否则(例如，如果与最后一个突发相关联的ppb数量小于或等于ppb阈值并且与最
后一个突发相关联的hvv小于或等于hvv阈值)，则确定校准类别测试未被满足(图6的614为否)。在该示例中，方法700移动到706，其类似于图6的616。
126.回到702，如果与突发数据相关联的突发的数量多于突发数量阈值(例如，有足够的突发可用)，则方法700移动到图7b中所图示的710。在710中，从突发数据中排除来自突发数据、与第一突发和最后一个突发相关联的数据。例如，校准滤波器503排除来自突发数据、与第一突发和最后一个突发相关联的数据，以生成第一修改突发数据。
127.在712中，从第一修改突发数据中排除与具有最大突发间间隔的突发相关联的数据。例如，校准滤波器503排除与具有最大突发间隔(ibi)的突发相关联的数据，以生成第二修改突发数据。为此，根据一些实施例，校准滤波器503可以从第一修改突发数据来确定和分析每个突发的ibi。使用该分析，校准滤波器503可以确定具有最大ibi的突发。
128.在714中，使用第二修改突发数据中的ibi值来计算平均ibi值。附加地或替代地，基于第二修改数据中的ibi值来计算ibi的标准偏差值。例如，校准滤波器503可以计算并生成平均ibi值和标准偏差ibi值。
129.在716中，基于平均ibi值、标准偏差ibi值和ibi参数来确定ibi阈值。下面的等式表示一个示例性ibi阈值：
130.ibi阈值＝平均ibi值+(c*标准偏差ibi值)。
131.在这里，c是ibi参数。在一些示例中，c可以是可配置参数。
132.在该示例中，基于第二修改数据(其基于接收到的突发数据)来确定ibi阈值。换言之，基于接收到的突发数据并且动态地确定ibi阈值。然而，本公开的实施例不限于该示例并且可以使用其他公式来确定ibi阈值。替代地，ibi阈值可以是提供给校准滤波器503的固定阈值。
133.在718中，三个阈值被用于确定突发并对其进行分类。例如，在718中，(例如，根据接收到的突发数据)可以确定与与突发数据相关联的一个或多个突发中的最后一个突发相关联的ibi。最后一个突发的ibi可以与在716中计算出的ibi阈值进行比较。此外，(例如，从接收到的突发数据)可以确定与突发数据相关联的一个或多个突发中的最后一个突发的每突发脉冲(ppb)数量。最后一次突发的ppb数量可以与ppb阈值进行比较。附加地或替代地，(例如，根据接收到的突发数据)可以确定与突发数据相关联的一个或多个突发中的最后一个突发的高压命令方差(hvv)。可以将最后一次突发的hvv与hvv阈值进行比较。
134.如果与最后一个突发相关联的ibi大于ibi阈值、并且与最后一个突发相关联的ppb数量大于ppb阈值或者与最后一个突发相关联的hvv大于hvv阈值，则确定校准类别测试被满足(图6的614为是)。在该示例中，方法700移动到722，其类似于图6的618。
135.否则(例如，如果与最后一个突发相关联的ibi小于或等于ibi阈值、或者与最后一个突发相关联的ppb数量小于或等于ppb阈值并且与最后一个突发相关联的hvv小于或等于hvv阈值)，则确定校准类别测试未被满足(图6的614为否)。在该示例中，方法700移动到720，其类似于图6的616。
136.以上关于使用ibi、ppb和hvv参数来确定(和分类)突发是否是校准突发的方法600和700进行了讨论。然而，本公开的方法和系统不限于这些参数。本公开的实施例可以被应用于区分晶片上突发和校准突发以用于一个或多个不同的校准操作。对于每个校准操作，将校准突发与晶片上突发区分开来的校准突发的一个或多个参数(例如，特性)可以被用于
对突发进行区分和分类。
137.例如，激光脉冲的一个或多个突发可以包括用于第一校准操作的第一校准突发、用于第二校准操作的第二校准突发、以及用于晶片上操作的一个或多个晶片上突发。在该示例中，第一校准突发可以包括区分第一校准突发与晶片上突发的第一特性。此外，第二校准突发可以包括区分第二校准突发与晶片上突发的第二特性。在该示例中，数据收集与分析系统403可以使用第一校准突发的第一特性和第二校准突发的第二特性来区分第一和第二校准突发与晶片上突发。附加地或替代地，数据收集与分析系统403可以使用第一校准突发的第一特性和第二校准突发的第二特性来将第一校准突发和第二校准突发彼此区分开。
138.根据一些实施例，当校准突发例如由数据收集与分析系统403识别时，校准突发可以与其对应的晶片配对。在一些示例中，该配对可以由数据收集与分析系统403完成。例如，该配对可以由校准滤波器503执行并且该配对可以被存储在例如表507c中。
139.根据一些示例，对于例如由数据收集与分析系统403识别的每个校准突发，(在时间上)随后晶片的晶片标识符(id)(例如，由数据收集与分析系统403)被指派到所识别的校准突发。如果两个或更多连续校准突发被识别，它们之间没有晶片(与晶片相关联的突发群组)，则将晶片id指派给最后一个校准突发。在这个示例中，(多个)先前校准突发被存储有空晶片id。在一些示例中，如果所识别的校准突发和使用后续晶片之间的时间大于阈值，那么晶片id不被指派给所识别的校准突发。
140.本公开的实施例可以以硬件、固件、软件或其任何组合来实现。本公开的实施例还可以被实现为存储在机器可读介质上的指令，该指令可以由一个或多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括用于以机器(例如，计算设备)可读的形式存储或传输信息的任何机制。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(rom)；随机存取存储器(ram)；磁盘存储介质；光存储介质；闪存设备；电、光、声或其他形式的传播信号等。此外，固件、软件、例程和/或指令可以在本文中被描述为执行特定动作。然而，应当了解，这样的描述仅仅是为了方便起见，并且这样的动作实际上是由执行固件、软件、例程和/或指令的计算设备、处理器、控制器或其他设备产生的。
141.例如，可以使用一个或多个计算机系统，诸如图8中所示的计算机系统800来实现各种实施例。计算机系统800可以是能够执行本文所述功能的任何众所周知的计算机，所述功能诸如是由图4a的数据收集与分析系统403、图5的聚类控制器501、图5的校准滤波器503和/或图5的度量生成器505执行的功能。计算机系统800包括一个或多个处理器(也称为中央处理单元或cpu)，诸如处理器804。处理器804连接到通信基础设施806(例如总线)。计算机系统800还包括(多个)用户输入/输出设备803，诸如监视器、键盘、定点设备等，它们通过(多个)用户输入/输出接口802来与通信基础设施806通信。计算机系统800还包括主存储器或主要存储器808，诸如随机存取存储器(ram)。主存储器808可以包括一级或多级高速缓存。主存储器808在其中存储了控制逻辑(例如，计算机软件)和/或数据。
142.计算机系统800还可以包括一个或多个辅助存储设备或存储器810。辅助存储器810可以包括例如硬盘驱动器812和/或可移动存储设备或驱动器814。可移动存储驱动器814可以是软盘驱动器、磁带驱动器、光盘驱动器、光存储设备、磁带备份设备和/或任何其他存储设备/驱动器。
143.可移动存储驱动器814可以与可移动存储单元818交互。可移动存储单元818包括
在其上存储有计算机软件(控制逻辑)和/或数据的计算机可用或可读存储设备。可移动存储单元818可以是软盘、磁带、压缩盘、dvd、光存储盘和/任何其他计算机数据存储设备。可移动存储驱动器814以众所周知的方式从可移动存储单元818读取和/或写入到可移动存储单元818。
144.根据一些实施例，辅助存储器810可以包括用于允许计算机程序和/或其他指令和/或数据被计算机系统800访问的其他部件、工具或其他方法。这样的部件、工具或其他方法可以包括例如可移动存储单元822和接口820。可移动存储单元822和接口820的示例可以包括程序盒和盒接口(诸如在视频游戏设备中发现的)、可移动存储器芯片(诸如eprom或prom)和关联的插座、存储棒和usb端口、存储卡和关联的存储卡插槽、和/或任何其他可移动存储单元和关联的接口。
145.计算机系统800还可以包括通信或网络接口824。通信接口824使得计算机系统800能够与远程设备、远程网络、远程实体等的任意组合进行通信和交互(单独地和共同地用参考标号828来表示)。例如，通信接口824可以允许计算机系统800通过通信路径826来与远程设备828通信，通信路径826可以是有线和/或无线的，并且可以包括lan、wan、互联网等的任何组合。控制逻辑和/或数据可以经由通信路径826而被传输到计算机系统800以及从计算机系统800传输。
146.前述实施例中的操作可以以多种配置和架构来实现。因此，前述实施例中的一些或全部操作可以以硬件、软件或两者的方式来执行。在一些实施例中，有形的、非暂时性的装置或制品包括在其上存储有控制逻辑(软件)的有形的、非暂时性的计算机可用或可读介质，在本文中也被称为计算机程序产品或程序存储设备。这包括但不限于计算机系统800、主存储器808、辅助存储器810和可移动存储单元818和822、以及体现上述任意组合的有形制品。这样的控制逻辑当由一个或多个数据处理设备(例如计算机系统800)执行时，使这样的数据处理设备如本文所述的那样操作。
147.基于包含在本公开中的教导，对于(多个)相关领域的技术人员来说，如何使用如图8中所示以外的数据处理设备、计算机系统和/或计算机架构来制作和使用本公开的实施例将是显而易见的。特别地，实施例可以用除了本文描述的那些之外的软件、硬件和/或操作系统实现来操作。
148.尽管在本文中可能会具体提及在ic制造中使用光刻装置，但是应该理解，本文描述的光刻装置可以具有其他应用，诸如集成光学系统的制造、用于磁畴存储器、平板显示器、lcd、薄膜磁头等的引导和检测图案。本领域技术人员将了解，在这样的替代应用的上下文中，本文中术语“晶片”或“管芯”的任何使用可以分别被认为是更一般的术语“衬底”或“目标部分”的同义词。本文提到的衬底可以在曝光之前或之后在例如跟踪单元(通常将抗蚀剂层施加到衬底并使曝光的抗蚀剂显影的工具)、计量单元和/或检查单元中进行处理。在适用的情况下，本文的公开内容可以被应用于这种和其他衬底处理工具。此外，衬底可以被处理一次以上，例如以便产生多层ic，因此本文所使用的术语衬底也可以指的是已经包含多个处理层的衬底。
149.应当理解，本文中的措辞或术语是出于描述而非限制的目的，使得本说明书的术语或措辞将由(多个)相关领域的技术人员根据本文的教导来解释。
150.如本文中所使用的术语“衬底”描述了材料层被添加到其上的材料。在一些实施例
中，衬底本身可以被图案化并且添加在其顶部的材料也可以被图案化，或者可以保留而不被图案化。
151.以下实施例是对本公开的说明性而非限制性的实施例。对本领域中通常遇到的、并且对于(多个)相关领域的技术人员来说显而易见的各种条件和参数的其他合适的修改和适配在本公开的精神和范围内。
152.尽管在本文本中可以具体参考根据实施例的装置和/或系统在ic制造中的使用，但是应该明确理解，这样的装置和/或系统具有许多其他可能的应用。例如，它可以被用于制造集成光学系统、磁畴存储器、lcd面板、薄膜磁头等的引导和检测图案。本领域技术人员将了解，在这样的替代应用的上下文中，在本文中术语“掩模版”、“晶片”或“管芯”的任何使用都应被视为分别被更通用的术语“掩模”、“衬底”和“目标部分”所取代。
153.尽管上面已经描述了本公开的特定实施例，但是应该了解，可以以不同于所描述的方式来实践这些实施例。该描述不旨在限制实施例。
154.应当了解，不是发明内容和摘要部分，而是详细描述部分，旨在被用来解释权利要求。发明内容和摘要部分可以阐述如发明人所设想的一个或多个但不是所有示例性实施例，因此不旨在以任何方式限制本实施例和所附权利要求。
155.上面已经借助功能构建块描述了一些实施例，这些功能构建块说明了指定功能的实现及其关系。为了描述的方便，在本文中已经任意定义了这些功能构建块的边界。可以定义替代边界，只要适当地执行指定的功能及其关系即可。
156.特定实施例的上述描述将如此充分地揭示实施例的一般性质，以至于其他人可以通过应用本领域技术内的知识来针对各种应用容易地修改和/或适配这样的特定实施例，而无需过度实验，而不背离本公开的一般概念。因此，基于本文所呈现的教导和指导，此类适配和修改旨在处于所公开实施例的等同物的含义和范围内。
157.本发明的其他方面在以下编号的条款中阐述。
158.1.一种激光分析系统，包括：
159.激光源，被配置为产生激光脉冲的一个或多个突发；和
160.数据收集与分析系统，被配置为：
161.从激光源接收与激光脉冲的一个或多个突发相关联的数据；
162.基于接收到的数据，确定激光脉冲的一个或多个突发是用于外部使用；以及
163.基于接收到的数据，确定激光脉冲的一个或多个突发是用于晶片上操作还是用于校准操作。
164.2.根据条款1所述的激光分析系统，其中为了确定激光脉冲的一个或多个突发是用于外部使用，数据收集与分析系统被配置为：
165.从接收到的数据，确定与激光脉冲的一个或多个突发相关联的能量控制模式(ecm)值；
166.将所确定的ecm值与第一ecm值进行比较；以及
167.响应于所确定的ecm值不同于第一ecm值，确定激光脉冲的一个或多个突发是用于外部使用。
168.3.根据条款1所述的激光分析系统，其中数据收集与分析系统还被配置为：
169.确定激光脉冲的一个或多个突发中的突发数量；以及
170.响应于确定激光脉冲的一个或多个突发包括一个突发，确定激光脉冲的该一个突发是用于校准操作。
171.4.根据条款3所述的激光分析系统，其中数据收集与分析系统还被配置为：
172.响应于确定激光脉冲的一个或多个突发包括多于一个突发，对接收到的数据应用校准类别测试。
173.5.根据条款4所述的激光分析系统，其中数据收集与分析系统还被配置为：
174.响应于校准类别测试被满足：
175.确定一个或多个突发中的最后一个突发是用于校准操作；以及
176.确定一个或多个突发中的其他突发是用于晶片上操作。
177.6.根据条款4所述的激光分析系统，其中数据收集与分析系统还被配置为：
178.响应于校准类别测试未被满足，确定一个或多个突发是用于晶片上操作。
179.7.根据条款4所述的激光分析系统，其中数据收集与分析系统还被配置为：
180.从接收到的数据中排除与一个或多个突发中的第一突发和最后一个突发相关联的数据，以生成第一修改数据；
181.从第一修改数据中排除与具有最大突发间隔(ibi)值的突发相关联的数据，以生成第二修改数据；
182.基于第二修改数据中的ibi值来生成平均ibi值；
183.基于第二修改数据中的ibi值来生成标准偏差值；以及
184.基于平均ibi值、标准偏差值和ibi参数来生成ibi阈值。
185.8.根据条款7所述的激光分析系统，其中数据收集与分析系统还被配置为：
186.响应于与最后一个突发相关联的ibi值大于ibi阈值、与最后一个突发相关联的每突发脉冲(ppb)大于pbb阈值或与最后一个突发相关联的高压命令方差(hvv)大于hvv阈值，确定校准类别测试被满足；以及
187.响应于确定校准类别测试被满足：
188.确定一个或多个突发中的最后一个突发是用于校准操作；以及
189.确定一个或多个突发中的其他突发是用于晶片上操作
190.9.根据条款1所述的激光分析系统，其中数据收集与分析系统还被配置为：
191.确定一个或多个突发的第一部分是用于校准操作；
192.确定一个或多个突发的第二部分是用于晶片上操作；以及
193.使用来自接收到的数据中的、与一个或多个突发的第二部分相关联的数据来确定用于一个或多个突发的第二部分的一个或多个度量。
194.10.根据条款1所述的激光分析系统，其中：
195.一个或多个突发包括被用于校准操作的校准突发和被用于晶片上操作的一个或多个晶片上突发，
196.校准突发包括区分校准突发与一个或多个晶片上突发的特性，并且
197.数据收集与分析系统被配置为使用校准突发的特性来区分校准突发和一个或多个晶片上突发。
198.11.根据条款10所述的激光分析系统，其中数据收集与分析系统还被配置为将晶片标识符指派给所述校准突发。
199.12.根据条款1所述的激光分析系统，其中：
200.一个或多个突发包括被用于校准操作的第一校准突发、被用于第二校准操作的第二校准突发、以及被用于晶片上操作的一个或多个晶片上突发，
201.第一校准突发包括区分第一校准突发与一个或多个晶片上突发的第一特性，
202.第二校准突发包括区分第二校准突发与一个或多个晶片上突发的第二特性，
203.数据收集与分析系统被配置为使用第一校准突发的第一特性和第二校准突发的第二特性来区分第一和第二校准突发与一个或多个晶片上突发。
204.13.一种用于分析与激光源相关的数据的方法，该方法包括：
205.从激光源并在数据收集与分析系统处接收与由激光源生成的激光脉冲的一个或多个突发相关联的数据；
206.由数据收集与分析系统并基于接收到的数据来确定激光脉冲的一个或多个突发是用于外部使用；以及
207.由数据收集与分析系统基于接收到的数据来确定激光脉冲的一个或多个突发是用于晶片上操作还是用于校准操作。
208.14.根据条款13所述的方法，还包括：
209.由数据收集与分析系统确定一个或多个脉冲的第一部分是用于校准操作；
210.由数据收集与分析系统确定一个或多个突发的第二部分是用于晶片上操作；以及
211.由数据收集与分析系统使用与一个或多个突发的第二部分相关联的数据来确定用于一个或多个突发的第二部分的一个或多个度量。
212.15.根据条款13所述的方法，其中：
213.一个或多个突发包括被用于校准操作的校准突发和被用于晶片上操作的一个或多个晶片上突发，
214.校准突发包括区分校准突发与一个或多个晶片上突发的特性，并且
215.该方法还包括：
216.使用校准突发的特性来区分校准突发与一个或多个晶片上突发。
217.16.根据条款13所述的方法，其中：
218.一个或多个突发包括被用于校准操作的第一校准突发、被用于第二校准操作的第二校准突发、以及被用于晶片上操作的一个或多个晶片上突发，
219.第一校准突发包括区分第一校准突发与一个或多个晶片上突发的第一特性，
220.第二校准突发包括区分第二校准突发与一个或多个晶片上突发的第二特性，
221.该方法还包括：
222.使用第一校准突发的第一特性和第二校准突发的第二特性来区分第一和第二校准突发与一个或多个晶片上突发。
223.17.根据条款13所述的方法，其中确定激光脉冲的所述一个或多个突发是用于外部使用包括：
224.从接收到的数据，确定与激光脉冲的一个或多个突发相关联的能量控制模式(ecm)值；
225.将所确定的ecm值与第一ecm值进行比较；以及
226.响应于所确定的ecm值不同于第一ecm值，确定激光脉冲的一个或多个突发是用于
外部使用。
227.18.根据条款13所述的方法，还包括：
228.确定激光脉冲的一个或多个突发中的突发数量；
229.响应于确定激光脉冲的一个或多个突发包括一个突发，确定激光脉冲的一个突发是用于校准操作；以及
230.响应于确定激光脉冲的一个或多个突发包括多于一个突发，对接收的数据应用校准类别测试。
231.19.根据条款13所述的方法，还包括：
232.响应于校准类别测试被满足：
233.确定一个或多个突发中的最后一个突发是用于校准操作；以及
234.确定一个或多个突发中的其他突发是用于晶片上操作；以及
235.响应于校准类别测试未被满足，确定一个或多个突发是用于晶片上操作。
236.20.根据条款19所述的方法，还包括：
237.从接收到的数据中排除与一个或多个突发中的第一突发和最后一个突发相关联的数据，以生成第一修改数据；
238.从第一修改数据中排除与具有最大突发间隔(ibi)值的突发相关联的数据，以生成第二修改数据；
239.基于第二修改数据中的ibi值来生成平均ibi值；
240.基于第二修改数据中的ibi值来生成标准偏差值；
241.基于平均ibi值、标准偏差值和ibi参数来生成ibi阈值；以及
242.响应于与最后一个突发相关联的ibi值大于ibi阈值、与最后一个突发相关联的每突发脉冲(ppb)大于pbb阈值或与最后一个突发相关联的高压命令方差(hvv)大于hvv阈值，确定校准类别测试被满足。
243.21.一种光刻装置，包括：
244.照射系统，被配置为调节辐射射束；
245.投影系统，被配置为将赋予辐射射束的图案投影到衬底上，
246.其中照射系统包括：
247.激光源，被配置为生成激光脉冲的一个或多个突发的；以及
248.数据收集与分析系统，被配置为：
249.从激光源接收与激光脉冲的一个或多个突发相关联的数据；
250.基于接收到的数据，确定激光脉冲的一个或多个突发是用于外部使用；以及
251.基于接收到的数据，确定激光脉冲的一个或多个突发是用于晶片上操作还是用于校准操作。
252.22.一种存储指令的非暂时性计算机可读介质，所述指令在由处理器执行时使所述处理器执行操作，该操作包括：
253.从激光源接收与由激光源生成的激光脉冲的一个或多个突发相关联的数据；
254.基于接收到的数据来确定激光脉冲的一个或多个突发是用于外部使用；以及
255.基于接收到的数据，确定激光脉冲的一个或多个突发是用于晶片上操作还是用于校准操作。
256.本公开的广度和范围不应受到任何上述示例性实施例的限制，而应仅根据以下权利要求及其等同物来限定。