移相掩膜版及其制作方法与流程

1.本发明属于半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种移相掩膜版及其制作方法。


背景技术：

2.光刻技术伴随集成电路制造方法的不断进步，线宽的不断缩小，半导体器件的面积正变得越来越小，半导体的布局己经从普通的单一功能分离器件，演变成整合高密度多功能的集成电路；由最初的ic(集成电路)随后到lsi(大规模集成电路)，vlsi(超大规模集成电路)，直至今天的ulsi(特大规模集成电路)，器件的面积进一步缩小。考虑到工艺研发的复杂性，长期性和成本高昂等不利因素的制约，如何在现有技术水平的基础上进一步提高器件的集成密度，以在同一硅片上得到尽可能多的有效的芯片数，从而提高整体利益，将越来越受到芯片制造者的重视。其中光刻工艺就担负着关键的作用，对于光刻技术而言，光刻设备、工艺及掩模板技术是其中的重中之重。
3.对于掩模板而言，移相掩模技术是提高光刻分辨率最实用的技术之一，这项技术的原理是通过将相邻区域的相位进行180度反转，使干涉效应互相抵消，进而抵消由于线宽不断缩小而导致版图上相邻特征区域的光刻质量受光学临近效应的影响越来越大的负面影响，这项技术的关键点在于移相层能够精确的控制掩模板图形的相位。
4.如图1所示，传统的一种移相掩膜包含一石英衬底11和一铬层12，对移相掩膜上的铬层12进行图案化后，由石英衬底11上的沟道深度d提供相移。
5.如图2所示，另一种移相掩膜包含一石英衬底21、一移相层23和一铬层22，对移相掩膜上的铬层22和移相层23进行图形化后，相移量和衰减量由移相层23的厚度d决定。
6.对于上述两种移相掩膜方案，由于透射光和180
°
相移光的衍射而具有零强度的位置，其虽然可以增强图像图案的对比度，但也可能导致晶圆上的正光抗蚀剂图案上出现“鬼影线(ghost-lines)”，不利于正光抗蚀剂的曝光精度。
7.为了获得更好的掩模制作性能，移相掩模也可包含多层材料。通过对多层材料之间的厚度关系，在掩膜上形成不同移相角度的区域，从而可以避免晶圆上曝光后的正光抗蚀剂图案上出现“鬼影线”，然而，该方案对各层材料的厚度要求较高，工艺也十分复杂，会严重增加芯片制造的成本。


技术实现要素：

8.鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种移相掩膜版及其制作方法，用于解决现有技术中移相掩膜容易造成鬼影线或为消除鬼影线而造成工艺难度及成本大幅增加的问题。
9.为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种移相掩膜版，所述移相掩膜版包括：透明基板，所述透明基板定义有透光区域及与所述透光区域相邻的至少一个遮光区域；遮光层，覆盖于所述透明基板上的所述遮光区域；移相侧墙片，位于所述透光区域与所
述遮光区域之间的所述遮光层的侧壁上，所述移相侧墙片使透过所述移相侧墙片的曝光光线产生相位转换或/及光衰减。
10.可选地，通过控制所述移相侧墙片的厚度、宽度和其材料成分以控制透过所述移相侧墙片的曝光光线的相位转换及/或光衰减的比例。
11.可选地，所述透明基板的材料包括石英玻璃，所述遮光层的材料包括铬或氧化铬或氮化铬。
12.可选地，所述移相侧墙片的材料包括氧化钼硅、氮氧化钼硅、氮氧碳化钼硅、氧化铬硅、氮氧化铬硅及氮氧碳化铬硅中的一种，其中各成分可变化且能决定相位转换或/及光衰减的程度。
13.可选地，所述移相侧墙片的厚度与所述遮光层的厚度比介于0.5:1～1:1之间，所述移相侧墙片的宽度与所述遮光层的厚度比介于0.2:1～0.5:1之间。
14.可选地，所述移相侧墙片使透过所述移相侧墙片的曝光光线产生相位转换的改变量介于0～180度之间。
15.可选地，所述移相侧墙片使透过所述移相侧墙片的曝光光线产生的光衰减的比例介于0～80％之间。
16.可选地，所述透光区域具有沟槽以使所述透光区域所透过的曝光光线包括有相位转换或/及光衰减。
17.本发明还提供一种移相掩膜版的制作方法，所述制作方法包括步骤：提供一透明基板，所述透明基板定义有透光区域及与所述透光区域相邻的至少一个遮光区域；于所述透明基板上沉积遮光层，刻蚀所述遮光层，以显露所述透光区域；于所述透明基板上沉积移相材料层，并对所述移相材料层进行回刻工艺，移除所述透光区域和遮光区域内的移相材料层，保留位于所述遮光层的侧壁的部分移相材料层，以形成移相侧墙片，所述移相侧墙片使透过所述移相侧墙片的曝光光线产生相位转换或/及光衰减。
18.可选地，所述制作方法还包括：刻蚀所述透光区域形成一定深度的沟槽，以形成有相位转换或/及光衰减的透光区域。
19.本发明还提供一种移相掩膜版，所述移相掩膜版包括：透明基板，所述透明基板定义有第一透光区域及与所述第一透光区域相邻的至少一个第二透光区域；移相层，覆盖于所述透明基板上的所述第一透光区域，所述移相层使透过所述移相层的曝光光线产生相位转换或/及光衰减；遮光侧墙片，位于所述第一透光区域与所述第二透光区域之间的所述移相层的侧壁上。
20.可选地，所述透明基板的材料包括石英玻璃，所述遮光侧墙片的材料包括铬或氧化铬或氮化铬，所述移相层的材料包括氧化钼硅、氮氧化钼硅、氮氧碳化钼硅、氧化铬硅、氮氧化铬硅及氮氧碳化铬硅中的一种，其中各成分能决定相位转换或/及光衰减的程度。
21.可选地，所述遮光侧墙片的厚度与所述移相层的厚度比介于0.5:1～1:1之间，所述遮光侧墙片的宽度与所述移相层的厚度比介于0.2:1～0.5:1之间。
22.可选地，所述移相层使透过所述移相层的曝光光线产生相位转换的改变量介于0～180度之间。
23.可选地，所述移相层使透过所述移相层的曝光光线产生的光衰减的比例介于0～80％之间。
24.本发明还提供一种移相掩膜版的制作方法，所述制作方法包括步骤：提供一透明基板，所述透明基板定义有第一透光区域及与所述第一透光区域相邻的至少一个第二透光区域；于所述透明基板上沉积移相层，刻蚀所述移相层，以保留所述第一透光区域的移相层，并显露所述第二透光区域，所述移相层使透过所述移相层的曝光光线产生相位转换或/及光衰减；于所述透明基板上沉积遮光材料层，并对所述遮光材料层进行回刻工艺，移除所述第二透光区域内的部分所述遮光材料层，保留位于所述移相层的侧壁的部分遮光材料层，以形成遮光侧墙片。
25.本发明还提供一种移相掩膜版，所述移相掩膜版包括：透明基板，所述透明基板定义有第一透光区域、与所述第一透光区域相邻的至少一个第二透光区域及遮光区域；移相层，覆盖于所述透明基板上的所述第一透光区域及遮光区域，所述移相层使透过所述移相层的曝光光线产生相位转换或/及光衰减；遮光层，位于所述移相层上且覆盖于所述遮光区域；移相侧墙片，位于所述第一透光区域与所述遮光区域之间的所述遮光层的侧壁上，所述移相侧墙片使透过所述移相侧墙片的曝光光线产生相位转换或/及光衰减。
26.可选地，所述透明基板的材料包括石英玻璃，所述移相层的材料包括氧化钼硅、氮氧化钼硅、氮氧碳化钼硅、氧化铬硅、氮氧化铬硅及氮氧碳化铬硅中的一种，所述移相侧墙片的材料包括氧化钼硅、氮氧化钼硅、氮氧碳化钼硅、氧化铬硅、氮氧化铬硅及氮氧碳化铬硅中的一种，其中各成分能决定相位转换或/及光衰减的程度。
27.可选地，所述移相侧墙片的厚度与所述遮光层的厚度比介于0.5:1～1:1之间，所述移相侧墙片的宽度与所述遮光层的厚度比介于0.2:1～0.5:1之间。
28.可选地，所述移相层使透过所述移相层的曝光光线产生相位转换的改变量介于0～180度之间，所述移相侧墙片使透过所述移相侧墙片的曝光光线产生相位转换的改变量介于0～180度之间。
29.可选地，所述移相层使透过所述移相层的曝光光线产生的光衰减的比例介于0～80％之间，所述移相侧墙片使透过所述移相侧墙片的曝光光线产生的光衰减的比例介于0～80％之间。
30.如上所述，本发明的移相掩膜版及其制作方法，具有以下有益效果：
31.本发明一方面通过在透明基板定义透光区域及与所述透光区域相邻的至少一个遮光区域，遮光层覆盖于透明基板上的遮光区域，移相侧墙片位于透光区域与遮光区域之间的遮光层的侧壁上，用于使透过所述移相侧墙片的曝光光线产生相位转换或/及光衰减，可以通过调整移相侧墙片的厚度来控制透光区域与遮光区域处的曝光光线的相位，避免“鬼影线”的产生，从而使得采用该移相掩膜版曝光所得的光致抗蚀图案的对比度和分辨率大大提高。
32.本发明另一方面通过在透明基板定义第一透光区域及与所述第一透光区域相邻的至少一个第二透光区域，移相层覆盖于透明基板上的第一透光区域，使透过所述移相层的曝光光线产生相位转换或/及光衰减，而遮光侧墙片位于所述第一透光区域与所述第二透光区域之间的所述移相层的侧壁上，通过遮光侧墙片对曝光光线的阻挡作用，避免“鬼影线”的产生，从而使得采用该移相掩膜版曝光所得的光致抗蚀图案的对比度和分辨率大大提高。
33.本发明又一方面通过在透明基板定义第一透光区域、与所述第一透光区域相邻的
至少一个第二透光区域及遮光区域，移相层覆盖于透明基板上的第一透光区域及遮光区域，用于使透过所述移相层的曝光光线产生相位转换或/及光衰减，遮光层位于移相层上且覆盖于遮光区域，移相侧墙片位于第一透光区域与遮光区域之间的遮光层的侧壁上，用于使透过所述移相侧墙片的曝光光线产生相位转换或/及光衰减。本发明可以通过调整移相层及/或移相侧墙片的厚度和宽度，调整第一透光区域与遮光区域及/或第二透光区域第一遮光区域处的曝光光线的相位和对比，避免“鬼影线”的产生，从而使得采用该移相掩膜版曝光所得的光致抗蚀图案的对比度和分辨率大大提高。
附图说明
34.图1显示为一种移相掩膜的结构示意图。
35.图2显示为另一种移相掩膜的及机构示意图。
36.图3～图6显示为本发明实施例1中的移相掩膜版的制作方法各步骤所呈现的结构示意图，其中，图6显示为本发明实施例1的移相掩膜版的结构示意图。
37.图7显示为采用本发明实施例1的移相掩膜版曝光所得的光致抗蚀图案示意图。
38.图8～图11显示为本发明实施例2中的移相掩膜版的制作方法各步骤所呈现的结构示意图，其中，图11显示为本发明实施例2的移相掩膜版的结构示意图。
39.图12显示为采用本发明实施例2的移相掩膜版曝光所得的光致抗蚀图案示意图。
40.图13显示为本发明实施例3的移相掩膜版的结构示意图。
41.元件标号说明
42.101
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透明基板
43.102
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遮光层
44.103
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遮光区域
45.104
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透光区域
46.105
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移相材料层
47.106
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移相侧墙片
48.107
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光致抗蚀图案
49.201
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透明基板
50.202
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移相层
51.203
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第一透光区域
52.204
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第二透光区域
53.205
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遮光材料层
54.206
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遮光侧墙片
55.207
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光致抗蚀图案
56.301
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透明基板
57.302
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移相层
58.303
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遮光层
59.304
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移相侧墙片
60.305
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遮光区域
61.306
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第一透光区域
62.307
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第二透光区域
63.308
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光致抗蚀图案
具体实施方式
64.以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
65.如在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
66.为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等的空间关系词语来描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解到，这些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件的、除了附图中描绘的方向之外的其他方向。此外，当一层被称为在两层“之间”时，它可以是所述两层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多个介于其间的层。
67.在本技术的上下文中，所描述的第一特征在第二特征“之上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。
68.需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
69.实施例1
70.本实施例提供一种移相掩膜版的制作方法，所述制作方法包括步骤：
71.如图3所示，首先进行步骤1)，提供一透明基板101，所述透明基板101定义有透光区域104及与所述透光区域104相邻的至少一个遮光区域103。
72.所述透明基板101的透光率优选为80％以上，在本实施例中，所述透明基板101的材料可以为石英玻璃，具有较高的透光率，可以保证透过所述透明基板101的曝光光线强度。当然，在其他的实施例中，所述透明基板101也可以采用其他具有良好透光率的材料，并不限于此处所列举的示例。
73.如图3～4所示，然后进行步骤2)，于所述透明基板101上沉积遮光层102，刻蚀所述遮光层102，以显露所述透光区域104。
74.例如，可以采用如磁控溅射等方法于所述透明基板101上沉积遮光层102，所述遮光层102的材料可以为铬或氧化铬或氮化铬。然后，可以采用如光刻工艺及刻蚀工艺刻蚀所述遮光层102，刻蚀的深度为直至所述透明基板101，以显露所述透光区域104。
75.进一步地，本实施例还可以刻蚀所述透光区域104形成一定深度的沟槽，以使所述透光区域104所透过的曝光光线包括有相位转换或/及光衰减。
76.如图5～图6所示，最后进行步骤3)，于所述透明基板101上沉积移相材料层105，并
对所述移相材料层105进行回刻工艺，移除所述透光区域104内的部分所述移相材料层105，保留位于所述遮光层102的侧壁的部分移相材料层105，以形成移相侧墙片106，所述移相侧墙片106使透过所述移相侧墙片106的曝光光线产生相位转换或/及光衰减。
77.例如，可以采用如磁控溅射等方法于所述透明基板101上沉积移相材料层105，所述移相材料层105填满所述透光区域104，并同时覆盖所述遮光层102，所述移相材料层105的材料包括氧化钼硅、氮氧化钼硅、氮氧碳化钼硅、氧化铬硅、氮氧化铬硅及氮氧碳化铬硅中的一种。然后，不需要使用光刻工艺制作光刻胶图形，而直接采用等离子体刻蚀工艺自所述透明基板101上方朝下对所述移相材料层105进行回刻工艺，去除所述遮光层102上方的移相材料层105，同时去除所述透光区域104内的部分所述移相材料层105，由于位于遮光层102侧壁的移相材料层105的刻蚀速率相比于其他位置的刻蚀速率低，故在回刻去除透光区域104中部区域的所述移相材料层105后，位于所述遮光层102的侧壁的部分移相材料层105会被保留下来，形成移相侧墙片106，所述移相侧墙片106使透过所述移相侧墙片106的曝光光线产生相位转换或/及光衰减，其中，所述移相侧墙片106的材料包括氧化钼硅、氮氧化钼硅、氮氧碳化钼硅、氧化铬硅、氮氧化铬硅及氮氧碳化铬硅中的一种，其中各成分可变化且能决定相位转换或/及光衰减的程度。
78.通过控制所述移相侧墙片106的厚度、宽度和其材料成分以控制透过所述移相侧墙片106的曝光光线的相位转换及/或光衰减的比例，具体地，通过控制回刻工艺的刻蚀时间或调整回刻工艺的刻蚀条件，可以控制所述移相侧墙片106的厚度，通过控制所述移相侧墙片106的厚度，可以实现其对曝光光线的不同相位的转换。优选地，所述移相侧墙片106的厚度与所述遮光层102的厚度比介于0.5:1～1:1之间，所述移相侧墙片106的宽度与所述遮光层102的厚度比介于0.2:1～0.5:1之间。例如，所述移相侧墙片106的厚度可以等于所述遮光层102，宽度可以为所述遮光层102厚度的1/3。
79.依据不同的移相侧墙片106的组分或结构的不同，作为示例，所述移相侧墙片106使透过所述移相侧墙片106的曝光光线产生相位转换的改变量介于0～180度之间，例如可以为90度、180度等。所述移相侧墙片106使透过所述移相侧墙片106的曝光光线产生的光衰减的比例介于0～80％之间，例如可以为20％、30％、50％、60％等。
80.如图6所示，本实施还提供一种移相掩膜版，所述移相掩膜版包括：透明基板101，所述透明基板101定义有透光区域104及与所述透光区域104相邻的至少一个遮光区域103；遮光层102，覆盖于所述透明基板101上的所述遮光区域103；移相侧墙片106，位于所述透光区域104与所述遮光区域103之间的所述遮光层102的侧壁上，所述移相侧墙片106使透过所述移相侧墙片106的曝光光线产生相位转换或/及光衰减。
81.所述透明基板101的透光率优选为80％以上，在本实施例中，所述透明基板101的材料可以为石英玻璃，具有较高的透光率，可以保证透过所述透明基板101的曝光光线强度。当然，在其他的实施例中，所述透明基板101也可以采用其他具有良好透光率的材料，并不限于此处所列举的示例。
82.所述遮光层102的材料包括铬或氧化铬或氮化铬。
83.通过控制所述移相侧墙片106的厚度、宽度和其材料成分以控制透过所述移相侧墙片106的曝光光线的相位转换及/或光衰减的比例。优选地，所述移相侧墙片106的厚度与所述遮光层102的厚度比介于0.5:1～1:1之间，所述移相侧墙片106的宽度与所述遮光层
102的厚度比介于0.2:1～0.5:1之间。例如，所述移相侧墙片106的厚度可以等于所述遮光层102，宽度可以为所述遮光层102厚度的1/3。
84.依据不同的移相侧墙片106的组分或结构的不同，作为示例，所述移相侧墙片106使透过所述移相侧墙片106的曝光光线产生相位转换的改变量介于0～180度之间，例如可以为90度、180度等。所述移相侧墙片106使透过所述移相侧墙片106的曝光光线产生的光衰减的比例介于0～80％之间，例如可以为20％、30％、50％、60％等。
85.作为示例，所述移相侧墙片106的材料包括氧化钼硅、氮氧化钼硅、氮氧碳化钼硅、氧化铬硅、氮氧化铬硅及氮氧碳化铬硅中的一种，其中各成分可变化且能决定相位转换或/及光衰减的程度。
86.作为示例，所述透光区域104具有沟槽以使所述透光区域104所透过的曝光光线包括有相位转换或/及光衰减。
87.本发明通过在透明基板101定义透光区域104及与所述透光区域104相邻的至少一个遮光区域103，遮光层102覆盖于透明基板101上的遮光区域103，移相侧墙片106位于透光区域104与遮光区域103之间的遮光层102的侧壁上，用于使透过所述移相侧墙片106的曝光光线产生相位转换或/及光衰减，可以通过调整移相侧墙片106的厚度、宽度和其材料成分来控制透光区域104与遮光区域103处的曝光光线的相位，避免“鬼影线”的产生，从而使得采用该移相掩膜版曝光所得的光致抗蚀图案107的对比度和分辨率大大提高，如图7所示。
88.实施例2
89.如图8～图12所示，本实施例提供一种移相掩膜版的制作方法，所述制作方法包括步骤：
90.如图8所示，首先进行步骤1)，提供一透明基板201，所述透明基板201定义有第一透光区域203及与所述第一透光区域203相邻的至少一个第二透光区域204。
91.例如，所述透明基板201的透光率优选为80％以上，在本实施例中，所述透明基板201的材料可以为石英玻璃，具有较高的透光率，可以保证透过所述透明基板201的曝光光线强度。当然，在其他的实施例中，所述透明基板201也可以采用其他具有良好透光率的材料，并不限于此处所列举的示例。
92.如图8～图9所示，然后进行步骤2)，于所述透明基板201上沉积移相层202，刻蚀所述移相层202，以保留所述第一透光区域203的移相层202，并显露所述第二透光区域204，所述移相层202使透过所述移相层202的曝光光线产生相位转换或/及光衰减。
93.例如，可以采用如磁控溅射等方法于所述透明基板201上沉积移相材料层，所述移相层202使透过所述移相层202的曝光光线产生相位转换或/及光衰减，所述移相材料层的材料包括氧化钼硅、氮氧化钼硅、氮氧碳化钼硅、氧化铬硅、氮氧化铬硅及氮氧碳化铬硅中的一种，其中各成分可变化且能决定相位转换或/及光衰减的程度。通过通过控制所述移相层202的厚度，可以实现其对曝光光线的不同相位的转换。
94.然后，可以采用如光刻工艺及刻蚀工艺刻蚀所述移相材料层，刻蚀的深度为直至所述透明基板201，以显露所述第二透光区域204。
95.如图10～图11所示，最后进行步骤3)，于所述透明基板201上沉积遮光材料层205，并对所述遮光材料层205进行回刻工艺，移除所述第二透光区域204内的部分所述遮光材料层205，保留位于所述移相层202的侧壁的部分遮光材料层205，以形成遮光侧墙片206。
96.例如，可以采用如磁控溅射等方法于所述透明基板201上沉积遮光材料层205，所述遮光材料层205填满所述透光区域，并同时覆盖所述移相层202，所述遮光材料层205的材料包括铬或氧化铬或氮化铬。然后，不需要使用光刻工艺制作光刻胶图形，而直接采用等离子体刻蚀工艺自所述透明基板201上方朝下对所述遮光材料层205进行回刻工艺，去除所述遮光层上方的遮光材料层205，同时去除所述透光区域内的部分所述遮光材料层205，由于位于遮光层侧壁的遮光材料层205的刻蚀速率相比于其他位置的刻蚀速率低，故在回刻去除透光区域中部区域的所述遮光材料层205后，位于所述移相材料层的侧壁的部分遮光材料层205会被保留下来，形成遮光侧墙片206。
97.如图11所示，本实施例还提供一种移相掩膜版，所述移相掩膜版包括：透明基板201，所述透明基板201定义有第一透光区域203及与所述第一透光区域203相邻的至少一个第二透光区域204；移相层202，覆盖于所述透明基板201上的所述第一透光区域203，所述移相层202使透过所述移相层202的曝光光线产生相位转换或/及光衰减；遮光侧墙片206，位于所述第一透光区域203与所述第二透光区域204之间的所述移相层202的侧壁上。
98.例如，所述透明基板201的材料包括石英玻璃，所述遮光侧墙片206的材料包括铬或氧化铬或氮化铬，所述移相层202的材料包括氧化钼硅、氮氧化钼硅、氮氧碳化钼硅、氧化铬硅、氮氧化铬硅及氮氧碳化铬硅中的一种，其中各成分可变化且能决定相位转换或/及光衰减的程度。
99.例如，所述遮光侧墙片206的厚度与所述移相层202的厚度比介于0.5:1～1:1之间，所述遮光侧墙片206的宽度与所述移相层202的厚度比介于0.2:1～0.5:1之间。
100.例如，所述移相层202使透过所述移相层202的曝光光线产生相位转换的改变量介于0～180度之间。所述移相层202使透过所述移相层202的曝光光线产生的光衰减的比例介于0～80％之间。
101.本发明通过在透明基板201定义第一透光区域203及与所述第一透光区域203相邻的至少一个第二透光区域204，移相层202覆盖于透明基板201上的第一透光区域203，使透过所述移相层202的曝光光线产生相位转换或/及光衰减，而遮光侧墙片206位于所述第一透光区域203与所述第二透光区域204之间的所述移相层202的侧壁上，通过遮光侧墙片206对曝光光线的阻挡作用，避免“鬼影线”的产生，从而使得采用该移相掩膜版曝光所得的光致抗蚀图案207的对比度和分辨率大大提高，如图12所示。
102.实施例3
103.如图13所示，本实施例提供一种移相掩膜版，所述移相掩膜版包括：透明基板301，所述透明基板301定义有第一透光区域306、与所述第一透光区域306相邻的至少一个第二透光区域307及遮光区域305；移相层302，覆盖于所述透明基板301上的所述第一透光区域306及遮光区域305，所述移相层302使透过所述移相层302的曝光光线产生相位转换或/及光衰减；遮光层303，位于所述移相层302上且覆盖于所述遮光区域305；移相侧墙片304，位于所述第一透光区域306与所述遮光区域305之间的所述遮光层303的侧壁上，所述移相侧墙片304使透过所述移相侧墙片304的曝光光线产生相位转换或/及光衰减。
104.所述透明基板301的材料包括石英玻璃，所述移相层302的材料包括氧化钼硅、氮氧化钼硅、氮氧碳化钼硅、氧化铬硅、氮氧化铬硅及氮氧碳化铬硅中的一种，所述移相侧墙片304的材料包括氧化钼硅、氮氧化钼硅、氮氧碳化钼硅、氧化铬硅、氮氧化铬硅及氮氧碳化
铬硅中的一种。
105.所述移相侧墙片304的厚度与所述遮光层303的厚度比介于0.5:1～1:1之间，所述移相侧墙片304的宽度与所述遮光层303的厚度比介于0.2:1～0.5:1之间。
106.所述移相层302使透过所述移相层302的曝光光线产生相位转换的改变量介于0～180度之间，所述移相侧墙片304使透过所述移相侧墙片304的曝光光线产生相位转换的改变量介于0～180度之间。所述移相层302使透过所述移相层302的曝光光线产生的光衰减的比例介于0～80％之间，所述移相侧墙片304使透过所述移相侧墙片304的曝光光线产生的光衰减的比例介于0～80％之间。
107.本发明通过在透明基板301定义第一透光区域306、与所述第一透光区域306相邻的至少一个第二透光区域307及遮光区域305，移相层302覆盖于透明基板301上的第一透光区域306及遮光区域305，用于使透过所述移相层302的曝光光线产生相位转换或/及光衰减，遮光层303位于移相层302上且覆盖于遮光区域305，移相侧墙片304位于第一透光区域306与遮光区域305之间的遮光层303的侧壁上，用于使透过所述移相侧墙片304的曝光光线产生相位转换或/及光衰减。本发明可以通过调整移相层302及/或移相侧墙片304的厚度，调整第一透光区域306与遮光区域305及/或第二透光区域307第一遮光区域305处的曝光光线的相位，避免“鬼影线”的产生，从而使得采用该移相掩膜版曝光所得的光致抗蚀图案的对比度和分辨率大大提高。
108.如上所述，本发明的移相掩膜版及其制作方法，具有以下有益效果：
109.本发明一方面通过在透明基板定义透光区域及与所述透光区域相邻的至少一个遮光区域，遮光层覆盖于透明基板上的遮光区域，移相侧墙片位于透光区域与遮光区域之间的遮光层的侧壁上，用于使透过所述移相侧墙片的曝光光线产生相位转换或/及光衰减，可以通过调整移相侧墙片的厚度来控制透光区域与遮光区域处的曝光光线的相位，避免“鬼影线”的产生，从而使得采用该移相掩膜版曝光所得的光致抗蚀图案的对比度和分辨率大大提高。
110.本发明另一方面通过在透明基板定义第一透光区域及与所述第一透光区域相邻的至少一个第二透光区域，移相层覆盖于透明基板上的第一透光区域，使透过所述移相层的曝光光线产生相位转换或/及光衰减，而遮光侧墙片位于所述第一透光区域与所述第二透光区域之间的所述移相层的侧壁上，通过遮光侧墙片对曝光光线的阻挡作用，避免“鬼影线”的产生，从而使得采用该移相掩膜版曝光所得的光致抗蚀图案的对比度和分辨率大大提高。
111.本发明又一方面通过在透明基板定义第一透光区域、与所述第一透光区域相邻的至少一个第二透光区域及遮光区域，移相层覆盖于透明基板上的第一透光区域及遮光区域，用于使透过所述移相层的曝光光线产生相位转换或/及光衰减，遮光层位于移相层上且覆盖于遮光区域，移相侧墙片位于第一透光区域与遮光区域之间的遮光层的侧壁上，用于使透过所述移相侧墙片的曝光光线产生相位转换或/及光衰减。本发明可以通过调整移相层及/或移相侧墙片的厚度和宽度，调整第一透光区域与遮光区域及/或第二透光区域第一遮光区域处的曝光光线的相位和对比，避免“鬼影线”的产生，从而使得采用该移相掩膜版曝光所得的光致抗蚀图案的对比度和分辨率大大提高。
112.所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
113.上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。