邦定结构、邦定方法及显示装置与流程

1.本技术涉及显示技术领域，特别是涉及一种邦定结构、邦定方法及显示装置。


背景技术：

2.随着电子设备的升级换代速度加快，对显示装置的集成化要求与性能要求越来越高，及时发现显示装置生产过程中的异常尤为重要。邦定方法可以应用于柔性电路板(flexible printed circuit，fpc)、覆晶薄膜(chip on flex，cof) 以及面板等需要进行邦定的结构中。柔性电路板邦定在面板(fpc onpanel，fop) 或者柔性电路板邦定在覆晶薄膜(fpc ofcof，fof)的邦定工艺包括异方导电膜(anisotropic conductive film，acf)预贴、预压、本压以及检测。
3.但是，邦定不良一直是显示行业中发生率较高的不良之一。传统邦定结构中acf的导电粒子破碎不理想或者不均匀，是邦定不良的主要直接原因，导致现有产品的邦定质量不高，产品良品率低。


技术实现要素：

4.基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种邦定结构、邦定方法及显示装置。
5.本技术提供一种邦定结构。所述邦定结构包括第一电路板、第二电路板以及光致变阻层。所述第一电路板包括第一基底和间隔设置于所述第一基底的多个第一电极。所述第二电路板包括第二基底和间隔设置于所述第二基底的多个第二电极。一个所述第一电极与一个所述第二电极相对设置。所述光致变阻层夹设于所述第一电路板和所述第二电路板之间。所述多个第一电极和所述多个第二电极分别与所述光致变阻层的两个相对表面接触。所述光致变阻层受到光照后电阻率减小并导电。所述光致变阻层中有多个间隔设置的导电区。一个所述导电区对应一个所述第一电极和一个所述第二电极，并将一个所述第一电极和一个所述第二电极电连接。
6.在一个实施例中，所述光致变阻层为连续层状结构。
7.在一个实施例中，沿所述第一电极的长度方向，每个所述导电区的宽度逐渐递增。
8.在一个实施例中，在所述第一电极的宽度方向，每个所述导电区的最大宽度大于每个所述第一电极的宽度。
9.在一个实施例中，每个所述导电区的轮廓为s形轮廓，在所述第一电极的宽度方向，所述s形轮廓的最大宽度大于所述第一电极的宽度。
10.在一个实施例中，所述邦定结构还包括多个第一粘接结构与多个第二粘接结构。多个第一粘接结构间隔设置于所述第一电路板与所述光致变阻层之间，相邻两个所述第一粘接结构之间设置一个所述第一电极。多个第二粘接结构间隔设置于所述光致变阻层与所述第二电路板之间，相邻两个所述第二粘接结构之间设置一个所述第二电极。
11.在一个实施例中，相邻两个所述导电区之间的非导电区的相对两个表面分别设置有凹陷。所述第一粘接结构与所述第二粘接结构分别设置于所述凹陷内。
12.在一个实施例中，本技术提供一种邦定方法，包括：
13.s10：提供第一电路板，包括第一基底和间隔设置于所述第一基底的多个第一电极；
14.s20：提供光致变阻层，覆盖于所述多个第一电极，所述光致变阻层受到光照后电阻率减小并导电；
15.s30：对所述光致变阻层曝光，以在所述光致变阻层形成多个间隔设置的导电区，一个所述导电区对应一个所述第一电极；
16.s40：提供第二电路板，包括第二基底和间隔设置于所述第二基底的多个第二电极；
17.s50：将所述第二电路板覆盖所述光致变阻层，所述多个第二电极与所述光致变阻层远离所述第一基底的表面接触，一个所述第二电极与一个所述导电区对应，并邦定所述第一电路板与所述第二电路板。
18.在一个实施例中，所述s20包括：
19.s210：提供第一粘接材料，涂覆于所述多个第一电极的间隙中的第一基底的表面，在所述多个第一电极的间隙中形成第一粘接层；
20.s220：提供所述光致变阻层，覆盖于所述多个第一电极，所述多个第一电极与所述光致变阻层直接接触；
21.优选地，所述光致变阻层为连续层状结构，所述光致变阻层覆盖所述多个第一电极和所述第一粘接层；
22.优选地，所述s30包括：
23.s310：提供遮光掩膜板，所述遮光掩膜板开有多个透光缝隙，一个所述透光缝隙与一个所述第一电极对应；
24.s320：将所述遮光掩膜板覆盖所述光致变阻层远离所述第一基底的表面，并光照所述遮光掩膜板，使得所述光致变阻层中与所述多个第一电极对应的部分形成所述间隔设置的多个导电区，一个所述导电区对应一个所述第一电极。
25.在一个实施例中，本技术提供一种显示装置，包括上述实施例中任一项所述的邦定结构。
26.上述邦定结构中，所述光致变阻层夹设于所述第一电路板和所述第二电路板之间。所述多个第一电极和所述多个第二电极分别与所述光致变阻层的两个相对表面接触。所述光致变阻层受到光照后电阻率减小并导电。所述光致变阻层中有多个间隔设置的导电区。一个所述导电区对应一个所述第一电极和一个所述第二电极，并将一个所述第一电极和一个所述第二电极电连接。
27.所述多个导电区与所述多个第一电极一一对应设置。一个所述导电区与一个所述第一电极相对设置。所述第二电路板设置于所述光致变阻层远离所述第一电路板的表面。所述多个第二电极与所述多个导电区一一对应设置。一个所述第二电极与一个所述导电区相对设置。一个所述导电区与一个所述第一电极相对设置。一个所述第二电极、一个所述导电区以及一个所述第一电极形成了一一对应的关系。所述导电区可以使得所述第一电极与所述第二电极上下纵向导通，且不会使得相邻电极之间横向导通。
28.所述邦定结构中所述光致变阻层的所述导电区替换了传统邦定结构中的含有导
电粒子的acf，可以达到邦定的效果。所述导电区分别与所述第一电极和所述第二电极接触，使得所述第一电极和所述第二电极纵向导通。相邻两个所述导电区之间存在非导电区，不会发生横向导通的现象。因此，通过本技术的所述邦定结构，不仅能够实现上下层电极的纵向导通，而且可以使得多个电极之间横向绝缘。
附图说明
29.为了更清楚地说明本技术实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
30.图1为本技术一实施例中邦定结构的结构示意图。
31.图2为本技术一实施例中邦定结构的结构示意图。
32.图3为本技术一实施例中光致变阻层的结构示意图。
33.图4为本技术一实施例中光致变阻层的结构示意图。
34.图5为本技术一实施例中光致变阻层的结构示意图。
35.图6为本技术一实施例中邦定方法的制备流程示意图。
36.图7为本技术一实施例中邦定方法的工艺流程示意图。
37.图8为本技术一实施例中邦定方法的制备流程示意图。
38.图9为本技术一实施例中邦定方法的s210和s220的制备流程示意图。
39.图10为本技术一实施例中邦定方法的s310和s320的制备流程示意图。
40.图11为本技术一实施例中邦定方法的s510、s520和s530的制备流程示意图。
41.附图标记说明：
42.邦定结构100、第一电路板10、第一基底101、第一电极110、光致变阻层 30、导电区310、第二电路板50、第二基底501、第二电极510、第一粘接层20、第一粘接结构211、掩膜板80、透光缝隙810、第二粘接层40、第二粘接结构 410、固定胶60、电极贴合区域311、凹陷312。
具体实施方式
43.为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的较佳的实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本技术的公开内容的理解更加透彻全面。
44.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。
45.需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
46.在附图中，为了清楚说明，可以夸大层和区域的尺寸。可以理解的是，当层或元件被称作“在”另一层或基底“上”时，该层或元件可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在中间层。另外，还可以理解的是，当层被称作“在”两个层“之间”时，该层可以是所述两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或更多个中间层。另外，同样的附图标记始终表示同样的元件。
47.在下面的实施例中，当层、区域或元件被“连接”时，可以解释为所述层、区域或元件不仅被直接连接还通过置于其间的其他组成元件被连接。例如，当层、区域、元件等被描述为被连接或电连接时，所述层、区域、元件等不仅可以被直接连接或被直接电连接，还可以通过置于其间的另一层、区域、元件等被连接或被电连接。
48.在下文中，尽管可以使用诸如“第一”、“第二”等这样的术语来描述各种组件，但是这些组件不必须限于上面的术语。上面的术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。还将理解的是，以单数形式使用的表达包含复数的表达，除非单数形式的表达在上下文中具有明显不同的含义。
49.当诸如
“……
中的至少一种(个)(者)”的表述位于一列元件(元素)之后时，修饰整列元件(元素)，而不是修饰该列中的个别元件(元素)。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。申请文件中使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意组合和所有组合。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。
50.在fof/fop邦定工艺中，在柔性电路板或面板或覆晶薄膜的待邦定区域贴附acf异方导电膜，并通过热压而实现面板和柔性电路板的机械连接及电气导通。邦定工艺包括acf预贴步骤、预压步骤、本压步骤以及检测步骤。在预压步骤中，先通过辅助视觉系统对fpc和面板进行对位，而后进行预压形成初步连接。然而，压合力偏大或偏小都会导致acf导电粒子未破碎或者破碎过度，进而使得电极之间存在不导通的问题。并且，当进行挤压时，由于相邻电极之间间距较小，导电粒子可能在电极之间相互接触，进而导致电极之间横向导通，影响产品的质量。
51.请参见图1，本技术提供一种邦定结构100。所述邦定结构100包括第一电路板10、第二电路板50以及光致变阻层30。所述第一电路板10包括第一基底 101和间隔设置于所述第一基底101的多个第一电极110。所述第二电路板50 包括第二基底501和间隔设置于所述第二基底501的多个第二电极510。一个所述第一电极110与一个所述第二电极510相对设置。所述光致变阻层30设置于所述多个第一电极110远离所述第一基底101的表面。
52.所述光致变阻层30夹设于所述第一电路板10和所述第二电路板50之间。所述多个第一电极110和所述多个第二电极510分别与所述光致变阻层30的两个相对表面接触。所述光致变阻层30受到光照后电阻率减小并导电。所述光致变阻层30中有多个间隔设置的导电区310。一个所述导电区310对应一个所述第一电极110和一个所述第二电极510，并将一个所述第一电极110和一个所述第二电极510电连接。
53.所述多个导电区310与所述多个第一电极110一一对应设置。一个所述导电区310与一个所述第一电极110相对设置。所述第二电路板50设置于所述光致变阻层30远离所述第一电路板10的表面。所述多个第二电极510与所述多个导电区310一一对应设置。一个所
述第二电极510与一个所述导电区310相对设置。一个所述导电区310与一个所述第一电极110相对设置。一个所述第二电极510、一个所述导电区310以及一个所述第一电极110形成了一一对应的关系。所述导电区310可以使得所述第一电极110与所述第二电极510上下纵向导通，且不会使得相邻电极之间横向导通。
54.所述邦定结构100中所述光致变阻层30的所述导电区310替换了传统邦定方法中的含有导电粒子的acf，可以达到邦定的效果。所述导电区310分别与所述第一电极110和所述第二电极510接触，使得所述第一电极110和所述第二电极510纵向导通。相邻两个所述导电区310之间存在非导电区，不会发生横向导通的现象。因此，通过本技术的所述邦定结构100，不仅能够实现上下层电极的纵向导通，而且可以使得多个电极之间横向绝缘。
55.在一个实施例中，所述光致变阻层30为连续层状结构。所述光致变阻层30 为连续层状结构，可以理解为所述光致变组层30为连续膜层结构。所述光致变阻层30中，所述多个导电区310与所述多个非导电区为一个连续膜层。当对所述第二电路板50与所述第一电路板10进行压合时，所述光致变组层30作为连续层状结构，不会由于挤压发生形变，解决了传统邦定方法中acf导电粒子导致的电极之间横向导通的问题。
56.请参见图2，在一个实施例中，所述导电区310的厚度大于所述非导电区(图中未标注)的厚度。相邻两个所述导电区310之间的非导电区的相对两个表面分别设置有凹陷312。所述第一粘接结构211与所述第二粘接结构410分别设置于所述凹陷312内。一个所述第一粘接结构211设置于一个所述凹陷312内。一个所述第二粘接结构410设置于一个所述凹陷312内。所述第一粘接层20与所述第二粘接层40分别设置于所述凹陷312内。当对所述第二电路板50与所述第一电路板10进行压合时，可以减小所述第一粘接层20与所述第二粘接层 40的挤压变形，进而防止所述第一粘接层20与所述第二粘接层40向电极流动。
57.在一个实施例中，所述凹陷312的深度为0微米至5微米。所述光致变阻层30的厚度为4至7微米。
58.请参见图3，在一个实施例中，沿所述第一电极110的长度方向，一个所述导电区310的宽度逐渐递增。电极贴合区域311为一个所述第二电极510与一个所述第一电极110的正对区域。一个所述导电区310的宽度逐渐递增，可以使得电极贴合区域311内每个位置都设置有导电区，确保一个所述第二电极510 与一个所述第一电极110上下纵向导通。沿所述第一电极110的长度方向，为图5中所示的第一方向。
59.沿所述第一电极110的宽度方向，为图5中所示的第二方向。沿所述第二方向，一个所述导电区310的最大宽度大于一个所述第一电极110的宽度。可以理解为，一个所述导电区310的最大宽度大于所述电极贴合区域311的宽度。当一个所述第二电极510与一个所述第一电极110的贴合位置偏离所述电极贴合区域311时，一个所述导电区310仍然可以将一个所述第二电极510与一个所述第一电极110纵向导通。
60.在一个实施例中，一个所述导电区310的轮廓为锐角三角形轮廓，且锐角三角形轮廓的顶点位于所述电极贴合区域311的中心线上。沿所述第一方向，所述导电区310的宽度逐渐递增，可以使得所述导电区310在所述电极贴合区域311均匀向外扩增。一个所述导电区310的最大宽度大于一个所述第一电极 110的宽度，可以使得所述导电区310在所述电极贴合区域311的区域外两侧均匀分布。一个所述第二电极510与一个所述第一电极110的贴合位置可以在所述电极贴合区域311的区域外两侧偏离，进而确保了一个所述第二电极510
与一个所述第一电极110纵向导通。
61.请参见图4，在一个实施例中，一个所述导电区310的轮廓为s形轮廓。可以理解为一个所述导电区310的俯视图形为s形形状。在所述第一电极110的宽度方向，可以理解为图4所示的第二方向。沿所述第二方向上，所述s形轮廓的两侧边缘的最大距离即图4中a
‑
a之间的最大距离。a
‑
a之间的最大距离为所述s形轮廓的最大宽度。
62.所述s形轮廓的最大宽度大于所述第一电极110的宽度。可以理解为，a
‑
a 之间的最大距离大于所述第一电极110的宽度。也可以理解为，a
‑
a之间的最大距离大于所述电极贴合区域311的宽度。当一个所述第二电极510与一个所述第一电极110的贴合位置偏离所述电极贴合区域311时，一个所述导电区310 仍然可以将一个所述第二电极510与一个所述第一电极110纵向导通。
63.沿所述第二方向上，所述多个导电区310间隔排列。一个所述导电区310 的轮廓为s形轮廓。s形轮廓具有多个弯折点a。所述s形轮廓的最大宽度即图 4中a
‑
a之间的最大距离。由于s形轮廓具有多个弯折点a，可以在确保沿所述第一方向上每个位置都设置有导电结构的同时，使得s形轮廓沿所述第二方向上占据更大的导电区域。当多个s形轮廓的导电区310间隔排列时，可以缩短相邻两个s形轮廓的距离，来增加每个s形轮廓的a
‑
a之间的最大距离。进而，当一个所述第二电极510与一个所述第一电极110的贴合位置，偏离所述电极贴合区域311时，一个所述导电区310仍然可以将一个所述第二电极510 与一个所述第一电极110纵向导通。
64.由于通过所述邦定方法可以精确控制相邻两个s形轮廓的间隔距离，所以在所述光致变阻层30尺寸确定的情况下，可以尽可能多的设置多个s形轮廓，使得导电区域增加。进而，通过多个s形轮廓的所述导电区310，可以使得更多的第二电极510和第一电极110纵向导通。从而，所述第一电路板10的邦定区域可以增加更多数量的所述第一电极110。所述第二电路板50的邦定区域可以增加更多数量的所述第二电极510。
65.请参见图5，在一个实施例中，一个所述导电区310的轮廓为折线形轮廓。可以理解为一个所述导电区310的俯视图形为折线形状。在所述第一电极110 的宽度方向，可以理解为图5所示的第二方向。沿所述第二方向上，所述折线形轮廓的两侧边缘的最大距离即图5中b
‑
b之间的最大距离。b
‑
b之间的最大距离为所述折线形轮廓的最大宽度。所述折线形轮廓的最大宽度大于所述第一电极110的宽度。可以理解为，b
‑
b之间的最大距离大于所述第一电极110的宽度。也可以理解为，b
‑
b之间的最大距离大于所述电极贴合区域311的宽度。当一个所述第二电极510与一个所述第一电极110的贴合位置偏离所述电极贴合区域311时，一个所述导电区310仍然可以将一个所述第二电极510与一个所述第一电极110纵向导通。
66.折线形轮廓具有多个弯折点b。所述折线形轮廓的最大宽度即图5中b
‑
b 之间的最大距离。由于折线形轮廓具有多个弯折点b，可以在确保沿所述第一方向上每个位置都设置有导电结构的同时，使得折线形轮廓沿所述第二方向上占据更大的导电区域。当多个折线形轮廓的导电区310间隔排列时，可以缩短相邻两个折线形的距离，来增加一个折线形轮廓的b
‑
b之间的最大距离。进而，当一个所述第二电极510与一个所述第一电极110的贴合位置，偏离所述电极贴合区域311时，一个所述导电区310仍然可以将一个所述第二电极510与一个所述第一电极110纵向导通。
67.由于通过所述邦定方法可以精确控制相邻两个折线形轮廓的间隔距离，所以在所述光致变阻层30尺寸确定的情况下，可以尽可能多的设置多个折线形轮廓，使得导电区域增加。进而，通过多个折线形轮廓的所述导电区310，可以使得更多的第二电极510和第一电极110纵向导通。从而，所述第一电路板10的邦定区域可以增加更多数量的所述第一电极110。所述第二电路板50的邦定区域可以增加更多数量的所述第二电极510。
68.在一个实施例中，所述邦定结构100包括第一粘接层20与第二粘接层40。所述第一粘接层20包括多个第一粘接结构211。所述第二粘接层40包括多个第二粘接结构410。所述多个第一粘接结构211设置于所述第一电路板10与所述光致变阻层30之间。一个所述第一电极110间隔设置于相邻两个所述第一粘接结构211之间。所述多个第二粘接结构410设置于所述光致变阻层30与所述第二电路板50之间。一个所述第二电极510间隔设置于相邻两个所述第二粘接结构410之间。
69.所述多个第一粘接结构211将所述第一电路板10与所述光致变阻层30粘接，用以实现固定作用。所述多个第二粘接结构410将所述光致变阻层30与所述第二电路板50粘接，用以实现固定作用。通过所述多个第一粘接结构211和所述多个第二粘接结构410将第一电路板10、所述光致变阻层30以及所述第二电路板50粘接在一起。所述多个第二电极510、所述多个导电区310以及所述多个第一电极110形成一一对应邦定连接的结构。通过所述导电区310将所述第二电极510与所述第一电极110纵向导通。所述多个导电区310间隔设置，实现相邻电极之间的横向绝缘。
70.在一个实施例中，所述第一粘接结构211的厚度与所述第一电极110的厚度相同。所述第二电极510的厚度与所述第一电极110的厚度为4微米至7微米。
71.在一个实施例中，所述第一粘接结构211的厚度和所述第二粘接结构410 的厚度比所述第一电极110的厚度小。所述第一粘接结构211与所述第一电极 110的厚度差值为所述第一电极110厚度的0至20％。当对所述第二电路板50 与所述第一电路板10进行压合时，可以减小所述第一粘接结构211和所述第二粘接结构410的挤压变形，进而防止所述第一粘接结构211和所述第二粘接结构410向电极流动。
72.在一个实施例中，所述第一粘接结构211的宽度为相邻两个第一电极110 间隔距离的50％至80％。当对所述第二电路板50与所述第一电路板10进行压合时，可以避免所述第一粘接结构211和所述第二粘接结构410与电极发生接触。
73.在一个实施例中，沿所述第一方向，所述第一粘接结构211的长度与所述第一电极110的长度相同。
74.请参见图6与图7，在一个实施例中，本技术提供一种邦定方法。所述邦定方法包括：
75.s10：提供第一电路板10，包括第一基底101和间隔设置于所述第一基底 101的多个第一电极110。所述第一电路板10可以为柔性电路板(flexible printedcircuit，fpc)、覆晶薄膜(chip on flex，cof)或者面板等器件。所述多个第一电极110为柔性电路板(flexible printed circuit，fpc)、覆晶薄膜(chip on flex， cof)或者面板等器件的绑定区域的电极。在一个实施例中，所述第一电路板 10为柔性电路板的邦定金手指。所述多个第一电极110等距离间隔设置于所述第一基底101的表面。
76.s20：提供光致变阻层30，覆盖于所述多个第一电极110，所述光致变阻层 30受到
光照后电阻率减小并导电。所述光致变阻层30设置于所述多个第一电极110远离所述第一电路板10的一侧。所述光致变阻层30可以为电阻率各向异性的无机膜层。所述光致变阻层30受到光照后，所述光致变阻层30的电阻率会发生变化。所述光致变阻层30包括但不限于掺铝氧化锌薄膜(azo)或者氧化锌(zno)等薄膜。所述光致变阻层30与所述多个第一电极110接触。所述多个第一电极110间隔设置，对应所述光致变阻层30的不同位置。
77.s30：对所述光致变阻层30曝光，以在所述光致变阻层30形成多个间隔设置的导电区310，一个所述导电区310对应一个所述第一电极110。一个所述第一电极110对应所述光致变阻层30的一个位置。当对所述第一电极110对应的所述光致变阻层30的位置进行曝光时，所述光致变阻层30内的电子和能带结构发生改变，进而使所述光致变阻层30的载流子浓度增加，形成所述导电区310。从而，所述光致变阻层30的被曝光部位的电阻率降低，使得所述第一电极110 与其对应的电极接通。所述光致变阻层30的没有被曝光部位的电阻率仍然很大，形成非导电区。所述非导电区使得所述多个导电区310之间横向绝缘，不会发生横向导通的问题。所述光致变阻层30的所述多个导电区310具有导电功能，所述非导电区不导电。
78.s40：提供第二电路板50，包括第二基底501和间隔设置于所述第二基底 501的多个第二电极510。所述多个第二电极510等距离间隔设置于所述第二基底501的表面。所述第二电路板50可以为柔性电路板(flexible printed circuit， fpc)、覆晶薄膜(chip on flex，cof)或者面板等器件。所述多个第二电极 510为柔性电路板(flexible printed circuit，fpc)、覆晶薄膜(chip on flex，cof) 或者面板等器件的绑定区域的电极。在一个实施例中，所述第二电路板50为面板。
79.s50：将所述第二电路板50覆盖所述光致变阻层30，所述多个第二电极510 与所述光致变阻层30远离所述第一基底101的表面接触，一个所述第二电极510 与一个所述导电区310对应，并邦定所述第一电路板10与所述第二电路板50。所述第二电路板50设置于所述光致变阻层30远离所述第一电路板10的表面，使所述多个第二电极510与所述多个间隔设置的导电区310相对设置。所述多个第二电极510设置于所述光致变阻层30远离所述多个第一电极110的表面。一个所述第二电极510与一个所述导电区310对应设置。一个所述导电区310 与一个所述第一电极110对应设置。一个所述第二电极510、一个所述导电区 310以及一个所述第一电极110形成了一一对应的关系。所述导电区310可以使得所述第一电极110与所述第二电极510电连接，且不会使得相邻电极之间横向导通。
80.本技术的邦定方法，采用了具有所述导电区310的所述光致变阻层30替换了传统邦定方法中的含有导电粒子的acf，避免了acf导电粒子未破碎或者破碎过度的问题。所述导电区310分别与所述第一电极110和所述第二电极510 接触，使得所述第一电极110和所述第二电极510导通。相邻两个所述导电区 310之间存在非导电区，不会使相邻两个所述导电区310发生横向导通的现象。因此，通过本技术的邦定方法制备的邦定结构100，不仅能够实现上下层电极的纵向导通，而且可以使得多个电极之间横向绝缘。
81.请参见图8与图9，在一个实施例中，所述s20包括：
82.s210：提供第一粘接材料，涂覆于所述多个第一电极110的间隙中的第一基底101的表面，在所述多个第一电极110的间隙中形成第一粘接层20。所述第一粘接材料可以为水胶或者胶粘剂等，用于将所述光致变阻层30与所述第一电路板10粘接。所述第一粘接层20
包括多个第一粘接结构211。在相邻两个所述第一电极110之间喷涂一个所述第一粘接结构211。每相邻两个所述第一电极 110之间制备一个所述第一粘接结构211。所述第一基底101的表面设置有多个第一粘接结构211，将所述多个第一电极110间隔开。所述第一基底101的表面形成了多个所述第一基底101与多个第一电极110间隔设置的结构。通过所述第一粘接层20可以将所述第一电路板10与所述光致变阻层30粘接，起到固定作用。
83.s220：提供所述光致变阻层30，覆盖于所述多个第一电极110，所述多个第一电极110与所述光致变阻层30直接接触。
84.对所述光致变阻层30曝光，在所述光致变阻层30形成多个间隔设置的导电区310，一个所述导电区310与一个所述第一电极110直接接触。一个所述第二电极510与一个所述导电区310对应设置。一个所述导电区310与一个所述第一电极110对应设置。一个所述第二电极510、一个所述导电区310以及一个所述第一电极110形成了一一对应的关系。所述导电区310可以使得所述第一电极110与所述第二电极510电连接，且不会使得相邻电极之间横向导通。
85.在一个实施例中，所述s210中，通过喷墨打印机喷涂所述第一粘接层20。喷墨打印机的打印量可控制在皮升量级，能够满足电极之间所述第一粘接层20 的喷涂量需求。通过喷墨打印机喷涂所述第一粘接层20，可以控制打印精确度调控所述第一粘接层20的位置，进而适用于相邻电极之间的距离。
86.在一个实施例中，所述s210中，还可以通过coating旋涂或者涂布技术制备所述第一粘接层20。
87.在一个实施例中，所述光致变阻层30为连续层状结构，所述光致变阻层30 覆盖所述多个第一电极110和所述第一粘接层20。
88.所述邦定方法中对所述光致变组层30进行光照形成所述多个导电区310。所述光致变组层30的被照射部分的体积和形状不会发生变化。所述光致变阻层 30为连续层状结构，可以理解为所述光致变组层30为连续膜层结构。所述光致变阻层30中，所述多个导电区310与所述多个非导电区为一个连续膜层。
89.所述光致变组层30为覆盖于所述多个第一电极110和所述多个第二电极 510之间的连续膜层。当对所述第二电路板50与所述第一电路板10进行压合时，所述光致变组层30作为连续层状结构，不会由于挤压发生形变，解决了传统邦定方法中acf导电粒子导致的电极之间横向导通的问题。
90.请参见图10，在一个实施例中，所述s30包括：
91.s310：提供遮光掩膜板80，所述遮光掩膜板80开有多个透光缝隙810，一个所述透光缝隙810与一个所述第一电极110对应。所述透光缝隙810的轮廓可以为s形轮廓或者折线形轮廓等。在一个实施例中，根据所述遮光掩膜板80 的掩膜图形，可以形成不同结构的所述导电区310。所述s310中，以所述遮光掩膜板80为遮挡，对所述多个第一电极110对应的所述光致变阻层30的部分，进行照射。通过所述遮光掩膜板80，将所述多个第一电极110对应的所述光致变阻层30露出。所述光致变阻层30的露出部分与所述多个第一电极110一一对应。
92.s320：将所述遮光掩膜板80覆盖所述光致变阻层30远离所述第一基底101 的表面，并光照所述遮光掩膜板80，使得所述光致变阻层30中与所述多个第一个电极110对应的
部分形成多个间隔设置的导电区310，一个所述导电区310对应一个所述第一电极110。所述遮光掩膜板80遮挡的所述光致变阻层30的部分没有经过光照射，形成多个非导电区。光通过所述多个透光缝隙810照射至所述光致变阻层30，使得光照射部位的所述光致变阻层30的电阻率降低。被光照射部位的所述光致变阻层30形成所述导电区310。所述导电区310将所述第一电极110与所述第二电极510导通。未被光照射部位的所述光致变阻层30的电阻率仍然很大形成非导电区。多个非导电区将所述多个导电区310间隔开，起到绝缘作用。所述非导电区使得所述多个导电区310之间横向绝缘，不会发生横向导通的问题。
93.本技术所述邦定方法通过所述遮光掩膜板80为遮挡进行曝光的方式制备所述多个导电区310。所述多个导电区310的尺寸能够达到极高的精度。进而，所述多个导电区310对应的所述多个第一电极110或者所述多个第二电极510的电极之间的距离可以精确到很小。所述光致变阻层30经过光照射之后，体积形状不会发生变化，不会存在电极之间的距离过小导致的导电粒子横向导通的问题。通过缩小电极之间的距离可以节省空间，提高柔性电路板、覆晶薄膜或者面板的集成度。
94.在一个实施例中，所述光致变阻层30的材料包括掺铝氧化锌或者氧化锌，采用紫外光照射所述遮光掩膜板80。
95.采用紫外光照射所述遮光掩膜板80，紫外光通过所述多个透光缝隙810照射到所述光致变阻层30，使得紫外光照射部位的所述光致变阻层30的电阻率降低。采用紫外光对所述多个第一电极110对应的所述光致变阻层30的位置进行照射，在所述光致变阻层30形成所述多个导电区310。
96.所述光致变阻层30与所述多个第一电极110直接接触。所述多个第一电极 110对应所述光致变阻层30的不同位置。一个所述第一电极110对应一个所述光致变阻层30的位置。所述第一电极110对应的掺铝氧化锌薄膜或者氧化锌薄膜，经过紫外光照射之后，掺铝氧化锌薄膜或者氧化锌薄膜的方阻由20mω/m2至25mω/m2降低至0.7至0.8kω/m2。
97.在一个实施例中，所述光致变阻层30为掺铝氧化锌薄膜(azo)。所述第一电极110对应的掺铝氧化锌薄膜(azo)的部分。经过紫外光照射之后，掺铝氧化锌薄膜(azo)的方阻由22mω/m2降低为0.76kω/m2。掺铝氧化锌薄膜 (azo)经过紫外光照射之后，掺铝氧化锌薄膜(azo)的电阻率明显降低。所述第一电极110对应的掺铝氧化锌薄膜的部分，经过紫外光照射之后，掺铝氧化锌薄膜(azo)的导电特性由不导电变为导电。所述第一电极110对应的掺铝氧化锌薄膜的部分，经过紫外光照射之后，形成所述多个间隔设置的导电区310。
98.没有经过紫外光照射的掺铝氧化锌薄膜(azo)的导电特性没有发生变化，仍然为不导电特性，形成多个非导电区。相邻两个所述导电区310之间设置有一个非导电区。非导电区将相邻两个所述导电区310绝缘隔开。一个所述第二电极510与一个所述导电区310对应设置。一个所述导电区310与一个所述第一电极110对应设置。所述导电区310可以使得所述第一电极110与所述第二电极510电连接。相邻两个所述导电区310之间的非导电区，使相邻两个电极绝缘，不会出现横向导通的问题。
99.在一个实施例中，采用紫外光对所述第一电极110对应的所述光致变阻层 30的位置进行照射时，紫外光的波长为254nm，功率为36w，照射时间为10天至20天。
100.在一个实施例中，通过调整紫外光的照射功率，可以缩短照射时间。
101.在一个实施例中，采用红外光对所述多个第一电极110对应的所述光致变阻层30
的位置进行照射，形成所述多个导电区310。
102.请参见图11，在一个实施例中，所述s50包括：
103.s510：提供第二粘接材料，涂覆在所述光致变阻层30远离所述第一基底101。所述第二粘接材料可以为水胶或者胶粘剂等，用于将所述光致变阻层30与所述第二电路板50粘接。
104.s520：将所述第二电路板50覆盖所述光致变阻层30，所述多个第二电极 510直接接触所述光致变阻层30，在所述多个第二电极510的间隙中形成第二粘接层40。所述第二粘接层40包括多个第二粘接结构410。在相邻两个所述第二电极510之间制备一个所述第二粘接结构410。所述多个第二粘接结构410将所述多个第二电极510间隔开。通过所述第二粘接层40可以将所述第二电路板 50与所述光致变阻层30粘接，起到固定作用。所述第二粘接层40与所述第一粘接层20相对设置。一个所述第二粘接结构410与一个所述第一粘接结构211 相对设置。
105.s530：热压所述第一电路板10和所述第二电路板50，以邦定所述第一电路板10和所述第二电路板50。对将所述第二电路板50的所述多个第二电极510 与所述第一电路板10的所述多个第一电极110一一进行对位。在位置对准以后，对所述第二电路板50与所述第一电路板10进行压合，使得所述光致变阻层30、所述第二电路板50以及所述第一电路板10之间紧密贴合。
106.在一个实施例中，所述第一粘接层20与所述第二粘接层40为水胶。所述 s530包括：
107.设置热压温度为200℃至300℃，热压时间为10s至15s，热压压力为0.1mpa 至0.3mpa，对所述第二电路板50与所述第一电路板10进行压合。
108.在一个实施例中，所述第一粘接层20与所述第二粘接层40为胶粘剂。所述s530包括：
109.设置压合温度为20℃至30℃，对所述第二电路板50与所述第一电路板10 压合，以使得所述第一粘接层20与所述第二粘接层40固化。
110.将所述第二电路板50的所述多个第二电极510与所述第一电路板10的所述多个第一电极110一一进行对位。在位置对准以后，对所述第二电路板50与所述第一电路板10进行压合温度为20℃至30℃的压合，使得所述第一粘接层20与所述第二粘接层40固化。进而，所述光致变阻层30、所述第二电路板50 以及所述第一电路板10之间紧密贴合。
111.所述邦定方法中所述s530采用压合温度为20℃至30℃的压合，可以避免高温压合导致的电极层受热膨胀外扩的问题。进而，所述邦定方法采用压合温度为20℃至30℃的压合，可以降低所述第二电极510与所述第一电极110的对位偏差，提高了对准精度。
112.在一个实施例中，设置压合温度为20℃至30℃，压合时间为4分钟至6分钟，压合压力为0.1mpa至0.3mpa，对所述第二电路板50与所述第一电路板10 压合。所述邦定方法通过设置压合温度、压合时间以及压合压力，可以使得所述第二电极510与所述第一电极110精确定位。
113.在一个实施例中，在所述s510中通过喷墨打印机喷涂所述第二粘接层40。喷墨打印机的打印量可控制在皮升量级，能够满足电极之间所述第二粘接结构 410的喷涂量需求。
114.在一个实施例中，所述邦定方法还包括：
115.s60：提供第三粘接材料，覆盖于所述第一电路板10、所述光致变阻层30 和所述第二电路板50的周边，固化所述第三粘接材料。
116.在所述第一电路板10与所述第二电路板50的邦定区域四周旋涂紫外光固化胶，也就是uv胶。uv胶旋涂于所述第一电路板10与所述第二电路板50的四周边缘位置。采用uv光(紫外光)对uv胶进行固化。uv胶固化后，将所述第一电路板10、所述光致变阻层30以及所述第二电路板50之间贴合，进行固定。
117.在一个实施例中，本技术提供一种显示装置，包括上述实施例中任一项所述的邦定结构100。所述显示装置可以为液晶面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
118.在本说明书的描述中，参考术语“有些实施例”、“其他实施例”、“理想实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特征包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性描述不一定指的是相同的实施例或示例。
119.以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
120.以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。