具有倾斜发射器图案的垂直腔面发射激光器阵列的制作方法

具有倾斜发射器图案的垂直腔面发射激光器阵列
1.相关申请
2.本技术要求2020年6月19日提交的美国临时专利申请第63/041,427号的优先权，其标题为“vertical
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cavity surface
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emitting laser design for dot projection”，其内容通过引用全部结合于此。
技术领域
3.本公开总体上涉及垂直腔面发射激光器(vcsel)阵列和具有倾斜发射器图案的vcsel。


背景技术：

4.结构光系统可以包括发射器阵列(例如，垂直腔面发射激光器(vcsel)阵列)、透镜和衍射光学元件(doe)。在操作中，由发射器阵列的发射器发射的光被透镜准直，并且准直光束(每个对应于相应的发射器)被引导到doe。doe分配准直光束，以便创建点投影(例如，准直光束的投影)。更具体地说，doe衍射给定的光束，使得给定光束的衍射级(diffracted order)由doe以不同的角度透射。衍射的角度范围出现在相对于doe表面的一个角度范围内，称为视场(fov)。例如，fov可以是60度的fov、90度的fov等。这些不同方向的衍射级在fov形成点投影(例如，包括数万个点)。


技术实现要素：

5.在一些实施方式中，vcsel阵列包括：半导体基板；在基板上的符合发射器图案的多个发射器，其中发射器图案与基板的边缘以非零角度取向，其中发射器图案包括被布置成形成发射器图案的两个或更多个单元，其中两个或更多个单元中的每个单元包括相同数量的发射器，并且其中两个或更多个单元被布置成实现与两个或更多个单元中的两个相邻单元相关联的未对准的测量，以满足未对准阈值。
6.在一些实施方式中，结构光系统包括：vcsel阵列，该阵列包括:符合发射器图案的多个发射器，其中发射器图案与doe的直线轴以非零角度取向，其中发射器图案包括被布置成形成发射器图案的两个或更多个单元，其中两个或更多个单元中的每个单元包括相同数量的发射器，并且其中所述两个或更多个单元被布置成实现与所述两个或更多个单元中的两个相邻单元相关联的单元未对准的测量，以满足单元未对准阈值；以及doe，被配置为从由所述vcsel阵列的多个发射器发射的光来产生点投影，其中所述点投影包括多个拼片。
7.在一些实施方式中，结构化光系统包括vcsel阵列，该vcsel阵列包括符合发射器图案的多个发射器，其中发射器图案相对于doe的直线轴以非零角度取向，其中发射器图案包括被布置成形成发射器图案的一个或多个单元；以及所述doe，被配置为从由所述vcsel阵列的多个发射器发射的光来产生点投影，其中所述点投影包括多个拼片，并且其中所述多个拼片被布置为使得拼片未对准的测量满足拼片未对准阈值。
附图说明
8.图1a
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1b是本文所述的示例实现的示意图。
9.图2是与结构光设备的常规vcsel阵列相关联的示例性点投影图，其中常规vcsel阵列的发射器图案没有倾斜角。
10.图3是与结构光设备的传统vcsel阵列相关联的示例性点投影图，其中传统vcsel阵列的发射器图案具有倾斜角。
11.图4a
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4d图是与设计发射器图案相关的示例实现的示意图，该发射器图案具有用于本文所述的示例性vcsel阵列的倾斜角。
12.图5是与本文所述的示例性vcsel阵列相关联的示例性点投影的示意图，该阵列具有带倾斜角的发射器图案。
13.图6是与本文所述的示例性vcsel阵列相关联的另一示例性点投影的示意图，该阵列具有带倾斜角的发射器图案。
具体实施方式
14.示例实现的以下详细描述参考了附图。不同附图中相同的附图标记可以标识相同或相似的元件。
15.间接飞行时间(itof)测量系统可以包括结构光设备(例如，包括发射器阵列，例如vcsel阵列；透镜；doe；和/或类似物)，用于将点投影到目标(例如，屏幕、表面、场景等)上，以允许itof测量系统测量目标。典型地，doe的特征沿着与透镜和/或doe光轴垂直的doe的直线轴形成。典型地，结构光设备的vcsel阵列包括符合发射器图案的多个发射器，发射器图案沿着结构光设备的透镜和/或doe的光轴定位。典型地，发射器图案平行于vcsel芯片的边缘，该边缘平行于doe的直线轴之一。这可以在目标上产生均匀的点投影(例如，点投影的许多点可垂直或水平对准)，这可能会妨碍itof测量系统获得目标的精确测量。此外，在一些情况下，vcsel阵列的发射器图案可以平行于vcsel阵列的芯片边缘而水平或垂直对准，这会允许芯片的晶面缺陷(例如，通常沿芯片垂直或水平行进)容易地传播到发射器图案的发射器组。这会导致一些发射器失效，从而对vcsel阵列的性能产生负面影响。
16.本文所述的一些实施方式提供了一种包括多个发射器的vcsel阵列，所述多个发射器与发射器图案一致，所述发射器图案相对于相关联的doe的直线轴(rectilinear axis)和/或vcsel阵列的芯片(例如，其上形成多个发射器的vcsel的半导体基板)的参考边缘成非零角度(例如，在1至45度之间，在5至20度之间，和/或在9至13度之间，以及其他示例)。发射器图案可以包括一个或多个单元(例如，其充当发射器图案的基本单元)，这些单元可以被布置成形成发射器图案(例如，并排放置在m行和n列中，其中m和n大于或等于1)。当发射器图案包括两个或更多个单元时，每个单元可以包括相同数量的发射器，并且两个或更多个单元可以被布置成最小化相邻单元之间的未对准量(例如，在x方向和/或y方向)。
17.在一些实施方式中，doe可以从vcsel阵列的多个发射器发射的光产生点投影。点投影可以包括多个拼片(tile)，其中每个拼片包括多个点，这些点符合对应于发射器图案的点图案(例如，点图案的点分别与发射器图案的发射器相关联)。doe可以被配置成使得多个拼片被布置成最小化相邻拼片之间的未对准量(例如，在x方向和/或y方向)。
18.以这种方式，本文所述的一些实施方式允许doe从具有非零倾斜角(例如，相对于
doe的直线轴和/或相对于vcsel芯片的参考边缘)的发射器图案的vcsel阵列所产生的光来产生对准和/或一致间隔的点投影。因此，在本文所述的一些实施方式中产生的点投影比使用没有非零倾斜角的传统vcsel阵列产生的点投影更不均匀(例如，点投影的几个点垂直或水平对准)，这允许包括本文所述的vcsel阵列和/或doe的干涉测量系统获得更精确的目标测量。此外，通过使用具有非零倾斜角(例如，相对于doe的直线轴和/或vcsel芯片的参考边缘)的发射器图案，发射器图案不与vcsel阵列的芯片的参考边缘水平或垂直对准，这降低了晶面缺陷传播到发射器图案中的发射器组的可能性。因此，这防止了一些发射器失效，并因此提高了vcsel阵列的性能和/或提高了vcsel阵列的鲁棒性。
19.图1a
‑
1b是本文所述的示例实施例100的示意图。如图1a所示，结构光设备102可以包括vcsel阵列104，该阵列包括多个发射器106(例如，在vcsel阵列104的芯片中)、透镜108和/或衍射光学元件(doe)110(显示为衍射光栅)。结构光设备102可以被配置成发射包括多个点114的点投影(dot projection)112。例如，vcsel阵列104的多个发射器106可以被配置成发射光，透镜108可以被配置成使得光准直和/或将光引导到doe 110，并且doe110可以被配置成生成覆盖场景(例如，目标、物体等)的点投影112。
20.如图在1a和1b所示，多个发射器106可以符合发射器图案(emitter pattern)116。如图1a和1b所示，发射器图案116可以与doe 110的直线轴(例如，在图1b中显示为y轴或z轴)和/或与vcsel芯片的参考边缘118成一定角度(例如，成非零角度)。本文进一步描述了发射器图案116的取向。如图1a所示，点投影112可以是拼接在一起的发射器图案116的重复光学拷贝。本文进一步描述点投影112的组成。
21.如上所述，图1a
‑
1b就是一个例子。其他示例可以与图1a
‑
1b所描述的不同。
22.图2是与结构光设备的常规120发射器vcsel阵列(例如，12
×
10发射器六边形阵列)相关联的示例性点投影200的图，其中常规120发射器vcsel阵列的发射器图案具有零度倾斜角(例如，发射器图案与结构光设备的doe的直线轴和/或vcsel阵列的芯片的参考边缘对准)。如图2所示，示例性点投影200的第一拼片202(例如，示例性点投影200的较暗的点)可以是发射器图案的第一光学投影，并且示例性点投影200的第二拼片204(例如，示例性点投影200的较亮的点)可以是发射器图案的第二光学投影。如图2所示，示例性点投影200的第一拼片202可以与示例性点投影200的第二拼片204相邻拼片(例如，彼此相邻投影以形成1
×
2拼片图案)。如线206和线208所示，分别穿过示例性点投影200的第一拼片202的多个点和示例性点投影的第二拼片204的多个点，示例性点投影200的第一拼片202和第二拼片204对准(例如，与示例性点投影200的点相关联的间隔在整个示例性点投影200中是均匀和/或一致的)。因此，图2示出了当存在零倾角时对阵列进行复制的容易性。
23.如上所述，提供图2作为示例。其他示例可以与针对图2所描述的不同于。
24.图3是与结构光设备的传统240
‑
发射器vcsel阵列相关联的示例性点投影300的图，其中传统240
‑
发射器vcsel阵列的发射器图案302具有11度的倾斜(例如，发射器图案相对于传统结构光设备的doe的直线轴以11度取向)。如图3所示，示例性点投影300是发射器图案302的3
×
3光学投影(例如，发射器图案可以被光学投影以形成九个拼片，由虚线标识，排列成三行和三列拼片图案)。
25.然而，由于11度的倾斜，示例性点投影300的中间拼片中的点与中间拼片的相邻拼片中的点不对准。例如，如线304所示，来自中间拼片上方和下方的拼片的点与来自中间拼
片的点不对准。作为另一个例子，如线306所示，来自中间拼片的左侧和右侧的拼片的点与来自中间拼片的点不对准。此外，如箭头308所示，来自中间拼片的边缘的点与相邻拼片的点之间可以没有均匀和/或一致的间隔。
26.因此，由于在使用具有非零倾斜角的传统vcsel阵列时的未对准和间隔问题，本文所述的一些实施方式提供了一种具有发射器图案的vcsel阵列，该发射器图案具有非零倾斜，并且发射可被投射(例如，通过透镜和/或doe)到对准和/或一致间隔的点投影中的光。此外，本文描述的一些实施方式提供了一种用于设计这种具有非零倾斜的发射器图案的vcsel阵列的方法。
27.如上所述，提供图3作为示例。其他示例可以与图3所描述的不同。
28.图4a
‑
4d是与设计具有本文所述vcsel阵列(例如，vcsel阵列104或另一vcsel阵列)的倾斜角(例如，以非零角度取向)的发射器图案(例如，图1所示的发射器图案116)相关的示例性实施例400的图，所述vcsel阵列可用在结构光设备(例如，包括透镜108和/或doe 110的结构光设备102)中，以发射包括多个拼片的点投影(例如，示例性点投影112)，其中所述点投影的点是对准和/或一致间隔的。
29.在一些实施方式中，用户设备可以用于设计发射器图案。在一些实施方式中，用户设备可以包括通信设备和/或计算设备。例如，用户设备可以包括无线通信设备、移动电话(例如，智能电话或手机等)、膝上型计算机、平板计算机、手持计算机、台式计算机或类似类型的设备。用户设备可以包括处理器，例如中央处理单元(cpu)、图形处理单元(gpu)、加速处理单元(apu)、微处理器、微控制器、数字信号处理器(dsp)、现场可编程门阵列(fpga)、专用集成电路(asic)或其他类型的处理组件。处理器可以用硬件、固件和/或硬件和软件的组合来实现。用户设备可以包括一个或多个能够被编程以执行功能的处理器。一个或多个存储器，包括随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)和/或另一种类型的动态或静态存储设备(例如闪存、磁存储器和/或光存储器)，可以存储供用户设备使用的信息和/或指令。用户设备可以包括能够存储指令的存储器(例如，非暂时性计算机可读介质)，当指令被执行时，使得处理器执行本文所述的一个或多个过程和/或方法。
30.在一些实施方式中，用户设备可以获得结构化光设备的一个或多个光学要求(例如，从数据结构、从用户经由用户设备的用户界面输入的信息等)。例如，光学系统要求可以包括关于目标点投影的信息(例如，包括点投影的每个拼片的目标点图案、点投影的目标点数等)、关于目标工作电流(iop)的信息、关于iop(pop)的目标输出光功率的信息、关于vcsel阵列的多个发射器的目标范围的信息，与vcsel的发射器图案的目标倾斜角范围有关的信息、与目标芯片尺寸(例如，包括vcsel阵列的芯片的激活面积(active area)、一个或多个尺寸等)有关的阵列信息、与doe的目标fov有关的信息(例如，fov的角度尺寸)、与doe的目标纵横比有关的信息(例如，doe光学投射的发射器图案的行数和/或列数)等。因此，用户设备可以基于一个或多个光学要求来调整、设计(和/或诸如此类的操作)与vcsel阵列的发射器图案相关联的参数，以提供vcsel阵列的发射器图案的最佳配置。
31.在一些实施方式中，用户设备可以(例如基于一个或多个光学要求)来确定用于发射器阵列的发射器图案，例如，图4a所示的六边形发射器图案402。例如，基于关于目标点投影的信息、关于vcsel阵列的发射器数量的目标范围的信息、关于vcsel阵列的发射器图案的目标倾斜角的信息、关于目标芯片尺寸的信息、关于目标fov的信息等，用户设备可以确
定发射器图案。发射器图案可以包括多个发射器。例如，图4a所示的六边形发射器图案402包括七个发射器。如图4a左侧所示，六边形发射器图案402可以具有零度倾斜角。如图4a右侧所示，六边形发射器图案402可以具有倾斜角α(在图4a中显示为11度，但是α可以是范围内的任何非零角度，例如9至13度)。用户设备可以基于关于由光学要求指定的目标角度范围的信息来确定倾斜角。同样如图4a所示，六边形发射器图案402中发射器的位置(例如，当六边形发射器图案402具有零度倾斜角或α倾斜角时)可针对任何间距(pitch)和/或任何倾斜角α由a和b向量表示。
32.在一些实施方式中，发射器图案可以是六边形发射器图案，其包括彼此相邻布置的六边形发射器图案402的一个或多个实例(例如，其中六边形发射器图案402的一个或多个实例中的发射器对准并一致地间隔开)。这种六边形发射器图案可以提供紧凑的vcsel阵列，同时保持六边形发射器图案的发射器之间的最大间距。额外地或替代地，发射器图案可以符合另一图案，例如正方形图案、矩形图案、八边形图案等。
33.在一些实施方式中，用户设备可以确定发射器的单元，以能够确定vcsel阵列的发射器图案。一单元可以包括多个发射器，其中多个发射器中的发射器在单元的布局中相对于多个发射器中的每个其他发射器的放置(placement)可以表示为第一向量和第二向量的组合。例如，图4b示出了结构光设备的210发射器vcsel阵列的发射器图案404，其中发射器图案404是六边形发射器图案并且具有11度的倾斜。图4b中发射器图案404的一部分的放大视图显示了单元406。单元406包括矩形边界框内的十七个发射器。如图4b所示，相对于单元布局中的另一个发射器，单元布局406中的一发射器的放置可以由a向量和b向量(例如，表示发射器图案404的点之间的最短路径的向量)的组合来表示。
34.在一些实施方式中，用户设备可以通过识别第一向量和第二向量的组合来确定单元的边界，该组合表示具有相同x坐标或相同y坐标(或一些其他类似坐标)的发射器的放置差异。例如，如图4b所示，用户设备可以确定单元406的边界，该边界可以由具有相同x坐标的发射器的放置差异(以下称为dy)来表示，其由3b
×
1a表示(例如，由3乘以b向量和1乘以a向量所代表的y方向上的总距离)以及具有相同y坐标的发射器的放置差异(以下称为dx)，其由1b
×
5a表示(例如，由1乘以b向量和5乘以a向量所代表x方向上的总距离)。作为另一个例子，用户设备可以使用类似的过程来确定单元408的边界，其中单元408的边界可以被表示为3b
×
5a(例如，有由3乘以b向量代表的y方向上的总距离和由5乘以a向量代表的x方向上的总距离)。
35.在一些实施方式中，用户设备可以基于确定一单元来确定vcsel阵列的发射器图案。例如，用户设备可以排列两个或更多个单元(例如，相同单元的副本，使得每个副本具有相同数量的发射器、相同的布局、相同的间隔等)以形成发射器图案，使得单元彼此相邻(例如，在行、列等中，使得单元的副本彼此相邻放置，彼此一致地间隔开，彼此不重叠，等等)。因此，形成发射器图案的两个或更多个单元中的第一单元中的发射器相对于两个或更多个单元中的第二单元的相应发射器的放置可以表示为dx和/或dy的组合。
36.在一些实施方式中，对准误差可以与发射器图案的两个相邻单元相关联。例如，如图4b所示，δx可以表示沿y轴的相邻单元406之间的未对准量(例如，与dy相关联的误差量)和/或δy可以表示沿x轴的相邻单元406之间的未对准量(例如，与dx相关联的误差量)。换句话说，δx和δy表示当a和b向量之和总计为给定倾斜角的精确dy或dx位移时的单元放置
误差。在一些实施方式中，用户设备可以确定单元和/或发射器图案，使得发射器图案的相邻单元之间的未对准量最小化。例如，用户设备可以确定单元和/或发射器图案，使得δx满足(例如，小于或等于)y轴未对准阈值和/或δy满足(例如，小于或等于)x轴未对准阈值。在一些实施方式中，x轴未对准阈值和/或y轴未对准阈值可以是5纳米(nm)、10nm、20nm、50nm等。
37.在一些实施方式中，用户设备可以调整(例如，与确定单元和/或发射器图案相关联地)发射器图案的倾斜角，以最小化相邻单元之间的未对准量。例如，用户设备可以将11度的目标倾斜角(例如，由用户设备获得的光学要求指示)调整到10.89度的倾斜角，以产生比用11度实现的未对准量更低的未对准量。
38.在一些实施方式中，用户设备可以确定沿着x轴和/或y轴排列的多个单元，以形成发射器图案，使得发射器图案具有满足光学要求的纵横比、发射器数量等。例如，图4c包括表格410，其基于包括14个发射器的单元(例如，具有由dx和dy定义的边界)的倍数(例如，m列和n行)来识别用于发射器图案的发射器数量。换句话说，表410基于形成发射器图案的单元的数量为发射器图案的多个发射器提供不同数量的解决方案，其中dx和dy表示单元的尺寸(例如，以微米为单位)。阴影解决方案(shaded solution)对应于落在172个发射器到257个发射器范围内的发射器数量，这对于特定实施方式来说可以是最佳发射器范围。
39.在一些实施方式中，用户设备基于个别解决方案的纵横比和/或vcsel阵列的激活面积尺寸(例如，芯片尺寸)的纵横比，从表410的个别解决方案中选择多个发射器。例如，光学要求可以指示约500微米
×
500微米范围内的激活面积尺寸(例如，芯片尺寸，由x
×
y表示)，其对应于约1的纵横比(x/y)。因此，在这样的示例中，如图4c中的椭圆所示，用户设备可以针对m＝3和n＝5和x＝439.9265微米和y＝423.31948微米的激活面积(例如，使得纵横比x/y大约为1)来选择个别解决方案，这产生210个发射器(例如，3
×5×
14个发射器)。如表410所示，其他阴影解决方案产生光学要求提供的范围之外的激活面积(例如，大于500微米x或y范围)。因此，其他数量的发射器和/或激活面积尺寸可能导致垂直和/或水平未对准、投影点的间隙和/或投影点的重叠。以这种方式，用户设备可以确定与目标倾斜角相关联的最佳发射器图案，该最佳发射器图案包括在多个发射器的目标范围内的发射器总数(例如，发射器图案的发射器总数大于或等于发射器的最小数量并且小于或等于发射器的最大数量)，该最佳发射器图案符合结构光设备的目标纵横比等。
40.在一些实施方式中，用户设备可以调整发射器图案的纵横比(例如，vcsel芯片的x
×
y激活面积)，以解决结构光设备的透镜和/或doe的光学要求。例如，对于包括5
×
7个拼片的纵横比的点投影，doe可以具有60
×
78度的fov，并且用户设备可以确定最佳芯片纵横比等于(60/5)/(78/7)，或者大约为1.08。
41.在一些实施方式中，用户设备可以调整发射器图案中的间距和/或可以在x和或y方向上缩放(例如，拉伸或收缩)发射器图案，以调整发射器图案以符合最佳芯片纵横比。图4d包括表格412，其展示用户设备调整发射器图案中的间距(例如，具有32微米的原始发射器间距)并将发射器图案(例如，具有439.9265微米
×
423.31948微米的原始激活面积大小和1.0392305的原始纵横比)拉伸到目标激活面积大小(例如，422微米
×
380微米)和目标纵横比(例如，大约1.11)的实例。在这个实例中，用户设备可以将发射器图案的间距从32微米调整到28.7微米(例如，以均匀地收缩形成发射器图案的单元)，这可以导致目标激活面积
尺寸减小到394.9165微米
×
380.0086微米。然后，用户设备可以在x方向上将发射器图案从394.9165微米拉伸到422微米，以获得目标激活面积尺寸(例如，422微米
×
380微米)和目标纵横比(例如，大约1.11)。
42.如表412进一步所示，这会导致发射器图案中的间距在x和y方向上不同。(例如，x方向上的间距具有一个值，而y方向上的间距具有不同的值)。例如，a向量的长度可以从28.726微米变为30.627微米，而b向量的长度可以从28.726微米变为28.941微米。如另外示出的，作为调整间距和/或拉伸发射器图案的结果，可以将与发射器图案相关联的倾斜角从11度调整到10.955度。
43.以这种方式，用户设备可以迭代地调整与用于vcsel阵列的发射器图案相关联的一个或多个参数，以设计用于结构化光设备的透镜和/或doe的光学发射器图案，从而发射包括多个拼片的点投影，其中点投影的每个拼片的对应点被对准和/或一致地间隔开。
44.如上所述，图4a
‑
4d就是一个例子。其他示例可与针对图4a
‑
4d所描述的不同。
45.图5是与结构光设备的示例性210发射器vcsel阵列相关联的示例性点投影500的图，其中示例性210发射器vcsel阵列的发射器图案502(例如，使用用户设备设计的最佳发射器图案，如本文针对图4a
‑
4d所述的)具有11度倾斜角。如图5所示，示例性点投影500是发射器图案502的3
×
3光学投影(例如，发射器图案可以被光学投影以形成九个拼片，大致由虚线标识，排列成三行和三列拼片图案)。
46.因此，示例性点投影500的每个拼片可以包括符合点图案(例如，对应于发射器图案502)的多个点，其中点图案的每个点分别与发射器图案502的发射器相关联。在一些实施方式中，当发射器图案502中的第一发射器相对于发射器图案502中的第二发射器的放置可以被表示为向量的组合(例如，本文所述的a和b向量)时，点图案中的第一点(例如，对应于第一发射器)相对于点图案中的第二点(例如，对应于第二发射器)可以表示为相同向量的组合(例如a和b向量乘以与示例性点投影500相关联的相应常数)。
47.如图5中进一步所示，示例性点投影500的每个拼片包括具有发射器图案502的单元504的多次重复。例如，示例性点投影500的中间拼片包括单元504的五行和三列重复(例如，基于发射器图案502的5
×
3设计)。如图5进一步所示，示例性点投影500的拼片彼此不重叠，并且彼此相邻放置以形成无缝点图案。
48.如上所述，提供图5作为示例。其他示例可以与针对图5所描述的不同。
49.图6是与结构光设备的示例性210发射器vcsel阵列相关联的示例性点投影600的图，其中，210发射器vcsel阵列的发射器图案(例如，未示出的最佳发射器图案是使用用户设备设计的，如本文关于图4a
‑
4d所述)是六边形发射器图案并且具有11度倾斜角。如图6所示，示例性点投影600是发射器图案的1
×
2光学投影(例如，发射器图案可以光学投影以形成排成一行的两个拼片)。
50.如图6中进一步所示，示例性点投影600的第一拼片602(例如，其包括示例性点投影600的亮点)可以是发射器图案的第一光学投影，并且示例性点投影600的第二拼片604(例如，其包括示例性点投影600的暗点)可以是发射器图案的第二光学投影。例如，结构光设备的doe可以沿着轴(例如，图6中所示的x轴)执行发射器图案的光学平移操作，以使得示例性点投影600的第一拼片602沿着轴线而被投影到示例性点投影600的第二拼片604旁边。如图6中进一步所示，在这样的示例中，第一拼片602的点606
‑
1可以具有与第二拼片604的
对应点606
‑
2相同的y坐标，第一拼片602的点608
‑
1可以具有与第二拼片604的对应点608
‑
2相同的y坐标，等等。
51.作为另一个例子，doe可以沿着不同的轴线(例如，y轴)执行发射器图案的光学平移操作。在这样的示例中，第一拼片602的点可以具有与第二拼片604中的对应点相同的x坐标。额外地或替代地，doe可以沿着x轴、y轴和/或另一个轴线执行发射器图案的多个光学平移操作。例如，doe可以执行发射器图案的光学平移操作，以生成彼此相邻拼接以形成点投影的一个或多个拼片(例如，其中每个拼片符合作为发射器图案的光学投影的点图案)。
52.在一些实施方式中，透镜和/或doe可以被配置成生成包括多个拼片的点投影，使得点投影的相邻拼片之间的未对准量被最小化。例如，doe可以使多个拼片被布置成实现与多个拼片中的两个相邻拼片相关联的拼片未对准(例如，沿x方向、y方向等)的测量，以满足(例如，小于或等于)拼片未对准阈值。在一些实施方式中，拼片未对准阈值可以是1μm、3μm、10μm、20μm、50μm、100μm等。以这种方式，doe可以被配置成确保点投影的点被对准和/或一致地间隔开。例如，如图6所示，连接第一拼片602的点608
‑
1和第二拼片604的点606
‑
2的线610穿过第一拼片602的其他点，这指示第一拼片602和第二拼片604良好对准(例如，第一拼片602和第二拼片604之间的拼片未对准的测量满足拼片未对准阈值)。
53.如上所述，提供图6作为示例。其他示例可以与针对图6所描述的不同。
54.前述公开内容提供了说明和描述，但不旨在穷举或将实施方式限制到所公开的精确形式。可以根据上述公开内容进行修改和变化，或者可以从实现的实践中获得修改和变化。此外，本文所述的任何实施方式可以被组合，除非前述公开明确地提供了一个或多个实施方式可以不被组合的理由。
55.如这里所使用的，根据上下文，满足阈值可以指大于阈值、大于或等于阈值、小于阈值、小于或等于阈值、等于阈值等的值，这取决于上下文。
56.即使特征的特定组合在权利要求中被引用和/或在说明书中被公开，这些组合并不旨在限制各种实施方式的公开。事实上，这些特征中的许多可以以权利要求中没有具体叙述和/或说明书中没有公开的方式进行组合。尽管下面列出的每个从属权利要求可以直接依赖于仅一个权利要求，但是各种实施方式的公开包括每个从属权利要求与权利要求集中的每个其他权利要求的组合。
57.除非明确说明，否则这里使用的元件、动作或指令不应被解释为关键或必要的。此外，如本文所用，冠词“一”旨在包括一个或多个项目，并且可以与“一个或多个”互换使用。此外，如本文所用，冠词“该”旨在包括与冠词“该”相关联的一个或多个项目，并且可以与“该一个或多个”互换使用。此外，如此处所使用的，术语“组”旨在包括一个或多个项目(例如，相关项目、不相关项目、相关和不相关项目的组合等)。)，并且可以与“一个或多个”互换使用。当只打算一个项目时，使用短语“仅一个”或类似的语言。此外，如这里所使用的，术语“具有”等意在是开放式术语。此外，短语“基于”旨在表示“至少部分基于”，除非另有明确说明。此外，如本文所用，术语“或”在串联使用时旨在包括在内，并且可以与“和/或”互换使用，除非另有明确说明(例如，如果与“任一”或“仅其中之一”结合使用)。此外，为了便于描述，这里可以使用空间上相对的术语，例如“下”、“下方”、“上”、“上方”等，来描述一个元件或特征与图中所示的另一个元件或特征的关系。除了附图中描述的方位之外，空间相关术语旨在包括使用或操作中的设备、设备和/或元件的不同方位。该设备可以以其他方式取向
(旋转90度或在其他方向)，并且这里使用的空间相对描述符同样可以相应地解释。