显示面板及显示装置的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，特别是涉及一显示面板及显示装置。


背景技术：

2.随着电子设备(如手机、电子手环等)的发展及普及，电子设备的抗静电性能也越来越重要。而为了提升用户的体验感，电子设备逐渐向窄边框及高屏占比的方向发展，这在很大程度上限制了显示基板的端子可用空间及显示基板的走线空间，使得电子设备的抗静电性能较差。因此，如何提高电子设备的抗静电能力，是目前亟需解决的问题。


技术实现要素：

3.本技术实施例的目的在于提供一种显示面板及显示装置，以提高电子设备的抗静电性能。具体技术方案如下：
4.本技术实施例的第一方面提供了一种显示面板，所述显示面板包括阵列基板和与所述阵列基板对盒的彩膜基板，所述阵列基板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区，所述非显示区设置有接地走线，所述显示面板还包括高阻膜、偏光片及银浆体。其中，所述高阻膜位于所述彩膜基板的远离所述阵列基板的一侧；所述偏光片位于所述高阻膜的远离所述彩膜基板的一侧；所述银浆体由所述偏光片延伸至所述阵列基板，且所述银浆体与所述接地走线电连接。
5.一些实施例中，所述银浆体包括两个点银浆，所述两个点银浆间隔设置，所述两个点银浆均由所述偏光片的同一侧延伸至所述阵列基板。
6.一些实施例中，所述高阻膜大致呈矩形，所述高阻膜的远离所述银浆体的角点具有圆倒角结构。
7.一些实施例中，所述高阻膜呈u形型，且所述高阻膜的所述u形的圆弧侧远离所述银浆体。一些实施例中，所述显示面板还包括柔性电路板，所述柔性电路板邦定于所述非显示区，所述柔性电路板包括接地区，所述接地走线与所述接地区连接，以使所述银浆体与所述接地区连接。
8.一些实施例中，所述偏光片的电阻范围为10^8欧姆至10^9欧姆。
9.一些实施例中，所述阵列基板的非显示区包括：
10.衬底；
11.金属走线层，所述金属走线层位于所述衬底的一侧，且所述接地走线设置于所述金属走线层；
12.第一平坦化层，所述第一平坦化层位于所述金属走线层远离所述衬底的一侧，且所述第一平坦化层覆盖所述接地走线，所述第一平坦化层上开设有过孔，所述银浆体通过所述过孔与所述金属走线层上的接地走线连接。
13.一些实施例中，所述第一平坦化层上开设有凹槽，且所述凹槽在所述金属走线层上的正投影位于所述接地走线靠近所述显示区的一侧。
14.一些实施例中，所述阵列基板的显示区包括衬底和位于衬底一侧且沿远离所述衬底的方向依次分布的有源层、第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第二金属层、层间电介质层、第三金属层和钝化层，其中，所述金属走线层与所述第一金属层或所述第三金属层同层制作，所述第一平坦化层与所述钝化层同层制作。
15.一些实施例中，所述高阻膜的电阻范围为10^8欧姆至10^9欧姆。
16.本技术实施例的第二方面提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述任一所述的显示面板。
17.本技术实施例有益效果：
18.本技术实施例提供的显示面板及显示装置，显示面板包括阵列基板、彩膜基板、高阻膜、偏光片及银浆体。其中，彩膜基板与阵列基板对盒，阵列基板包括显示区和围绕显示区的非显示区，阵列基板的非显示区设置有接地走线。高阻膜位于彩膜基板的远离阵列基板的一侧，偏光片位于高阻膜的远离阵列基板的一侧并覆盖高阻膜。银浆体由偏光片延伸至阵列基板上的接地走线并与接地走线连接。本技术实施例提供的显示面板中，高阻膜与偏光片层叠设置，银浆体由偏光片延伸至阵列基板上与阵列基板的接地走线连接，使得显示面板上的玻璃盖板上的静电到达玻璃盖板下方的偏光片及高阻膜后，可经由银浆体传递至阵列基板上的接地走线，从而由接地走线导出。偏光片及高阻膜层叠设置共同增加了显示面板表面的静电释放能力，提高了显示面板的抗静电性能，进而提高了包括上述显示面板的显示装置的抗静电性能。
19.当然，实施本技术的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
20.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的实施例。
21.图1为本技术一些实施例中显示面板的一种结构示意图；
22.图2为沿图1中a
‑
a方向的一种剖面图；
23.图3为本技术一些实施例中显示面板的一种俯视图；
24.图4为沿图1中a
‑
a方向的另一种剖面图；
25.图5为沿图1中b
‑
b方向的一种剖面图。
26.附图标记：1
‑
阵列基板；100
‑
显示区；110
‑
非显示区；111
‑
接地走线；112
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衬底；113
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金属走线层；114
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第一平坦化层；1141
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第一过孔；1142
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凹槽；2
‑
彩膜基板；21
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黑矩阵层；22
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彩膜层；221
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色阻块；3
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高阻膜；31
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圆倒角结构；4
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偏光片；5
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银浆体；51
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点银浆；6
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玻璃盖板；7
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柔性电路板；71
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接地区；101
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缓冲层；102
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有源层；103
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第一绝缘层；104
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第一金属层；1041
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栅极；1042
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第一电极板；105
‑
第二绝缘层；106
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第二金属层；1061
‑
第二电极板；107
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层间电介质层；108
‑
第三金属层；1081
‑
源极；1082
‑
漏级；109
‑
钝化层；120
‑
像素界定层；130
‑
发光层；1301
‑
发光单元；1302
‑
阳极层；1303
‑
有机发光层；1304
‑
阴极层；140
‑
封装层。
具体实施方式
27.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员基于本技术所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
28.为提高电子设备的抗静电能力，本技术实施例提供了一种显示面板及显示装置，下面将结合附图对本技术实施例提供的显示面板及显示装置进行详细说明。其中，显示面板包括但不限于lcd(liquid crystal display，液晶显示器)显示面板、oled(organic light
‑
emitting diode，有机发光二极管)显示面板、qled(quantum dot light
‑
emitting diodes，量子点电致发光二极管)显示面板、mini led(mini light
‑
emitting diode，小型发光二极管)显示面板及micro led(micro light
‑
emitting diode，微型发光二极管)显示面板等。
29.如图1至图4所示，本技术实施例提供的显示面板包括阵列基板1、彩膜基板2、高阻膜3、偏光片4及银浆体5。其中，彩膜基板2位于阵列基板1的一侧且与阵列基板1对盒，阵列基板1包括显示区100和围绕显示区100的非显示区110，非显示区110设置有接地走线111。高阻膜3位于彩膜基板2的远离阵列基板1的一侧。偏光片4位于高阻膜3的远离彩膜基板2的一侧。银浆体5由偏光片4延伸至阵列基板1，且银浆体5与接地走线111连接。
30.本技术实施例中，阵列基板1的显示区100与显示面板的显示区相对应，且阵列基板1的非显示区110与显示面板的非显示区相对应。阵列基板1的非显示区110设置有接地走线111(gnd线)。且如图1所示，接地走线111可绕显示区100一周设置。此外，如图2所示，显示面板还可以包括玻璃盖板6，玻璃盖板6位于偏光片4的远离阵列基板1的一侧。玻璃盖板6用于保护阵列基板1及彩膜基板2，玻璃盖板6上产生的静电可传递至玻璃盖板6下方的偏光片4内。其中，玻璃盖板6可通过oca(optically clear adhesive，透明胶粘剂)光学胶等与偏光片4等粘接，以降低玻璃盖板6对显示区100的影响。
31.本技术实施例提供的显示面板中，显示面板包括阵列基板1、彩膜基板2、高阻膜3、偏光片4及银浆体5。其中，彩膜基板2位于阵列基板1的一侧且与阵列基板1对盒，阵列基板1的非显示区110设置有接地走线111。高阻膜3位于彩膜基板2的远离阵列基板1的一侧，偏光片4位于高阻膜3的远离阵列基板1的一侧并覆盖高阻膜3。银浆体5由偏光片4延伸至阵列基板1上的接地走线111并与接地走线111连接。其中，高阻膜3与偏光片4层叠设置，银浆体5由偏光片4延伸至阵列基板1上与阵列基板1的接地走线111连接。玻璃盖板6上产生的静电传递至玻璃盖板6下方的偏光片4及高阻膜3后，静电可通过与偏光片4连接的银浆体5传递至阵列基板1上的接地走线111，从而由接地走线111导出。偏光片4及高阻膜3层叠设置共同增加了显示面板表面的静电释放能力，提高了显示面板的抗静电性能，进而提高了包括上述显示面板的显示装置的抗静电性能。
32.其中，高阻膜3具有良好的透光性且具有抗静电作用。高阻膜3的材料可以包括ito(indium tin oxides，氧化铟锡)、izo(indium zin oxides，氧化铟锌)等透明金属氧化物材料。
33.一些实施例中，偏光片4的电阻范围为10^8欧姆至10^9欧姆。具体的，偏光片4可以为阻值较低的低阻偏光片，以降低偏光片4的电阻对显示面板中静电释放过程的影响。其
中，偏光片4的电阻范围还可以根据实际需求进行调整，本技术实施例对此不作具体限定。偏光片4的形状及厚度可以根据实际需求确定，本技术实施例对此也不做具体限定。
34.一些实施例中，高阻膜3的电阻范围为10^8欧姆至10^9欧姆，高阻膜3的厚度范围为175
±
25埃。其中，高阻膜3的电阻与偏光片4的电阻相配合，共同降低电阻对显示面板中静电释放过程的影响。其中，高阻膜3的电阻范围及厚度范围还可以根据实际需求调整，本技术实施例对此不作具体限定。其中，高阻膜3的制作方法可以为：在彩膜基板2的靠近偏光片4的一侧表面上镀高阻膜3。
35.一些实施例中，如图3所示，高阻膜3大致呈矩形，高阻膜3的远离银浆体5的角点具有圆倒角结构31。
36.本技术实施例中，如图3所示，高阻膜3的远离银浆体5的两个角点均可以具有圆倒角结构31，即高阻膜3的远离银浆体5的两个角点处均呈圆弧状。基于此，增加了高阻膜3的远离银浆体5一侧与显示面板的上边缘之间的距离，降低了外界静电由高阻膜3导入的风险。其中，显示面板的上边缘为当显示面板安装于显示装置后，显示装置远离操作人员的一侧边缘。本技术实施例对圆倒角结构31对应的倒角度数不作具体限定。
37.一些实施例中，如图3所示，高阻膜3呈u形，且高阻膜3的u形的圆弧侧远离银浆体5。
38.本技术实施例中，可调整圆倒角结构31对应的倒角度数，使高阻膜3呈u形，且高阻膜3的u形的圆弧侧远离银浆体5及柔性电路板7。对于高阻膜3的远离银浆体5的一侧，由于该侧距离银浆体5和柔性电路板7均较远，故而由该侧位置导入的静电，相比于靠近银浆体5的一侧的静电，释放难度有所增加。因此，将高阻膜3的远离银浆体5的一侧设置成u形的圆弧，u形的圆弧侧距离玻璃盖板6的边缘相对较远一些，由此可以降低由高阻膜3的远离银浆体5的一侧导入静电的风险。相比较而言，高阻膜3的靠近银浆体5的一侧由于静电释放能力强，因此不必对高阻膜3该侧的边缘位置进行调节。
39.一些实施例中，如图3所示，银浆体5包括两个点银浆51，两个点银浆51间隔设置，两个点银浆51均由偏光片4的同一侧延伸至阵列基板1。
40.本技术实施例中，银浆体5可以包括两个间隔设置的点银浆51，两个点银浆51由偏光片4的同一侧延伸至阵列基板1上，减小了银浆体5的体积及银浆体5的占地面积，从而减小了包含上述显示面板的显示装置的下边框的宽度。其中，如图3所示，两个点银浆51之间的距离s可根据实际情况进行调整，本技术实施例对此不作具体限定。
41.一些实施例中，银浆体5包括线银浆，且线银浆沿第一方向延伸，即沿偏光片4的短边侧延伸，以增加银浆体5的导电性能。
42.一些实施例中，如图1所示，显示面板还包括柔性电路板7，柔性电路板7邦定于非显示区110，柔性电路板7包括接地区71，接地走线111与接地区71连接，以使银浆体5与接地区71连接。
43.本技术实施例中，接地走线111可以与柔性电路板7上的接地区71连接，以使显示面板的静电经由偏光片4和高阻膜3至银浆体5再至接地走线111后，静电可传输至柔性电路板7的接地区71，然后由接地区71释放，从而进一步增加显示面板的静电释放能力。其中，柔性电路板7的接地区71可以为设置于柔性电路板7上的非走线区域的铜片。此外，本技术实施例对阵列基板1上的接地走线111连接至接地区71的方式不作具体限定，一个示例中，接
地走线111可通过driver ic(驱动芯片)连接至柔性电路板7的接地区71。
44.一些实施例中，如图4所示，阵列基板1的非显示区110包括衬底112、金属走线层113和第一平坦化层114。其中，金属走线层113位于衬底112的一侧，且接地走线111设置于金属走线层113。第一平坦化层114位于金属走线层113远离衬底112的一侧，且第一平坦化层114覆盖接地走线111，第一平坦化层114上开设有第一过孔1141，银浆体5通过第一过孔1141与金属走线层113上的接地走线111连接。
45.本技术实施例中，第一平坦化层114位于金属走线层113的上方，用于平坦化金属走线层113设置有接地走线111的一侧表面。第一平坦化层114上开设有第一过孔1141，以暴露第一平坦化层114下方的金属走线层113，使银浆体5通过第一过孔1141与金属走线层113上的接地走线111连接。
46.一些实施例中，第一平坦化层114上开设有凹槽1142，且凹槽1142在金属走线层113上的正投影位于接地走线111靠近显示区100的一侧。
47.本技术实施例中，凹槽1142形成于第一平坦化层114的远离金属走线层113的一侧表面，且凹槽1142不贯穿第一平坦化层114。由于凹槽1142设置于接地走线111与显示区100之间，当银浆体5朝向阵列基板1的显示区100流动时，银浆体5会先流入位于接地走线111及显示区100之间的凹槽1142内，避免了银浆体5对阵列基板1的显示区100造成影响。
48.一些实施例中，阵列基板1的显示区100包括衬底112和位于衬底112一侧的像素电路，像素电路包括像素电路包括薄膜晶体管器件和电容器件。像素电路包括位于衬底112一侧且沿远离衬底112的方向依次分布的缓冲层101、有源层102、第一绝缘层103、第一金属层104、第二绝缘层105、第二金属层106、层间电介质层107、第三金属层108和钝化层109。其中，像素电路可以为顶栅型像素电路，像素电路也可以为底栅型像素电路。当像素电路为底栅型像素电路时，第一金属层104至少包括薄膜晶体管器件的栅极1041和电容器件的第一电极板1042，第二金属层106至少包括电容器件的第二电极板1061，第三金属层108至少包括薄膜晶体管器件的源极1081和漏级1082，源极1081和漏级1082通过第二过孔与有源层102连接。其中，金属走线层113可以与第一金属层104同层制作，金属走线层113也可以与第三金属层108同层制作，即金属走线层113与第一金属层104或第三金属层108可以通过同一次掩膜构图工艺制作。第一平坦化层114可以与钝化层109同层制作。
49.一些实施例中，如图5所示，彩膜基板2包括黑矩阵层21和彩膜层22。彩膜层22包括多个间隔设置的色阻块221。阵列基板1的显示区100还包括位于钝化层109的远离衬底112的一侧且沿远离衬底112的方向依次分布的像素界定层120、发光层130和封装层140。发光层130包括由像素界定层120界定出的多个发光单元1301，其中每一发光单元1301与一个色阻块221相对应。发光层130包括位于衬底112的一侧且沿远离衬底112的方向依次分布的阳极层1302、有机发光层1303和阴极层1304。其中，有机发光层1303可以通过蒸镀的方式形成，有机发光层1303可以包括层叠设置的空穴传输层和电子传输层等。封装层140用于对阵列基板1的像素电路及发光单元1301进行封装。
50.本技术实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述显示面板。其中，显示装置可以为电致发光显示装置或光致发光显示装置。在该显示装置为电致发光显示装置的情况下，电致发光显示装置可以为oled(organic light
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emitting diode，有机电致发光显示装置)或qled(quantum dot light emitting diodes，量子点电致发光显示装置)。在该
显示装置为光致发光显示装置的情况下，光致发光显示装置可以为量子点光致发光显示装置。本公开实施例中，显示装置包括但不限于手机、平板电脑、显示器、电视机、画屏、广告屏、电子纸等。
51.本公开实施例提供的显示装置中，显示装置所包含的显示面板包括阵列基板1、彩膜基板2、高阻膜3、偏光片4及银浆体5。其中，彩膜基板2位于阵列基板1的一侧且与阵列基板1对盒，阵列基板1的非显示区110设置有接地走线111。高阻膜3位于彩膜基板2的远离阵列基板1的一侧，偏光片4位于高阻膜3的远离阵列基板1的一侧并覆盖高阻膜3。银浆体5由偏光片4延伸至阵列基板1上的接地走线111并与接地走线111连接。其中，高阻膜3与偏光片4层叠设置，银浆体5由偏光片4延伸至阵列基板1上与阵列基板1的接地走线111连接。玻璃盖板6上产生的静电传递至玻璃盖板6下方的偏光片4及高阻膜3后，静电可通过与偏光片4连接的银浆体5传递至阵列基板1上的接地走线111，从而由接地走线111导出。偏光片4及高阻膜3层叠设置共同增加了显示面板表面的静电释放能力，提高了显示面板的抗静电性能，进而提高了包括上述显示面板的显示装置的抗静电性能。
52.需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
53.以上所述仅为本技术的较佳实施例，并非用于限定本技术的保护范围。凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本技术的保护范围内。