一种双重曝光的对位方法与流程

1.本技术涉及一种双重曝光的对位方法。


背景技术：

2.目前的显示技术中，对制备工艺的精确度越来越高，光刻是显示技术工艺过程中的必须环节。该环节中通常会结合有多重曝光方式进行曝光，而多重曝光中最重要的则是使得多重曝光的图形重合。目前的彩膜基板，在玻璃基板内侧设置有对位标记，如bm mark，则在玻璃基板两侧形成图案时，通过外部曝光的方式，将内侧设置的bm mark作为曝光机识别的对准点进行曝光，但由于玻璃基板较厚，曝光机的对焦形成小于玻璃基板的厚度，使得较难对焦该内侧的对位标记，导致对准失败。


技术实现要素：

3.本发明的目的在于提供一种快速、准确的双重曝光的对位方法。
4.为达到上述目的，本发明提供如下技术方案：一种双重曝光的对位方法，所述方法包括：
5.对目标物进行一次曝光，以在所述目标物上形成第一曝光图形，所述第一曝光图形具有第一对位点；
6.对所述目标物进行二次曝光，所述二次曝光基于所述第一对位点，以在所述目标物上形成第二曝光图形，所述第二曝光图形与所述第一曝光图形重合。
7.进一步地，所述“所述二次曝光基于所述第一对位点，以在所述目标物上形成第二曝光图形”具体为：
8.在所述二次曝光中，曝光机的透镜上具有第二对位点，曝光机的光源通过所述第二对位点形成的投影与所述第一对位点重合；
9.在所述目标物上形成所述第二曝光图形。
10.进一步地，所述方法还包括：
11.在所述一次曝光中，所述曝光机的透镜与所述目标物之间具有制图格网，所述曝光机的光源通过所述透镜和所述制图格网，在所述目标物上形成格网，所述第一曝光图形基于所述格网排序。
12.进一步地，所述“所述二次曝光基于所述第一对位点，以在所述目标物上形成第二曝光图形”具体为：
13.在所述二次曝光中，曝光机识别所述第一对位点，以使得所述曝光机的光源通过所述透镜形成的第二曝光图形与所述第一曝光图形重合。
14.进一步地，所述方法还包括：
15.在所述一次曝光中，所述透镜上设置有形成所述第一对位点的标记点。
16.进一步地，所述方法还包括：
17.所述第一对位点形成在所述第一曝光图形的边侧。
18.本发明的有益效果在于：通过对目标物进行一次曝光以形成第一曝光图形，在第一曝光图形上设置第一对位点，基于该第一对位点对该目标进行二次曝光并形成第二曝光图形，以使得第二曝光图形与第一曝光图形重合。该对位方法快速准确。
19.上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
20.图1为本发明所示的stepper曝光机的曝光方式的示意图；
21.图2为图1所示的stepper曝光机在目标物上依次曝光的示意图；
22.图3为本发明所示的aligner曝光机的曝光方式的示意图；
23.图4为本发明所示的aligner曝光的对位点的示意图；
24.图5为本发明所示的双重曝光对位的方法的流程图。
具体实施方式
25.下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
26.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术保护范围的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
27.在本技术创造的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
28.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
29.本发明的一较佳实施例所示的双重曝光的对位方法包括两种不同的曝光机，两种不同的曝光机在同一个目标物30上进行曝光并使得两种不同的曝光机曝光出的图形重合。本实施例中，两种曝光机分别为stepper曝光机10和aligner曝光机20。
30.本实施例中，为了便于区分，stepper曝光机10的光源被定义为第一光源101，aligner曝光机20的光源被定义为第二光源201；stepper曝光机10的透镜被定义为第一透镜103，aligner曝光机20的透镜被定义为第二透镜202。
31.具体的，请参见图1和图2，stepper曝光机10包括放置目标物30的平台102、设置在目标物30与第一光源101之间的第一透镜103、制图格网104、聚焦透镜105。其中，第一透镜103、制图格网104以及聚焦透镜105从上往下依次排列。第一光源101依次穿过第一透镜
103、制图格网104和聚光透镜105以在目标物30上形成格网和一个曝光图形。多次重复上述曝光步骤以使得目标物30上以shot为基本单位步进式的曝光整个目标物30，从而实现多个重复图形的转移。而设置制图格网104的目的是为了使得若干个曝光图形基于目标物30上的格网排序，便于二次曝光的对位。
32.请参见图3，aligner曝光机20包括目标物30、设置在目标物30上的光阻层204和掩膜版203以及设置在掩膜版203与第二光源201之间的第二透镜202。第二光源201通过第二透镜202在目标物30上一次性形成若干个曝光图形，从而实现图形转移。在本实施例中，该目标物30为晶片30，而掩膜版203可以为胶片或滤光片等，在此不做具体限定，根据实际情况而定。
33.请参见图5，其中，上述双重曝光对位方法至少包括以下步骤：
34.步骤501，对目标物进行一次曝光，以在所述目标物上形成第一曝光图形，所述第一曝光图形具有第一对位点。
35.步骤502，对所述目标物进行二次曝光，所述二次曝光基于所述第一对位点，以在所述目标物上形成第二曝光图形，所述第二曝光图形与所述第一曝光图形重合。
36.当双重曝光的一次曝光为stepper曝光，二次曝光为aligner曝光时，在stepper曝光机10的第一透镜103上设置至少一个第一标记点，stepper曝光机10的第一光源101通过第一透镜103和制图格网104在晶片30上形成一个格网和基于格网依次排列的若干第一曝光图形以及第一对位点。请参见图4，本实施例中，第一对位点(图4中a)设置有两个，且两个第一对位点分别形成在晶片30上两侧的格网中，以方便二次曝光的对位。在其他实施例中，第一对位点的个数和位置还可以为其他，在此不对第一对位点的数量和位置做具体限定，根据实际情况而定。二次曝光时，在aligner曝光机20的第二透镜202上设置有与第一标记点相同的第二标记点，第二光源201通过aligner曝光机20的第二透镜202形成有第二对位点和第二曝光图形，将形成的第二对位点的投影与经过一次曝光后的晶片30上的第一对位点重合，以使得形成在一次曝光后的晶片30上的第二曝光图形与第一曝光图形重合，完成双重曝光的对位。
37.实施例二，当双重曝光的一次曝光为aligner曝光，二次曝光为stepper曝光时，其两种曝光机的曝光方式与实施例一大致相同，对位方法不同。其区别为：aligner曝光机20在对晶片30上进行曝光时，需要在aligner曝光机20的第二透镜202上设置有stepper曝光机10所需要的第一标记点，第二光源201通过aligner曝光机20的第二透镜202在晶片30上形成第一曝光图形和stepper曝光机10所需要的第一对位点，以实现一次曝光。当使用stepper曝光机10对晶片30进行二次曝光时，stepper曝光机10自动识别晶片30上stepper曝光机10所需要的第一对位点即可实现双重曝光的对位。与现有技术相比，本发明所提出的两种双重曝光的对位方法不仅方法简单，并且速度快效率高。
38.以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
39.以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护
范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。