阵列基板、液晶显示面板以及液晶显示装置的制作方法

1.本技术涉及显示器件技术领域，尤其涉及一种阵列基板、液晶显示面板以及液晶显示装置。


背景技术：

2.随着显示行业的发展，用户对显示质量的要求越来越高，尤其对于电竞行业中使用的显示面板而言，对显示设备超高分辨率、超高刷新频率的需求越来越高。对于电竞屏幕，一般要求显示屏幕显示的游戏画面丰富，并且显示画面的刷新频率较快，以满足使用者的正常使用需求。
3.但是现有技术中，高刷新率的显示面板一般采用显示变频(freesync)技术，freesync驱动技术中，显示面板在传输不同频率的信号时，均采用相同的充电时间来对信号区域内的数据信号进行传输，高、低频率仅仅在休整区间(blank)对应的时长不同。虽然高、低频时像素的充电时间相同，但是不同时间段内对应的休整区间之间的差异却较大，如当频率在240hz和60hz时，两者对应的休整区间的漏电时间差异较大，60hz时对应的休整区间的时间相当于240hz的70倍左右，对于液晶屏幕而言，低频率像素电极漏电会导致液晶偏转角度偏小亮度偏低，进而导致显示面板在高频率切换出现亮度差异，画面容易出现闪烁的问题，进而降低了显示面板的显示效果。


技术实现要素：

4.本技术提供一种阵列基板、液晶显示面板以及液晶显示装置，以解决画面频率切换时出现闪烁的问题。
5.一方面，本技术提供一种阵列基板，包括开关区和发光区，所述开关区设置有薄膜晶体管，所述发光区设置有第一存储电容和第二存储电容，所述薄膜晶体管与所述第一存储电容和所述第二存储电容连接，所述阵列基板还包括：
6.衬底；
7.第一金属层，设置于所述衬底上，所述第一金属层包括所述第一极板；
8.公共电极层，与所述第一极板连接，所述公共电极层包括所述第三极板；
9.像素电极层，设置于所述第一金属层上，所述像素电极层包括相互连接的所述第二极板和所述第四极板。
10.所述第一极板和所述第二极板构成所述第一存储电容，所述第三极板和所述第四极板构成所述第二存储电容。
11.在本技术一种可能的实现方式中，所述第一极板设置于所述第三极板背离所述衬底的表面。
12.在本技术一种可能的实现方式中，所述第三极板沿所述发光区向所述开关区延伸，所述薄膜晶体管设置于所述第三极板上。
13.在本技术一种可能的实现方式中，所述公共电极层包括间隙，所述薄膜晶体管的
漏极在所述衬底上的投影位于所述间隙在所述衬底上的投影内。
14.在本技术一种可能的实现方式中，所述第一金属层还包括所述薄膜晶体管的栅极，所述栅极和所述第一极板间隔设置；
15.所述薄膜晶体管还包括依次层叠设置的层间绝缘层、有源层、层间绝缘层、第二金属层以及第一绝缘层；
16.所述层间绝缘层设置于所述第一金属层上，所述像素电极层设置在所述第二金属层上。
17.在本技术一种可能的实现方式中，所述阵列基板还包括第一过孔，所述第一过孔设置于所述发光区，所述第一过孔贯穿所述第一绝缘层和所述层间绝缘层，所述第一极板部分显露于所述第一过孔；
18.所述公共电极层设置于所述第一绝缘层表面，所述公共电极层通过所述第一过孔与所述第一极板连接，所述公共电极层位于所述发光区，所述公共电极层与所述像素电极层相对设置。
19.在本技术一种可能的实现方式中，所述像素电极层在所述发光区包括多个电极条，相邻的电极条之间形成一缝隙。
20.在本技术一种可能的实现方式中，所述阵列基板还包括：
21.多个遮光金属，所述遮光金属位于所述第一金属层中，相邻的所述遮光金属间隔设置，所述遮光金属遮挡所述缝隙。
22.另一方面，本技术还提供一种液晶显示面板，包括所述的阵列基板。
23.另一方面，本技术还提供一种液晶显示装置，包括所述的液晶显示面板。
24.本技术提供的一种阵列基板、液晶显示面板以及液晶显示装置，通过设置公共电极层，公共电极层中包括第二存储电容的第三极板，使得第一存储电容中的第一极板与第二存储电容的第三极板连接，并将第一储存电容的第二极板和第二存储电容的第四极板同层设置于像素电极层中，从而实现第一存储电容和第二存储电容之间的并联，从而增大与薄膜晶体管连接的存储电容的容量，以保证存储电容能够为液晶提供充足的电压保持率，从而可以在不降低像素开口率的情况下，避免在不同的信号频率切换时，显示画面容易出现闪烁，导致显示质量及显示效果不理想的问题，有利于提高显示面板的性能。
附图说明
25.下面结合附图，通过对本技术的具体实施方式详细描述，将使本技术的技术方案及其它有益效果显而易见。
26.图1为本技术实施例提供的阵列基板的结构示意图。
27.图2为本技术实施例提供的阵列基板中的存储电容的等效电路图。
28.图3为本技术又一实施例提供的阵列基板的结构示意图。
29.图4为本技术又一实施例提供的阵列基板的结构示意图。
30.图5为本技术实施例提供的阵列基板的俯视结构示意图。
31.图6为本技术实施例提供的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
32.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
33.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
34.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。
35.下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本技术的不同结构。为了简化本技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本技术。
36.本技术实施例提供一种阵列基板、液晶显示面板以及液晶显示装置，以下分别进行详细介绍。
37.请参考图1
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图5，本技术实施例提供一种阵列基板，包括开关区102和发光区101，开关区102设置有薄膜晶体管110，发光区101设置有第一存储电容120和第二存储电容130，如图2所示，薄膜晶体管110与第一存储电容(cst1)120和第二存储电容(cst2)130连接，第一存储电容120和第二存储电容130并联设置，由此可以增大存储电容的电容值。
38.第一存储电容120具有相对设置的第一极板31和第二极板41，第二存储电容130具有相对设置的第三极板21和第四极板42。
39.阵列基板还包括衬底10、第一金属层30、公共电极层20和像素电极层40。
40.第一金属层30设置于衬底10上，第一金属层30包括第一存储电容120的第一极板31。
41.公共电极层20与第一极板31连接，公共电极层20包括第三极板21。
42.像素电极层40设置于第一金属层30上，像素电极层40包括相互连接的第二极板41和第四极板42。像素电极的材料及公共电极层20的材料可以均为透明导电材料，例如氧化铟锡或氧化铟锌等。
43.本技术实施例提供的一种阵列基板，通过设置第二存储电容130，增加公共电极层20，使得第一存储电容120中的第一极板31与第二存储电容130的第三极板21连接，并将第一储存电容的第二极板41和第二存储电容130的第四极板42同层设置于像素电极层40中，从而实现第一存储电容120和第二存储电容130之间的并联，从而增大与薄膜晶体管110连接的存储电容的容量，以保证存储电容能够为液晶提供充足的电压保持率，从而可以在不降低像素开口率的情况下，即不会降低光的穿透率，避免在不同的信号频率切换时，显示画
面容易出现闪烁，显示质量及显示效果不理想的问题，提高显示面板的性能。
44.在一些实施例中，第一金属层30还包括薄膜晶体管110的栅极32，栅极32和第一极板31间隔设置。薄膜晶体管110还包括依次层叠设置的层间绝缘层50、有源层60、第二金属层70以及第一绝缘层80。
45.层间绝缘层50设置于第一金属层30上，像素电极层40设置在第二金属层70上。薄膜晶体管110与像素电极层40连接，用于为像素电极施加电压。
46.具体地，阵列基板上还包括依次设置于第一绝缘层80上的色阻层90和第二绝缘层100，阵列基板上还包括第二过孔111，第二过孔111贯穿第二绝缘层100，色阻层90以及第一绝缘层80。第二金属层包括薄膜晶体管110中的源极71和漏极72，第二金属层70中的漏极72显露于第二过孔111，像素电极层40通过第二过孔111与漏极72接触。
47.在一些实施例中，第一极板31设置于第三极板21背离衬底10的表面，由于第一存储电容120的第二极板41和第二存储电容130的第四极板42连接且均设置于公共像素电极层40中，因此，通过将第一极板31与第三极板21接触，可以从而实现第一存储电容120和第二存储电容130并联，从而有利于增加存储电容的容量。
48.在一些实施例中，第三极板21沿发光区101向开关区102延伸，薄膜晶体管110设置于第三极板21上。具体地，公共电极层20中的第三极板21为整面设置，可以在不降低开口率的情况下，增加存储电容的容量，也有利于节省制作工艺。
49.在一些实施例中，公共电极层20包括间隙202，薄膜晶体管110的漏极72在衬底10上的投影位于间隙202在衬底10上的投影内。由于公共电极层20和第二金属层70均为导电材料，通过在公共电极层20上开设间隙202，从而可以避免公共电极层20中的第三极板21和第二金属层70的漏极72相对设置而产生寄生电容，从而保证薄膜晶体管110的稳定性。
50.在一些实施例中，阵列基板还包括第一过孔201，所述第一过孔201设置于发光区101，第一过孔201贯穿第一绝缘层80和层间绝缘层50，第一极板31部分显露于第一过孔201。
51.公共电极层20设置于第一绝缘层80表面，公共电极层20通过第一过孔201与第一极板31连接，公共电极层20位于发光区101，公共电极层20与像素电极层40相对设置。在公共电极层20和像素电极层40之间的相对面积不变的情况下，结合图1和图4所示，当其他膜层的厚度不变，公共电极层20设置于第一金属层30下表面时，公共电极层20和像素电极层40之间的距离为d2，而公共电极层20设置于第一绝缘层80表面时，公共电极层20和像素电极层40之间的距离为d2，根据电容公式c＝εs/d，由于d2＜d1，因此通过将公共电极层20设置于第一绝缘层80的表面可以使得公共电极层20和像素电极层40之间的距离较小，从而有利于进一步增加第二存储电容130的电容，有利于进一步提高显示面板的性能，盖上显示质量及显示效果。
52.在一些实施例中，像素电极层40采用透明氧化铟锡(ito)材料制成，像素电极层40在发光区101包括多个电极条43，相邻的电极条43之间形成一缝隙401。相比仅在像素电极层40中设置单一的电极条43，即采用单畴设计，本技术实施例采用多个间隔的电极条43可以形成多畴设计，以增大显示的可视角。
53.示例性地，请结合图3和图5，以四畴为例，电极条43包括主干电极431和分支电极432，主干电极431呈交叉的十字型结构，把像素电极分成四个畴，每个畴中均设置有多个分
支电极432，多个分支电极432与主干电极431连接，且分支电极432与主干电极431呈一定角度，相邻的分支电极432之间形成有缝隙401，使得分支电极呈梳状电极。本实施例中以四畴为例，但不以此为限，八畴或其他畴的结构也适用。
54.如图3所示，阵列基板还包括多个遮光金属33。其中多个遮光金属33与像素电极层40绝缘设置，相邻的遮光金属33间隔设置，遮光金属33遮挡缝隙401。其中，遮光金属采用不透明金属材质制成，例如铜(cu)、铝(al)、钛(ti)等金属材料或合金材料具体地，遮光金属33在衬底10上的正投影位于缝隙401在衬底10上的正投影内。通过遮光金属33遮挡缝隙401从而可以避免后续制作背光模组后的光源透过缝隙401漏光，使背光模组发出的光线无法穿透显示面板，有利于提高显示的效果。
55.在一些实施例中，遮光金属33位于第一金属层30中，遮光金属33设置于栅极32和第一极板31之间。通过将遮光金属33、栅极32以及第一极板31同层设置，可以在不增加光罩数量的前提下，实现遮光的目的，有利于节约制作工艺。
56.为了更好地实施本技术的阵列基板，如图6所示，本技术实施例还提供一种液晶显示面板，所述液晶显示面板包括依次设置的阵列基板1、液晶层2以及彩膜基板(color filter，cf)3。由于该显示装置具有上述阵列基板，因此具有全部相同的有益效果，本实施例在此不再赘述。
57.本技术还提供一种液晶显示装置，液晶显示装置包括液晶显示面板以及为液晶显示面板提供背光的光源模组，液晶显示面板包括的阵列基板。由于该显示装置具有上述显示面板，因此具有全部相同的有益效果，本实施例在此不再赘述。本技术实施例对于液晶显示装置的适用不做具体限制，其可以是电视机、笔记本电脑、平板电脑、可穿戴显示设备(如智能手环、智能手表等)、手机、虚拟现实设备、增强现实设备、车载显示、广告灯箱等任何具有显示功能的产品或部件。
58.在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
59.具体实施时，以上各个单元或结构可以作为独立的实体来实现，也可以进行任意组合，作为同一或若干个实体来实现，以上各个单元或结构的具体实施可参见前面的方法实施例，在此不再赘述。
60.以上对本技术实施例所提供的一种阵列基板、液晶显示面板以及液晶显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术实施例的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术实施例的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例的技术方案的范围。