电子装置及其制造方法与流程

1.本揭露涉及一种电子装置及其制造方法。


背景技术：

2.可调元件(例如电容器、电感、微机电系统(microelectromechanical systems，mems))已应用于多种类型的电子装置中。传统的可调元件的效能仍有改善空间。因此需要一种可提升效能的调变元件及其制造方法。


技术实现要素：

3.根据本揭露的实施例，制造电子装置的方法包括：提供基板；提供可调元件，可调元件包括液晶层；以及将可调元件接合至基板上。
4.根据本揭露的实施例，电子装置包括基板以及可调元件。可调元件接合至基板上且包括液晶层。
附图说明
5.图1至图4是根据本揭露的一实施例的可调元件的制造流程的局部剖面示意图；
6.图5以及图6分别是根据本揭露的一些实施例的可调元件的剖面示意图；
7.图7至图8是根据本揭露的一实施例的电子装置的制造流程的局部剖面示意图；
8.图9是根据本揭露的另一实施例的电子装置的局部剖面示意图；
9.图10是根据本揭露的另一实施例的可调元件的局部剖面示意图。
具体实施方式
10.本揭露通篇说明书与所附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应理解，电子装置制造商可能会以不同的名称来指称相同的组件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的组件。在下文说明书与权利要求中，“含有”与“包含”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为
…”
之意。
11.本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本揭露。在附图中，各附图示出的是特定实施例中所使用的方法、结构和/或材料的通常性特征。然而，这些附图不应被解释为界定或限制由这些实施例所涵盖的范围或性质。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域和/或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。
12.本揭露中所叙述的一结构(或层别、组件、基材)位于另一结构(或层别、组件、基材)之上/上方，可以指二结构相邻且直接连接，或是可以指二结构相邻而非直接连接。非直接连接是指二结构之间具有至少一中介结构(或中介层别、中介组件、中介基材、中介间隔)，一结构的下侧表面相邻或直接连接于中介结构的上侧表面，另一结构的上侧表面相邻或直接连接于中介结构的下侧表面。而中介结构可以是单层或多层的实体结构或非实体结
构所组成，并无限制。在本揭露中，当某结构设置在其他结构“上”时，有可能是指某结构“直接”在其他结构上，或指某结构“间接”在其他结构上，即某结构和其他结构间还夹设有至少一结构。
13.术语“大约”、“等于”、“相等”或“相同”、“实质上”或“大致上”一般解释为在所给定的值或范围的20％以内，或解释为在所给定的值或范围的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％以内。
14.说明书与权利要求中所使用的序数例如“第一”、“第二”等的用词用以修饰元件，其本身并不意含及代表该(或该些)元件有任何之前的序数，也不代表某一元件与另一元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚区分。权利要求与说明书中可不使用相同用词，据此，说明书中的第一构件在权利要求中可能为第二构件。
15.本揭露中所叙述的电性连接或耦接，皆可以指直接连接或间接连接，于直接连接的情况下，两电路上组件的端点直接连接或以一导体线段互相连接，而于间接连接的情况下，两电路上组件的端点之间具有开关、二极管、电容、电感、电阻、其他适合的组件、或上述组件的组合，但不限于此。
16.在本揭露中，厚度、长度与宽度的测量方式可以是采用光学显微镜测量而得，厚度或宽度则可以由电子显微镜中的剖面图像测量而得，但不以此为限。另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。另外，本揭露中所提到的术语“等于”、“相等”、“相同”、“实质上”或“大致上”通常代表落在给定数值或范围的10％范围内。此外，用语“给定范围为第一数值至第二数值”、“给定范围落在第一数值至第二数值的范围内”表示所述给定范围包括第一数值、第二数值以及它们之间的其他数值。若第一方向垂直于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于80度至100度之间；若第一方向平行于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于0度至10度之间。
17.须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本揭露的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。
18.除非另外定义，在此使用的全部用语(包含技术及科学用语)具有与本揭露所属技术领域的技术人员通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语例如在通常使用的字典中定义用语，应被解读成具有与相关技术及本揭露的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本揭露实施例有特别定义。
19.在本揭露中，电子装置可包括显示装置、背光装置、天线装置、感测装置或拼接装置，但不以此为限。电子装置可为可弯折或可挠式电子装置。显示装置可为非自发光型显示装置或自发光型显示装置。天线装置可为液晶型态的天线装置或非液晶型态的天线装置，感测装置可为感测电容、光线、热能或超声波的感测装置，但不以此为限。在本揭露中，电子元件可包括被动元件与主动元件，例如电容、电阻、电感、二极管、晶体管等。二极管可包括发光二极管或光电二极管。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)、次毫米发光二极管(mini led)、微发光二极管(micro led)或量子点发光二极管(quantum dot led)，但不以此为限。下文将以显示装置做为电子装置或拼接装置以说明本揭露内容，但本揭露不以此为限。在本揭露中，可调元件可例如电容器、电感、
微机电系统(microelectromechanical systems，mems))或其他可调元件，但不限于此。
20.须说明的是，下文中不同实施例所提供的技术方案可相互替换、组合或混合使用，以在未违反本揭露精神的情况下构成另一实施例。
21.在本揭露一些实施例中，关于接合、连接的用语例如“连接”、“互连”等，除非特别定义，否则可指两个结构系直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其他结构设于此两个结构之间。关于接合、连接的用语亦可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。此外，用语“电性连接”、“耦接”包含任何直接及间接的电性连接手段。
22.在下述实施例中，相同或相似的元件将采用相同或相似的标号，且将省略其赘述。此外，不同实施例中的特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用，且依本说明书或权利要求所作的简单的等效变化与修饰，皆仍属本揭露涵盖的范围内。另外，本说明书或权利要求中提及的“第一”、“第二”等用语仅用以命名不同的元件或区别不同实施例或范围，而并非用来限制元件数量上的上限或下限，也并非用以限定元件的制造顺序或设置顺序。
23.图1至图4是根据本揭露的一实施例的可调元件的制造流程的局部剖面示意图。请参照图1，制造可调元件的方法可包括提供第一基板sub1。第一基板sub1可包括硬质基板、可弯折基板或可挠式基板。在一些实施例，第一基板sub1可包括光阻材料、有机或无机材料或上述的组合，但不限于此。举例来说，第一基板sub1可包括玻璃、陶瓷、石英、蓝宝石或上述材料的组合，但不限于此。在一些实施例中，第一基板sub1的材料可包括聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，pet)、聚酰亚胺(polyimide)、液态晶体聚合物(liquid crystal polymer，lcp)、环烯烃聚合物(cyclo olefin polymer，cop)、环氧树脂、味的素堆积膜(ajinomotobuild-up film，abf)、双马来酰亚胺(bismaleimide)、氟树脂(fluororesin)和/或其他合适的材料或上述的组合，但不限于此。
24.在一些实施例中，制造可调元件的方法可包括在第一基板sub1上设置第一导电层cl1和/或第一配向层al1。第一导电层cl1可设置在第一基板sub1上且位于第一基板sub1与第一配向层al1之间。在其他实施例中(未示出)，第一导电层cl1与第一基板sub1之间可选择性加入其他介电层，通过介电层可降低第一基板sub1与第一导电层cl1之间发生剥离的机会。在一些实施例中，第一导电层cl1可为整面的导电层或图案化导电层。在一些实施例中，第一导电层cl1可包括透明导电层、非透明导电层或上述的组合。透明导电层的材料可包括金属氧化物、金属网格或石墨烯，但不以此为限。金属氧化物可包含氧化铟锡(ito)、铟锌氧化物(izo)、铟镓锌氧化物(igzo)、铝氧化锌(azo)、其他合适的材料或上述的组合，但不以此为限。非透明导电层的材料可包括金属或合金，但不以此为限。金属可包括铜、铝、银、金、钛、钼、任何具有高导电性的材料或上述的组合，但不以此为限。
25.在一些实施例中，第一配向层al1可为图案化配向层且可包括多个第一配向图案alp1。多个第一配向图案alp1可例如彼此间隔排列，但不限于此。在一些实施例中，多个第一配向图案alp1可例如以阵列或其他方式排列，但不以此为限。
26.请参照图2，制造可调元件的方法还可包括提供第二基板sub2。第二基板sub2的材料可相同或不同于第一基板sub1，故不再重复叙述。
27.在一些实施例中，制造可调元件的方法还可包括在第二基板sub2上设置第二导电层cl2及第二配向层al2，但不限于此。第二导电层cl2可设置在第二基板sub2上且位于第二
基板sub2与第二配向层al2之间。在其他实施例中(未示出)，第二导电层cl2与第二基板sub2之间可选择性加入其他介电层，通过介电层可降低第二基板sub2与第二导电层cl2之间发生剥离的机会。在一些实施例中，第二导电层cl2可为整面的导电层或图案化导电层。第二导电层cl2可为透明导电层或非透明导电层。透明导电层和非透明导电层的材料可参照前述，于此不再重述。
28.如图2所示，在一些实施例中，第二配向层al2可为图案化配向层且可包括多个第二配向图案alp2。在一些实施例中，制造可调元件的方法可包括提供液晶层lc。在一些实施例中，液晶层lc可例如先设置在第二配向层al2上，但不限于此。在其他实施例中(未示出)，液晶层lc可先设置在第一配向层al1(参照图1)上。
29.液晶层lc的种类不多加限制。举例来说，液晶层lc可包括向列型(nematic)液晶、层列型(smectic)液晶或胆固醇(cholesteric)液晶等，但不以此为限。在其他实施例中(未示出)，液晶层lc可根据需求以其他介电值可调变的材料所取代，例如纳米碳管或其他柱状的异向性材料，但不以此为限。在一些实施例中，液晶层lc可通过例如滴下式液晶注入法(one drop filling，odf)形成在配向层(如第二配向层al2或第一配向层al1)上。
30.在一些实施例中，设置液晶层lc之前，可先在第二配向图案alp2的边缘设置密封件sm，密封件sm可选择性与部分第二配向层al2接触或不接触。举例来说，密封件sm可选择性设置于部分第二配向层al2的表面s1，表面s1可例如为第二配向层al2的远离第二基板sub2的表面。换句话说，密封件sm可覆盖第二配向图案alp2的边缘且延伸至部分的第二配向层al2的表面s1上，但不以此为限。在一些实施例中，密封件sm可大致框出液晶层lc的设置区域。从俯视图观之，密封件sm的轮廓可包括环型，例如圆状环型、矩形环型、多边型环型或其他合适的外型，但不以此为限。在一些实施例中，密封件sm的材料可包括低水气渗透性材料，例如感光型框胶(如紫外光固化胶)、有机材料或其他合适的材料，但不限于此。在一些实施例中，密封件sm的表面可呈弧形轮廓。
31.请参照图3，制造可调元件的方法可包括将液晶层lc密封在第一基板sub1和第二基板sub2之间，以使液晶层lc设置在第一基板sub1和第二基板sub2之间。举例来说，可将设置有第一导电层cl1和/或第一配向层al1的第一基板sub1倒置在第二基板sub2上，使第一导电层cl1可设置在第一基板sub1和液晶层lc之间，第一配向层al1设置在第一导电层cl1和液晶层lc之间，第二导电层cl2设置在第二基板sub2和液晶层lc之间，且第二配向层al2设置在第二导电层cl2和液晶层lc之间。在一些实施例中，第二配向图案alp2可例如分别对应第一配向图案alp1。在一些实施例中，于第一基板sub1的法线方向(参考图中方向d3)上，第二配向图案alp2可例如与第一配向图案alp1重叠。在一些实施例中，于第一基板sub1的法线方向上看，第二配向图案alp2至第一基板sub1的投影面积可相同或不同于第一配向图案alp1至第一基板sub1的投影面积。通过上述制程，使液晶层lc可设置在所对应的第一配向图案alp1、所对应的第二配向图案alp2以及密封件sm之间，但不限于此。在一些实施例中，于第一基板sub1的法线方向上，液晶层lc的厚度d可为1μm至20μm，即1μm≦d≦20μm，但不以此为限。在一些实施例中，液晶层lc的厚度d可为3μm至18μm，即3μm≦d≦18μm。在一些实施例中，液晶层lc的厚度d可为5μm至15μm，即5μm≦d≦15μm。上述液晶层lc的厚度d可根据需求而调整。举例来说，液晶层lc的厚度d可根据液晶层lc的介电常数或其他参数不同而调整，但不限于此。
32.在一些实施例中，制造可调元件的方法还可包括单体化(singulation)制程。举例来说，可沿图3所示的虚线切割组装的第一基板sub1和第二基板sub2。
33.请参照图4，制造可调元件的方法可包括在第一基板sub1和第二基板sub2中的至少一者的侧壁上形成第一接垫。举例来说，在第一基板sub1的侧壁sw1上形成第一接垫p11，或者，在第二基板sub2的侧壁sw2上形成第一接垫p12，但不以此为限。第一接垫p11和/或第一接垫p12的材料可包括透明导电材料、非透明导电材料(例如金属或合金)或上述的组合。在一些实施例中，第一接垫p11和和/或第一接垫p12的材料可包括镍金、镍钯金、银、金、镍、锡、有机保焊膜(organic solderability preservative，osp)、其他导电材料或上述的组合，但不以此为限。
34.请参照图4，在一些实施例中，制造可调元件的方法可包括在第一基板sub1和/或第二基板sub2中的至少一者的另一侧壁上设置保护层pt。举例来说，保护层pt可设置在第一基板sub1的侧壁sw1-1和/或第二基板sub2的侧壁sw2-2上，但不以此为限。在一些实施例中，保护层pt可接触部分第一导电层cl1、第二导电层cl2和/或密封件sm，但不以此为限。保护层pt可用以降低可调元件10受损或降低水氧入侵而影响可调元件10中的液晶层lc或任何导电层的机会。
35.在一些实施例中，保护层pt材料可包括氮化硅(sinx)、氧化硅(siox)、氮氧化硅(sioxny)、环氧树脂、压克力、阻焊剂、双马来酰亚胺(bismaleimide)、聚酰亚胺(polyimide)、其他合适材料或上述的组合，但不以此为限。在一些实施例中，保护层pt可具有弧形轮廓。在形成保护层pt和/或第一接垫(如第一接垫p11和/或第一接垫p12)后，即完成可调元件10的制造。在其他实施例中(未示出)，可调元件10可选择性不包含保护层pt。在一些实施例中，可调元件10可作为可变电容或其他合适的电子元件。详细来说，通过改变可调元件10的第一导电层cl1和第二导电层cl2之间的电位差来控制液晶层lc(或其他设置于两导电层之间的介电材料)的介电变化，来达到可变电容的功效，但不限于此。
36.图5及图6分别是根据本揭露的一些实施例的可调元件的剖面示意图。请参照图5，可调元件10a与图4的可调元件10的主要差异可包括下述。在可调元件10a中，第一基板sub1和/或第二基板sub2例如包括可导电材料。举例来说，第一基板sub1和/或第二基板sub2可包括金属基板或合金基板，但不以此为限。如此，可调元件10a可选择性不包括第一导电层cl1和/或第二导电层cl2。在一些实施例中，可选择性在第一基板sub1的侧壁sw1上形成第一接垫p11，或者，可选择性在第二基板sub2的侧壁sw2上形成第一接垫p12，但不以此为限。在一些实施例中，可调元件10a可选择性包括绝缘层，如绝缘层in1和/或绝缘层in2。在一些实施例中，绝缘层in1可设置在第一基板sub1的远离第二基板sub2的一侧上。在一些实施例中，绝缘层in1与第一配向层al1可例如分别位于第一基板sub1的相对侧。在一些实施例中，绝缘层in2可设置在第二基板sub2的远离第一基板sub1的一侧上。在一些实施例中，绝缘层in2与第二配向层al2可例如分别位于第二基板sub2的相对侧。在一些实施例中，绝缘层in1和/或绝缘层in2可分别用以保护第一基板sub1和/或第二基板sub2，或降低其他导电材料接触第一基板sub1或第二基板sub2而发生短路的机会。举例来说，绝缘层in1和/或绝缘层in2材料可包括环氧树脂(epoxy)、丙烯酸类树脂(acylic-based resin)、硅胶(silicone)、聚酰亚胺聚合物(polyimide polymer)或上述组合，但不以此为限。在一些实施例中，保护层pt可选择性接触部分的绝缘层in1和/或绝缘层in2。在一些实施例中，密封件sm可例如未
突出于第一基板sub1或第二基板sub2。在一些实施例中，密封件sm至第一基板sub1的投影面积例如位于第二基板sub2至第一基板sub1的投影面积内，但不限于此。
37.请参照图6，可调元件10b与图4的可调元件10的主要差异可包括下述。在可调元件10b中，密封件sm可设置在导电层(如第一导电层cl1或第二导电层cl2)上且未延伸至配向层(如第一配向层al1和第二配向层al2)的邻近于液晶层lc的表面(如表面as1和表面as2)上。换句话说，密封件sm未设置在第一配向层al1和第二配向层al2之间。在一些实施例中，密封件sm至第一基板sub1的投影面积与第一配向层al1(或第二配向层al2)至第一基板sub1的投影面积例如未重叠，但不限于此。在一些实施例中，密封件sm的远离液晶层lc的一侧壁sw3可大致齐平于第一基板sub1的一侧壁sw1和/或第二基板sub2的一侧壁sw2，但不限于此。在一些实施例中，密封件sm的远离液晶层lc的另一侧壁sw3-1可大致齐平于与第一基板sub1的另一侧壁sw1-1和/或第二基板sub2的另一侧壁sw2-1，但不限于此。在其他实施例中(未示出)，密封件sm可选择性突出于第一基板sub1及第二基板sub2。在其他实施例中(未示出)，密封件sm至第一基板sub1的投影面积可部分未位于第二基板sub2至第一基板sub1的投影面积内，但不限于此。
38.在一些实施例中，可调元件10b可不包括图4的保护层pt。在其他实施例中，可调元件10b可包括保护层pt。
39.图7至图8是根据本揭露的一实施例的电子装置的制造流程的局部剖面示意图。请参照图7，制造电子装置的方法可包括提供基板sub。基板sub可包括硬质基板、可弯折基板或可挠式基板。在一些实施例，基板sub可包括光阻材料、有机或无机材料或上述的组合，但不限于此。举例来说，基板sub可包括玻璃、陶瓷、石英、蓝宝石或上述材料的组合，但不限于此。在一些实施例中，基板sub的材料可包括聚对苯二甲酸乙二酯(pet)、聚酰亚胺、液态晶体聚合物(lcp)、环烯烃聚合物(cop)、环氧树脂、味的素堆积膜(abf)、双马来酰亚胺、氟树脂和/或其他合适的材料或上述的组合，但不限于此。
40.在一些实施例中，制造电子装置的方法可包括在基板sub上设置或形成导电层cl3。导电层cl3可为图案化导电层且可包括导电图案pp1和/或导电图案pp2，但不以此为限。导电层cl3可包括透明导电层或非透明导电层。透明导电层和非透明导电层的材料可参照前述，于此不再重述。在一些实施例中，导电层cl3可接触基板sub，但不限于此。在一些实施例中，介电层(未示出)可设置于基板sub与导电层cl3之间，藉此降低基板sub剥离的机会。
41.在一些实施例中，制造电子装置的方法可包括在基板sub上设置绝缘层il，绝缘层il可设置于导电层cl3上。绝缘层il的材料可包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、环氧树脂、压克力、阻焊剂、硅材料、双马来酰亚胺、聚酰亚胺、其他材料或上述的组合，但不以此为限。
42.在一些实施例中，制造电子装置的方法可包括在绝缘层il上设置导电层cl4和/或导电层cl5。在一些实施例中，绝缘层il可设置于导电层cl3与导电层cl4之间，导电层cl3与导电层cl4之间例如通过绝缘层il而电性绝缘。
43.在一些实施例中，制造电子装置的方法包括设置第二接垫于基板sub上。详细来说，导电层cl4可设置于基板sub上，导电层cl4可为图案化导电层，图案化的导电层cl4可包括第二接垫p21和/或第二接垫p22，但不以此为限。第二接垫p21和/或第二接垫p22的材料可包括透明导电材料、非透明导电材料(例如金属或合金)或上述的组合。在一些实施例中，
第二接垫p21和/或第二接垫p22的材料可包括镍金、镍钯金、银、金、镍、锡、有机保焊膜(organic solderability preservative，osp)、其他导电材料或上述的组合，但不以此为限。
44.在一些实施例中，在方向d4上，第二接垫p21可例如位于第二接垫p22和导电图案pp1之间，第二接垫p22可例如位于第二接垫p21和导电图案pp2之间，但不限于此。方向d4可例如与基板sub的法线方向d5垂直。在一些实施例中，于方向d4上，第二接垫p21和第二接垫p22之间的间距g的宽度w1可例如小于导电图案pp1和导电图案pp2之间的间距g1的宽度w2，但不以此为限。在一些实施例中，于方向d4上，第二接垫p21的宽度w21、第二接垫p22的宽度w22与宽度w1的总和可小于或等于宽度w2，但不以此为限。在一些实施例中，于基板sub的法线方向d5上，第二接垫p21和/或第二接垫p22例如未与导电图案pp1和/或导电图案pp2重叠，但不以此为限。
45.在一些实施例中，导电层cl4可包括透明导电层和/或非透明导电层。透明导电层和非透明导电层的材料可参照前述，于此不再重述。
46.在一些实施例中，导电层cl5可设置在导电层cl4及绝缘层il上。在一些实施例中，导电层cl5可为图案化导电层，导电层cl5可包括导电图案pp3和/或导电图案pp4，但不以此为限。在一些实施例中，导电图案pp3例如设置在部分的第二接垫p21上且与第二接垫p21电性连接。在一些实施例中，导电图案pp4例如设置在部分的第二接垫p22且与第二接垫p22电性连接。在一些实施例中，导电层cl4和/或导电层cl5可包括金属层或透明导电层。
47.在一些实施例中，制造电子装置的方法可包括在绝缘层il上形成开关元件sw，但不以此为限。在一些实施例中，开关元件sw可通过黄光制程制作在绝缘层il上。在一些实施例中，开关元件sw可通过接合制程接合在绝缘层il上。在一些实施例中，开关元件sw例如包括薄膜晶体管(未示出)或其他合适的结构。在一些实施例中，在方向d5上，开关元件sw可例如与导电图案pp4部分重叠。在一些实施例中，开关元件sw可例如与导电图案pp4电性连接。
48.在一些实施例中，制造电子装置的方法可包括设置介电层pl，介电层pl可例如形成在开关元件sw和/或导电层cl5上。在一些实施例中，介电层pl可具有曝露出部分第二接垫p21的开口a1及曝露出部分第二接垫p22的开口a2，但不以此为限。在一些实施例中，介电层pl的材料可包括氮化硅、氧化硅、环氧树脂、压克力、阻焊剂、硅材料、双马来酰亚胺、聚酰亚胺、其他合适的材料或上述的组合，但不以此为限。
49.在一些实施例中，制造电子装置的方法可包括在介电层pl的开口中设置导电图案。举例来说，在介电层pl的开口a1以及开口a2中分别设置导电材料pp5和导电材料pp6。在一些实施例中，可通过化镀、浸没(immersion)或电解(electrolytic)等方式形成导电材料pp5和/或导电材料pp6，但不以此为限。在一些实施例中，导电材料pp5和/或导电材料pp6的材料可包括镍金、镍钯金、银、金、镍、锡、有机保焊膜、其他导电材料或上述的组合，但不以此为限。
50.在一些实施例中，导电层cl3与导电层cl4可例如连接外部电路(未示出)以接收信号。详细来说，在一些实施例中，当电子装置为天线时，导电层cl3的导电图案pp1和/或导电图案pp2可例如接收第一信号，第一信号例如为射频信号，但不限于此。在一些实施例中，导电层cl4的第二接垫p21及导电层cl5的导电图案pp3可例如接收第二信号，第二信号例如为接地电位，但不限于此。第一信号与第二信号之间可具有一电位差。在一些实施例中，导电
层cl4的第二接垫p22及导电层cl5的导电图案pp4可例如电连接至开关元件sw，但不限于此。
51.在其他实施例中(未示出)，导电图案pp1和/或导电图案pp2也可接到接地电位或直流偏压，但不限于此。
52.请参照图8，制造电子装置的方法可包括提供基板sub及提供可调元件10，其中可调元件10包括液晶层lc。此外，制造电子装置的方法可包括将可调元件10接合至基板sub上。举例来说，可在导电材料pp5和/或导电材料pp6上分别形成接合件be1和/或接合件be2。在一些实施例中，接合件be1和/或接合件be2可包括锡球、铜柱、金属或金属合金，但不以此为限。
53.在一些实施例中，可选择性在可调元件10b的第一接垫p11上设置一导电材料pp7，但不以此为限。在一些实施例中，可选择性在可调元件10b的第一接垫p12上设置一导电材料pp8，但不以此为。在一些实施例中，导电材料pp7和/或导电材料pp8可包括金或其他合适金属，但不以此为限。在一些实施例中，可将可调元件10的第一接垫p11和第一接垫p12分别接合至第二接垫p21和第二接垫p22上，以使可调元件10接合至基板sub上。举例来说，可通过回流焊(solder reflow)，使第一接垫p11和第一接垫p12分别接合在第二接垫p21和第二接垫p22上。在一些实施例中，将可调元件10接合至基板sub上之后，即初步完成电子装置1的制造。
54.在一些实施例中，在第二接垫p21和第二接垫p22的材料包括金属材料或非金属材料，例如铜或其他合适的材料。在一些实施例中，接合件be1和/或接合件be2的材料例如为锡时，铜与锡之间容易产生介面金属共化物(intermetallic compound，imc)，介面金属共化物例如随着时间与热量累积而越长越厚。当介面金属共化物太厚可能会存有导致附着性强度变差的风险，另外介面金属共化物的易脆特性容易影响电性导通。因此，在一些实施例中，可通过在第二接垫p22和接合件be2之间可设置导电材料pp6(例如为镍金层)，或在第二接垫p21和接合件be1之间设置导电材料pp5(例如为镍金层)，可改善介面金属共化物问题，降低铜氧化或提高可靠度，但不限于此。
55.在一些实施例中，可调元件10的第一接垫p12可例如通过导电材料pp8、接合件be2、导电材料pp6与第二接垫p22电性连接，但不以此为限。在一些实施例中，第二接垫p22可例如通过导电图案pp4电性连接至开关元件sw，但不以此为限。相似的，可调元件10的第一接垫p11可通过导电材料pp7、接合件be1、导电材料pp5、第二接垫p21电性连接，第一接垫p11可例如通过导电图案pp3电性连接至外部信号(未示出)，但不以此为限。在其他实施例中，上述的第一接垫与第二接垫之间可根据需求移除上述任一层别或于插入其他层别。在一些实施例中，可调元件10的第一接垫p12可例如通过开关元件sw接收一第三电位，可调元件10的第一接垫p11可接收一第四电位，第三电位与第四电位之间例如之间存有一电位差，通过此电位差以调控可调元件10中的液晶层lc的介电变化，使可调元件10作为可变电容或其他合适电子元件，但不限于此。在一些实施例中，第三电位例如为一正电位，正电位可根据需求而调变电位大小。在一些实施例中，第四电位例如为一接地电位或负电位，但不限于此。
56.在一些实施例中，电子装置1可选择性包括保护层pt1。保护层pt1可包覆可调元件10。在一些实施例中，保护层pt1的材料可包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、环氧树脂、压克
力、阻焊剂、硅材料、双马来酰亚胺、聚酰亚胺、其他合适的材料或上述的组合，但不以此为限。
57.在其他实施例中，电子装置1中的可调元件10可替换成本揭露支其他的可调元件。在一些实施例中，可根据需求于基板sub上设置至少一个或多个可调元件10，且不同可调元件10的结构可以彼此相同或不同。在其他实施例中，开关元件sw的设置位置、或是开关元件sw与可调元件10的连接关系可依需求改变，而不以图8所显示的为限。在其他实施例中(未示出)，开关元件sw可设置在导电层cl3和导电层cl4之间。在其他实施例中(未示出)，开关元件sw与可调元件10之间可分别设置在基板sub的相对面，开关元件sw可通过未示出的线路(如导通孔)与导电图案pp4电性连接。以下实施例皆可同此改变，于下便不再重述。
58.图9是根据本揭露的另一实施例的电子装置的局部剖面示意图。请参照图9，电子装置1a与图8的电子装置1的主要差异可包括下述。在电子装置1a中，可调元件10的第一接垫p11和第一接垫p12可分别通过异方性导电膜(anisotropic conductive film)acf1和异方性导电膜acf2接合至第二接垫p21和第二接垫p22，但不限于此，上述的异方性导电膜acf1和异方性导电膜acf2可根据需求以其他导电材料所取代。在其他实施例中，尽管未示出，电子装置1a中的异方性导电膜(例如异方性导电膜acf1或异方性导电膜acf2)或可选择性替换成其他导电元件，例如导电膜、铜柱、铜浆、银浆(如纳米银浆)，但不限于此。
59.在其他实施例中(未示出)，介电层pl的开口a1与开口a2可例如彼此未分隔开，即开口a1与开口a2之间未有其他介电层pl的部分，此时开口a1与开口a2可相连形成一共同开口，第一接垫p11和第一接垫p12可例如经由设置于此共同开口中的异方性导电膜(或其他如上可替换的导电元件)与第二接垫p21和第二接垫p22电性连接。但需注意的是，第一接垫p11与第一接垫p12之间彼此未电性连接，第二接垫p21与第二接垫p22之间彼此未电性连接。
60.在一些实施例中，电子装置1a可选择性不包括图8的接合件be1、接合件be2、导电材料pp5、导电材料pp6导电材料pp7和/或导电材料pp8，但不以此为限。
61.图10是根据本揭露的另一实施例的可调元件的局部剖面示意图。请参照图10，制造可调元件10c的方法可包括提供第一基板sub1a。第一基板sub1a的材料可相同于前述的第一基板sub1，故不再重复叙述。在一些实施例中，制造可调元件的方法可包括在第一基板sub1a上设置第一导电层cl1a和/或第一配向层al1a，第一导电层cl1可设置在第一基板sub1a上且位于第一基板sub1a与第一配向层al1a之间。在其他实施例中(未示出)，第一导电层cl1a与第一基板sub1a之间可选择性加入其他介电层，通过介电层可降低第一基板sub1a与第一导电层cl1a之间发生剥离的机会。在一些实施例中，第一导电层cl1a可包括透明导电层、非透明导电层或上述的组合，第一导电层cl1a的材料可相同于前述的第一导电层cl1，故不再重复叙述。在一些实施例中，可更设置第一连接元件ce1于第一基板sub1a上，第一导电元件ce1可例如邻近于第一导电层cl1a，但第一导电元件ce1例如与第一导电层cl1a彼此电性绝缘。一些实施例中，第一导电元件ce1与第一导电层cl1a可例如为由同层或不同导电层所形成。在一些实施例中，第一配向层al1a可例如延伸至部分第一连接元件ce1上并填入第一导电元件ce1与第一导电层cl1a之间的间隙中，但不限于此。在其他实施例(未示出)，第一配向层al1a可例如未延伸至部分第一连接元件ce1上。在一些实施例中，制造可调元件10c的方法还可包括提供第二基板sub2a，第二基板sub2的材料可相同或不同于
第一基板sub1a，故不再重复叙述。在一些实施例中，制造可调元件10c的方法还可包括在第二基板sub2a上设置第二导电层cl2a及第二配向层al2a，第二导电层cl2a可设置在第二基板sub2a上且位于第二基板sub2a与第二配向层al2a之间。在其他实施例中(未示出)，第二导电层cl2a与第二基板sub2a之间可选择性加入其他介电层，通过介电层可降低第二基板sub2a与第二导电层cl2a之间发生剥离的机会。第二导电层cl2a可为透明导电层或非透明导电层，第二导电层cl2a的材料可相同于前述的第一导电层cl1a，故不再重复叙述。在一些实施例中，制造可调元件10c的方法可包括提供液晶层lc，其材料可参考前述，故不再重复叙述。
62.在一些实施例中，制造可调元件10c的方法可包括设置密封件sma，通过密封件sma将液晶层lc密封在第一基板sub1a和第二基板sub2a之间。在一些实施例中，密封件sma可选择性接触部分的第一导电元件ce1，但不限于此。在一些实施例中，液晶层lc例如设置于第一配向层al1a与第二配向层al2a之间。在一些实施例中，第一配向层al1a例如设置于液晶层lc与第一导电层cl1a之间，而第二配向层al2a例如设置于液晶层lc与第二导电层cl2a之间。在一些实施例中，于第一基板sub1的法线方向上看，第一导电层cl1a与第二导电层cl2a的面积可以不同。在一些实施例中，于第一基板sub1的法线方向上看，第一配向层al1a与第二配向层al2a的面积可以相同或不同。
63.在一些实施例中，制造可调元件10c的方法可包括对第二基板sub2a形成导通孔cv1与导通孔cv2，但不限于此。在一些实施例中，导通孔cv1与导通孔cv2的大小或外型可以相同或不同。在一些实施例中，导通孔cv1与导通孔cv2可例如通过将第一基板sub1a形成穿孔(未标示)，并于穿孔中填入导电材料以形成导通孔cv1与导通孔cv2，但不限于此，导电材料不限单一或复合材料。在一些实施例中，制造可调元件10c的方法可包括设置一第二导电元件ce2于第一基板sub1a和第二基板sub2a之间，第二导电元件ce2可例如邻近于密封件sma。在一些实施例中，第二导电元件ce2可选择性接触或不接触密封件sma。在一些实施例中，制造可调元件10c的方法可包括在第一基板sub1a的远离第一导电层cl1a的一表面s上形成第一接垫p11a和/或第一接垫p12a，第一接垫p11a和/或第一接垫p12a的材料可相同或不同于前述的第一接垫p11和/或一第一接垫p12，故不再重复叙述。在一些实施例中，第二导电层cl2a可经第二导电元件ce2电性连接第一导电元件ce1，而第一导电元件ce1可经由导通孔cv1电性连接至第一接垫p11a，但不限于此。在一些实施例中，第二导电元件ce2的材料包括锡球、铜柱、金属或金属合金。在一些实施例中，连接元件ce可包单层或复合层材料。在一些实施例中，第二导电元件ce2的厚度可接近于密封件sma，但不限于此。
64.在一些实施例中(未示出)，可调元件10c的第一接垫p12a可例如与图7中的第二接垫p22电性连接，且可调元件10c的第一接垫p12a可例如与第二接垫p22电性连接，以将可调元件10c接合至图7的基板sub上，但不限于此。关于图10的第一接垫(例如第一接垫p12a或第一接垫p12)与第二接垫p22(如图7)的接合方式可参考前述图8或图9的接合方式，故不再重复叙述。
65.综合以上所述，在本揭露的实施例中，可通过使用液晶型态或其他介电常数可调变的可调元件，来提供品质较佳的可调元件，此可调元件可作为可变电容。在本揭露的实施例中，可调元件的第一接垫与基板上的第二接垫接合的方式可包括表面黏着技术(surface mount technology，smt)或其他合适的接合技术，例如焊接(铅\锡焊接)制程、异方性导电
胶接合、银胶接合、熔融接合(fusion bonding)、金属热压接合(metal thermal compression bonding)、特殊共晶接合、聚合物黏着接合(polymer adhesive bonding)
…
等，但不限于此。需注意的是，本揭露的“可调元件的第一接垫与基板上的第二接垫接合”意指第一接垫电性连接第二接垫，而第一接垫与第二接垫的电连接方式可例如直接连接或是通过其他导电材料而电性连接。
66.以上各实施例仅用以说明本揭露的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本揭露进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行组合或修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些组合、修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭露各实施例技术方案的范围。
67.虽然本揭露的实施例及其优点已揭露如上，但应该了解的是，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本揭露的精神和范围内，当可作更动、替代与润饰，且各实施例间的特征可任意互相混合替换而成其他新实施例。此外，本揭露的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何所属技术领域中技术人员可从本揭露揭示内容中理解现行或未来所发展出的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本揭露使用。因此，本揭露的保护范围包括上述制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，每一权利要求构成个别的实施例，且本揭露的保护范围也包括各个权利要求及实施例的组合。本揭露的保护范围当视随附的权利要求所界定的为准。