一种厚膜光刻胶用氨污染抑制添加剂及其制备方法与流程

文档序号:34226619发布日期:2023-05-24 09:13阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种光刻胶组合物,其特征在于,其由下述原料制得,所述原料包括:无规共聚物、光致生酸剂、光敏聚合物和有机溶剂;

2.如权利要求1所述的光刻胶组合物,其特征在于,

3.如权利要求1所述的光刻胶组合物,其特征在于,

4.如权利要求1所述的光刻胶组合物,其特征在于,

5.一种光刻胶组合物,其特征在于,其由下述原料制得,所述原料包括:无规共聚物、光致生酸剂、光敏聚合物和有机溶剂;

6.如权利要求5所述的光刻胶组合物,其特征在于,所述无规共聚物的分子量分布的值为1.62-1.73,例如1.62、1.65、1.69、1.72或1.73。

7.如权利要求1-6中任一项所述的光刻胶组合物,其特征在于,所述光刻胶组合物还包含其他组分,所述其他组分选自流平剂、表面活性剂、助粘剂、猝灭剂和交联剂中的一种或多种。

8.如权利要求7所述的光刻胶组合物,其特征在于,以质量分数计,

9.一种如权利要求1-8中任一项所述的光刻胶组合物的制备方法,其特征在于,将原料混合后得到混合物,即可。

10.一种如权利要求1-8中任一项所述的光刻胶组合物用于光刻胶时的应用,或所述的光刻胶组合物在制造半导体器件中的应用。


技术总结
本发明公开了一种厚膜光刻胶用氨污染抑制添加剂及其制备方法,还提供了一种光刻胶组合物、其制备方法及其应用。该光刻胶组合物的原料包括:无规共聚物、光致生酸剂、光敏聚合物和有机溶剂。所述无规共聚物为由下述通式Ia、Ib和Ic表示的结构单元组成的重均分子量为1000‑50000的无规共聚物,其中结构单元Ia、Ib和Ic的摩尔百分比为:0≤Ia<90%,0≤Ib<90%,0<Ic<50%。本发明提供的光刻胶组合物可防止I‑line和KrF光刻工艺中由大气中的氨和胺污染导致的光刻图形歪曲的问题。

技术研发人员:方书农,王溯,耿志月
受保护的技术使用者:上海新阳半导体材料股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/12
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