场序显示模组及彩色液晶显示器的制作方法

1.本技术涉及显示设备技术领域，具体涉及一种场序显示模组及彩色液晶显示器。


背景技术：

2.在显示模组采用直下式背光的情况下，由于需要在显示模组的屏幕上形成一个均匀的显示效果，因此需要确保一定的光学距离，进而使得显示模组的体积也较大。而采用反射式液晶显示模组，虽然可以去掉背光，降低光学距离，但由于彩色滤光片是实现液晶显示模组彩色化的关键原材料，彩色滤光片只允许特定子像素的光线透过，因此使得彩色滤光会降低光的利用率，且容易发生入射光与发光二极管之间出现摩尔纹的问题，进而使得显示模组的开口率降低。
3.申请内容
4.本技术实施例提供了一种场序显示模组及彩色液晶显示器，以解决相关技术中显示模组光的利用率较低以及容易发生入射光与发光二极管之间出现摩尔纹的问题。
5.为了解决上述技术问题，本技术是这样实现的：
6.第一方面，本技术实施例提供了一种场序显示模组，所述场序显示模组包括场序液晶显示面板、反光结构基板、发光二级管芯片和黑矩阵遮光层；
7.所述场序液晶显示面板包括彩膜基板、薄膜晶体管基板和液晶，所述液晶夹于所述彩膜基板和所述薄膜晶体管基板之间；
8.所述黑矩阵遮光层贴附在所述薄膜晶体管基板的表面上，所述发光二级管芯片印制在所述黑矩阵遮光层上；
9.所述反光结构基板和所述发光二级管芯片间隔设置，所述反光结构基板的反光面和所述薄膜晶体管基板相对。
10.可选的，所述反光面上还设置有凸起混光结构层；
11.所述凸起混光结构层凸出于所述反光面设置，且所述凸起混光结构层和所述薄膜晶体管基板之间的距离小于100nm。
12.可选的，所述凸起混光结构层包括多个凸起结构；
13.每个所述凸起结构为球冠形，每个所述凸起结构的底和所述反射面接触，每个所述凸起结构的球面凸向于所述薄膜晶体管基板，其中，所述球冠形为半球体沿平行于半球体的底面的方向切割得到的包括球面的几何体，所述凸起结构通过回流焊或者压印方式形成。
14.可选的，多个所述凸起结构呈六边形密排，其中，所述六边形密排为以任一所述凸起结构的底部的圆心为中心对称点对称分部的相邻六个所述凸起结构的底面的圆心之间的连线构成的图形为正六边形。
15.可选的，每相邻两个所述凸起结构的球面的凸点之间的距离等于15um。
16.可选的，每个所述凸起结构的底面的半径小于8.1um。
17.可选的，每个所述凸起结构的底面和所述凸起结构的球面的凸点之间的距离等于
3.09um。
18.可选的，每个所述凸起结构的球面喷镀有高反射膜。
19.可选的，所述黑矩阵遮光层和所述薄膜晶体管基板之间沉积有金属走线，且在所述薄膜晶体管基板沉积金属走线后，制备所述黑矩阵遮光层，再转印所述发光二级管芯片。
20.第二方面，本技术实施例还提供了一种彩色液晶显示器，所述彩色液晶显示器包括第一方面任一实施例所述的场序显示模组。
21.通过上述实施例可以看出，在本技术实施例中，由于将黑矩阵遮光层贴附在薄膜晶体管基板的表面上，发光二级管芯片印制在黑矩阵遮光层上，因此使得发光二级管芯片位于液晶显示面板和反光结构基板之间，发光二级管芯片发出的光可以直接经由反光结构基板的反光面反射，再通过场序液晶显示面板射出，达成显示效果。这样，一方面可以使得发光二级管芯片的走线隐藏在薄膜晶体管基板的走线下，提升场序显示模组的开口率，另一方面由于发光二级管芯片发出的光可以直接经由反光结构基板的反光面反射，再通过场序液晶显示面板射出，且场序液晶显示面板中没有彩色滤光片，因此可以避免射出的光线与发光二极管产生干涉，进而避免出现摩尔纹，提升显示效果。综上所述，在本技术实施例提供的场序显示模组中，在光的利用率的得到提升的前提下，不仅可以提升场序显示模组的开口率，而且可以避免出现摩尔纹，提升显示效果。
附图说明
22.图1表示本技术实施例提供的一种场序显示模组的截面示意图；
23.图2表示本技术实施例提供的一种凸起混光结构层包括的凸起结构的分布示意图。
24.附图标记：
25.10：场序液晶显示面板；20：反光结构基板；30：发光二级管芯片；40：黑矩阵遮光层；101：彩膜基板；102：薄膜晶体管基板；103：液晶；201：凸起混光结构层；2011：凸起结构。
具体实施方式
26.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
27.应理解，说明书通篇中提到的“一个实施例”或“一实施例”意味着与实施例有关的特定特征、结构或特性包括在本技术的至少一个实施例中。因此，在整个说明书各处出现的“在一个实施例中”或“在一实施例中”未必一定指相同的实施例。此外，这些特定的特征、结构或特性可以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。
28.第一方面，本技术实施例提供了一种场序显示模组，图1是本技术实施例提供的一种场序显示模组的结构示意图，如图1所示，该场序显示模组包括场序液晶显示面板1、反光结构基板20、发光二级管芯片30和黑矩阵遮光层40；场序液晶显示面板1包括彩膜基板101、薄膜晶体管基板102和液晶103，液晶103夹于彩膜基板101和薄膜晶体管基板102之间；黑矩阵遮光层40贴附在薄膜晶体管基板102的表面上，发光二级管芯片30印制在黑矩阵遮光层
40上；反光结构基板20和发光二级管芯片30间隔设置，反光结构基板20的反光面和薄膜晶体管基板102相对。
29.需要说明的是，对于现有技术中的液晶显示面板，液晶显示面板中包括彩色滤光片，彩色滤光片包括多个不同颜色的滤光单元，例如分别采用红、绿和蓝色感光树脂形成的红、绿和蓝色滤光单元只允许特定子像素的光线透过，如红色子像素对应的滤光单元只允许红色光通过，而绿光和蓝光则不能通过，因此使得经过彩色滤光片的光的利用率均小于三分之一。而本技术采用场序液晶显示面板1，由于场序液晶显示面板1可以依次形成各个子像素，因此不需要经过彩色滤光片的滤过作用，因此可以提升一定的光的利用率。
30.此外，场序液晶显示面板1可以包括第一基板、第二基板和液晶103，第一基板为上基板，即彩膜基板101，第二基板为下基板，即薄膜晶体管基板102，液晶103夹于括第一基板和第二基板之间。黑矩阵遮光层40贴附在薄膜晶体管基板102的表面上，发光二级管芯片30印制在黑矩阵遮光层40上，发光二极管芯片30为场序显示模组中将电能转化为光能的主要部件。主要原理为，发光二极管芯片30包括p型半导体和n型半导体，在p型半导体和n型半导体连接之后，当电流通过发光二极管时，电子就会被推向p区，在p区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量。
31.此外，还需要说明的是，贴附在薄膜晶体管基板102的表面上黑矩阵遮光层40为矩阵式图案化的遮光膜层，可以通过黑矩阵遮光层40显著改善图像的对比度，进而提升场序显示模组的显示效果。
32.在本技术实施例中，将黑矩阵遮光层40贴附在薄膜晶体管基板102的表面上，发光二级管芯片30印制在黑矩阵遮光层40上，即将发光二级管芯片30设置在液晶103显示面板和反光结构基板20之间，发光二级管芯片30发出的光可以直接经由反光结构基板20的反光面反射，再通过场序液晶显示面板1射出，达成显示效果。这样，一方面可以使得发光二级管芯片30的走线隐藏在薄膜晶体管基板102的走线下，提升场序显示模组的开口率，另一方面由于发光二级管芯片30发出的光可以直接经由反光结构基板20的反光面反射，再通过场序液晶显示面板1射出，且场序液晶显示面板1中没有彩色滤光片，因此可以避免射出的光线与发光二极管产生干涉，进而避免出现摩尔纹，提升显示效果。综上所述，在本技术实施例提供的场序显示模组中，在光的利用率的得到提升的前提下，不仅可以提升场序显示模组的开口率，而且可以避免出现摩尔纹，提升显示效果。
33.需要说明的是，开口率指除去每一个次像素的配线部、晶体管部(通常采用黑色矩阵隐藏)后的光线通过部分的面积和每一个次像素整体的面积之间的比例。开口率越高，光线通过的效率越高。在本技术实施例中，由于发光二级管芯片30的走线隐藏在薄膜晶体管基板102的走线下，因此使得发光二级管芯片30的走线和薄膜晶体管基板102的走线在光路的方向上重叠设置，因此使得场序液晶显示面板1的非透光区只有薄膜晶体管基板102的走线所在的区域，因此使得场序液晶显示面板1的有效的透光区域和序液晶103显示面板的全部面积之间的比例增加，即使得场序液晶显示面板1的开口率提高。
34.此外，在一些实施例中，还可以通过增加反光结构基板20的反射面的反射效果来提升发光二极管芯片30产生的光的出射率，即通过改变反射面的结构来提升光的利用率，具体如下：
35.反光面上还设置有凸起混光结构层201，凸起混光结构层201凸出于反光面设置，
且凸起混光结构层201和薄膜晶体管基板102之间的距离小于100nm。
36.需要说明的是，凸起混光结构层201可以为具有球面或者圆弧面的凸起结构2011，可以为多个具有球面或者圆弧面的凸起构成的反射层，也可以为整个具有球面或者圆弧面的凸起构成的反射层，本技术实施例对此不做限定，这样，在起混光结构层凸出于反光面设置的情况下，可以通过凸起混光结构层201提升发光二极管芯片30产生的光的出射率，进而使得光的利用率得到提升。且由于凸起混光结构层201和薄膜晶体管基板102之间的距离小于100nm，因此，可以提升凸起混光结构层201的混光效果，使得出射的光线现在空间上形成非常均匀的亮度角。
37.可选的，凸起混光结构层201包括多个凸起结构2011，每个凸起结构2011为球冠形，每个凸起结构2011的底和反射面接触，每个凸起结构2011的球面凸向于薄膜晶体管基板102，其中，球冠形为半球体沿平行于半球体的底面的方向切割得到的包括球面的几何体，凸起结构2011通过回流焊或者压印方式形成。
38.需要说明的是，在每个凸起结构2011为球冠形的情况下，使得每个凸起结构2011的反射面均为球面，由于球面具有唯一的凸点，因此发光二级管芯片30产生的光可以经由凸点垂直于场序液晶显示面板1射出，达到最佳反射效果，使得场序显示模组的显示效果得到提升。还需要说明的是，通过回流焊或者压印方式形成凸起结构2011，由于回流焊是通过重新熔化预先分配到印制板焊盘上的膏状软钎焊料，实现表面贴装元器件焊端或引脚与印制板焊盘间机械与电气连接的软钎焊，从而实现具有定可靠性的电路功能，压印是将板料放在上、下模之间，在压力作用下使其材料厚度发生变化，并将挤压外的材料，充塞在有起伏细纹的模具形腔凸、凹处，而在工件表面得到形成起伏鼓凸及字样或花纹的一种成形方法，因此使得凸起结构2011加工工艺较为简单，有利于节省凸起混光结构层201的加工制造成本。
39.可选的，如图2所示，多个凸起结构2011呈六边形密排，其中，六边形密排为以任一凸起结构2011的底部的圆心为中心对称点对称分部的相邻六个凸起结构2011的底面的圆心之间的连线构成的图形为正六边形。
40.需要说明的是，在多个凸起结构2011呈六边形密排的情况下，即以任一凸起结构2011的底部的圆心为中心对称点对称分部的相邻六个凸起结构2011的底面的圆心之间的连线构成的图形为正六边形的情况下，可以使得相邻两个凸起结构2011相切，进而使得多个凸起结构2011构成的凸起混光结构层201的反射面的面积最大，进而进一步提升反光结构基板20的反射面的反射效果。
41.还需要说明的是，还可以通过控制凸起结构2011的相关参数来提升凸起混光结构层201的混光效果，具体如下：
42.在一些实施例中，每相邻两个凸起结构2011的球面的凸点之间的距离等于15um。
43.在一些实施例中，每个凸起结构2011的底面的半径小于8.1um。
44.在一些实施例中，每个凸起结构2011的底面和凸起结构2011的球面的凸点之间的距离等于3.09um。
45.需要说明的是，凸起混光结构层201和薄膜晶体管基板102之间的距离如图1中的od所示，每相邻两个凸起结构2011的球面的凸点之间的距离如图1中的p所示，每个凸起结构2011的底面的半径如图1中的r所示，每个凸起结构2011的底面和凸起结构2011的球面的
凸点之间的距离如图1中h所示。当使得凸起混光结构层201和薄膜晶体管基板102之间的距离小于100nm，或者相邻两个凸起结构2011的球面的凸点之间的距离等于15um，或者每个凸起结构2011的底面的半径小于8.1um，或者每个凸起结构2011的底面和凸起结构2011的球面的凸点之间的距离等于3.09um时，可以提升凸起混光结构层201的混光效果，使得出射的光线现在空间上形成非常均匀的亮度角。在一种可能实现的方式中，可以使得凸起混光结构层201和薄膜晶体管基板102之间的距离、相邻两个凸起结构2011的球面的凸点之间的距离、每个凸起结构2011的底面的半径、每个凸起结构2011的底面和凸起结构2011的球面的凸点之间的距离一个或者多个数值满足预设数值，在另一种可能实现的方式中，凸起混光结构层201和薄膜晶体管基板102之间的距离、相邻两个凸起结构2011的球面的凸点之间的距离、每个凸起结构2011的底面的半径、每个凸起结构2011的底面和凸起结构2011的球面的凸点之间的距离均满足预设数值，本技术实施例对此不做限定。
46.可选的，每个凸起结构2011的球面喷镀有高反射膜。
47.需要说明的是，可以通过喷镀的方式溅射出高反射膜，高反射膜可以为金属反射膜层，如铝、铜或者银等，或者全电介质反射膜，进而使得每个凸起结构2011的球面的反射率提升，进一步使得反光结构基板20的反射面的反射效果得到提升。
48.此外，在一些实施例中，黑矩阵遮光层40和薄膜晶体管基板102之间沉积有金属走线，且在薄膜晶体管基板102沉积金属走线后，制备黑矩阵遮光层40，再转印发光二级管芯片30。
49.需要说明的是，由于黑矩阵遮光层40和薄膜晶体管基板102之间沉积有金属走线，且在薄膜晶体管基板102沉积金属走线后，制备黑矩阵遮光层40，再转印发光二级管芯片30，因此使得发光二级管芯片30的走线隐藏在薄膜晶体管基板102的走线下，使得发光二级管芯片30的走线和薄膜晶体管基板102的走线在光路的方向上重叠设置，这样，场序液晶显示面板1的非透光区只有薄膜晶体管基板102的走线所在的区域，进而使得场序液晶显示面板1的有效的透光区域和序液晶103显示面板的全部面积之间的比例增加，即使得场序液晶显示面板1的开口率提高。
50.通过上述实施例可以看出，在本技术实施例中，由于将黑矩阵遮光层40贴附在薄膜晶体管基板102的表面上，发光二级管芯片30印制在黑矩阵遮光层40上，因此使得发光二级管芯片30位于液晶103显示面板和反光结构基板20之间，发光二级管芯片30发出的光可以直接经由反光结构基板20的反光面反射，再通过场序液晶显示面板1射出，达成显示效果。这样，一方面可以使得发光二级管芯片30的走线隐藏在薄膜晶体管基板102的走线下，提升场序显示模组的开口率，另一方面由于发光二级管芯片30发出的光可以直接经由反光结构基板20的反光面反射，再通过场序液晶显示面板1射出，且场序液晶显示面板1中没有彩色滤光片，因此可以避免射出的光线与发光二极管产生干涉，进而避免出现摩尔纹，提升显示效果。综上所述，在本技术实施例提供的场序显示模组中，在光的利用率的得到提升的前提下，不仅可以提升场序显示模组的开口率，而且可以避免出现摩尔纹，提升显示效果。
51.除此之外，还可以通过在反光面上还设置有凸起混光结构层201来提升反光结构基板20的反射面的反射效果，还可以通过控制凸起结构2011的相关参数来提升凸起混光结构层201的混光效果，使得出射的光线现在空间上形成非常均匀的亮度角，进一步提升场序显示模组的显示效果，如使得凸起混光结构层201和薄膜晶体管基板102之间的距离小于
100nm、相邻两个凸起结构2011的球面的凸点之间的距离等于15um、每个凸起结构2011的底面的半径小于8.1um、每个凸起结构2011的底面和凸起结构2011的球面的凸点之间的距离等于3.09um。
52.第二方面，本技术实施例还提供了一种彩色液晶103显示器，所述彩色液晶103显示器包括第一方面任一实施例所述的场序显示模组。该彩色液晶103显示器所具备的有益效果和前述场序显示模组的有益效果一致，本技术实施例对此不再赘述。
53.需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
54.尽管已描述了本技术实施例的可选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括可选实施例以及落入本技术实施例范围的所有变更和修改。
55.最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体与另一个实体区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括要素的物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。
56.以上对本技术所提供的技术方案进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，同时，对于本领域的一般技术人员，依据本技术的原理及实现方式，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。