一种LCD显示面板、显示设备的制作方法

一种lcd显示面板、显示设备
技术领域
1.本技术涉及液晶显示屏技术领域，尤其涉及一种lcd显示面板、显示设备。


背景技术：

2.在现有的lcd(liquid crystal display，液晶显示器)产品中，通常周边黑边框为8mm，用于铺设边缘gate(驱动器件的栅极)金属走线，因此，该区域通常设置bm(black matrix，黑色矩阵)覆盖。
3.但拼接屏通常需要开发极窄边框产品，仅有1.08mm。当边框变窄时，边框处的金属走线将变得非常密集，从而使得金属走线与bm的交叠面积增加。金属走线在通电后，栅极电压长时间处于-8v左右，将与bm形成平行版电容器，使bm耦合带电。由于bm为碳矩阵混合聚合物，极容易导电。bm与显示区边缘位置的子像素(例如红像素)接触后，易使该子像素带电，形成垂直电场。垂直电场的存在，将使得显示区边缘的液晶异常偏转，形成液晶显示紊乱区，从而在显示区的边缘产生亮线。
4.为了减轻bm造成红像素带电问题，通常采用bm挖槽方式隔绝静电传输。但是，在拼接屏产品中，极窄边框导致无处挖槽，若强行挖槽将使背光通过，从而产生狭缝漏光。因此，需要在避免挖槽的情况下解决耦合亮线问题。


技术实现要素：

5.本技术实施例通过提供一种lcd显示面板、显示设备，可以在避免挖槽的情况下，解决耦合亮线的技术问题，提高显示面板的显示性能。
6.第一方面，本技术提供一种lcd显示面板。该lcd显示面板包括彩膜基板、电极层以及液晶层。其中，彩膜基板包括第一显示区域及第一周边区域，第一周边区域包括遮光层，遮光层围绕第一显示区域设置。液晶层设置于电极层和彩膜基板之间。液晶层包括用于控制边缘子像素发光的边缘液晶区域。边缘子像素为构成边缘像素的各子像素中，毗邻第一显示区域的侧边的子像素。边缘像素为毗邻第一显示区域侧边的像素，第一显示区域的侧边为第一显示区域在子像素的阵列方向上的边。边缘液晶区域在彩膜基板上的第一正投影与遮光层交叠。第一正投影除交叠之外的区域覆盖边缘子像素。
7.可选地，第一正投影与遮光层的交叠区域的面积为边缘液晶区域的面积的 1/4～1/2。
8.进一步地，交叠区域的面积为边缘液晶区域的面积的1/3。
9.一种可能的实现方案中，lcd显示面板还包括阵列基板。阵列基板与彩膜基板相对设置。电极层设置于阵列基板上。阵列基板包括第二显示区域和第二周边区域。其中，第二周边区域围绕第二显示区域设置。第二显示区域为电极层所在的区域。遮光层在阵列基板上的第二正投影覆盖第二周边区域，且与第二显示区域交叠。
10.可选地，阵列基板包括衬底。衬底上设置有薄膜晶体管、及用于驱动薄膜晶体管的金属走线。薄膜晶体管及金属走线设置于第二周边区域。金属走线与薄膜晶体管的栅极耦
合。
11.一种可能的实现方案中，第二周边区域包括第一走线区域。第一走线区域为第二周边区域位于第二显示区域的第一侧边的区域。第一走线区域设置有薄膜晶体管及金属走线。遮光层包括第一遮光区域。第一遮光区域为遮光层位于第一显示区域的第一侧边的区域。毗邻第一显示区域的第一侧边的边缘子像素为第一边缘子像素。用于控制第一边缘子像素发光的边缘液晶区域为第一边缘液晶区域。第一边缘液晶区域在彩膜基板上的第三正投影与第一遮光区域交叠。第三正投影除交叠之外的区域覆盖与第一边缘子像素。第一遮光区域在阵列基板上的第三正投影覆盖第一走线区域，且与第二显示区域交叠。
12.另一种可能的实现方案中，第二周边区域还包括第二走线区域。第二走线区域为第二周边区域位于第二显示区域的第二侧边的区域。第二走线区域设置有薄膜晶体管及金属走线。遮光层包括第二遮光区域。第二遮光区域为遮光层位于第一显示区域的第二侧边的区域。其中，毗邻第一显示区域的第二侧边的边缘子像素为第二边缘子像素。用于控制第二边缘子像素发光的边缘液晶区域为第二边缘液晶区域。第二边缘液晶区域在彩膜基板上的第四正投影与第二遮光区域交叠。第四正投影除交叠之外的区域覆盖第二边缘子像素。第二遮光区域在阵列基板上的第四正投影覆盖第二走线区域，且与第二显示区域交叠。
13.可选地，第一显示区域的像素按照rgb排列方式进行排列。第一边缘子像素为rgb排列方式下的红像素。第二边缘子像素为rgb排列方式下的蓝像素。
14.可选地，遮光层为黑色矩阵或rb叠层。
15.第二方面，本技术提供一种显示设备，包括如第一方面任一项所述的lcd 显示面板。
16.本技术实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
17.本技术实施例的lcd显示面板中，用于控制边缘子像素发光的边缘液晶区域，在彩膜基板上的第一正投影与遮光层交叠，且第一正投影除交叠之外的区域覆盖边缘子像素。换而言之，原本应和边缘液晶区域面积相同的边缘子像素，其面积缩小了，边缘液晶区域靠近第一显示区域的侧边的区域的液晶被遮光层遮挡，未被遮挡的部分继续用于控制边缘子像素发光。基于此，bm耦合产生的电场传导至边缘子像素时，产生的垂直电场影响降低，尤其是边缘液晶区域被遮挡部分的液晶不再紊乱，从而减轻了边缘亮线的状况，提高了lcd 显示面板的显示性能。此外，本技术实施例可以在避免挖槽的情况下，解决耦合亮线的问题。
附图说明
18.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
19.图1为一种lcd显示面板的平面图；
20.图2为一种可能的实现方式中的lcd显示面板的剖面图一；
21.图3为一种可能的实现方式中的lcd显示面板的剖面图二；
22.图4为本技术实施例提供的一种lcd显示面板的平面透视图；
23.图5为本技术实施例提供的一种lcd显示面板的剖面图；
24.图6为本技术实施例提供的彩膜层示意图；
25.图7为本技术实施例提供的一种lcd显示面板的制作方法的流程图。
具体实施方式
26.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
27.以下，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。本技术提到的“耦合”一词，用于表达不同组件之间的互通或互相作用，可以包括直接相连或通过其他组件间接相连。
28.本技术中，“上”、“下”等方位术语是相对于附图中的部件示意置放的方位来定义的，应当理解到，这些方向性术语是相对的概念，它们用于相对于的描述和澄清，其可以根据附图中部件所放置的方位的变化而相应地发生变化。
29.图1为本技术实施例提供的一种lcd显示面板。如图1所示，该lcd显示面板包括边框区10和显示区20。
30.图2为一种可能实现方式的lcd显示面板剖面图一。图2为图1沿a-a 进行剖切可能得到的剖面图。如图2所示，该lcd显示面板包括从下至上依次分布的背光源13、阵列基板12及彩膜基板11。其中，彩膜基板11包括bm111 和彩膜层112。阵列基板12对应边框区10的区域设置有金属走线121，阵列基板12对应显示区20的区域设置有电极层122。阵列基板12和彩膜层112 之间设置有液晶层123。金属走线121通过控制电极层122，可以控制液晶层 123中液晶的偏振方向，进而控制背光源12照射到彩膜层112的背光。背光到达彩膜层112后，经彩膜层112透射后发出所需的光。
31.请继续参考图2，在边框区10极窄时，例如边框区10的宽度为1.08mm，金属走线121将变得非常密集，从而使得金属走线121与bm111的交叠面积增加。金属走线121在通电后，栅极电压长时间处于-8v左右，将与bm111 形成平行版电容器，使bm111耦合产生电子。由于bm111为碳矩阵混合聚合物，极容易导电。bm111与显示区20边缘位置的彩膜层112的子像素1121(例如红像素)接触后，易使该子像素1121带电，形成垂直电场。垂直电场的存在，将使得显示区20边缘的液晶异常偏转，形成液晶显示紊乱区，从而在显示区20的边缘产生亮线。
32.针对上述耦合亮线的问题，图3为一种可能实现方式的lcd显示面板剖面图二。如图3所示，通过在bm111上开设槽113，利用槽113阻隔bm111 向子像素1121传递的电子，进而解决耦合亮线的问题，且为避免背光源13的光透过槽113，通常需要在阵列基板12上设置整条金属124进行遮挡。但该方式仅适用于边框区10较宽的场景。当边框区10较窄时，bm111上无法开槽。若强行开槽，阵列基板12上没有空间铺设整条金属124，因此，光源13的背光将透过狭缝漏光。即开槽的方式不适于极窄边框产品。
33.在避免挖槽的情况下，为解决耦合亮线的技术问题，本技术提供了一种 lcd显示面板。下面结合图4至图6对本技术提供的lcd显示面板进行详细说明。
34.图4为本技术实施例提供的一种lcd显示面板的透视图。如图4所示，该lcd显示面板包括边缘区10和显示区20。
35.示例性地，图5可以为图4沿a1-a1剖切可能得到的剖面图，或者，沿 a2-a2剖切可能得到的剖面图，沿b1-b1剖切可能得到的剖面图，沿b2-b2 剖切可能得到的剖面图。
36.如图4、5所示，该lcd显示面板包括彩膜基板11、电极层122、以及设置于电极层122和彩膜基板11之间的液晶层123。
37.彩膜基板11包括第一显示区域102(对应图4中的显示区20)及第一周边区域101，即图4中除第一显示区域102之外的区域(对应图4中的边框区 10)。
38.其中，第一显示区域102可以包括彩膜层112。如图6所示，彩膜层112 的像素可按照图6所示的rgb的排列方式在第一显示区域102进行排列，如此，单个像素由r、g、b三个子像素构成。
39.第一周边区域101包括遮光层111，遮光层111围绕第一显示区域102设置。具体地，遮光层111可以通过黑色矩阵实现。应理解，为避免背光从彩膜层112中各像素和子像素之间的间隙透射，影响显示性能，黑色矩阵还可以覆盖彩膜层112中各像素和子像素之间的间隙。在其他实施例中，遮光层111还可以红蓝像素(rb)叠层实现，本技术实施例对此不作具体限定。
40.液晶层123包括用于控制边缘子像素1121发光的边缘液晶区域1231。其中，边缘子像素1121为构成边缘像素的各子像素中，毗邻第一显示区域102 的侧边的子像素。边缘像素为毗邻第一显示区域102侧边的像素。第一显示区域102的侧边为第一显示区域102在子像素的阵列方向上的边。
41.应理解，子像素的阵列方向，是指第一显示区域102的像素中，各子像素的排列方向。举例来说，结合图4，如图6所示，第一显示区域102的像素，即彩膜层112的像素可以按照rgb的排列方式从图4所示的左侧往右侧排列，则构成单个像素的子像素包括r、g、b三个子像素，r、g、b三个子像素的阵列方向则是图4所示的第一显示区域102中，从左至右的横向。应理解，在其他实施例中，子像素的阵列方向也可以是图4所示的第一显示区域102中，从上往下的纵向。为方便说明，下面均以横向为例进行说明。
42.边缘液晶区域1231在彩膜基板11上的第一正投影与遮光层111交叠，第一正投影除交叠之外的区域覆盖边缘子像素1121。
43.具体实施过程中，第一正投影与遮光层111的交叠区域的面积为边缘液晶区域1231的面积的1/4～1/2，例如1/4、1/3、1/2等等。如此，既能够使耦合产生电子传导至显示区边缘子像素1121时，降低垂直电场的影响，又能够保证边缘子像素1121的正常显示，降低对显示效果的影响。优选地，交叠区域的面积为边缘液晶区域1231的面积的1/3。如此，可以更好地降低垂直电场的影响，同时降低对显示效果的影响。
44.应理解，如图2所示，原本用于控制边缘子像素1121发光的边缘液晶区域1231，在彩膜基板11上的正投影与边缘子像素1121重合，且不与遮光层 111交叠。因此，在图2所示的lcd显示面板的基础上，可以通过缩小边缘子像素1121的宽度，并相应地增加遮光层111的宽度的方式，获得图5所示的 lcd面板。示例性地，图6示出了边缘子像素1121的宽度减小的彩膜层112。由图6可见，左侧的第一个像素的r子像素(即边缘子像素1121)相比于g 子像素以及b子像素来说，宽度明显减小了。
45.基于此，图4所示的lcd显示面板中，原本应和边缘液晶区域1231面积相同的边缘子像素1121，其面积缩小了，边缘液晶区域1231靠近第一显示区域102的侧边的区域的液晶
被遮光层111遮挡，未被遮挡的部分继续用于控制边缘子像素1121发光。基于此，bm耦合产生的电场传导至边缘子像素1121 时，产生的垂直电场影响降低，尤其是边缘液晶区域1231被遮挡部分的液晶不再紊乱，从而减轻了边缘亮线的状况，提高了lcd显示面板的显示性能。
46.在本技术的一些实施例中，为了便于电极层122及金属走线的设置，如图5所示，lcd显示面板还包括与彩膜基板11相对设置的阵列基板12。电极层122设置于阵列基板12上。
47.阵列基板12包括第二显示区域202和第二周边区域201。其中，第二周边区域201围绕第二显示区域202设置。第二显示区域202为电极层122所在的区域。遮光层111在阵列基板12上的第二正投影覆盖第二周边区域201，且与第二显示区域202交叠。
48.在具体实施过程中，彩膜基板11和阵列基板12相对设置，并通过封框胶条密封。在阵列基板12上设置有电极层122，电极层122包括像素电极1222 和公共电极1221，在公共电极1221和彩膜基板11之间，且正对公共电极1221 的区域填充有液晶层123，像素电极1222和公共电极1221用于控制液晶层123 中的液晶偏转。
49.在具体实施过程中，阵列基板12包括衬底。衬底上设置有薄膜晶体管(图中未示出)、及用于驱动薄膜晶体管的金属走线121。薄膜晶体管及金属走线 121设置于第二周边区域201。衬底上在薄膜晶体管、金属走线121以及像素电极1222后，还在薄膜晶体管、金属走线121、以及像素电极1222上方形成有钝化层125。公共电极1221设置在钝化层125上方。
50.需要说明的是，受lcd显示面板分辨率以及屏幕尺寸的影响，可以仅在 lcd显示面板的单边铺设金属走线121与薄膜晶体管，实现单边驱动，此时，只需单边铺设bm，因此，只有单边存在耦合亮线的问题；也可以在在lcd 显示面板的双边铺设金属走线121与薄膜晶体管，实现双边驱动，此时，需要在双边铺设bm，因此，双边均存在耦合亮线的问题。
51.基于此，本技术提供如下示例：
52.示例一：用于解决单边耦合亮线的问题。具体来说，第二周边区域201包括第一走线区域；第一走线区域为第二周边区域201位于第二显示区域202的第一侧边的区域；第一走线区域设置有薄膜晶体管及金属走线121。遮光层111 包括第一遮光区域；第一遮光区域为遮光层111位于第一显示区域102的第一侧边的区域。也就是说，第一显示区域102的第一侧边耦合亮线。
53.此时，毗邻第一显示区域102的第一侧边的边缘子像素1121为第一边缘子像素1121；用于控制第一边缘子像素1121发光的边缘液晶区域1231为第一边缘液晶区域1231。
54.第一边缘液晶区域1231在彩膜基板11上的第三正投影与第一遮光区域交叠，第三正投影除交叠之外的区域覆盖第一边缘子像素1121。
55.第一遮光区域在阵列基板12上的第三正投影覆盖第一走线区域，且与第二显示区域202交叠。
56.应理解，如图4所示，在从左至右的横向上，第一显示区域102的第一侧边可以为第一显示区域102的左侧或右侧。相应地，第一显示区域102的第二侧边则为另一侧。
57.示例二：用于解决双边耦合亮线的问题。具体来说，在示例一的基础上，第二周边区域201还包括第二走线区域；第二走线区域为第二周边区域201位于第二显示区域202的第二侧边的区域；第二走线区域设置有薄膜晶体管及金属走线121。遮光层111包括第二遮
光区域；第二遮光区域为遮光层111位于第一显示区域102的第二侧边的区域。也就是说，第一显示区域102的第一侧边和第一显示区域102的第二侧边均耦合亮线。
58.此时，在示例一的基础上，第一显示区域102的第二侧边也参照第一显示区域102的第一侧边实施，具体如下：
59.毗邻第一显示区域102的第二侧边的边缘子像素1121为第二边缘子像素 1121；用于控制第二边缘子像素1121发光的边缘液晶区域1231为第二边缘液晶区域1231。
60.第二边缘液晶区域1231在彩膜基板11上的第四正投影与第二遮光区域交叠，第四正投影除交叠之外的区域覆盖第二边缘子像素1121。
61.第二遮光区域在阵列基板12上的第四正投影覆盖第二走线区域，且与第二显示区域202交叠。
62.具体实施过程中，可以通过缩小第一边缘子像素1121和第二边缘子像素1121的宽度，并相应地增加第一遮光区域和第二遮光区域的宽度的方式，获得示例二中的lcd面板。示例性地，图6示出了第一边缘子像素1121和第二边缘子像素1121的宽度减小的彩膜层112。由图6可见，左侧的第一个像素的r 子像素(即第一边缘子像素1121)相比于g子像素以及b子像素来说，宽度明显减小了。右侧的第一个像素的b子像素(即第二边缘子像素1121)相比于g子像素以及r子像素来说，宽度明显减小了。
63.应理解，在其他实施例中，当子像素的阵列方向为图4所示的第一显示区域102中，从上往下的纵向时，第一显示区域102的第一侧边可以为第一显示区域102的上边或下边。相应地，第一显示区域102的第二侧边则为另一侧。此处不再赘述。
64.可选地，该lcd显示面板还包括背光源13，背光源13与阵列基板12相对设置。
65.基于同一发明构思，本实施例还提供了一种显示设备，例如，lcd显示器，包括上述lcd显示面板。
66.基于同一发明构思，本实施例还提供了一种lcd显示面板的制作方法，如图7所示，包括：
67.步骤s101：形成阵列基板12，并在阵列基板12上形成电极层122。
68.步骤s102：在电极层122上形成彩膜基板11，彩膜基板11包括第一显示区域102和第一周边区域101，第一周边区域101包括遮光层111，遮光层111 围绕第一显示区域102设置。
69.步骤s103：在电极层122和彩膜基板11之间填充液晶层123；其中，液晶层123包括用于控制边缘子像素1121发光的边缘液晶区域1231；其中，边缘子像素1121为构成边缘像素的各子像素中，毗邻第一显示区域102的侧边的子像素；边缘像素为毗邻第一显示区域102侧边的像素，第一显示区域102 的侧边为第一显示区域102在子像素的阵列方向上的边；边缘液晶区域1231 在彩膜基板11上。
70.尽管已描述了本技术的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本技术范围的所有变更和修改。
71.显然，本领域的技术人员可以对本技术进行各种改动和变型而不脱离本技术的精神和范围。这样，倘若本技术的这些修改和变型属于本技术权利要求及其等同技术的范围之内，则本技术也意图包含这些改动和变型在内。