液晶面板以及液晶显示器的制作方法

1.本技术属于显示器技术领域，尤其涉及一种液晶面板以及液晶显示器。


背景技术：

2.当前，无边框显示器是基于无门驱动器(gate driver less，gdl)技术，并通过减小中框宽度和改变结构类型，来实现无边框化。由于显示器中阵列基板上的金属层反射，导致面板内反射率较高，造成显示区与黑矩阵边框(blackmatrix border，bm border)区之间的色差较大，在显示器处于暗态时，存在较宽的黑边，无边框效果较差。因此，现有的无边框显示器需要使用雾度大于或等于25％的高雾度的偏光片来减少显示区与bm border区之间的色差，高雾度偏光片的使用降低了光线的透过率和显示的清晰度，导致显示器的亮度、清晰度等性能较差。


技术实现要素：

3.本技术实施例提供了一种液晶面板以及液晶显示器，可以解决现有无边框显示器使用高雾度偏光片导致显示器的亮度、清晰度等性能较差的问题。
4.第一方面，本技术提供一种液晶面板，包括彩膜基板、液晶层以及阵列基板，所述阵列基板包括基层以及设置于所述基层上的栅极驱动线层和源漏极层，所述液晶面板还包括设置在所述液晶层和所述基层之间的低反射率材料层，所述低反射率材料层包括一种膜层或者至少两种不同材料的膜层，膜层的厚度满足使所述低反射率材料层覆盖区域的反射率降低至4％～5％。
5.在一个实施例中，所述源漏极层靠近所述液晶层，所述栅极驱动线层相对所述源漏极层远离所述液晶层，所述低反射率材料层设置在所述液晶层和所述源漏极层之间；在所述彩膜基板背向所述液晶层的一侧设置第一偏光片，所述第一偏光片为雾度小于3％的偏光片。
6.在一个实施例中，所述源漏极层靠近所述液晶层，所述栅极驱动线层相对所述源漏极层远离所述液晶层，所述低反射率材料层设置在所述基层和所述栅极驱动线层之间；在所述基层背向所述液晶层的一侧设置第二偏光片，所述第二偏光片为雾度小于3％的偏光片。
7.在一个实施例中，所述低反射率材料层为非晶硅膜，所述非晶硅膜的厚度范围是
8.在一个实施例中，所述低反射率材料层为氮化硅膜，所述氮化硅膜的厚度范围是
9.在一个实施例中，所述低反射率材料层为含钽氧化钼膜，所述含钽氧化钼膜的厚度范围是
10.在一个实施例中，所述低反射率材料层包括层叠设置的非晶硅膜和氮化硅膜，所
述非晶硅膜和氮化硅膜的厚度分别为或
11.所述低反射率材料层包括层叠设置的氮化硅膜和含钽氧化钼膜，所述氮化硅膜和含钽氧化钼膜的厚度分别为或
12.所述低反射率材料层包括层叠设置的非晶硅膜和含钽氧化钼膜，所述非晶硅膜和含钽氧化钼膜的厚度分别为
13.在一个实施例中，所述低反射率材料层包括层叠设置的非晶硅膜、氮化硅膜和含钽氧化钼膜，所述非晶硅膜、氮化硅膜和含钽氧化钼膜的厚度分别为
14.第二方面，本技术提供一种液晶显示器，包括液晶面板和背光模组，所述液晶面板包括彩膜基板、液晶层以及阵列基板，所述阵列基板包括基层以及设置于所述基层上的栅极驱动线层和源漏极层，所述液晶面板还包括设置在所述液晶层和所述基层之间的低反射率材料层，所述低反射率材料层包括一种膜层或者至少两种不同材料的膜层，膜层的厚度满足使所述低反射率材料层覆盖区域的反射率降低至4％～5％，所述背光模组设置于所述阵列基板的入光侧。
15.在一个实施例中，所述源漏极层靠近所述液晶层，所述栅极驱动线层相对所述源漏极层远离所述液晶层，所述低反射率材料层设置在所述液晶层和所述源漏极层之间；在所述彩膜基板背向所述液晶层的一侧设置第一偏光片，所述第一偏光片为雾度小于3％的偏光片。
16.在一个实施例中，所述低反射率材料层为非晶硅膜，所述非晶硅膜的厚度范围是
17.在一个实施例中，所述低反射率材料层为氮化硅膜，所述氮化硅膜的厚度范围是
18.在一个实施例中，所述低反射率材料层为含钽氧化钼膜，所述含钽氧化钼膜的厚度范围是
19.在一个实施例中，所述低反射率材料层包括层叠设置的非晶硅膜和氮化硅膜，所述非晶硅膜和氮化硅膜的厚度分别为或
20.所述低反射率材料层包括层叠设置的氮化硅膜和含钽氧化钼膜，所述氮化硅膜和含钽氧化钼膜的厚度分别为或
21.所述低反射率材料层包括层叠设置的非晶硅膜和含钽氧化钼膜，所述非晶硅膜和含钽氧化钼膜的厚度分别为在一个实施例中，所述低反射率材料层包括层叠设置的非晶硅膜、氮化硅膜和含钽氧化钼膜，所述非晶硅膜、氮化硅膜和含钽氧化钼膜的厚度分别为氧化钼膜的厚度分别为
22.第三方面，本技术提供一种液晶显示器，包括液晶面板和背光模组，所述液晶面板包括彩膜基板、液晶层以及阵列基板，所述阵列基板包括基层以及设置于所述基层上的栅极驱动线层和源漏极层，所述液晶面板还包括设置在所述液晶层和所述基层之间的低反射
率材料层，所述低反射率材料层包括一种膜层或者至少两种不同材料的膜层，膜层的厚度满足使所述低反射率材料层覆盖区域的反射率降低至4％～5％，所述背光模组设置于所述彩膜基板的入光侧。
23.在一个实施例中，所述源漏极层靠近所述液晶层，所述栅极驱动线层相对所述源漏极层远离所述液晶层，所述低反射率材料层设置在所述基层和所述栅极驱动线层之间；在所述基层背向所述液晶层的一侧设置第二偏光片，所述第二偏光片为雾度小于3％的偏光片。
24.在一个实施例中，所述低反射率材料层为非晶硅膜，所述非晶硅膜的厚度范围是
25.在一个实施例中，所述低反射率材料层为氮化硅膜，所述氮化硅膜的厚度范围是
26.在一个实施例中，所述低反射率材料层为含钽氧化钼膜，所述含钽氧化钼膜的厚度范围是
27.在一个实施例中，所述低反射率材料层包括层叠设置的非晶硅膜和氮化硅膜，所述非晶硅膜和氮化硅膜的厚度分别为或
28.所述低反射率材料层包括层叠设置的氮化硅膜和含钽氧化钼膜，所述氮化硅膜和含钽氧化钼膜的厚度分别为或
29.所述低反射率材料层包括层叠设置的非晶硅膜和含钽氧化钼膜，所述非晶硅膜和含钽氧化钼膜的厚度分别为
30.在一个实施例中，所述低反射率材料层包括层叠设置的非晶硅膜、氮化硅膜和含钽氧化钼膜，所述非晶硅膜、氮化硅膜和含钽氧化钼膜的厚度分别为
31.本技术实施例与现有技术相比存在的有益效果是：本技术在液晶面板的液晶层和阵列基板的基层之间设置低反射率材料层，构成一层的低反射率材料层为一种膜层或者至少两种不同材料的膜层，从而降低液晶面板的反射率至 4％～5％，无需使用高雾度偏光片即可减少显示区与边框之间的色差，实现显示器的无边框化的同时保证了显示器的亮度、清晰度等性能。
附图说明
32.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
33.图1是本技术实施例一提供的液晶面板的结构示意图；
34.图2是本技术实施例二提供的液晶面板的结构示意图；
35.图3是本技术实施例三提供的液晶面板的结构示意图；
36.图中，10为液晶面板，11为背光模组，101为液晶层，102为彩膜基板， 103为基层，
104为栅极驱动线层，105为源漏极层，106为低反射率材料层， 107为第一偏光片，108为第二偏光片。
具体实施方式
37.以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本技术实施方式。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施方式中也可以实现本技术。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本技术的描述。
38.应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
39.还应当理解，在此本技术说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施方式的目的而并不意在限制本技术。如在本技术说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。
40.另外，在本技术说明书和所附权利要求书的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
41.为了说明本技术所述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。
42.参见图1，为本技术实施例一提供的液晶面板的结构示意图，如图1所示，液晶面板包括液晶层101、阵列基板以及彩膜基板102，其中，阵列基板包括基层103以及设置于基层103上的栅极驱动线层104和源漏极层105，其中，源漏极层105为阵列基板的源极和漏极所在的金属层。栅极驱动线层104靠近基层103设置，源漏极层105靠近液晶层101设置，即栅极驱动线层104相对于源漏极层105远离液晶层101，源漏极层105相对于栅极驱动线层104远离基层103。
43.液晶面板还包括设置在液晶层101和基层103之间的低反射率材料层106，低反射率材料层106包括一种膜层或者至少两种不同材料的膜层，
44.其中，该液晶面板在该低反射率材料层106覆盖区域的发射率可以降低至 4％～5％，使得在显示暗态时使液晶面板的显示区与边框之间趋于无色差。
45.如图1所示，本技术的实施例一的低反射率材料层106设置在液晶层101 和源漏极层105之间。其中，低反射率材料层106制备在源漏极层105的上层，以完全覆盖阵列基板中金属的走线。
46.在一个实施例中，在彩膜基板102背向液晶层101的一侧设置第一偏光片 107，第一偏光片107为雾度小于3％的偏光片。由于采用了低反射率材料层106，第一偏光片107的雾度可以降低，进而相对采用高雾度的偏光片而言，保证了显示器的亮度、清晰度等性能，并且有效地降低了偏光片的成本。
47.其中，彩膜基板102的设置可以实现液晶面板的色彩显示，由该液晶面板构成的液晶显示器中，彩膜基板102朝向人眼，第一偏光片107为该液晶面板中最靠近人眼的层，第一偏光片107即可以作为该液晶面板的保护膜，也可以作为对液晶层101发出光的调节，以适合人眼观看。
48.在一个实施例中，在基层103背向液晶层101的一侧设置第二偏光片108，第二偏光
片108为雾度小于3％的偏光片。其中，第二偏振光片108靠近背光，可以将背光转变为偏振光。
49.由于第一偏光片107为雾度小于3％的偏光片，无需采用高雾度偏光片(雾度大于25％)，因此，可以避免降低光线的透过率和显示的清晰度，保证了显示器的亮度、清晰度等性能，且避免使用较高成本的高雾度偏光片，有效地降低了无边框化液晶面板的制作成本。
50.当第一偏光片107朝向人眼时，阵列基板朝向背光模组，需要通过盖板遮挡背光模组的外引脚结合(outer lead bonding，olb)区的玻璃，盖板所在的边无法实现无边框，因此，上述结构可用于实现三边无边框。
51.参见图2，为本技术实施例二提供的液晶面板的结构示意图，液晶面板包括液晶层101、阵列基板以及彩膜基板102，其中，阵列基板包括基层103以及设置于基层103上的栅极驱动线层104和源漏极层105，栅极驱动线层104靠近基层103设置，源漏极层105靠近液晶层101设置。如图2所示，低反射率材料层106设置在基层103和栅极驱动线层104之间。
52.其中，低反射率材料层106制备在基层103上，即在栅极驱动线层104制备之前，将低反射率材料层106覆盖整个基层103。该液晶面板在该低反射率材料层106覆盖区域的发射率可以降低至4％～5％。
53.由于低反射率材料层106在栅极驱动线层104制备之前制备，为了实现对阵列基板的金属反射的遮盖，在使用液晶面板时低反射率材料层106需要靠近人眼，即液晶面板转载在背光模组上时，彩膜基板102靠近背光模组，基层103 相对彩膜基板102远离背光模组。
54.在一个实施例中，在彩膜基板102背向液晶层101的一侧设置第一偏光片 107，第一偏光片107为雾度小于3％的偏光片。
55.在一个实施例中，在基层103背向液晶层101的一侧设置第二偏光片108，第二偏光片为雾度小于3％的偏光片。其中，第二偏振光片108靠近人眼，第二偏光片108为该液晶面板中最靠近人眼的层，第二偏光片108即可以作为该液晶面板的保护膜，也可以作为对液晶层101发出光的调节，以适合人眼观看。由于第二偏光片108为雾度小于3％的偏光片，无需采用高雾度偏光片(雾度大于25％)，因此，可以避免降低光线的透过率和显示的清晰度，保证了显示器的亮度、清晰度等性能，且避免使用较高成本的高雾度偏光片，有效地降低了无边框化液晶面板的制作成本。
56.低反射率材料层106制备在基层103上，彩膜基板102朝向背光，低反射率材料层106可以降低背光模组的olb区的玻璃的反射，而无需使用盖板遮挡，因此，可以用于实现四边无边框化。
57.本技术实施例三提供的液晶面板，包括液晶层101、阵列基板、彩膜基板 102和低反射率材料层106，阵列基板包括基层103以及设置于基层103上的栅极驱动线层104和源漏极层105，栅极驱动线层104靠近基层103设置，源漏极层105靠近液晶层101设置，其中，低反射率材料层106为一层非晶硅膜，非晶硅膜设置在液晶层101和基层103之间，其中，非晶硅膜的厚度范围是膜的厚度范围是优选为可以将该非晶硅膜覆盖区域的反射率降低至4％～5％。
58.在一个实施例中，低反射率材料层106包括一层非晶硅膜和一层氮化硅膜，此时，非晶硅膜的厚度与氮化硅膜的厚度分别为满足将覆盖区域的
反射率降低至4％～5％的条件。
59.在一个实施例中，低反射率材料层106包括一层非晶硅膜和一层含钽氧化钼膜，此时，非晶硅膜的厚度与含钽氧化钼膜的厚度分别为非晶硅膜的厚度与含钽氧化钼膜的厚度分别为满足将覆盖区域的反射率降低至4％～5％的条件。
60.在一个实施例中，低反射率材料层106包括一层非晶硅膜、一层氮化硅膜和一层含钽氧化钼膜，此时，非晶硅膜的厚度、氮化硅膜的厚度与含钽氧化钼膜的厚度分别为满足将覆盖区域的反射率降低至4％～5％的条件。
61.本技术实施例四提供的液晶面板，包括液晶层101、阵列基板、彩膜基板102和低反射率材料层106，阵列基板包括基层103以及设置于基层103上的栅极驱动线层104和源漏极层105，栅极驱动线层104靠近基层103设置，源漏极层105靠近液晶层101设置，其中，低反射率材料层106为一层氮化硅膜，氮化硅膜设置在液晶层101和基层103之间，其中，氮化硅膜的厚度范围是的厚度范围是优选为可以将该氮化硅膜覆盖区域的反射率降低至4％～5％。
62.在一个实施例中，低反射率材料层106包括一层氮化硅膜和一层含钽氧化钼膜，此时，氮化硅膜的厚度与含钽氧化钼膜的厚度可以分别为氮化硅膜的厚度与含钽氧化钼膜的厚度可以分别为满足将覆盖区域的反射率降低至4％～5％的条件。
63.本技术实施例五提供的液晶面板，包括液晶层101、阵列基板、彩膜基板 102和低反射率材料层106，阵列基板包括基层103以及设置于基层103上的栅极驱动线层104和源漏极层105，栅极驱动线层104靠近基层103设置，源漏极层105靠近液晶层101设置，其中，低反射率材料层106为一层含钽氧化钼膜，含钽氧化钼膜设置在液晶层101和基层103之间，其中，含钽氧化钼膜的厚度范围是含钽氧化钼膜中钽的含量的范围是2％-6％，含钽氧化钼膜的厚度优选为含钽量优选为4％，可以将该含钽氧化钼膜覆盖区域的反射率降低至4％～5％。
64.参见图3，为本技术实施例六提供的液晶显示器的结构示意图，如图3所示，液晶显示器包括液晶面板10和背光模组11，液晶面板10包括液晶层101、阵列基板以及彩膜基板102，背光模组11设置于阵列基板的入光侧或者背光模组11设置于彩膜基板102的入光侧，其中，阵列基板包括基层103以及设置于基层103上的栅极驱动线层104和源漏极层105，其中，源漏极层105为阵列基板的源极和漏极所在的金属层。栅极驱动线层104靠近基层103设置，源漏极层105靠近液晶层101设置，即栅极驱动线层104相对于源漏极层105远离液晶层101，源漏极层105相对于栅极驱动线层104远离基层103。
65.液晶面板10还包括设置在液晶层101和基层103之间的低反射率材料层 106，低反射率材料层106包括一种膜层或者至少两种不同材料的膜层，膜层的厚度满足使低反射率材料层106覆盖区域的反射率降低至4％～5％。
66.在背光模组11设置于阵列基板的入光侧时，源漏极层105靠近液晶层101，栅极驱动线层104相对源漏极层105远离液晶层101，低反射率材料层106设置在液晶层101和源漏极层105之间；在彩膜基板102背向液晶层101的一侧设置第一偏光片107，第一偏光片107为
雾度小于3％的偏光片。
67.在背光模组11设置于彩膜基板102的入光侧时，源漏极层105靠近液晶层 101，栅极驱动线层104相对源漏极层105远离液晶层101，低反射率材料层106 设置在基层103和栅极驱动线层104之间；在基层103背向液晶层101的一侧设置第二偏光片108，第二偏光片108为雾度小于3％的偏光片。
68.背光模组11设置于阵列基板的入光侧或者背光模组11设置于彩膜基板 102的入光侧的情况下：
69.在一个实施例中，低反射率材料层106为一层非晶硅膜时，非晶硅膜的厚度范围是
70.在一个实施例中，低反射率材料层106为一层氮化硅膜时，氮化硅膜的厚度范围是
71.在一个实施例中，低反射率材料层106为一层含钽氧化钼膜时，含钽氧化钼膜的厚度范围是
72.在一个实施例中，低反射率材料层106包括层叠设置的非晶硅膜和氮化硅膜，非晶硅膜和氮化硅膜的厚度分别为或
73.低反射率材料层106包括层叠设置的氮化硅膜和含钽氧化钼膜，氮化硅膜和含钽氧化钼膜的厚度分别为或
74.低反射率材料层106包括层叠设置的非晶硅膜和含钽氧化钼膜，非晶硅膜和含钽氧化钼膜的厚度分别为
75.在一个实施例中，低反射率材料层106包括层叠设置的非晶硅膜、氮化硅膜和含钽氧化钼膜，非晶硅膜、氮化硅膜和含钽氧化钼膜的厚度分别为
76.以上所述实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本技术的保护范围之内。