一种液晶显示面板及显示装置的制作方法

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种液晶显示面板及显示装置。

背景技术：

就目前主流市场上的液晶显示器而言，可分为三种类型，分别是扭曲向列(twistednematic，tn)或超扭曲向列(supertwistednematic，stn)型，平面转换(in-planeswitching，ips)型及垂直配向(verticalalignment，va)型。其中va型液晶显示器相对其他种类的液晶显示器具有极高的对比度，一般可达到4000-8000，在大尺寸显示，如电视等方面具有非常广的应用，而ips型则具有相比于va型更加优异的色度可视角。

为了使va型液晶显示面板获得更好的色度可视角，改善色偏问题，通常会采取多畴va技术(multi-domainva，mva)，即将一个子像素划分成多个畴，并使每个畴中的液晶在施加电压后倒伏向不同的方向，从而使各个方向看到的效果趋于平均一致。实现mva技术的方法通常为将液晶显示面板中的各个子像素的像素电极制作成“米字型”图案，从而将所述像素电极对应的像素区划分成四个畴，四个畴内的像素电极分别形成有向不同方向延伸的像素电极分支与狭缝间隔的图案，其产生的倾斜电场可以诱导不同畴中的液晶分子倒向不同的方向，从而达到改善色度可视角的目的。

通过设置主/次两个4畴，利用压差调控，形成空间上的不同空间角，可改善色偏，即有了8畴的像素设计。但在8d的设计中，在tft区的左右两侧没有domain可以显示，在不同的视角下依然存在亮度差异，导致出现色偏。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种液晶显示面板及显示装置，旨在减小不同视角下的亮度差异，以减少色偏问题。

一方面，本实用新型提供一种液晶显示面板，包括像素结构，所述像素结构包括：

第一像素区，所述第一像素区包括多个畴；

第二像素区，所述第二像素区包括多个畴；

薄膜晶体管区，所述第一像素区和所述薄膜晶体管区位于所述第二像素区中。

进一步优选的，所述第二像素区包围所述第一像素区和所述薄膜晶体管区。

进一步优选的，所述第一像素区包括4个畴，所述第二像素区包括12个畴。

进一步优选的，在所述第二像素区的12个畴中，4个畴位于所述第一像素区的上方，4个畴位于所述第一像素区的下方，2个畴位于所述第一像素区的左方，2个畴位于所述第一像素区的右方。

进一步优选的，所述第一像素区围绕所述薄膜晶体管区的部分，所述第二像素区围绕所述薄膜晶体管区的剩余部分。

进一步优选的，所述第一像素区包括4个畴，所述第二像素区包括8个畴。

进一步优选的，在所述第二像素区的8个畴中，4个畴位于所述第一像素区的下方，2个畴位于所述第一像素区的左方，2个畴位于所述第一像素区的右方。

进一步优选的，所述第二像素区包括第二像素电极，所述第二像素区的多个畴中的第二像素电极相互连接。

进一步优选的，所述第一像素区包括第一像素电极，所述薄膜晶体管区包括：

第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的输出端与所述第一像素电极连接；

第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的输出端与所述第二像素电极连接；

第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的输入端与所述第二薄膜晶体管的输出端连接；

共享电极，所述共享电极与所述第三薄膜晶体管的输出端连接。

另一方面，本实用新型提供一种显示装置，包括上述任一项所述的液晶显示面板。

本实用新型的有益效果是：本实用新型提供一种液晶显示面板及显示装置，该像素结构包括第一像素区、第二像素区和薄膜晶体管区，第一像素区和第二像素区都包括多个畴。由于薄膜晶体管区被第一像素区和第二像素区包围，因此可以补偿薄膜晶体管区左右两侧的视角亮度，使得像素在不同视角下的亮度差异更小，可以提高像素的视角，进而减少色偏问题。

附图说明

下面结合附图，通过对本实用新型的具体实施方式详细描述，将使本实用新型的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1是本实用新型第一实施例提供的像素结构的结构示意图；

图2是本实用新型第一实施例提供的像素区和薄膜晶体管区的分布示意图；

图3是本实用新型第二实施例提供的像素结构的结构示意图；

图4是本实用新型第二实施例提供的像素区和薄膜晶体管区的分布示意图；

图5是本实用新型实施例提供的像素结构的电路示意图；

图6是本实用新型第二实施例提供的图3中区域a的放大结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本实用新型的不同结构。为了简化本实用新型的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本实用新型。此外，本实用新型可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本实用新型提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

请参阅图1，图1是本实用新型第一实施例提供的像素结构的结构示意图。多个像素结构10阵列排布成整个像素，每个像素结构10包括第一像素区11、第二像素区12和薄膜晶体管区13，所述第一像素区11包括多个畴，所述第二像素区12包括多个畴。薄膜晶体管区13被所述第一像素区11和第二像素区12包围，即薄膜晶体管区13的上下左右都有显示区，相比于传统八畴像素结构中主像素区和次像素区分别位于薄膜晶体管区的上下两侧，像素结构10能够提高从左右两侧观看时的亮度，因此能够减小不同视角下的亮度差异，进而减小色偏。

需要说明的是，图中虚线框标示的区域为第一像素区11，除了虚线框标示的范围和薄膜晶体管区13，其他区域都是第二像素区12。薄膜晶体管区13被所述第一像素区11和第二像素区12包围，是指薄膜晶体管区13的周围为第一像素区11和第二像素区12，或者说第一像素区11和第二像素区12一起包围薄膜晶体管区13。

请结合图2，图2是本实用新型第一实施例提供的像素区和薄膜晶体管区的分布示意图。在本实施例中，该第一像素区11为矩形、且与所述薄膜晶体管区13相邻。该第二像素区12为u型，第二像素区12正好与所述第一像素区11一起包围所述薄膜晶体管区13。也就是说第一像素区11围绕所述薄膜晶体管区13部分（其中三面），第二像素区12围绕所述薄膜晶体管区13的剩余部分（第四面）。

在本实施例中，该像素结构10为12畴的像素设计。第一像素区11包括4个畴，第一像素区11的4个畴位于所述薄膜晶体管区13的上方。第二像素区12包括8个畴，其中4个畴位于所述第一像素区11的下方，2个畴位于所述第一像素区11的左方，2个畴位于所述第一像素区11的右方。其中，第一像素区11包括第一像素电极111，第二像素区12包括第二像素电极121。第一像素区11中4个畴的第一像素电极111呈米字型设置，且第一像素区11中4个畴的第一像素电极111相互连接，第二像素区12中8个畴的第二像素电极121相互连接。

在本实施例中，第一像素区11可以为主像素区也可以为次像素区。第二像素区12可以为主像素区也可以为次像素区，且第一像素区11和第二像素区12是不同的像素区，这样才可以使得第一像素区11和第二像素区12对应的液晶分子的转动角度不同，从而扩大视角和改善色偏。

请参阅图3，图3是本实用新型第二实施例提供的像素结构的结构示意图。为了便于理解，本实施例中与上述实施例相同的结构使用相同的标号。该像素结构20与上述像素结构10的区别在于，第二像素区12不仅和第一像素区11一起包围所述薄膜晶体管区13，而且第二像素区12还包围第一像素区11和薄膜晶体管区13，即第一像素区11和薄膜晶体管区13都位于第二像素区12中。第一像素区11和第二像素区12中一个为主像素区，另一个为次像素区，且主像素区和次像素区对应的液晶分子的偏转角度不同，由于第二像素区12还包围第一像素区11，所以相比于像素结构10，本实施例中的像素结构20更进一步地扩大了视角和改善色偏。

请结合图4，图4是本实用新型第二实施例提供的像素区和薄膜晶体管区的分布示意图。该第一像素区11与薄膜晶体管区13相邻，第二像素区12包围第一像素区11和薄膜晶体管区13。

在本实施例中，该像素结构20为16畴的像素设计。第一像素区11包括4个畴，4个畴组成一个矩形。第二像素区12包括12个畴，这12个畴围成一个口字形，将第一像素区11和薄膜晶体管区13围在里面。在第二像素区的12个畴中，4个畴位于所述第一像素区的上方，4个畴位于所述第一像素区的下方，2个畴位于所述第一像素区的左方，2个畴位于所述第一像素区的右方。其中，第一像素区11包括第一像素电极111，第二像素区12包括第二像素电极121。第一像素区11中4个畴的第一像素电极111相互连接，第二像素区12中12个畴的第二像素电极121相互连接。

请参阅图5，图5是本实用新型实施例提供的像素结构的电路示意图。请同时结合图1和图3，该薄膜晶体管区13包括第一薄膜晶体管131、第二薄膜晶体管132和第三薄膜晶体管133。所述第一薄膜晶体管131的栅极1311与扫描线14连接，第一薄膜晶体管131的输入端1312（例如源极）与数据线15连接，第一薄膜晶体管131的输出端1313（例如漏极）与第一像素电极111连接。所述第二薄膜晶体管132的栅极1321与扫描线14连接，第二薄膜晶体管132的输入端1322（例如源极）与数据线15连接，第二薄膜晶体管132的输出端1323（例如漏极）与第二像素电极121连接。所述第三薄膜晶体管133为共享薄膜晶体管，第三薄膜晶体管133的栅极1331连接到扫描线14，第三薄膜晶体管133的输入端1332（例如源极）连接到第二薄膜晶体管132的输出端1323，第三薄膜晶体管133的输出端1333（例如漏极）连接到共享电极16。

在制程中，第一薄膜晶体管131的栅极1311、第二薄膜晶体管132的栅极1321、第三薄膜晶体管133的栅极1331和扫描线14可以通过同一层金属层制作。第一薄膜晶体管131的输入端1312和输出端1313，第二薄膜晶体管132的输入端1322和输出端1323，第三薄膜晶体管133的输入端1332和输出端1333，以及数据线15可以通过同一层金属层制作。第一像素电极111和第二像素电极121可以通过同一层金属层制作，第一像素电极111和第二像素电极121可以由氧化铟锡制成。其中，像素电极层位于薄膜晶体管层不在同一层，且在空间上像素电极层位于薄膜晶体管层的上面。

其中，第三薄膜晶体管133用于将第二像素电极121的电压分一部分到共享电极16，使第二像素电极121的电压低于第一像素电极111的电压，通过调控第一像素电极111和第二像素电极121的电压差，使第一像素电极111和第二像素电极121下方的液晶分子受到不同大小的电场作用，从而第一像素区11和第二像素区12对应的液晶分子的偏转角度不同，进而可以改善视角和色偏。

请结合图6，图6是本实用新型第二实施例提供的图3中区域a的放大结构示意图。第一薄膜晶体管131的输出端1313经由过孔1314与第一像素电极111连接，第二薄膜晶体管132的输出端1323经由过孔1324与第二像素电极121连接。由于第一像素区11中不同畴的第一像素电极111相互连接，第二像素区12中不同畴的第二像素电极121相互连接，所以第一薄膜晶体管131可以控制整个第一像素区11的第一像素电极111的电压，第二薄膜晶体管132可以控制整个第二像素区12的第二像素电极121的电压。共享电极16在一个像素结构的中间沿数据线15延伸，第三薄膜晶体管133的输出端1333从上下两个方向连接到共享电极16。

本实用新型实施例提供的液晶显示面板中，每个像素结构包括第一像素区11、第二像素区12和薄膜晶体管区13，所述第一像素区11和第二像素区12包括多个畴，所述薄膜晶体管区13被第一像素区11和第二像素区12包围，因此薄膜晶体管区13的周围都存在显示区，能够增加薄膜晶体管区13左右两侧的亮度，因此能够减小不同视角的亮度差异，进而减小色偏问题。

本实用新型实施例还提供一种显示装置，包括上述任一种液晶显示面板，因为该液晶显示面板包括上述像素结构10或20，因此该显示装置具有与上述像素结构10或20相同的有益效果，在此不再赘述。

以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例的技术方案的范围。