不同纤芯高度的多芯光纤阵列的制作方法

文档序号:27656058发布日期:2021-11-29 21:30阅读:82来源:国知局
不同纤芯高度的多芯光纤阵列的制作方法

1.本实用新型是关于一种多芯光纤阵列,特别是关于一种不同纤芯高度的多芯光纤阵列。


背景技术:

2.随着互联网和大数据的发展,大型数据中心的建设日益重要,数据中心由大量的服务器构成,在服务器之间需要进行大量的数据交换,光纤互连已经取代电子互连,成为数据中心最主要的互连技术。在超级计算机系统中,并行运算的机柜之间需要高速的数据交换,光纤互连也已替代电子互连。为了满足海量高速数据交换的需求,光纤互连技术中通常采用并行光纤传输模块。
3.目前,大型数据中心和超级计算机系统等相关应用对高密度光纤并行传输的技术要求比较高,现有的光纤阵列上的多芯光纤密度不足以满足现有的需求。因此,需要一种不同纤芯高度的多芯光纤阵列,来解决上述问题。
4.公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本实用新型的总体背景的理解,而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。


技术实现要素:

5.本实用新型的目的在于提供一种不同纤芯高度的多芯光纤阵列,其能够提升光纤阵列上多芯光纤密度的作用。
6.为实现上述目的,本实用新型提供了一种不同纤芯高度的多芯光纤阵列,包括基板、盖板和至少三根光纤,还包括第一v型槽和第二v型槽,所述基板上设置有多个第一v型槽,所述基板上相邻所述第一v型槽之间均设置有第二v型槽,所述盖板上设置有多个第二v型槽,所述盖板上相邻所述第二v型槽之间均设置有第一v型槽,所述基板上的第一v型槽与所述盖板上的第二v型槽相对应,所述光纤的一端位于所述基板的第一v型槽与盖板上对应的第二v型槽内或位于所述基板的第二v型槽与盖板上对应的第一v型槽内,相邻的所述三根光纤的中轴线不在同一平面上。
7.在一个或多个实施方式中,所述第一v型槽的槽角度和第二v型槽的槽角度相同,所述第一v型槽的深度大于或小于第二v型槽的深度。
8.在一个或多个实施方式中,所述光纤位于的第一v型槽和第二v型槽的对角线与间隔设置的光纤的中轴线所在的平面之间的夹角的角度为90
°

9.在一个或多个实施方式中,所述光纤位于的第一v型槽和第二v型槽的对角线与间隔设置的光纤的中轴线所在的平面之间的夹角的角度小于90
°

10.在一个或多个实施方式中,所述第一v型槽的深度与第二v型槽的深度相同,所述第一v型槽的槽角度大于或小于第二v型槽的槽角度。
11.在一个或多个实施方式中,所述光纤位于的第一v型槽和第二v型槽的对角线与间
隔设置的光纤的中轴线所在的平面之间的夹角的角度为90
°

12.在一个或多个实施方式中,所述光纤位于的第一v型槽和第二v型槽的对角线与间隔设置的光纤的中轴线所在的平面之间的夹角的角度小于90
°

13.与现有技术相比,根据本实用新型的中光纤的一端位于基板的第一v型槽与盖板上对应的第二v型槽内或位于基板的第二v型槽与盖板上对应的第一v型槽内,使相邻的三根光纤的中轴线不在同一平面上,使多芯光纤的一端呈波浪形交错紧密在光纤阵列中,从而达到提升光纤阵列上多芯光纤密度的作用。
附图说明
14.图1是根据本实用新型一实施方式的多芯光纤阵列的结构示意图;
15.图2是根据本实用新型一实施方式中放置槽的局部示意图;
16.图3是根据本实用新型一实施方式中放置槽的局部示意图;
17.图4是根据本实用新型一实施方式中放置槽的局部示意图;
18.图5是根据本实用新型一实施方式中放置槽的局部示意图;
19.图6是根据本实用新型一实施方式中放置槽的局部示意图;
20.图7是根据本实用新型一实施方式中放置槽的局部示意图。
21.主要附图标记说明:
22.1、基板;2、盖板;3、光纤;4、放置槽;41、第一v型槽;42、第二v型槽。
具体实施方式
23.下面结合附图,对本实用新型的具体实施方式进行详细描述,但应当理解本实用新型的保护范围并不受具体实施方式的限制。
24.除非另有其它明确表示,否则在整个说明书和权利要求书中,术语“包括”或其变换如“包含”或“包括有”等等将被理解为包括所陈述的元件或组成部分,而并未排除其它元件或其它组成部分。
25.如图1至图2所示,根据本实用新型一实施方式的一种不同纤芯高度的多芯光纤阵列,包括基板1、盖板2和多组光纤3(至少三根光纤3)。
26.一具体实施方式中,基板1上设置有多个第一v型槽41,基板1上相邻第一v型槽41之间均设置有第二v型槽42,基板1上的多个第一v型槽41和多个第二v型槽42相互交错连接呈线性分布在基板1上方。
27.盖板2上设置有多个第二v型槽42,盖板2上相邻第二v型槽42之间均设置有第一v型槽41,盖板2上的多个第二v型槽42和多个第一v型槽41相互交错连接呈线性分布在盖板2的下方。
28.在上述实施方式中,将盖板2盖在基板1上,使盖板2下方的一端的第二v型槽42正好与基板1上方一端的第一v型槽41相匹配,形成一个放置槽4,光纤3的一端位于放置槽4内,起到固定光纤3的作用。盖板2下方的第一v型槽41正好与基板1上方的第二v型槽42相匹配,又形成一个放置槽4,以此类推,盖板2和基板1之间形成多个放置槽4。多个光纤3的一端分别位于各个放置槽4内,且相邻的三个光纤3的中轴线不在同一平面上,即多个光纤3的一端呈波浪形分布在盖板2和基本之间。相比于现有技术中的,光纤3的一端常为直线形分布
在盖板2和基板1之间,呈波浪形放置的多个光纤3使光纤3之间的分布更加紧密,进而缩小多芯光纤阵列的体积。
29.一具体实施方式中,第一v型槽41的槽角度和第二v型槽42的槽角度相同时,如图2所示,第一v型槽41的深度小于第二v型槽42的深度,或者如图3所示,第一v型槽41的深度小于第二v型槽42的深度。满足上述条件之一,均可使多个光纤3呈波浪形分布。
30.一具体实施方式中,如图2所示,第一v型槽41的槽角度和第二v型槽42的槽角度相同时,每个光纤3位于的第一v型槽41和第二v型槽42的对角线与间隔设置的光纤3的中轴线所在的平面之间的夹角a的角度为90
°

31.一具体实施方式中,如图4所示,第一v型槽41的槽角度和第二v型槽42的槽角度相同时,每个光纤3位于的第一v型槽41和第二v型槽42的对角线与间隔设置的光纤3的中轴线所在的平面之间的夹角b的角度小于90
°
32.一具体实施方式中,如图5所示,第一v型槽41的深度与第二v型槽42的深度相同时,第一v型槽41的槽角度小于第二v型槽42的槽角度,或者如图6所示,第一v型槽41的槽角度大于第二v型槽42的槽角度。
33.一具体实施方式中,如图5所示,第一v型槽41的深度与第二v型槽42的深度相同时,每个光纤3位于的第一v型槽41和第二v型槽42的对角线与间隔设置的光纤3的中轴线所在的平面之间的夹角c的角度为90
°

34.一具体实施方式中,如图7所示,第一v型槽41的深度与第二v型槽42的深度相同时,每个光纤3位于的第一v型槽41和第二v型槽42的对角线与间隔设置的光纤3的中轴线所在的平面之间的夹角d的角度小于90
°

35.综上所述,光纤3的一端位于基板1的第一v型槽41与盖板2上对应的第二v型槽42内或位于基板1的第二v型槽42与盖板2上对应的第一v型槽41内,使相邻的三根光纤3的中轴线不在同一平面上,即使多芯光纤的一端呈波浪形交错紧密在光纤阵列中,从而达到提升光纤阵列上多芯光纤密度的作用。
36.前述对本实用新型的具体示例性实施方案的描述是为了说明和例证的目的。这些描述并非想将本实用新型限定为所公开的精确形式,并且很显然,根据上述教导,可以进行很多改变和变化。对示例性实施例进行选择和描述的目的在于解释本实用新型的特定原理及其实际应用,从而使得本领域的技术人员能够实现并利用本实用新型的各种不同的示例性实施方案以及各种不同的选择和改变。本实用新型的范围意在由权利要求书及其等同形式所限定。
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