光刻设备的制作方法

1.本实用新型涉及一种光刻设备，特别是涉及一种无版缝光刻设备。


背景技术：

2.现有的光刻设备在对一基材(如：金属滚轮或金属基板)的外表面的光阻层投影时，经常因为照射时的光束能量不一，使得形成于所述基材的所述外表面的光刻图像与原先预定的图像结构有所落差，进而导致所述光刻图像所呈现的色彩与色调不符合预设标准。故，如何通过对光刻设备的改良，来克服上述的缺陷，已成为该项事业所欲解决的重要课题之一。


技术实现要素：

3.本实用新型实施例针对现有技术的不足提供一种光刻设备，其能有效地改善现有光刻设备所可能产生的缺陷。
4.本实用新型的其中一个实施例公开一种光刻设备，用来对设置于一待光刻件的一外表面的一光阻层曝光，所述光刻设备包括：一曝光装置，用来投射一光束；一扩束器，其位置邻近于所述曝光装置，并且所述扩束器用来供所述光束通过，并使所述光束的直径扩大；一光衰减器，间隔地设置于所述扩束器相对远离所述曝光装置的一侧，并且所述光衰减器用来供所述光束通过；其中，所述光衰减器用来使所述光束的功率降低至少50％；一光栅，间隔地设置于所述光衰减器相对远离所述扩束器的一侧，并且所述光栅用来供所述光束通过并形成一图案化光束；以及一汇聚透镜，间隔地设置于所述光栅相对远离所述光衰减器的一侧，并且所述汇聚透镜用来供所述图案化光束通过；其中，所述图案化光束能通过所述汇聚透镜被汇集，并且被投射于所述光阻层。
5.优选地，所述曝光装置包含多个发光二极管，多个所述发光二极管用来发出波长范围200纳米至400纳米的紫外光。
6.优选地，所述曝光装置包含多个雷射二极管，多个所述雷射二极管用来发出波长范围300纳米至450纳米的雷射光。
7.优选地，所述扩束器沿所述曝光装置朝所述光衰减器的方向依序进一步包含一物镜、一光圈组、及一凸透镜。
8.优选地，所述物镜与所述光圈组之间的距离大于所述凸透镜与所述光圈组之间的距离。
9.优选地，所述物镜与所述光圈组之间的距离大于所述物镜与所述曝光装置之间的距离。
10.优选地，所述光衰减器包含一衰减片，其能用来使通过所述光衰减器的所述光束的功率图呈现高斯图形。
11.优选地，所述光栅进一步包含多个金属基板、位于相邻的任两个所述金属基板之间的多个容纳部、及设置于多个所述容纳部的多个透光件。
12.优选地，每个所述容纳部具有一容纳深度及一容纳宽度，并且所述容纳深度及所述容纳宽度分别介于0.4微米至1.0微米之间。
13.优选地，所述汇聚透镜能用来与所述光阻层间隔有一汇聚距离，并且所述汇聚距离小于所述光栅与所述汇聚透镜之间的距离。
14.本实用新型的其中一有益效果在于，本实用新型所提供的所述光刻设备，其能通过“所述光衰减器间隔地设置于所述扩束器相对远离所述曝光装置的一侧，并且所述光衰减器用来使所述光束的功率降低至少50％”的技术方案，使所述光阻层能用来呈现更加亮丽的颜色与图像，并避免所述光刻设备照射时碰撞到所述待光刻件。
15.为能更进一步了解本实用新型的特征及技术内容，请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图，但是此等说明与附图仅用来说明本实用新型，而非对本实用新型的保护范围作任何的限制。
附图说明
16.图1为本实用新型实施例的光刻设备的侧视示意图。
17.图2为本实用新型实施例的光刻设备的另一侧视示意图。
18.图3为本实用新型实施例的光栅的立体示意图。
19.图4为本实用新型实施例的光栅的俯视示意图。
具体实施方式
20.以下是通过特定的具体实施例来说明本实用新型所公开有关“光刻设备”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本实用新型的优点与效果。本实用新型可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不背离本实用新型的构思下进行各种修改与变更。另外，本实用新型的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。此外，以下如有指出请参阅特定图式或是如特定图式所示，其仅是用以强调于后续说明中，所述及的相关内容大部份出现于该特定图式中，但不限制该后续说明中仅可参考所述特定图式。以下的实施方式将进一步详细说明本实用新型的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本实用新型的保护范围。
21.应当可以理解的是，虽然本文中可能会使用到“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种组件或者信号，但这些组件或者信号不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一组件与另一组件，或者一信号与另一信号。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
22.请参阅图1至图4所示，其为本实用新型的实施例，需先说明的是，本实施例所对应到的附图及其所提及的相关数量与外形，仅用来具体地说明本实用新型的实施方式，以便于了解本实用新型的内容，而非用来局限本实用新型的保护范围。
23.如图1所示，本实用新型实施例提供一种光刻设备100，用来对设置于一待光刻件200的一外表面201的一光阻层202曝光，并且所述待光刻件200于本实施例中较佳为一金属滚轮，但本实用新型并不限于此。举例来说，于本实用新型未绘示的其他实施例中，所述待光刻件200也可以是一金属平板。
24.需要说明的是，所述金属滚轮与所述金属平板较佳由不锈钢制成，但本实用新型并不限于此。举例来说，所述金属滚轮与所述金属平板也可以由锡、铅、锌、铝、铜、黄铜、铁、镍、钴、钨、铬或其硬度大于铬的金属制成，而所述金属滚轮与所述金属平板的尺寸也能以依需求进行设计。
25.需要说明的是，所述光阻层202于本实施例中由正光阻剂形成，其可以是由酚醛树脂(phenol
‑
formaldehyde resin)或环氧树脂(epoxy resin)等正光阻剂材料制成，但本实用新型并不限于此。举例来说，所述光阻层202也可以由聚异戊二烯橡胶(polyisoprene rubber)、环氧基聚合物(epoxy
‑
based polymer)、或硫醇烯聚合物(thiol
‑
enes(oste)polymer)等负光阻剂材料制成。
26.如图1所示，所述光刻设备100包括一曝光装置1、位置邻近于所述曝光装置1的一扩束器2、间隔地设置于所述扩束器2相对远离所述曝光装置1的一侧的一光衰减器3、间隔地设置于所述光衰减器3相对远离所述扩束器2的一侧的一光栅4、以及间隔地设置于所述光栅4相对远离所述光衰减器3的一侧的一汇聚透镜5，但本实用新型并不限于此。举例来说，如图2所示，所述光刻设备100也可以进一步包含一反射装置6，其间隔地设置于所述扩束器2相对远离所述曝光装置1的一侧。
27.需要说明的是，当所述光刻设备100包含所述反射装置6时，所述光刻设备100包含的其他组件能依实际需求以调整相对位置，进而节省所述设备100占用的空间。
28.如图1所示，所述曝光装置1用来投射一光束，并且所述曝光装置1包含多个发光二极管(图未绘)，其用来发出波长范围200纳米至400纳米的紫外光，但本实用新型并不限于此。举例来说，于本实用新型的其他实施例中，所述曝光装置1也可以包含多个雷射二极管，其用来发出波长范围300纳米至450纳米的雷射光。
29.需要说明的是，当多个所述发光二极管是用来发出紫外光时，多个所述发光二极管较佳用来发出波长365纳米的紫外光；当多个所述发光二极管是用来发出雷射光时，多个所述发光二极管较佳用来发出波长405纳米的雷射光。
30.如图1所示，所述扩束器2用来供所述光束通过，并使所述光束的直径扩大。其中，所述扩束器2沿所述曝光装置1朝所述光衰减器3的方向依序进一步包含一物镜21、一光圈组22、及一凸透镜23，并且所述物镜21与所述光圈组22之间的距离大于所述凸透镜23与所述光圈组22之间的距离，而所述物镜21与所述光圈组22之间的距离大于所述物镜21与所述曝光装置1之间的距离。
31.进一步地说，于本实施例中，所述物镜21与所述光圈组22之间的距离为所述凸透镜23与所述光圈组22之间的距离的1.1倍至2倍，而所述物镜21与所述光圈组22之间的距离为所述物镜21与所述曝光装置1之间的距离的2倍至3倍。
32.如图1所示，所述光衰减器3用来供所述光束通过，并且所述光衰减器3还用来使所述光束的功率降低至少50％。具体来说，所述光衰减器3包含一衰减片31，其能用来使通过所述光衰减器3的所述光束的功率图呈现高斯图形。
33.如图3及图4所示，所述光栅4包含多个金属基板41、位于相邻的任两个所述金属基板41之间的多个容纳部42、及设置于多个所述容纳部42的多个透光件43，并且每个所述容纳部42具有一容纳深度d及一容纳宽度w，而所述容纳深度d及所述容纳宽度w分别介于0.4微米至1.0微米之间。其中，所述光栅4用来供所述光束通过并形成一图案化光束。
34.具体来说，于本实施例中，相邻的任两个所述金属基板41之间设置有一个所述透光件43，但本实用新型并不限于此。举例来说，于本实用新型未绘示的其他实施例中，相邻的任两个所述金属基板41之间也可以依需求设置有两个以上的所述透光件43。
35.需要说明的是，所述金属基板41于本实施例中较佳由铜制成，而多个所述透光件43较佳由光固树脂制成，但本实用新型并不限于此。举例来说，于本实用新型的其他实施例中，所述金属基板41也可以由不锈钢、锡、铅、锌、铝等金属制成，而多个所述透光件43也可以是由玻璃等透明材质制成。
36.如图1所示，所述汇聚透镜5用来供所述图案化光束通过，并且所述图案化光束能通过所述汇聚透镜5被汇集，并且被投射于所述光阻层202。其中，所述汇聚透镜5能用来与所述光阻层202间隔有一汇聚距离l，并且所述汇聚距离l小于所述光栅4与所述汇聚透镜5之间的距离。
37.[实施例的有益效果]
[0038]
本实用新型的其中一有益效果在于，本实用新型所提供的所述光刻设备100，其能通过“所述光衰减器3间隔地设置于所述扩束器2相对远离所述曝光装置1的一侧，并且所述光衰减器3用来使所述光束的功率降低至少50％”的技术方案，使所述光阻层202能用来呈现更加亮丽的颜色与图像，并避免所述光刻设备100照射时碰撞到所述待光刻件200。
[0039]
以上所公开的内容仅为本实用新型的优选可行实施例，并非因此局限本实用新型的申请专利范围，所以凡是运用本实用新型说明书及图式内容所做的等效技术变化，均包含于本实用新型的申请专利范围内。