技术特征：
1.一种用于euv投射曝光设备(1)的光学元件，具有：1.1.用于指定弯曲的基本形貌的衬底(20)，1.2.施加在所述衬底(20)上的至少一个第一成形层(221)，具有根据指定的层厚度分布(d1v(s))的层厚度(d1(s))，以及1.1.euv辐射反：射层(37)，1.3.其中，所述成形层(221)被结构化以形成具有底部区域、前侧和侧面的光栅结构，1.4.其中，从所述底部区域到所述侧面的过渡具有至多5μm的曲率半径，并且1.5.其中，所述euv辐射反射层(37)至少被施加至所述光栅结构的所述底部区域和所述前侧。2.根据权利要求1所述的光学元件，其特征在于，在每种情况下所述层厚度(d1)与指定的层厚度(dv1)的最大偏差至多为50nm。3.根据前述权利要求中任一项所述的光学元件，其特征在于，所述底部区域具有至多0.5nm rms的表面粗糙度。4.根据前述权利要求中任一项所述的光学元件，其特征在于，所述底部区域的表面粗糙度比所述前侧的表面粗糙度大至多20％。5.根据前述权利要求中任一项所述的光学元件，其特征在于，蚀刻停止层(231)布置在所述衬底(20)和所述成形层(221)之间。6.根据前述权利要求中任一项所述的光学元件，其特征在于，俯视图中所述侧面的面积的比例至多为所述光学元件的总表面积的2％。7.根据前述权利要求中任一项所述的光学元件，其特征在于，所述成形层(221)具有纳米叠层。8.根据前述权利要求中任一项所述的光学元件作为光谱滤波器的用途。9.一种生产用于euv投射曝光设备(1)的光学元件的方法，包括以下步骤：9.1.提供具有基本形貌的衬底(20)，9.2.将成形层(221)施加到所述衬底(20)上，所述成形层具有根据指定的层厚度分布(d1v(s))的层厚度(d1(s))，9.3.施加蚀刻停止层(231)，其中所述蚀刻停止层(231)施加在所述成形层(221)下方，9.4.其中，所述成形层(221、222)在施加到所述衬底(20)上之后立即具有至多0.5nm rms的表面粗糙度，9.5.其中，所有层都以真空方法施加，其中在各个层的施加步骤之间维持真空。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，施加所述成形层(221、222)以使得其层厚度(d1)与指定的层厚度(d1v)相差至多1％。11.根据权利要求9或10所述的方法，其特征在于，使用粗糙度保持方法或平滑方法来施加所述成形层(221、222)。12.根据权利要求9至11中任一项所述的方法，其特征在于，至少两个成形层(221、222)被施加到所述衬底(20)上，每个所述成形层通过蚀刻停止层(231)彼此分离。13.根据权利要求9至13中任一项所述的方法，其特征在于，仅包括增材步骤(21、36)和选择性结构化步骤(25、32)。
技术总结
本发明涉及一种生产用于EUV投射曝光设备的光学元件的方法，其中，成形层(221)被施加到衬底(20)上，使得所述成形层在被施加到衬底(20)上之后立即具有至多0.5nm rms的表面粗糙度。度。度。
技术研发人员：H.恩基什 S.霍夫曼 J.韦伯 S.斯特罗贝尔 M.里博夫 C.诺特博姆 M.斯特姆 M.克劳斯
受保护的技术使用者：卡尔蔡司SMT有限责任公司
技术研发日：2021.06.08
技术公布日：2023/3/31