量测目标仿真的制作方法

文档序号:35422919发布日期:2023-09-13 11:07阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种对具有多层结构的量测目标的电磁响应进行仿真的计算机实施的方法,所述多层结构包括第一光栅和第二光栅,其中,在所述多层结构中,所述第二光栅位于所述第一光栅下方,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的计算机实施的方法,包括:

3.根据权利要求2所述的计算机实施的方法,其中,所述第一分块对角矩阵包括多个散射矩阵,所述多个散射矩阵中的每个散射矩阵响应于对以相应的入射角入射在所述第一光栅的上表面上的光和以相应的角度入射在所述第一光栅的下表面上的光进行仿真而限定所述第一光栅的透射特性和反射特性。

4.根据权利要求2或3所述的计算机实施的方法,其中,所述第一分块对角矩阵包括所述第一预定数量的散射矩阵。

5.根据前述权利要求中任一项所述的计算机实施的方法,包括:

6.根据权利要求5所述的计算机实施的方法,其中,所述第二分块对角矩阵包括多个散射矩阵,所述第二分块对角矩阵的所述多个散射矩阵中的每个散射矩阵响应于对以相应的入射角入射在所述第二光栅的上表面上的光进行仿真而限定所述第二光栅的透射特性和反射特性。

7.根据权利要求5或6所述的计算机实施的方法,其中,第二分块对角矩阵包括所述第二预定数量的散射矩阵。

8.根据前述权利要求中任一项所述的计算机实施的方法,

9.根据权利要求8所述的计算机实施的方法,其中,组合所述第一散射矩阵和所述第二散射矩阵包括:对通过从单位矩阵减去所述第三散射矩阵分量和所述第六散射矩阵分量的乘积而获得的矩阵执行矩阵求逆。

10.根据权利要求8所述的计算机实施的方法,其中,组合所述第一散射矩阵和所述第二散射矩阵包括:对通过从单位矩阵减去所述第三散射矩阵分量和所述第六散射矩阵分量的乘积而获得的矩阵的矩阵求逆进行近似。

11.根据权利要求10所述的计算机实施的方法,其中,对所述矩阵求逆进行近似包括:使用几何级数。

12.根据权利要求10所述的计算机实施的方法,其中,对所述矩阵求逆进行近似包括:使用迭代求解器。

13.根据前述权利要求中任一项所述的计算机实施的方法,其中,限定所述多层结构的散射特性和反射特性的散射矩阵是由所述第一散射矩阵和所述第二散射矩阵的redheffer乘积生成的。

14.根据前述权利要求中任一项所述的计算机实施的方法,还包括:使用限定所述多层结构的透射特性和反射特性的所述散射矩阵来确定与所述量测目标的所述电磁响应相关联的一个或更多个参数

15.根据前述权利要求中任一项所述的计算机实施的方法,其中,所述第一预定数量的光栅线多于所述第二预定数量的光栅线,使得所述第一节距小于所述第二节距。


技术总结
一种对量测目标的电磁响应进行仿真的方法,该量测目标包括第一光栅和第二光栅,其中,该第二光栅位于该第一光栅下方,该方法包括:接收模型,该模型(i)将该第一光栅限定为在节距内具有第一数量的光栅线,该第一数量的光栅线中的每条光栅线相隔第一节距;以及(ii)将该第二光栅限定为在该节距内具有第二数量的光栅线,该第二预定数量的光栅线中的每条光栅线相隔第二节距;使用该模型和该第一节距来仿真该第一光栅的特性,并且生成第一散射矩阵;使用该模型和该第二节距来仿真该第二光栅的特性,并且生成第二散射矩阵;以及通过组合该第一散射矩阵和该第二散射矩阵,生成限定该量测目标的特性的散射矩阵。

技术研发人员:M·G·M·M·范卡拉埃吉
受保护的技术使用者:ASML荷兰有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
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