低护槽体积单模超低损耗光纤的制作方法

文档序号:35624562发布日期:2023-10-05 20:40阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种单模光纤,包括:

2.如权利要求1所述的光纤,其特征在于,第二环形芯区域的所述体积v为0%δμm2至9%δμm2。

3.如权利要求1所述的光纤,其特征在于,第二环形芯区域的所述体积v为4%δμm2至9%δμm2。

4.如权利要求1所述的光纤,其特征在于,第二环形芯区域的所述体积v为2%δμm2至7%δμm2。

5.如权利要求1所述的光纤,其特征在于,第二环形芯区域的所述体积v为2%δμm2至9%δμm2。

6.如权利要求1所述的光纤,其特征在于,当所述光纤缠绕在30mm直径的芯轴上时表现出小于0.75db/圈的宏弯曲损耗。

7.如权利要求1所述的光纤,其特征在于,当所述光纤缠绕在40mm直径的芯轴上时表现出小于0.5db/圈的宏弯曲损耗。

8.如权利要求1所述的光纤,其特征在于,当所述光纤缠绕在50mm直径的芯轴上时表现出小于0.05db/圈的宏弯曲损耗。

9.如权利要求1所述的光纤,其特征在于,当所述光纤缠绕在60mm直径的芯轴上时表现出小于0.005db/圈的宏弯曲损耗。

10.如权利要求1所述的光纤,其特征在于,1≤r2/r1≤9,r1≤8μm并且r2≤20μm。

11.如权利要求1所述的光纤,其特征在于,2.5≤r2/r1≤5。

12.如权利要求1所述的光纤,其特征在于,所述光纤表现出零色散波长λ0,并且1300nm≤λ0≤1324nm。

13.如权利要求1所述的光纤,其特征在于,所述光纤表现出小于或等于1db/km的微弯曲损耗。

14.一种单模光纤,包括:

15.如权利要求14所述的光纤,其特征在于,第二环形芯区域的所述体积v为0%δμm2至9%δμm2。

16.如权利要求14所述的光纤,其特征在于,第二环形芯区域的所述体积v为4%δμm2至9%δμm2。

17.如权利要求14所述的光纤,其特征在于,第二环形芯区域的所述体积v为2%δμm2至7%δμm2。

18.如权利要求14所述的光纤,其特征在于,第二环形芯区域的所述体积v为2%δμm2至9%δμm2。

19.如权利要求14所述的光纤,其特征在于,当所述光纤缠绕在60mm直径的芯轴上时表现出小于0.005db/圈的弯曲损耗。

20.如权利要求14所述的光纤,其特征在于,当所述光纤缠绕在30mm直径的芯轴上时表现出小于0.75db/圈的宏弯曲损耗。

21.如权利要求14所述的光纤,其特征在于,当所述光纤缠绕在40mm直径的芯轴上时表现出小于0.5db/圈的宏弯曲损耗。

22.如权利要求14所述的光纤,其特征在于,当所述光纤缠绕在50mm直径的芯轴上时表现出小于0.05db/圈的宏弯曲损耗。

23.如权利要求14所述的光纤,其特征在于,1≤r2/r1≤9,r1≤8μm并且r2≤20μm。

24.如权利要求14所述的光纤,其特征在于,2.5≤r2/r1≤5。

25.如权利要求14所述的光纤,其特征在于,所述光纤表现出零色散波长λ0,并且1300nm≤λ0≤1324nm。

26.如权利要求14所述的光纤,其特征在于,所述光纤表现出小于或等于1db/km的微弯曲损耗。


技术总结
本公开的实施例包括低护槽体积单模超低损耗光纤。在一些实施例中,单模光纤包括:第一芯区域;第二芯区域,围绕第一芯区域并与第一芯区域直接接触,其中第二芯区域的体积V小于或等于14%Δμm<supgt;2</supgt;;包层区域,围绕芯区域;并且其中光纤具有小于1260nm的线缆截止、1310nm下8.6微米至9.7微米的模场直径、1550nm下9.9微米至11微米的模场直径、以及1550nm下小于或等于0.17dB/km的衰减。

技术研发人员:P·G·海博根,H·B·马修斯三世,S·K·米什拉
受保护的技术使用者:康宁股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
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