显示面板及显示装置的制作方法

显示面板及显示装置
【技术领域】
1.本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。


背景技术：

2.对于液晶显示面板而言，开口率是衡量面板性能的一个重要指标，而开口率的大小则与显示面板中黑矩阵的覆盖面积相关。
3.黑矩阵通常位于对盒基板，用于遮挡阵列基板中的金属层和有源层，以避免这部分膜层反光。然而，在现有技术中，基于阵列基板中控制晶体管的有源层的结构，黑矩阵需要具有较大的覆盖面积才能将其覆盖，这就导致显示面板的开口率较低，不利于优化面板性能。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本发明实施例提供了一种显示面板及显示装置，用以提高显示面板的开口率。
5.一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括：
6.沿第一方向延伸的栅线和沿第二方向延伸的数据线，所述栅线和所述数据线交叉限定出多个子像素，所述子像素包括控制晶体管和像素电极，所述控制晶体管电连接在所述数据线和所述像素电极之间；
7.黑矩阵，所述黑矩阵包括第一遮挡部、第二遮挡部和第三遮挡部，其中，所述第一遮挡部沿所述第一方向延伸，所述第二遮挡部沿所述第二方向延伸，所述第三遮挡部在所述第一方向的两侧分别与两个所述第一遮挡部相连，所述第三遮挡部在所述第二方向上的两侧分别与两个所述第二遮挡部相连；
8.其中，所述控制晶体管包括第一类控制晶体管，所述第一类控制晶体管包括串联的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管包括第一有源层，所述第二晶体管包括第二有源层，所述第二有源层的延伸方向与所述第一有源层的延伸方向与之间的角度为θ，0
°
＜θ＜180
°
，且θ≠90
°
；
9.在垂直所述显示面板所在平面的方向上，所述第三遮挡部与所述第一有源层和/或所述第二有源层交叠。
10.另一方面，本发明实施例提供了一种显示装置，包括上述显示面板。
11.上述技术方案中的一个技术方案具有如下有益效果：
12.在本发明实施例中，通过将第一晶体管中第一有源层的延伸方向与第二晶体管中第二有源层的延伸方向之间的角度设置在0
°
～180
°
之间，且不包括90
°
，可以使控制晶体管中的有源层呈指针型结构。相较于现有的u型结构和l型结构，指针型结构的有源层所需占用的横向长度较小，相邻两个有源层之间会间隔较大距离。如此一来，在设计黑矩阵时，相邻两个第三遮挡部之间就可以有足够的空间去设置一段用于对栅线进行遮挡的、纵向宽度很小的第一遮挡部，黑矩阵中沿第一方向延伸的部分无需再设置成一个纵向宽度很大的遮
光条。示例性的，在现有技术中，黑矩阵中沿横向延伸的部分的纵向宽度一般在12μm～25μm左右，而在本发明实施例中，第一遮挡部的纵向宽度仅需与栅线的线宽相近，例如仅在3μm即可，从而有效减小了黑矩阵的覆盖面积，提高了显示面板的开口率。
【附图说明】
13.为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
14.图1为现有技术中显示面板的一种膜层结构示意图；
15.图2为现有技术中显示面板的另一种膜层结构示意图；
16.图3为本发明实施例所提供的显示面板的一种结构示意图；
17.图4为本发明实施例所提供的显示面板的一种膜层结构示意图；
18.图5为图4的局部放大示意图；
19.图6为本发明实施例所提供的控制晶体管的另一种结构示意图；
20.图7为本发明实施例所提供的显示面板的一种截面示意图；
21.图8为本发明实施例所提供的显示面板的另一种结构示意图；
22.图9为本发明实施例所提供的控制晶体管的再一种结构示意图；
23.图10为本发明实施例所提供的控制晶体管的又一种结构示意图；
24.图11为本发明实施例所提供的第三遮光层的又一种结构示意图；
25.图12为本发明实施例所提供的显示面板的一种俯视图；
26.图13为本发明实施例所提供的全部控制晶体管中有源层均采用u型设计时显示面板的一种结构示意图；
27.图14为本发明实施例所提供的全部控制晶体管中有源层均采用指针型设计时显示面板的一种结构示意图；
28.图15为本发明实施例所提供的部分控制晶体管中有源层采用指针型设计时显示面板的一种结构示意图；
29.图16为本发明实施例所提供的显示装置的一种结构示意图。
【具体实施方式】
30.为了更好的理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。
31.应当明确，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
32.在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
33.应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种
情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
34.应当理解，尽管在本发明实施例中可能采用术语第一、第二、第三来描述遮挡部，但这些遮挡部不应限于这些术语，这些术语仅用来将遮挡部彼此区分开。例如，在不脱离本发明实施例范围的情况下，第一遮挡部也可以被称为第二遮挡部，类似地，第二遮挡部也可以被称为第一遮挡部。
35.在阐述本发明实施例所提供的技术方案之前，本发明首先对现有技术中存在的问题进行说明：
36.显示面板包括相对设置的阵列基板和对盒基板，阵列基板包括多个子像素，如图1和图2所示，图1为现有技术中显示面板的一种膜层结构示意图，图2为现有技术中显示面板的另一种膜层结构示意图，子像素包括控制晶体管1'和像素电极2'，控制晶体管1'用于响应栅线gate'提供的扫描信号，将数据线data'提供的数据信号传输至像素电极2'中，进而使像素电极2'与公共电极之间形成电场，驱动液晶分子旋转。
37.在现有技术中，为降低控制晶体管1'的漏电流，通常将控制晶体管1'设置为双栅结构，即，控制晶体管1'包括串联设置的两个晶体管。对于该类控制晶体管1'，控制晶体管1'中的有源层3'通常呈图1所示的u型设计，或者采用图2所示的l型设计。
38.然而，当有源层3'采用上述结构时，有源层3'所占用的横向长度l1'较大，相邻两个有源层3'之间的间隔很小。如此一来，在设计黑矩阵4'时，黑矩阵4'中沿横向延伸的那部分就需要设计成一条纵向宽度l2'很大的遮光条，进而导致黑矩阵4'整体的覆盖面积较大，影响了显示面板的开口率。
39.对此，本发明实施例提供了一种显示面板，如图3所示，图3为本发明实施例所提供的显示面板的一种结构示意图，显示面板包括沿第一方向延伸的栅线gate和沿第二方向延伸的数据线data，栅线gate和数据线data交叉限定出多个子像素1，子像素1包括控制晶体管2和像素电极3，控制晶体管2电连接在数据线data和像素电极3之间，用于响应栅线gate提供的扫描信号，将数据线data提供的数据信号传输至与其电连接的像素电极3中。
40.如图4和图5所示，图4为本发明实施例所提供的显示面板的一种膜层结构示意图，图5为图4的局部放大示意图，显示面板还包括黑矩阵4，黑矩阵4包括第一遮挡部5、第二遮挡部6和第三遮挡部7，其中，第一遮挡部5沿第一方向延伸，第二遮挡部6沿第二方向延伸，第三遮挡部7在第一方向的两侧分别与两个第一遮挡部5相连，第三遮挡部7在第二方向上的两侧分别与两个第二遮挡部6相连。
41.需要说明的是，本发明实施例所述的第二方向指的是数据线data整体的一个纵向延伸方向。本发明实施例中的数据线data可以呈纵向的直线延伸，也可以呈纵向的折线延伸。当数据线data呈纵向的折线延伸时，从局部来看，数据线data可能会存在弯折。第三遮挡部7在第二方向的两侧分别与两个第二遮挡部6相连可以理解为第三遮挡部7在纵向上的两侧分别与两个第二遮挡部6相连。
42.此外，还需要说明的是，上述第一遮挡部5沿着栅线gate的延伸方向进行延伸，在垂直显示面板所在平面的方向上，第一遮挡部5与栅线gate交叠，用于对栅线gate进行遮挡，防止栅线gate反光；第二遮挡部6沿着数据线data的延伸方向进行延伸，在垂直显示面板所在平面的方向上，第二遮挡部6与数据线data交叠，用于对数据线data进行遮挡，防止数据线data反光。
43.结合图2～图5，为减小控制晶体管2的漏流，控制晶体管2包括第一类控制晶体管8，第一类控制晶体管8包括串联的第一晶体管9和第二晶体管10，也即第一类控制晶体管8为双栅结构。其中，第一晶体管9包括第一有源层11，第二晶体管10包括第二有源层12，第二有源层12的延伸方向与第一有源层11的延伸方向与之间的角度为θ，0
°
＜θ＜180
°
，且θ≠90
°
。在垂直显示面板所在平面的方向上，第三遮挡部7与第一有源层11和/或第二有源层12交叠。
44.在本发明实施例中，通过将第一晶体管9中第一有源层11的延伸方向与第二晶体管10中第二有源层12的延伸方向之间的角度设置在0
°
～180
°
之间，且不包括90
°
，可以使控制晶体管2中的有源层呈指针型结构。结合图4，相较于现有的u型结构和l型结构，指针型结构的有源层所需占用的横向长度l1较小，相邻两个有源层之间会间隔较大距离。如此一来，在设计黑矩阵4时，相邻两个第三遮挡部7之间就可以有足够的空间去设置一段用于对栅线gate进行遮挡的、纵向宽度l2很小的第一遮挡部5，黑矩阵4中沿第一方向延伸的部分无需再设置成一个纵向宽度很大的遮光条。示例性的，在现有技术中，黑矩阵中沿横向延伸的部分的纵向宽度l2'一般在12μm～25μm左右，而在本发明实施例中，第一遮挡部5的纵向宽度l2仅需与栅线gate的线宽相近，例如仅在3μm即可，从而有效减小了黑矩阵4的覆盖面积，提高了显示面板的开口率。
45.此外，还需要说明的是，对于像素密度比较低的显示面板来说，相邻两个子像素1之间的距离较大，当控制晶体管2中的有源层采用指针型结构时，相应的，第一遮挡部5的延伸长度也就能设置的更大一些，因而对第一遮挡部5纵向宽度的把控在工艺上更易实现。
46.在一种可行的实施方式中，参见图5，第一有源层11沿第二方向延伸，即，第一有源层11沿着数据线data的延伸方向进行延伸。如此设置，在θ一定时，呈指针型结构的有源层在第一方向上所需占用的长度更小，相应的，两个第三遮挡部7之间所能设置的第一遮挡部5的延伸长度也就更长，进一步减小了黑矩阵4的覆盖面积。
47.此外，参见图5，当第一有源层11沿第二方向延伸时，为进一步减小第一有源层11和数据线data这两部分结构在第一方向上所需占用的总宽度，在垂直显示面板所在平面的方向上，还可以使第一有源层11与数据线data交叠，此时，该位置处的黑矩阵4无需设置的过宽就能对数据线data和第一有源层11进行遮挡，进一步减小了黑矩阵4的覆盖面积。
48.在一种可行的实施方式中，参见图5，第一有源层11包括第一源极s1、第一沟道p1和第一漏极d1，第二有源层12包括第二源极s2、第二沟道p2和第二漏极d2，其中，第一源极s1与数据线data电连接，第一漏极d1与第二源极s2电连接，第二漏极d2与像素电极3电连接。在垂直显示面板所在平面的方向上，第三遮挡部7至少覆盖第一源极s1、第一沟道p1、第二沟道p2和第二漏极d2。
49.对于晶体管结构，当光照射到沟道中时，沟道内会产生光生载流子，该光生载流子会加速沟道原有载流子的传输速率，对晶体管的开启性能产生影响。在本发明实施例中，通过令第三遮挡部7覆盖第一晶体管9的第一沟道p1和第二晶体管10的第二沟道p2，可以避免外界环境光照射到两个晶体管的沟道中，进而避免对两个晶体管的器件性能产生影响。
50.此外，相对于第一晶体管9的第一漏极d1，第一晶体管9的第一源极s1通常需要设计为更大尺寸以通过过孔与数据线data电连接，同理，相对于第二晶体管10的第二源极s2，第二晶体管10的第二漏极d2通常也需要设计为更大尺寸以通过过孔与像素电极3电连接。
为此，在本发明实施例中，通过令第三遮挡部7还覆盖第一源极s1和第二漏极d2，可以使黑矩阵4对控制晶体管2中的有源层进行更大面积的覆盖，降低有源层反光的风险。
51.此外，还需要说明的是，结合图7，显示面板包括相对设置的阵列基板13和对盒基板14。栅线gate、数据线data、控制晶体管2和像素电极3具体可位于阵列基板13朝向对盒基板14的一侧，黑矩阵4具体可位于对盒基板14朝向阵列基板13的一侧。在本发明其它可选的实施例中，第一有源层11和第二有源层12背向对盒基板14的一侧还可进一步设置挡光层，在垂直显示面板所在平面的方向上，挡光层覆盖第一有源层11中的第一沟道p1和第二有源层12中的第二沟道p2，用以遮挡经由显示面板背侧入射的光线，避免这部分光线照射到晶体管的沟道中对晶体管的器件性能产生影响。
52.在一种可行的实施方式中，参见图5，在垂直显示面板所在平面的方向上，第三遮挡部7覆盖第一有源层11和第二有源层12，以实现控制晶体管2中有源层的全覆盖，进一步避免有源层反光，降低显示面板反射率。
53.在一种可行的实施方式中，参见图5，90
°
＜θ＜180
°
。第一晶体管9包括第一栅极g1，第二晶体管10包括第二栅极g2，其中，第一栅极g1与栅线gate的部分膜层复用，第二栅极g2与栅线gate电连接。
54.在该种设置方式中，第一源极s1和第二漏极d2分别位于栅线gate在第二方向上的两侧，第一有源层11和第二有源层12之间的夹角为钝角，相较于现有的u型和l型，有源层横向占用长度较小，因而可有效减小覆盖其的第三遮挡部7的面积。
55.或者，在另一种可行的实施方式中，如图6所示，图6为本发明实施例所提供的控制晶体管的另一种结构示意图，0
°
＜θ＜90
°
。第一晶体管9包括第一栅极g1，第二晶体管10包括第二栅极g2，第一栅极g1和第二栅极g2分别与栅线gate的部分膜层复用。
56.在该种设置方式中，第一有源层11与第二有源层12之间的角度小于90
°
，此时，控制晶体管2中的有源层呈v型的指针结构，第一有源层11的第一源极s1和第二有源层12的第一漏极d1设置在栅线gate的同一侧，第一有源层11和第二有源层12分别与栅线gate存在交叠，进而可以将交叠的这两部分栅线gate复用为第一晶体管9和第二晶体管10的栅极，不需要再设置额外的栅极。而且，有源层呈v型的指针结构，有源层在栅线gate另一侧占用空间较小，第三遮挡部7在栅线gate另一侧无需设置较大尺寸就可遮挡住有源层，即减小了第三遮挡部7的覆盖面积，还降低了有源层反光的风险。
57.在一种可行的实施方式中，如图7～图9所示，图7为本发明实施例所提供的显示面板的一种截面示意图，图8为本发明实施例所提供的显示面板的另一种结构示意图，图9为本发明实施例所提供的控制晶体管的再一种结构示意图，显示面板还包括相对设置的阵列基板13和对盒基板14、以及位于阵列基板13和对盒基板14之间的支撑柱15和液晶分子16，支撑柱15用于支撑对盒基板14，形成均一盒厚。其中，在垂直显示面板所在平面的方向上，至少部分第三遮挡部7覆盖支撑柱15，以对支撑柱15进行遮挡，避免支撑柱15进行漏光。
58.进一步地，参见图9，至少部分第三遮挡部7在垂直显示面板所在平面的方向上的正投影的形状，和与其覆盖的支撑柱15在垂直显示面板所在平面的方向上的正投影的形状相同。如此设置，至少部分第三遮挡部7相对于支撑柱15进行外扩，且外扩部分的边缘沿着支撑柱15正投影的边缘进行延伸，从而在保证第三遮挡部7对支撑柱15进行完全覆盖的前提下，进一步减小了第三遮挡部7的覆盖面积。
59.需要说明的是，图9所示意的支撑柱15的正投影的形状为圆形仅为示意性说明。在本发明其它可选的实施例中，支撑柱15的正投影的形状也可为其它形状。例如，如图10所示，图10为本发明实施例所提供的控制晶体管的又一种结构示意图，支撑柱15在垂直显示面板所在平面的方向上的正投影的形状也可为多边形，相应的，至少部分第三遮挡部7在垂直显示面板所在平面的方向上的正投影的形状也为多边形。
60.此外，还需要说明的是，在垂直显示面板所在平面的方向上，支撑柱15可以对第一有源层11和第二有源层12进行全覆盖，此时，第三遮挡部7仅需相对支撑柱15外扩较短距离即可实现对支撑柱15、第一有源层11和第二有源层12的全覆盖。或者，在垂直显示面板所在平面的方向上，支撑柱15也可以对第一有源层11和第二有源层12进行部分覆盖，此时，第三遮挡部7可以相对支撑柱15外扩较大距离以实现对支撑柱15、第一有源层11和第二有源层12的全覆盖，进而达到更小的面板反射率。
61.或者，如图11所示，图11为本发明实施例所提供的第三遮光层的又一种结构示意图，第一类控制晶体管8包括有源层17，有源层17包括第一有源层11和第二有源层12。至少部分第三遮挡部7包括第一子部18和第二子部19，在垂直显示面板所在平面的方向上，第一子部18覆盖支撑柱15且覆盖部分有源层17，并且，第一子部18在垂直显示面板所在平面的方向上的正投影的形状，和与其覆盖的支撑部在垂直显示面板所在平面的方向上的正投影的形状相同。在垂直显示面板所在平面的方向上，第二子部19覆盖有源层17中未被第一子部18覆盖的部分。
62.在该种设置方式中，在垂直显示面板所在平面的方向上，支撑柱15未覆盖全部的有源层17，以支撑柱15的正投影的形状为圆形为例，通过将第三遮挡部7设置为上述异形形状，第三遮挡部7中第一子部18的正投影仅需外扩支撑柱15的正投影较短距离，也就是第一子部18的正投影的半径与支撑柱15的正投影的半径相近，然后再设置一个凸出于第一子部18的第二子部19对有源层17中未被第一子部18覆盖的部分进行单独遮挡即可。相较于将整个第三遮挡部7的正投影设置为圆形，该种实施例中第三遮挡部7的覆盖面积更小。
63.在一种可行的实施方式中，参见图9，在垂直显示面板所在平面的方向上，黑矩阵4覆盖栅线gate。第一遮挡部5在垂直显示面板所在平面的方向上的正投影的边缘，与栅线gate在垂直显示面板所在平面的方向上的正投影的边缘在第二方向上的距离为l，l≤2μm。
64.可以理解的是，受到工艺精度等因素的影响，黑矩阵4与栅线gate之间可能存在对位偏差，通过令第一遮挡部5的正投影的边缘相对栅线gate的正投影的边缘外扩一定距离，可以在出现对位偏差时仍能利用第一遮挡部5覆盖住所在位置处的栅线gate，避免栅线gate暴露而出现反光现象。而且，通过将第一遮挡部5的正投影的边缘与栅线gate的正投影的边缘之间的距离设置为小于或等于2μm，还可以避免第一遮挡部5过宽，进而避免黑矩阵4覆盖面积较大。
65.在一种可选的实施方式中，如图12所示，图12为本发明实施例所提供的显示面板的一种俯视图，显示面板还包括显示区20，显示区20包括第一显示区21和光学部件设置区22。显示面板还包括位于光学部件设置区22的光学部件23。其中，至少部分第一类控制晶体管8位于光学部件设置区22。
66.需要说明的是，上述光学部件设置区22可以为摄像区域，此时，光学部件23为摄像头等部件，外界环境光透过光学部件设置区22射入摄像头，实现对外界环境光的采集，进而
实现成像。或者，上述光学部件设置区22也可以为指纹识别区，此时，光学部件23为光学传感器等部件，经由手指反射回来的光线经由光学部件设置区22射入光学传感器，以实现对检测光线的采集，进而实现指纹的识别。而第一显示区21则为显示区20中的常规显示区域。
67.相较于第一显示区21，光学部件设置区22用于实现成像或指纹识别等功能，对区域的透光率的要求更高。因此，在本发明实施例中，通过将光学部件设置区22中的控制晶体管2设置为上述第一类控制晶体管8，可以有效减小光学部件设置区22中黑矩阵4的覆盖面积，进而有效提高光学部件设置区22的透光率。
68.此外，还需要说明的是，上述“至少部分第一类控制晶体管8位于光学部件设置区22”包括显示面板中的全部第一类控制晶体管8仅位于光学部件设置区22的情况，也包括显示面板中的部分第一类控制晶体管8位于光学部件设置区22，其余部分第一类控制晶体管8位于第一显示区21的情况。
69.在一种可行的实施方式中，全部控制晶体管2均为第一类控制晶体管8，从而对显示区20中不同位置处的第三遮挡部7的覆盖面积均进行有效降低，在提高显示面板开口率的同时，还提高了不同位置处的开口面积的均一性。
70.此外，发明人还针对本发明实施例所提供的技术方案对显示面板的开口率进行了测试：
71.如图13所示，图13为本发明实施例所提供的全部控制晶体管中有源层17均采用u型设计时显示面板的一种结构示意图，当显示面板中全部控制晶体管2的有源层17均采用u型设计时，黑矩阵4的纵向宽度l2为14.4μm，如图所示的a1区域的开口面积为2848.8μm2，a2区域的开口面积为3120.9μm2，a3区域的开口面积为2895.4μm2，a1和a2区域的平均开口率为70.4％，a1、a2和a3区域的平均开口率为69.7％。
72.如图14所示，图14为本发明实施例所提供的全部控制晶体管中有源层17均采用指针型设计时显示面板的一种结构示意图，当显示面板中全部控制晶体管2的有源层17均采用指针型设计时，黑矩阵4的纵向宽度l2为4.4μm，如图所示的a1区域的开口面积为3028μm2，a2区域的开口面积为3402μm2，a3区域的开口面积为3044μm2，a1、a2和a3区域的平均开口率为75.8％。相较于图13来说，图14所示结构对应的a1、a2和a3区域的平均开口率提升了6.1％。
73.如图15所示，图15为本发明实施例所提供的部分控制晶体管中有源层17采用指针型设计时显示面板的一种结构示意图，当显示面板中仅在支撑柱15所在位置处的控制晶体管2的有源层17采用指针型设计时，黑矩阵4的纵向宽度l2为4.4μm，如图所示的a1区域的开口面积为3028μm2，a2区域的开口面积为3288.9μm2，a1和a2区域的平均开口率为74.5％。相较于图13来说，图15所示结构对应的a1和a2区域的平均开口率提升了4.1％。
74.此外，还需要说明的是，参见图15，当显示面板中仅部分控制晶体管2中的有源层17采用指针型设计，其余部分控制晶体管2中的有源层17采用u型设计时，对于u型设计的这部分有源层17来说，第三遮挡部7可以仅覆盖有源层17中位于栅线gate同一侧的两个端部，暴露有源层17中位于栅线gate另一侧的部分，从而在利用第三遮挡部7对有源层17中第一源极和第二漏极进行覆盖的前提下，以避免黑矩阵4的覆盖面积过大。
75.基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，如图16所示，图16为本发明实施例所提供的显示装置的一种结构示意图，该显示装置包括上述显示面板100。其
中，显示面板100的具体结构已经在上述实施例中进行了详细说明，此处不再赘述。当然，图16所示的显示装置仅仅为示意说明，该显示装置可以是例如手机、平板计算机、笔记本电脑、电纸书或电视机等任何具有显示功能的电子设备。
76.以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。
77.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。