技术特征：
1.一种具有模式选择结构的铌酸锂薄膜芯片，其特征在于，包括：铌酸锂薄膜基体，所述铌酸锂薄膜基体上施划出四个区域，其中：第一区域用于成型耦合器，所述耦合器的第一传输臂接收输入光束，并将所述输入光束分为两束输出光束后分别由两个第二传输臂输出；第二区域用于成型光栅波导，所述光栅波导的第一端与一个所述第一传输臂的输出端相连，接收所述输出光束并将其中的近tm0模式光束改变为近tm1模式光束；第三区域用于成型过滤功能波导，所述过滤功能波导的第一端与所述光栅波导的第二端相连，所述过滤功能波导用于滤除光栅波导输出光束中的近tm1模式光束后得到单偏振光束；第四区域用于成型y波导，所述y波导的第三传输臂与所述过滤功能波导的第二端相连，所述y波导对所述过滤功能波导输出的所述单偏振光束进行分束后由两个第四传输臂传输，每一所述第四传输臂中传输的光束经光电调制后输出。2.根据权利要求1所述的具有模式选择结构的铌酸锂薄膜芯片，其特征在于：所述第一区域中成型的所述耦合器具有两个第一传输臂、耦合段和两个第二传输臂；其中：所述耦合段的长度为150-230μm；两个所述第一传输臂之间的最大间距为0.3-1.0mm；所述耦合段中两耦合波导间的间距为1-2.4μm。3.根据权利要求2所述的具有模式选择结构的铌酸锂薄膜芯片，其特征在于：所述第二区域中成型的所述光栅波导的光栅深度为50-100nm，所述光栅波导的光栅周期为20-30μm，所述光栅波导的长度为0.3-1mm。4.根据权利要求1-3任一项所述的具有模式选择结构的铌酸锂薄膜芯片，其特征在于：所述第三区域中成型的所述过滤功能波导为锥形渐变波导，所述锥形渐变波导中宽度最大的一端与所述光栅波导的第二端相连。5.根据权利要求4所述的具有模式选择结构的铌酸锂薄膜芯片，其特征在于：所述锥形渐变波导包括渐变段和直波导段，所述渐变段的最大宽度为2
±
0.3μm；所述渐变段的最小宽度为0.8-1.0μm；所述渐变段的长度为100-400μm；所述直波导段的长度不小于800μm。6.根据权利要求5所述的具有模式选择结构的铌酸锂薄膜芯片，其特征在于：所述第四区域中成型的所述y波导包括多模干涉段，所述多模干涉段连接于所述第三传输臂和两个所述第四传输臂之间；所述多模干涉段的长度为20-30μm，所述多模干涉段的宽度为6-7μm；所述多模干涉段的长度方向为光束传输方向。7.根据权利要求6所述的具有模式选择结构的铌酸锂薄膜芯片，其特征在于：所述y波导中的所述第四传输臂包括弯曲段和直线段，所述弯曲段的长度为150-300μm，所述直线段的长度为3-5mm；两个所述第四传输臂的直线段之间的间隔距离为200-400μm。8.根据权利要求7所述的具有模式选择结构的铌酸锂薄膜芯片，其特征在于：所述第一区域为矩形区域，所述第一区域的长度为1.5-3.5mm，所述第一区域的宽度为6-10mm，所述第一区域的底部与所述多模干涉段的底部相平齐，所述第一区域的长度方向为光束传输方向。
9.根据权利要求8所述的具有模式选择结构的铌酸锂薄膜芯片，其特征在于：所述第四区域为矩形区域，所述第四区域的长度为5.6-6mm，所述第四区域的宽度为500-600μm，所述第四区域的长度方向为光束传输方向。10.根据权利要求9所述的具有模式选择结构的铌酸锂薄膜芯片，其特征在于：所述第二区域为矩形区域，所述第二区域的长度与所述光栅波导的长度相同，所述第二区域的顶部与所述第四区域的顶部相平齐，所述第二区域的底部与所述第一区域的底部相平齐；所述第三区域为矩形区域，所述第三区域的长度与所述锥形渐变波导的长度相同，所述第三区域的宽度与所述第二区域的宽度相同。
技术总结
本发明公开一种具有模式选择结构的铌酸锂薄膜芯片，包括铌酸锂薄膜基体，铌酸锂薄膜基体上施划出四个区域，其中，第一区域用于成型耦合器，将输入光束分为两束输出光束后输出；第二区域用于成型光栅波导，接收输出光束并将其中的近TM0模式光束改变为近TM1模式光束；第三区域用于成型过滤功能波导，滤除光栅波导输出光束中的近TM1模式光束后得到单偏振光束；第四区域用于成型Y波导，对单偏振光束进行分束后由两个第四传输臂传输，每一第四传输臂中传输的光束经光电调制后输出。本发明提供的芯片结构能进一步缩小Y波导与耦合器连接结构的体积，实现光纤陀螺整体体积的进一步小型化，使光纤陀螺具有小体积、高集成度的优势。高集成度的优势。高集成度的优势。
技术研发人员：李俊慧 王旭阳 杨德伟
受保护的技术使用者：北京世维通科技股份有限公司
技术研发日：2022.03.09
技术公布日：2022/5/25