倍缩光罩载体及其操作的方法与流程

1.本揭露关于一种倍缩光罩载体及其操作的方法。


背景技术：

2.可在曝光工具(例如，扫描器或步进机)中使用微影术遮罩(诸如光罩或倍缩光罩)以在基板上形成图案。图案可经显影使得图案可用于在基板上形成半导体结构及/或装置。


技术实现要素：

3.根据本揭露的一些实施例，一种倍缩光罩载体操作的方法包含以下步骤：自一曝光工具的一静电卡盘撷取一倍缩光罩；将该倍缩光罩定位于包括于一倍缩光罩载体的一底板上的多个支撑销上，其中当该倍缩光罩定位于该些支撑销上时，来自该静电卡盘的该倍缩光罩上的一剩余电荷经由该些支撑销放电，且其中该倍缩光罩与该底板之间的一距离用以防止等于或大于一阈值粒径的多个粒子自该倍缩光罩载体吸附至该倍缩光罩；及将该倍缩光罩载体的一盖子定位于该倍缩光罩上方，使得该倍缩光罩封闭于形成于该盖子与该底板之间的一内部空间中。
4.根据本揭露的一些实施例，一种倍缩光罩载体包含：一盖子；一底板，其中该盖子及该底板用以耦合而将一倍缩光罩封闭于由该盖子与该底板形成的内部空间中；及该底板上的多个支撑销，用以在该内部空间中支撑该倍缩光罩，其中该底板或该些支撑销的至少一者用以在该倍缩光罩置放于该倍缩光罩载体中时促进该倍缩光罩上的剩余电荷的放电。
5.根据本揭露的一些实施例，一种倍缩光罩载体操作的方法包含以下步骤：形成一倍缩光罩载体的一盖子；形成该倍缩光罩载体的一底板，其中该盖子及该底板用以耦合形成该倍缩光罩载体的一内部空间；及在该底板上形成多个支撑销，其中该底板或该些支撑销中的至少一者基于一阈值粒径形成，以防止等于或大于该阈值粒径的多个粒子静电吸附至待储存于该倍缩光罩载体中的一倍缩光罩。
附图说明
6.本揭露的态样在与随附附图一起研读时自以下详细描述内容来最佳地理解。应注意，根据行业中的标准规范，各种特征未按比例绘制。实际上，各种特征的尺寸可为了论述清楚经任意地增大或减小。
7.图1是本文描述的实例半导体制程环境的示意图；
8.图2a及图2b是本文描述的用于图1的半导体制程环境的实例倍缩光罩载体的示意图；
9.图3、图4a、及图4b是本文描述的图2a及图2b的倍缩光罩载体的实例实施的示意图；
10.图5a至图5k是本文描述的实例实施的示意图；
11.图6是图1的一或多个装置的实例组件的示意图；
12.图7是与将倍缩光罩传输至本文所述的倍缩光罩载体有关的实例制程的流程图；
13.图8是与形成本文所述的倍缩光罩载体有关的实例制程的流程图。
14.【符号说明】
15.100:半导体制程环境
16.102:曝光工具
17.104:负载端口
18.106:倍缩光罩载体
19.108:接口工具
20.110:负载锁定室
21.112:腔室
22.114:倍缩光罩传输装置
23.116:腔室
24.118:倍缩光罩传输装置
25.120:盖架
26.122:交换站
27.124:倍缩光罩台
28.202:壳架
29.204:上壳体
30.206:下壳体
31.208:oht头
32.210:内部空间
33.212:内盖
34.214:内底板
35.216:倍缩光罩
36.300:实例实施
37.302:内部空间
38.304:支撑销
39.306:额外支撑构件
40.308:过滤器
41.310:对准视窗
42.312:特写视图
43.314:粒子
44.316:顶部
45.318:放电路径
46.400:实施例
47.402:内部空间
48.404:支撑销
49.404a～404d:支撑销
50.406:元件
51.408:元件
52.410:元件
53.412:凹陷区域
54.414:非凹陷部分
55.416:近视部分
56.418:顶部
57.420:周边
58.500:实施例
59.600:装置
60.610:总线
61.620:处理器
62.630:记忆体
63.640:储存组件
64.650:输入组件
65.660:输出组件
66.670:通讯组件
67.700:制程
68.710～730:方块
69.800:制程
70.810～830:方块
71.d1,d3,d4:距离
72.d2:深度
73.h1～h2:高度
74.r1:外径
75.t1:厚度
76.w1～w2:宽度
具体实施方式
77.以下揭示内容提供用于实施所提供标的物的不同特征的许多不同实施例、或实例。下文描述组件及配置的特定实例以简化本揭露。当然，这些仅为实例且非意欲为限制性的。举例而言，在以下描述中第一特征于第二特征上方或上的形成可包括第一特征与第二特征直接接触地形成的实施例，且亦可包括额外特征可形成于第一特征与第二特征之间使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。此外，本揭露在各种实例中可重复参考数字及/或字母。此重复是出于简单及清楚的目的，且本身且不指明所论述的各种实施例及/或组态之间的关系。
78.此外，为了便于描述，在本文中可使用空间相对术语，诸如“在
……
下面”、“在
……
之下”、“下部”、“在
……
之上”、“上部”及类似者，来描述诸图中图示的一元件或特征与另一(多个)元件或特征的关系。空间相对术语意欲涵盖除了诸图中所描绘的定向以外的装置在使用或操作时的不同定向。装置可另外定向(旋转90度或处于其他定向)，且本文中所使用
的空间相对描述符可类似地加以相应解释。
79.倍缩光罩(或另一类型的微影术遮罩)可通过静电钳固定至曝光工具的倍缩光罩台。曝光操作之后，可将倍缩光罩自倍缩光罩台移除且置放于倍缩光罩载体中。倍缩光罩可在倍缩光罩载体中运输，倍缩光罩载体可密封以减少及/或最小化湿气、氧、及/或粒子(例如，灰尘、碎屑及/或其他异物)的进入，以免损坏倍缩光罩。
80.置放于倍缩光罩载体中的倍缩光罩在静电钳放电之后可有残留电荷留在倍缩光罩上。由于微影术遮罩与遮罩台之间的电荷差异，剩余电荷可将倍缩光罩载体中的粒子吸附至倍缩光罩上。粒子可影响自倍缩光罩转移至基板的图案。这可对半导体装置制造品质及产率产生重大影响，因为任何图案缺陷可反复转移至数百或数千个基板上，这可导致浪费及额外的半导体装置制造，以取代有缺陷的半导体装置。
81.本文所述的一些实施提供倍缩光罩载体、使用方法、及形成方法。在一些实施中，本文所述的倍缩光罩载体用以快速放电倍缩光罩上的剩余电荷，以减少、最小化、及/或防止倍缩光罩载体中的粒子吸附至及/或转移至倍缩光罩。具体而言，倍缩光罩载体可用以在倍缩光罩载体的内底板与倍缩光罩之间提供减小的电容。电容的减小可减小用于放电倍缩光罩上剩余电荷的电阻电容(resistance-capacitance，rc)时间常数，这可提高经由倍缩光罩载体的支撑销放电剩余电荷的放电速度。放电速度的提高可降低倍缩光罩载体中的静电力将倍缩光罩载体中的粒子吸附至倍缩光罩的可能性。这可减少转移至基板的使用倍缩光罩来图案化的图案缺陷，可提高半导体装置制造品质及产率，且可减少半导体装置及/或晶圆的报废与重做。
82.图1是本文描述的实例半导体制程环境100的示意图。半导体制程环境100可包括一环境，其中诸如半导体晶圆的基板、半导体装置、倍缩光罩、光罩、及/或半导体制造设施中的其他组件经由曝光操作来处理，以在基板上形成图案，用于在半导体制造设施中的进一步处理。
83.如图1所示，半导体制程环境100可包括曝光工具102、定位及/或支撑倍缩光罩载体106的负载端口104、接口工具108、及连接曝光工具102与接口工具108的负载锁定室110。
84.接口工具108可用以在负载端口104与曝光工具102之间传输倍缩光罩。接口工具108可包括位于负载端口104与曝光工具102之间的设备前端模块(equipment front end module，efem)或类似类型的接口工具。接口工具108可包括密封于半导体制程环境100的外部环境的腔室112，以减少及/或最小化经由接口工具108传输的倍缩光罩的污染。
85.接口工具108可进一步包括腔室112中的倍缩光罩传输装置114。倍缩光罩传输装置114可包括机械臂或另一类型的工具，其用以经由负载锁定室110在倍缩光罩载体106与曝光工具102之间传输倍缩光罩。负载锁定室110可包括一腔室，该腔室用以允许在接口工具108与曝光工具102之间传输倍缩光罩，同时保持接口工具108与曝光工具102之间的环境隔离。
86.曝光工具102是一半导体加工工具，能够将基板上的光阻剂层曝光于于辐射源，诸如紫外线(ultraviolet light，uv)源(例如，深紫外线光源、极紫外线(extreme uv，euv)光源、及/或类似者)、x射线源、电子束源、及/或另一类型的辐射源。曝光工具102可将光阻剂层曝光于辐射源以将图案自倍缩光罩(或光罩)转移至光阻剂层。图案可包括用于在基板上形成一或多个半导体装置的一或多个半导体装置层图案，可包括用于在基板上形成半导体
装置的一或多个结构的图案，及/或可包括用于蚀刻半导体装置及/或基板的各个部分的图案，以及其他实例。在一些实施中，曝光工具102包括扫描器、步进机、浸没式微影术工具、euv微影术工具、或类似类型的曝光工具。
87.曝光工具102可包括腔室116及腔室116中的倍缩光罩传输装置118。可在腔室116中保持真空(或超高真空)，以便可执行euv曝光操作。倍缩光罩传输装置118可包括机械臂或另一类型的工具，其用以在曝光工具102与负载锁定室110之间传输倍缩光罩。曝光工具102可进一步包括盖架120，其用以在曝光工具102中使用与倍缩光罩载体106相关联的倍缩光罩时支撑及/或固定倍缩光罩载体106的内盖。倍缩光罩传输装置118可将倍缩光罩载体106的内盖定位于盖架120的一或多个支撑构件上，以存取与倍缩光罩载体106相关联的倍缩光罩。
88.曝光工具102可包括一交换站122，交换站122用以支撑及/或固定倍缩光罩载体106的内底板及与倍缩光罩载体106相关联的倍缩光罩。交换站122可进一步用以移动至腔室116内的各个位置，以定位倍缩光罩从而固定至曝光工具102的倍缩光罩台124；以定位内底板从而自倍缩光罩台124撷取倍缩光罩；及/或定位倍缩光罩及内底板以供倍缩光罩传输装置118撷取。
89.倍缩光罩台124可包括静电卡盘，静电卡盘用以通过静电钳将倍缩光罩固定就位，以用于曝光操作。倍缩光罩台124可通过在倍缩光罩台124与倍缩光罩之间产生电势(或静电场)来形成静电钳。电势将倍缩光罩固定至倍缩光罩台124。倍缩光罩台124可释放静电钳，使得倍缩光罩可返回至倍缩光罩载体106，且使得另一倍缩光罩可置放于倍缩光罩台124上，用于另一曝光操作。
90.在一些实施中，曝光工具102包括图1中所示组件之外的额外组件。举例而言，曝光工具102可包括在深uv光谱中操作的浸没式微影术工具，且可包括透射透镜系统，其用以准直、聚焦、收集、过滤及/或导引来自辐射源的uv辐射穿过倍缩光罩或光罩且朝向基板。作为另一实例，曝光工具102可包括在euv光谱中操作的euv微影术工具，且可包括反射镜系统，用以自辐射源准直、聚焦、收集、过滤及/或导引uv辐射离开倍缩光罩或光罩且朝向基板。
91.如上所述，图1作为实例提供。其他实例可不同于图1中的描述。
92.图2a及图2b是本文描述的用于图1的实例半导体制程环境100中的实例倍缩光罩载体106的示意图。在一些情况下，来自用于将倍缩光罩固定至倍缩光罩台124的静电钳的剩余电荷可保留于倍缩光罩上(例如，在放电静电钳之后)。因此，倍缩光罩载体106可用以快速放电定位于倍缩光罩载体106中的倍缩光罩上的剩余电荷，以减少、最小化、及/或防止倍缩光罩载体中的粒子吸附至及/或转移至倍缩光罩。
93.如图2a中所示，倍缩光罩载体106可包括壳架202，壳架202包括上壳体204及下壳体206。图2a示壳架202的组装组态，其中上壳体204与下壳体206配合或耦合。高架起重机运输(overhead hoist transport，oht)头208可包括于上壳体204的顶部部分上，以允许通过oht车辆、通过自动物料处理系统(automated material handling system，amhs)、通过倍缩光罩贮藏库、及/或通过另一自动运输装置来运输倍缩光罩载体106。作为实例，oht车辆的升降机可锁定至oht头208上，以将倍缩光罩载体106负载至oht车辆中，且在倍缩光罩载体106在oht车辆中运输时固定倍缩光罩载体106。此外，oht车辆的升降机可自oht头208解锁，以将倍缩光罩载体106提供至诸如倍缩光罩储存系统的暂存区的一位置或与曝光工具
(例如，曝光工具102)相关联的负载端口(例如，负载端口104)。
94.在一些实施中，壳架202、上壳体204、下壳体206、及/或oht头208的一或多个尺寸可用以符合及/或满足一或多个标准化倍缩光罩载体尺寸参数，以允许倍缩光罩载体106由各种类型的倍缩光罩传输装置传输。一或多个标准化倍缩光罩载体尺寸参数可包括倍缩光罩载体规范的一或多个参数，诸如semi e100、semi e111、及/或semi e112。一或多个尺寸可包括倍缩光罩载体106的外部尺寸，诸如壳架202的长度尺寸(图2a中的x尺寸)、壳架202的宽度尺寸(图2a中的y尺寸)、及/或壳架202的高度尺寸(图2a中的z尺寸)。外部尺寸可基于倍缩光罩载体106待传输的倍缩光罩的特定大小(或倍缩光罩的大小范围)，诸如6吋倍缩光罩、150毫米倍缩光罩、或230毫米倍缩光罩，以及其他实例。长度尺寸(图2a中的x尺寸)的实例范围可包括约175毫米至约300毫米。宽度尺寸(图2a中的y尺寸)的实例范围可包括约150毫米至约230毫米。高度尺寸(图2a中的z尺寸)的实例范围可包括约26毫米至约100毫米。然而，x尺寸、y尺寸、及/或z尺寸的其他值或范围在本揭露的范畴内。
95.图2b示出了壳架202的分解组态，其中上壳体204与下壳体206分离，以曝光倍缩光罩载体106的内部空间210。上壳体204及下壳体206可用以在上壳体204与下壳体206耦合时形成且封闭内部空间210。如图2b中进一步所示，倍缩光罩载体106可包括内盖212及内底板214。内盖212及内底板214可经定大小及/或另外组态以配合于由上壳体204及下壳体206形成的内部空间210。此外，内盖212及内底板214可经定大小及/或另外组态以固定或保持倍缩光罩216，且允许倍缩光罩216在倍缩光罩载体106中安全运输。倍缩光罩216可包括euv倍缩光罩、浸没式微影术光罩、或其上包括微影术图案的另一类型的装置。微影术图案可经由辐射自微影术图案反射或通过辐射穿过微影术图案透射而转移至基板。
96.上壳体204、下壳体206、oht头208、内盖212、及/或内底板214可由各种类型的材料形成，包括非导电材料及/或导电材料。在一些实施中，上壳体204、下壳体206、oht头208、内盖212、及/或内底板214由塑料或聚合物材料形成。在一些实施中，上壳体204、下壳体206、oht头208、内盖212、及/或内底板214的一或多个部分由导电材料形成，该导电材料电连接至电接地点，以允许倍缩光罩216上的剩余电荷经由倍缩光罩载体106的一或多个部分放电。
97.如上所述，图2a及图2b作为实例提供。其他实例可不同于关于图2a及图2b所描述的实例。
98.图3是本文所述图2a及图2b的倍缩光罩载体106的实例实施300的示意图。实例实施300可包括一实例，其中倍缩光罩载体106包括支撑销，倍缩光罩216将固定于支撑销上，支撑销的组态使得内底板214与倍缩光罩216之间的距离减小内底板214与倍缩光罩216之间的电容。电容的减小可减小用于在倍缩光罩216上放电剩余电荷的rc时间常数，这可提高用于经由倍缩光罩载体106的支撑销放电剩余电荷的放电速度。放电速度的提高可降低倍缩光罩载体106中静电力将倍缩光罩载体106中的粒子吸附至倍缩光罩216的可能性，及/或可减小吸附至倍缩光罩216的粒子的大小。
99.如图3中所示，倍缩光罩216可定位于由内盖212及内底板214形成的内部空间302内。倍缩光罩载体106可包括多个支撑销304，其用以在内部空间302中保持倍缩光罩216脱离内底板214。倍缩光罩载体106可包括内盖212中及/或上的额外支撑构件306，以将倍缩光罩216固定到位，且防止倍缩光罩载体106的振动及/或其他类型的移动导致倍缩光罩216接
触内盖212。内盖212可包括过滤器308，其用以过滤提供至内部空间302的空气或气体中的粒子及/或其他类型的污染物。内底板214可包括多个对准视窗310，其允许在将倍缩光罩固定至倍缩光罩台124时正确对准倍缩光罩216。
100.如图3中的特写视图312中所示，当将倍缩光罩216置放于倍缩光罩载体106中时，倍缩光罩216可具有负剩余电荷。内底板214可保持正电荷。倍缩光罩216与内底板214之间的极性差异可导致在倍缩光罩216与内底板214之间产生电场。电场可施加力至内底板214上的粒子314。该力可将粒子314吸附至倍缩光罩216上。电场越强，施加至粒子314上的力越强。因此，电场越强，可吸附至倍缩光罩216的粒子314的大小越大。
101.为了减少电场的影响，可将内底板214连接至电接地，以便倍缩光罩216上的剩余电荷可经由支撑销304放电。然而，带负电的倍缩光罩216与带正电的内底板214之间的电容效应可减缓或降低来自倍缩光罩216的剩余电荷的放电速度。电容效应促进倍缩光罩216与内底板214之间的电荷储存，从而抵抗倍缩光罩216的剩余电荷的放电。这使放电剩余电荷的rc时间常数增加，从而使完全放电剩余电荷的持续时间增加。
102.因此，支撑销304可用以在倍缩光罩216置放于倍缩光罩载体106中时，有助于放电倍缩光罩216上的剩余电荷。具体而言，支撑销304可经定大小使得倍缩光罩216与内底板214(例如，内底板214面向或取向于倍缩光罩216的表面)之间的距离(d1)减小及/或最小化倍缩光罩216与内底板214之间的电容。以这种方式，距离(d1)可用以减少、最小化、及/或防止倍缩光罩216对粒子314的可由倍缩光罩216上的剩余电荷引起的吸附。
103.在实例实施300中，距离(d1)可对应于支撑销304自内底板214至支撑销304顶部316的高度(h1)。因此，对于相同面积的倍缩光罩216、相同面积的内底板214、及倍缩光罩216与内底板214之间相同的介电常数，支撑销304的高度(h1)越大(且因此，距离(d1)越大)，倍缩光罩216与内底板214之间的电容越低。倍缩光罩216与内底板214之间的电容越低，倍缩光罩216上剩余电荷经由支撑销304的放电路径318的放电速度越快。放电速度越快，可吸附至倍缩光罩216的粒子314的大小越小(例如，外径(r1)越小)。作为实例，支撑销304的高度(h1)可组态为约200微米，以防止具有等于或大于约147纳米的外径(r1)的粒子314吸附至倍缩光罩216。作为另一实例，支撑销304的高度(h1)可组态为约400微米，以防止具有等于或大于约75纳米的外径(r1)的粒子314吸附至倍缩光罩216。作为另一实例，支撑销304的高度(h1)可组态为约1000微米，以防止等于或大于约22纳米的外径(r1)的粒子314吸附至倍缩光罩216。在一些实施中，支撑销304的高度(h1)可在约1150微米至约4000微米范围内，以提供足够的电容减小，同时最小化倍缩光罩载体106的总重量的增加及对倍缩光罩传输装置114及118的影响。然而，距离(d1)及高度(h1)的其他值在本揭露的范畴内。
104.在一些实施中，支撑销304的高度(h1)可基于模型判定及组态。该模型可用于判定或估计内底板214与倍缩光罩216之间的距离(d1)(且因此判定或估计支撑销304的高度(h1))，从而满足一或多个参数阈值。一或多个阈值参数可包括例如阈值粒径、电容阈值、静电力阈值、及/或另一阈值参数阈值。
105.在一些实施中，装置(例如，本文结合图6描述的装置600)可判定阈值粒径，以防止等于或大于阈值粒径的粒子314静电吸附至倍缩光罩216。装置可使用该模型来判定内底板214与倍缩光罩216之间的距离(d1)(且因此判定支撑销304的高度(h1))，从而满足内底板214与倍缩光罩216之间电容的电容阈值。以这种方式，装置可使用该模型判定电容，使得电
容足够低以快速放电倍缩光罩216上的剩余电荷，从而防止等于或大于阈值粒径的粒子314静电吸附至倍缩光罩216。
106.该模型可包括用于将等于及/或大于阈值粒径的粒子314吸附至倍缩光罩216的静电力阈值。装置可根据以下条件判定静电力阈值：
107.fe＝q
induced
e(t)。
108.其中q
induced
对应于倍缩光罩216上剩余电荷的量值，而e(t)是内底板214与倍缩光罩216之间的估计电场(其在剩余电荷放电期间可是时变的)的电场量值。装置可根据以下条件判定电场量值：
[0109][0110]
其中v(t)对应于内底板214与倍缩光罩216之间的电势(在剩余电荷放电期间可是时变的)，而d对应于距离(d1)及高度(h1)。装置可根据以下条件判定电势：
[0111][0112]
其中q(t)对应于倍缩光罩216上的时变剩余电荷(可称为放电速度参数)，而c对应于内底板214与倍缩光罩216之间的电容。装置可基于以下条件判定时变剩余电荷：
[0113][0114]
其中q0对应于放电之前剩余电荷的初始量值，r
support
对应于支撑销304的电阻，而c对应于内底板214与倍缩光罩216之间的电容。支撑销304的电阻(r
support
)以及距离(d1)及高度(h1)对应于内底板214与倍缩光罩216之间的rc时间常数。
[0115]
基于上面定义的关系，装置可基于支撑销304的电阻(r
support
)以及距离(d1)及高度(h1)来判定剩余电荷的指数衰减，以满足与倍缩光罩216相关联的特定放电速度参数。具体而言，装置可判定距离(d1)及高度(h1)以增加或减少rc时间常数，从而判定剩余电荷的指数衰减率，相应地增加或减少时变电势及时变电场的量值，以满足静电力阈值。因此，装置判定的距离(d1)及高度(h1)越大，施加于倍缩光罩载体106中的粒子314的静电力就越小，从而减小吸附至倍缩光罩216的粒子314的大小。
[0116]
如上所示，图3作为实例提供。其他实例可不同于图3的描述。
[0117]
图4a及图4b是本文描述的图2a及图2b的倍缩光罩载体106的实施例400的示意图。实施例400可包括其中倍缩光罩载体106在内底板214的一部分中包括凹陷区域的实例。凹陷区域导致在包括凹陷区域的内底板214的部分中倍缩光罩216与内底板214之间的距离更大。凹陷区域提供的增加的距离减小内底板214与倍缩光罩216之间的电容。电容的减小可减小用于在倍缩光罩216上放电剩余电荷的rc时间常数，这可提高用于经由倍缩光罩载体106的支撑销放电剩余电荷的放电速度。放电速度的提高可降低倍缩光罩载体106中的静电力将倍缩光罩载体106中的粒子314吸附至倍缩光罩216的可能性，及/或可减小吸附至倍缩光罩216的粒子314的大小。
[0118]
如图4a中的横截面图中所示，倍缩光罩载体106可包括实施例400中的元件402～410，其可类似于实例实施300中的元件302～310。然而，倍缩光罩载体106的内底板214可包括凹陷区域412。凹陷区域412可位于内底板214的一部分中，倍缩光罩216用以定位于该部分上方。相对于非凹陷部分414中内底板214与倍缩光罩216之间的距离，凹陷区域412中内
底板214与倍缩光罩216之间的距离更大，以减小内底板214与倍缩光罩216之间的电容(且因此，提高倍缩光罩216上剩余电荷的放电速度)。
[0119]
如图4a中的近视部分416所示，凹陷区域412可包括于内底板214中，且可相对于非凹陷部分414的顶表面具有深度(d2)。凹陷区域的深度(d2)可在约1000微米至约3500微米的范围内，以提供倍缩光罩216上剩余电荷的充足放电速度，且将倍缩光罩载体106总重量的增加及对倍缩光罩传输装置114及118的影响最小化。然而，深度(d2)的其他值在本揭露的范畴内。凹陷区域412中内底板214的厚度(t1)可在约5000微米至约7500微米的范围内，以为内底板214提供足够的强度及结构刚度。然而，厚度(t1)的其他值在本揭露的范畴内。凹陷区域中底板的深度(d2)与厚度(t1)之间的比率可在约0.13至约0.7的范围内，以提供足够深的凹陷区域412且保持内底板214的足够结构刚度。然而，该比率的其他值在本揭露的范畴内。
[0120]
如上文结合图3中所示，装置(例如，结合图6所述的装置600)可使用该模型来判定内底板214与倍缩光罩216之间的距离，以满足一或多个参数阈值。类似地，装置可使用上述模型来判定凹陷区域412的深度(d2)及/或支撑销404的高度(h2)(其可对应于非凹陷部分414中内底板214与支撑销404的顶部418之间的距离(d3))，从而使凹陷区域412中内底板214与倍缩光罩216之间的总距离(d4)满足一或多个参数阈值。作为实例，装置可判定增加支撑销404的高度(h2)及/或增加凹陷区域412的深度(d2)，以增加总距离(d4)，这可提高倍缩光罩216上放电剩余电荷的放电速度。在一些实施中，总距离(d4)在约1150微米至约4000微米的范围内，以提供足够的电容减小，同时最小化对倍缩光罩载体106的总重量的增加及对倍缩光罩传输装置114及118的影响。然而，总距离(d4)的其他值在本揭露的范畴内。以这种方式，装置可使用模型来满足基于阈值粒径的内底板214与倍缩光罩216之间的电容的电容阈值，以满足与倍缩光罩216相关联的放电速度参数，及/或满足另一参数或参数阈值。
[0121]
如图4b中的俯视图中所示，凹陷区域412可包括于由支撑销404a、404b、404c、及404d界定的周边420内。此外，凹陷区域412可在两个支撑销之间延伸，诸如支撑销404a与404b之间、支撑销404a与404c之间、支撑销404b与404d之间、及支撑销404c与404d之间。凹陷区域412的宽度(w1)，在两个支撑销(例如，支撑销404a与404b)之间可在约130毫米至约140毫米的范围内，使得凹陷区域412配合于支撑销之间，且在内底板214与倍缩光罩216之间提供足够低的电容。然而，宽度(w1)的其他值在本揭露的范畴内。不在两个支撑销(例如，支撑销404a与404b)之间的凹陷区域412的宽度(w2)可在140毫米至约155毫米的范围内，使得凹陷区域412完全延伸至支撑销的外边缘，且在内底板214与倍缩光罩216之间提供足够低的电容。然而，宽度(w2)的其他值在本揭露的范畴内。
[0122]
如上所述，图4a及图4b作为实例提供。其他实例可不同于关于图4a及图4b的描述。
[0123]
图5a至图5k是本文描述的实施例500的示意图。实施例500可包括将倍缩光罩216自倍缩光罩台124传输至倍缩光罩载体106的实例。
[0124]
如图5a中所示，倍缩光罩216可固定至可包括静电卡盘的倍缩光罩台124。倍缩光罩216可通过静电钳固定至倍缩光罩台124，其中倍缩光罩216与倍缩光罩台124上的相反电荷将倍缩光罩216吸附至倍缩光罩台124。曝光工具102可执行曝光操作，其中作为在基板上形成一或多个半导体装置的一部分，倍缩光罩216用于将倍缩光罩216的图案转移至基板。如图5a中进一步所示，倍缩光罩载体106的内底板214可定位于交换站122上，以准备接收倍
缩光罩216。内盖212可定位于盖架120的插槽中的一者中。
[0125]
如图5b中所示，曝光工具102可移动交换站122以将内底板214定位于倍缩光罩216下方。举例而言，曝光工具102可在曝光操作之后移动交换站122以将内底板214定位于倍缩光罩216下方，以交换出倍缩光罩216(例如，为另一倍缩光罩)。当内底板214定位于倍缩光罩216下方时，曝光工具102可释放倍缩光罩台124与倍缩光罩216之间的静电钳。这使得倍缩光罩216不再固定于倍缩光罩台124，取而代之地，支撑于内底板214上。具体而言，倍缩光罩216可支撑于包括于内底板214上的多个支撑销(例如，支撑销304及/或404)上。
[0126]
如上所述，释放静电钳之后，剩余电荷可保留在倍缩光罩216上。因此，当倍缩光罩216定位于多个支撑销上时，剩余电荷可开始经由多个支撑销放电。倍缩光罩216与内底板214之间的距离(d1,d4)可经组态，如上文结合图3或图4a及图4b所述，以减少、最小化、及/或防止对等于或大于阈值粒径的粒子314的吸附。举例而言，如上文结合图3或图4a及图4b所述，可组态倍缩光罩216与内底板214之间的距离(d1,d4)，以减小、最小化、及/或防止对等于或大于阈值粒径的粒子314的吸附。
[0127]
如图5c中所示，曝光工具102可降低或以其他方式将交换站122移向盖架120。如图5d中所示，倍缩光罩传输装置118可移向交换站122，且可自交换站122撷取内底板214上的倍缩光罩216。
[0128]
如图5e中所示，倍缩光罩传输装置118可将内底板214(其中倍缩光罩216定位于内底板214上)定位于盖架120中内盖212下方。在一些实施中，倍缩光罩传输装置118向上移动倍缩光罩216及内底板214，使得内盖212定位于内底板214上方及上，使得倍缩光罩216封闭于形成于内盖212与内底板214之间的内部空间(例如，内部空间302及/或402)中。在一些实施中，将内盖212降低至内底板214上，使得倍缩光罩216封闭于内盖212与内底板214之间形成的内部空间中。
[0129]
如图5f中所示，倍缩光罩传输装置118可将内盖212及内底板214(倍缩光罩216封闭于其中)定位于负载锁定室110的前面。如图5g中所示，倍缩光罩传输装置118可延伸，使得内盖212及内底板214(倍缩光罩216封闭于其中)定位于负载锁定室110中，以准备将内盖212及内底板214(倍缩光罩216封闭于其中)传递至倍缩光罩传输装置114。
[0130]
如图5h中所示，倍缩光罩传输装置114可自倍缩光罩传输装置118撷取内盖212及内底板214(倍缩光罩216封闭于其中)。如图5i中所示，倍缩光罩传输装置114可将内盖212及内底板214(倍缩光罩216封闭于其中)自负载锁定室110收回，且进入接口工具108的腔室112中。
[0131]
如图5j中所示，倍缩光罩传输装置114可将内盖212及内底板214(倍缩光罩216封闭于其中)延伸出腔室112至倍缩光罩载体106的下壳体206上。下壳体206可定位于负载端口104上，以准备接收内盖212及内底板214(倍缩光罩216封闭于其中)。如图5k中所示，上壳体204可置放于下壳体206上，使得内盖212及内底板214(倍缩光罩216封闭于其中)定位于由上壳体204与下壳体206形成的内部空间210中。因此，oht车辆或另一类型的运输装置可自负载端口撷取倍缩光罩载体106，且可将倍缩光罩载体106运输至另一位置，诸如倍缩光罩储存系统。
[0132]
如上所述，图5a至图5k作为实例提供。其他实例可不同于关于图5a至图5k的描述。
[0133]
图6是装置600的实例组件的示意图。在一些实施中，曝光工具102、负载端口104、
接口工具108、倍缩光罩传输装置114、及/或倍缩光罩传输装置118可包括一或多个装置600及/或装置600的一或多个组件。如图6中所示，装置600可包括总线610、处理器620、记忆体630、储存组件640、输入组件650、输出组件660、及通讯组件670。
[0134]
总线610包括能够在装置600的组件间进行有线及/或无线通讯的组件。处理器620包括中央处理单元、图形处理单元、微处理器、控制器、微控制器、数字信号处理器、现场可程序门阵列、特殊应用集成电路、及/或另一类型的处理组件。处理器620以硬件、固件、或硬件与软件的组合实施。在一些实施中，处理器620包括能够程序化以执行功能的一或多个处理器。记忆体630包括随机存取记忆体、只读记忆体、及/或另一类型的记忆体(例如，快闪记忆体、磁记忆体、及/或光记忆体)。
[0135]
储存组件640储存与装置600的操作相关的信息及/或软件。举例而言，储存组件640可包括硬盘驱动器、磁盘驱动器、光盘驱动器、固态磁盘驱动器、紧凑型光盘、多样化数字光盘、及/或其他类型的非暂时性计算机可读媒体。输入组件650使得装置600能够接收输入，诸如使用者输入及/或读出输入。举例而言，输入组件650可包括触控屏幕、键盘、小键盘、鼠标、按钮、麦克风、开关、感测器、全球定位系统组件、加速计、陀螺仪、及/或致动器。输出组件660使得装置600能够提供输出，诸如透过显示器、扬声器、及/或一或多个发光二极管。通讯组件670使得装置600能够与其他装置通讯，诸如透过有线连接及/或无线连接。举例而言，通讯组件670可包括接收机、发射器、收发器、调变解调器、网络接口卡、及/或天线。
[0136]
装置600可执行本文所述的一或多个制程。举例而言，非暂时性计算机可读媒体(例如，记忆体630及/或储存组件640)可储存一组指令(例如，一或多个指令、码、软件码、及/或程序码)，以供处理器620执行。处理器620可执行指令集以执行本文所述的一或多个制程。在一些实施中，由一或多个处理器620执行指令集，使得一或多个处理器620及/或装置600执行本文所述的一或多个制程。在一些实施中，可使用固线式电路系统代替指令或与指令结合来执行本文所述的一或多个制程。因此，本文描述的实施不限于硬件电路系统及软件的任何特定组合。
[0137]
图6中显示的组件的数目及配置作为实例提供。与图6中显示的组件相比，装置600可包括额外组件、更少的组件、不同的组件、或不同配置的组件。另外或其他，装置600的一组组件(例如，一或多个组件)可执行描述为由装置600的另一组组件执行的一或多个功能。
[0138]
图7是与将倍缩光罩传输至本文所述倍缩光罩载体相关联的实例制程700的流程图。在一些实施中，图7的一或多个制程方块可由一或多个装置及/或工具(例如，曝光工具102、负载端口104、接口工具108、倍缩光罩传输装置114、及/或倍缩光罩传输装置118中的一或多者)执行。另外或其他，图7的一或多个制程方块可由装置600的一或多个组件执行，诸如处理器620、记忆体630、储存组件640、输入组件650、输出组件660、及/或通讯组件670。
[0139]
如图7中所示，制程700可包括自曝光工具的静电卡盘中撷取倍缩光罩(方块710)。举例而言，如上所述，曝光工具102可使用交换站122自曝光工具102的静电卡盘(例如，倍缩光罩台124)撷取倍缩光罩216。
[0140]
如图7中所示，制程700可包括将倍缩光罩定位于包括于倍缩光罩载体底板上的多个支撑销上(方块720)。举例而言，如上所述，曝光工具102可使用交换站122将倍缩光罩216定位于包括于倍缩光罩载体106的内底板214上的多个支撑销(例如，支撑销304及/或404)上。在一些实施中，当倍缩光罩216定位于多个支撑销上时，来自静电卡盘的倍缩光罩216上
的剩余电荷经由多个支撑销放电。在一些实施中，倍缩光罩216与内底板214之间的距离(d1,d4)用以防止等于或大于阈值粒径的粒子314自内底板214吸附至倍缩光罩216。
[0141]
如图7中进一步所示，制程700可包括将倍缩光罩载体的盖子定位于倍缩光罩上，使得倍缩光罩封闭于形成于盖子与底板之间的内部空间中(方块730)。举例而言，曝光工具102可使用倍缩光罩传输装置118将倍缩光罩载体106的内盖212定位于倍缩光罩216上方，使得倍缩光罩216封闭于形成于内盖212与内底板214之间的内部空间(例如，内部空间302及/或402)中，如上所述。
[0142]
制程700可包括额外实施，诸如下文描述的及/或与本文别处描述的一或多个其他制程相关的任何单一实施或实施的任何组合。
[0143]
在第一实施中，倍缩光罩216与内底板214之间的距离(d1)对应于多个支撑销304的高度(h1)。在第二实施中，单独地或结合第一实施，倍缩光罩216与内底板214之间的距离(d4)对应于多个支撑销404的高度(h2)与内底板214中凹陷区域412的深度(d2)的组合。在第三实施中，单独地或结合第一及第二实施中的一或多者，倍缩光罩216与内底板214之间的距离(d1,d4)用以满足与倍缩光罩216相关联的放电速度参数。
[0144]
在第四实施中，单独地或结合第一至第三实施中的一或多者，倍缩光罩216与内底板214之间的距离(d1,d4)用以满足与倍缩光罩216及内底板214相关的电容参数。
[0145]
尽管图7显示流程700的实例方块，但在一些实施中，与图7中描绘的相比，流程700可包括额外的方块、更少的方块、不同的方块、或不同配置的方块。另外或其他，制程700的两个或两个以上方块可平行执行。
[0146]
图8是与形成本文所述的倍缩光罩载体相关联的实例制程800的流程图。在一些实施中，图8的一或多个制程方块可由一或多个制造装置及/或系统执行。另外或其他，图8的一或多个制程方块可由装置600的一或多个组件执行，诸如处理器620、记忆体630、储存组件640、输入组件650、输出组件660、及/或通讯组件670。
[0147]
如图8中所示，制程800可包括形成倍缩光罩载体的盖子(方块810)。举例而言，倍缩光罩载体106的内盖212可通过铸造、模制、机械加工(例如，计算机数值控制(computer numerical control，cnc)机械加工或铣削)、挤压、三维(three-dimensional，3d)列印或另一类型的额外制造(例如，直接金属激光烧结(direct metal laser sintering，dmls))、激光切割或水射流切割、锻造、注射、热成型、焊接、及/或另一制造技术。
[0148]
如图8中进一步所示，制程800可包括形成倍缩光罩载体的底板(方块820)。举例而言，倍缩光罩载体106的内底板214可通过铸造、模塑、机械加工(例如，cnc机械加工或铣削)、挤压、3d列印或另一类型的积层制造(例如，dmls)、激光切割或水射流切割、锻造、注射、热成型、焊接、及/或另一制造技术形成。在一些实施中，内盖212及内底板214用以耦合以形成倍缩光罩载体106的内部空间(例如，内部空间302及/或402)。
[0149]
如图8中进一步所示，制程800可包括在底板上形成多个支撑销(方块830)。举例而言，内底板214上的多个支撑销(例如，支撑销304及/或404)可通过铸造、模制、机械加工(例如，cnc机械加工或铣削)、挤压、3d列印或另一类型的积层制造(例如，dml)、激光切割或水射流切割、锻造、注射、热成型、焊接、及/或另一制造技术形成。在一些实施中，基于阈值粒径形成内底板214或多个支撑销中的至少一者，以防止等于或大于阈值粒径的粒子314静电吸附至待储存于倍缩光罩载体106中的倍缩光罩216上。
[0150]
制程800可包括额外实施，诸如下文所述的及/或与本文别处所述的一或多个其他制程相关的任何单一实施或任何实施的组合。
[0151]
在第一实施例中，制程800包括判定(例如，通过装置600使用处理器620)阈值粒径，以防止等于或大于阈值粒径的粒子314静电吸附至倍缩光罩216。在第二实施中，单独地或结合第一实施，形成内底板214包括基于阈值粒径在内底板214的一部分中形成凹陷区域412，以满足内底板214与倍缩光罩216之间电容的电容阈值。
[0152]
在第三实施中，单独地或与第一及第二实施中的一或多者结合，形成凹陷区域412包括形成凹陷区域412的第一部分，其在多个支撑销404的第一支撑销404a与第二支撑销404b之间，达到约130毫米至约140毫米范围内的第一宽度(w1)；且形成凹陷区域412的第二部分(不在第一支撑销404a与第二支撑销404b之间)，达到约140毫米至约155毫米范围内的第二宽度(w2)。
[0153]
在第四实施中，单独地或结合第一至第三实施中的一或多者，制程800包括判定(例如，通过使用处理器620的装置600)用于将等于阈值粒径的粒子314吸附至倍缩光罩216的静电力阈值，判定内底板214与倍缩光罩216之间的估计电场的电场量值，使得静电力阈值不满足，以及基于电场量值判定(例如，通过装置600使用处理器620)内底板214与倍缩光罩216之间的距离(d1,d4)。
[0154]
在第五实施中，单独地或结合第一至第四实施中的一或多者，形成内底板214包括形成内底板214以满足距离(d1,d4)。在第六实施中，单独地或结合第一至第五实施中的一或多者，形成多个支撑销包括形成多个支撑销以满足距离(d1,d4)。在第七实施中，单独地或与第一至第六实施中的一或多者结合，距离(d1，d4)在约1150微米至约4000微米的范围内。
[0155]
尽管图8显示流程800的实例方块，但在一些实施中，与图8中描绘的相比，流程800可包括额外的方块、更少的方块、不同的方块、或不同配置的方块。另外或者其他，制程800的两个或两个以上方块可平行执行。
[0156]
以这种方式，本文所述的倍缩光罩载体用以快速放电倍缩光罩上的剩余电荷，以减少、最小化、及/或防止倍缩光罩载体中的粒子吸附至倍缩光罩及/或转移至倍缩光罩。具体而言，倍缩光罩载体可用以在倍缩光罩载体的内底板与倍缩光罩之间提供减小的电容。电容的减小可减小用于放电倍缩光罩上剩余电荷的电阻电容(resistance-capacitance，rc)时间常数，这可提高经由倍缩光罩载体的支撑销放电剩余电荷的放电速度。放电速度的提高可降低倍缩光罩载体中静电力将倍缩光罩载体中的粒子吸附至倍缩光罩的可能性。这可减少转移至基板的使用倍缩光罩图案化的图案缺陷，可提高半导体装置制造品质及产率，且可减少半导体装置及/或晶圆的报废与重做。
[0157]
如上所述，本文所述的一些实施提供了一种倍缩光罩载体操作的方法。该方法包括自曝光工具的静电卡盘撷取倍缩光罩。该方法包括将倍缩光罩定位于包括于倍缩光罩载体底板上的多个支撑销上，其中当倍缩光罩定位于多个支撑销上时，来自静电卡盘的倍缩光罩上的剩余电荷经由多个支撑销放电，且其中倍缩光罩与底板之间的距离用以防止等于或大于阈值粒径的粒子自倍缩光罩载体吸附至倍缩光罩。该方法包括将倍缩光罩载体的盖子定位于倍缩光罩上方，使得倍缩光罩封闭于形成于盖子与底板之间的内部空间中。在一实施例中，该倍缩光罩与该底板之间的该距离对应于该些支撑销的高度。在一实施例中，该
倍缩光罩与该底板之间的该距离对应于该些支撑销的高度与该底板中一凹陷区域的深度的组合。在一实施例中，该倍缩光罩与该底板之间的该距离用以满足与该倍缩光罩相关联的放电速度参数。在一实施例中，该倍缩光罩与该底板之间的该距离用以满足与该倍缩光罩及该底板相关联的电容参数。
[0158]
如上文更详细描述的，本文所述的一些实施提供倍缩光罩载体。倍缩光罩载体包括盖子。倍缩光罩载体包括底板，其中盖子及底板用以耦合以将倍缩光罩封装于由盖子及底板形成的内部空间中。倍缩光罩载体包括底板上的多个支撑销，其用以在内部空间中支撑倍缩光罩，其中底板或多个支撑销中的至少一者用以在倍缩光罩置放于倍缩光罩载体中时促进倍缩光罩上剩余电荷的放电。在一实施例中，该些支撑销的高度在约1150微米至约4000微米的范围内。在一实施例中，该底板包括在该些支撑销之间且在由该些支撑销界定的周边内的凹陷区域；且其中相对于该底板的非凹陷部分与该些支撑销中的一支撑销的顶部之间的第二距离，该凹陷区域与该支撑销的该顶部之间的第一距离更大。在一实施例中，该第一距离在约1150微米至约4000微米的范围内。在一实施例中，相对于该非凹陷部分的顶表面，该凹陷区域的深度在约1000微米至约3500微米的范围内。在一实施例中，相对于该非凹陷部分的顶表面的该凹陷区域的深度与该凹陷区域中该底板的厚度之间的比率在约0.13至约0.7的范围内。在一实施例中，在该些支撑销中的第一支撑销与第二支撑销之间的该凹陷区域的第一部分的第一宽度在约130毫米至约140毫米的范围内；且其中该凹陷区域的不在该第一支撑销与该第二支撑销之间的第二宽度在约140毫米至约155毫米的范围内。
[0159]
如上文更详细地描述的，本文所述的一些实施提供一种倍缩光罩载体操作的方法。该方法包括形成倍缩光罩载体的盖子。该方法包括形成倍缩光罩载体的底板，其中盖子及底板用以耦合以形成倍缩光罩载体的内部空间。该方法包括在底板上形成多个支撑销，其中底板或多个支撑销中的至少一者基于阈值粒径形成，以防止等于或大于阈值粒径的粒子静电吸附至待储存于倍缩光罩载体中的倍缩光罩。在一实施例中，此方法进一步包含：判定该阈值粒径，以防止等于或大于该阈值粒径的该些粒子静电吸附至该倍缩光罩。在一实施例中，形成该底板包含：基于该阈值粒径在该底板的一部分中形成一凹陷区域，以满足该底板与该倍缩光罩之间电容的一电容阈值。在一实施例中，形成该凹陷区域包含：形成该凹陷区域的第一部分，该第一部分在该些支撑销的第一支撑销与第二支撑销之间，达到约130毫米至约140毫米的范围内的第一宽度；及形成该凹陷区域的第二部分，该第二部分不在该第一支撑销与该第二支撑销之间，达到约140毫米至约155毫米的范围内的第二宽度。在一实施例中，此方法进一步包含：判定一静电力阈值，用于将等于该阈值粒径的多个粒子吸附至待储存于该倍缩光罩载体中的一倍缩光罩；判定该底板与该倍缩光罩之间的估计电场的电场量值，使得该静电力阈值不满足；及根据该电场量值判定该底板与该倍缩光罩之间的距离。在一实施例中，形成该底板包含：形成该底板以满足该距离。在一实施例中，形成该些支撑销包含：形成该些支撑销以满足该距离。在一实施例中，该距离在约1150微米至约4000微米的范围内。
[0160]
前述内容概述若干实施例的特征，使得熟悉此项技术者可更佳地理解本揭露的态样。熟悉此项技术者应了解，其可易于使用本揭露作为用于设计或修改用于实施本文中引入的实施例的相同目的及/或达成相同优势的其他制程及结构的基础。熟悉此项技术者亦应认识到，此类等效构造并不偏离本揭露的精神及范畴，且此类等效构造可在本文中进行
各种改变、取代、及替代而不偏离本揭露的精神及范畴。