显示面板及显示装置的制作方法

1.本发明属于显示技术的领域，具体地涉及一种显示面板以及采用该显示面板的显示装置。


背景技术：

2.随着显示技术的发展，液晶显示器等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。如图1所示为现有反射式液晶显示器的基本架构，包括上基板30、下基板10和设于上基板与下基板之间的液晶层20；其中，下基板10包括下玻璃基板11和自下玻璃基板朝向液晶层一侧依次设置的薄膜晶体管结构12、有机平坦层13、公共电极层17、钝化层18和反射金属层14。其中，在公共电极层17下方制作一层有机平坦层13，目的在于使反射金属层14的表面平坦达到较好的反射效果；通常，公共电极层17选用氧化铟锡或金属等导电性良好的材料制成，以及反射金属层14选用反射率高的铝或其他反射率高的导电材料制成，反射金属层14与公共电极层17交叠部分形成储存电容；在公共电极层17上方制作钝化层18，其作用在于把公共电极层17与反射金属层14绝缘开。外界光源从上基板30入射后经过液晶层20，在液晶层20的相位调制作用下光的相位产生变化，再照射到反射金属层14，经反射后反射回液晶层20，在液晶层20的调制作用下相位又发生一次变化，最后通过上基板30射出器件。
3.现有液晶显示器的反射金属层14通过图案化处理工艺形成间隔交替的两反射电极。但是，由于现有图案化处理工艺的制程能力的限制，相邻两反射电极的间隙一般最小做到2μm左右，导致整个液晶显示器的开口率无法做到更高，从而影响了光利用率。
4.因此，如何解决现有图案化处理工艺造成相邻两反射电极间隙不能进一步减少，导致液晶显示器的开口率不能进一步提高而影响光利用率的技术问题，是显示技术领域亟待解决的课题。


技术实现要素：

5.为了解决上述技术问题，本发明提供了一种显示面板及显示装置，通过自下玻璃基板朝向所述上基板一侧依次设置的薄膜晶体管结构、有机平坦层、反射金属层、透明绝缘层和透明导电层的结构设计，使得外界光依次穿过上基板、液晶层、透明导电层、透明绝缘层后，在所述反射金属层进行折射以避免现有结构的像素电极之间间隙不能反射，而到达增大光线发射面积，从而达到整体提升显示面板的光线利用率。
6.第一方面，本技术实施例提供一种显示面板，包括：
7.上基板；
8.下基板，包括下玻璃基板和自下玻璃基板朝向所述上基板一侧依次设置的薄膜晶体管结构、有机平坦层、反射金属层、透明绝缘层和透明导电层；
9.以及设于所述上基板与所述透明导电层之间的液晶层；
10.其中，所述透明导电层采用透明的导电材料制成，所述反射金属层采用具有反射功能的金属材料制成，所述透明绝缘层采用透明的无机绝缘材料制成；外界光经所述上基板入射穿过所述液晶层产生相位变化后，光线继续穿过所述透明导电层及所述透明绝缘层照射到所述反射金属层上发生反射，反射光线穿过所述透明绝缘层及所述透明导电层后射入所述液晶层产生相位变化，经所述上基板出射，以使所述透明导电层中导电电极间的间隙可通过反射光线，实现反射光线反射面积的增大。
11.相比现有技术，本发明的有益效果为：在本技术的下基板结构优化下，外界光经上基板入射穿过液晶层产生相位变化后，光线继续穿过透明导电层、透明绝缘层照射到反射金属层上发生反射，反射光线穿过透明绝缘层、透明导电层后射入液晶层产生相位变化，最后经上基板出射；由于反射金属层除了透明导电层与薄膜晶体管结构中的漏极连接处挖开外，反射金属层的其它区域是整面存在，即便是在透明导电层中导电电极间的间隙处也可通过反射光，从而增大了反射金属层的反射面积，提高了显示面板的像素开口率，达到提高光线的利用率的目的。
12.较佳地，制备所述透明绝缘层的材料折射率小于制备所述透明导电层的材料折射率，以使提升外界光的反射率。
13.较佳地，所述显示面板满足以下条件式：
14.n1-n2≥0.2；
15.其中，n1表示制备所述透明导电层的材料折射率，n2表示制备所述透明绝缘层的材料折射率。
16.较佳地，所述透明导电层的制备材料为氧化铟锡、铝掺杂的氧化锌导电材料中的一种。
17.较佳地，所述反射金属层的制备材料为铝、银、金、铜、钼金属材料中的一种。
18.较佳地，所述透明绝缘层的制备材料为二氧化硅、二氟化镁、氮化硅无机绝缘材料中的一种。
19.较佳地，所述薄膜晶体管结构包括自所述下玻璃基板朝向所述有机平坦层一侧依次设置的半导体层、栅极绝缘层、栅极层、钝化层和金属层；其中，所述金属层包括源极和漏极，所述源极电性连接所述半导体层，所述漏极电性连接所述透明导电层和所述半导体层。
20.较佳地，所述透明导电层及所述液晶层之间设有无机绝缘层及浮动金属层，自所述透明导电层朝向所述液晶层一侧依次设置所述无机绝缘层及所述浮动金属层；所述浮动金属层与所述透明导电层上的缝隙相对应设置，且所述浮动金属层与所述透明导电层形成预设范围的交叠区域。
21.较佳地，所述上基板包括上玻璃基板以及自所述上玻璃基板朝向所述液晶层一侧设置的透明电极层，所述透明电极层采用氧化铟锡、铝掺杂的氧化锌导电材料中的一种材料制成。
22.第二方面，本技术实施例提供一种显示装置，包括第一方面所述的显示面板。
23.相比现有技术，本发明的有益效果为：本实施例的显示装置通过采用第一方面的显示面板，因显示面板中反射金属层除了透明导电层与薄膜晶体管结构中的漏极连接处挖开外，反射金属层的其它区域是整面存在，即便是在透明导电层中导电电极间的间隙处也可通过反射光，从而增大了反射金属层的反射面积，提高了显示面板的像素开口率，从而提
高显示装置的光线的利用率。
附图说明
24.为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
25.图1为现有反射式液晶显示器的基本架构；
26.图2为本发明实施例提供的显示面板的基本架构；
27.图3为本发明在对照例1与试验例1结构下12μm像素开口率对比图；
28.图4为现有技术方案与本发明方案下不同像素像素开口率对比图；
29.图5为本发明实施例1结构在不同光谱下的反射率曲线图；
30.图6为本发明实施例2结构在不同光谱下的反射率曲线图；
31.图7为本发明实施例3结构在不同光谱下的反射率曲线图；
32.图8为本发明实施例4结构在不同光谱下的反射率曲线图；
33.图9为本发明实施例5结构在550nm中心波长对应的λ/4膜厚时的反射率曲线图；
34.图10为本发明实施例6结构在500nm中心波长对应的λ/4膜厚时的反射率曲线图；
35.图11为本发明实施例7结构在450nm中心波长对应的λ/4膜厚时的反射率曲线图；
36.图12为本发明实施例8通过仿真优化获取的反射率曲线图；
37.图13为本发明实施例8通过仿真模拟的显示面板相位调节的示意图；
38.图14为本发明实施例9提供的显示面板的优化架构；
39.图15为本发明实施例9通过仿真模拟的显示面板相位调节的示意图；
40.图16为本发明实施例10通过仿真模拟的显示面板相位调节的示意图。
41.附图标记说明：
42.10、下基板；
43.11、下玻璃基板；
44.12、薄膜晶体管结构；121、半导体层；122、栅极绝缘层；123、栅极层；124、钝化层；125、金属层；1251、源极；1252、漏极；
45.13、有机平坦层；
46.14、反射金属层；
47.15、透明绝缘层；
48.16、透明导电层；
49.17、公共电极层；
50.18、钝化层；
51.191、无机绝缘层；192、浮动金属层；
52.20、液晶层；21、液晶配向层；
53.30、上基板；31、上玻璃基板；32、透明电极层。
具体实施方式
54.下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明的实施例，而不能理解为对本发明的限制。
55.在本发明实施例的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
56.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明实施例的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
57.在本发明实施例中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明实施例中的具体含义。
58.如图1所示，本发明中显示装置，包括显示面板。其中，所述显示面板包括上基板30、下基板10，以及设于所述上基板30与所述下基板10之间的液晶层20。具体实施时，所述液晶层20朝向所述上基板30及所述下基板10的表面分别设有液晶配向层21；所述液晶配向层21主要成分是聚酰亚胺和dma；当然，其他实施例的液晶配向层主要成分也可为聚酰亚胺和nmp、聚酰亚胺和bc中的一种。其中，所述液晶配向层21固含成份在原液中是小分子化合物，在高温下产生聚合反应，形成带很多支链的长链大分子固体聚合物聚酰胺，聚合物分子中支链与主链的夹角就是所谓的导向层预倾角，聚合物的支链基团与液晶分子间的作用力比较强，对液晶分子有锚定的作用，可以使液晶按预倾角方向排列。
59.进一步地，所述下基板10包括下玻璃基板11和自下玻璃基板朝向所述上基板30一侧依次设置的薄膜晶体管结构12、有机平坦层13、反射金属层14、透明绝缘层15和透明导电层16。其中，所述透明导电层16采用透明的导电材料制成，所述反射金属层14采用具有反射功能的金属材料制成，所述透明绝缘层15采用透明的无机绝缘材料制成。具体地，外界光经所述上基板30入射穿过所述液晶层20产生相位变化后，光线继续穿过所述透明导电层16及所述透明绝缘层15照射到所述反射金属层14上发生反射，反射光线穿过所述透明绝缘层15及所述透明导电层16后射入所述液晶层20产生相位变化，经所述上基板30出射。本技术的所述下基板10的结构优化，外界光在穿过所述上基板30及所述液晶层20后，再穿过所述透明导电层16以及所述透明绝缘层15后，照射在所述反射金属层14上发生反射，实现所述透明导电层16中导电电极间的间隙可通过反射光线的目的，相比现有结构的外界光穿过上基板及液晶层后直接照射在像素电极发生发射，本技术可以避免现有结构的像素电极之间间隙不能反射的弊端，从而实现反射光线反射面积的增大，提高了显示面板的像素开口率，达
到提高外界光光线的利用率。
60.进一步地，所述薄膜晶体管结构12包括自所述下玻璃基板11朝向所述有机平坦层13一侧依次设置的半导体层121、栅极绝缘层122、栅极层123、钝化层124和金属层125；其中，所述金属层125包括源极1251和漏极1252，所述源极1251电性连接所述半导体层121，所述漏极1252电性连接所述透明导电层16和所述半导体层121。其中，所述透明导电层16与所述反射金属层14的交叠部分形成存储电容，存储电容的目的在于薄膜晶体管关闭时，防止薄膜晶体管漏电，以使像素电极电压保持在想写入的电压范围。具体实施例时，所述半导体层121采用多晶硅材料或者其它半导体材料制成，所述栅极绝缘层122及所述钝化层124采用二氧化硅或者氮化硅材料制成。
61.进一步地，所述上基板30包括上玻璃基板31以及自所述上玻璃基板31朝向所述液晶层20一侧设置的透明电极层32。在一些实施例中。所述透明电极层32采用氧化铟锡、铝掺杂的氧化锌导电材料中的一种材料制成。
62.在一些实施例中，所述透明导电层16及所述液晶层20之间设有无机绝缘层191及浮动金属层192，自所述透明导电层16朝向所述液晶层20一侧依次设置所述无机绝缘层191及所述浮动金属层192；所述浮动金属层192与所述透明导电层16上的缝隙相对应设置，且所述浮动金属层192与所述透明导电层16形成预设范围的交叠区域。
63.在一些实施例中，所述透明导电层16的制备材料为氧化铟锡、铝掺杂的氧化锌导电材料中的一种。
64.在一些实施例中，所述反射金属层14的制备材料为铝、银、金、铜、钼金属材料中的一种。
65.在一些实施例中，所述透明绝缘层15的制备材料为二氧化硅、二氟化镁、氮化硅无机绝缘材料中的一种。
66.对比例1
67.参考图1所示，所述下基板10包括下玻璃基板11和自下玻璃基板朝向液晶层20一侧依次设置的薄膜晶体管结构12、有机平坦层13、公共电极层17、钝化层18和反射金属层14；其中，所述反射金属层14采用银金属材料制成。本对比例中，所述反射金属层14包括相互交替且间隔设置的方形像素电极，所述像素电极中像素尺寸为12μm。
68.试验例1
69.参考图2所示，所述下基板10包括下玻璃基板11和自下玻璃基板朝向所述上基板30一侧依次设置的薄膜晶体管结构12、有机平坦层13、反射金属层14、透明绝缘层15和透明导电层16。其中，所述透明导电层16采用透明的导电材料制成，所述反射金属层14采用具有反射功能的金属材料制成，所述透明绝缘层15采用透明的无机绝缘材料制成。本试验例中，所述透明导电层采用铝掺杂的氧化锌制成，所述透明绝缘层采用氮化硅制成，所述反射金属层采用银金属制成，当然其它实施例可采用铝、金、铜、钼金属材料中的一种。所述透明导电层包括相互交替且间隔设置的方形导电电极，所述导电电极中像素尺寸为12μm。
70.结合对比例1以及试验例1，分别换算出各自的像素开口率得到如图3所示的现有技术结构与本技术技术结构下12μm像素开口率对比图。通过图3所示内容可以得知：在本技术的下基板结构优化下，外界光经上基板入射穿过液晶层产生相位变化后，光线继续穿过透明导电层、透明绝缘层照射到反射金属层上发生反射，反射光线穿过透明绝缘层、透明导
电层后射入液晶层产生相位变化，最后经上基板出射；由于反射金属层除了透明导电层与薄膜晶体管结构中的漏极连接处挖开外，反射金属层的其它区域是整面存在，即便是在透明导电层中导电电极间的间隙处也可通过反射光，从而增大反射金属层的反射面积，提高显示面板的像素开口率。
71.需要说明的是，根据对比例1以及试验例1的对比方法，同理可以换算出各自在像素13μm、14μm、15μm、16μm、17μm、18μm、19μm、20μm条件下像素开口率，得到如图4所示的现有技术结构与本技术技术结构下不同像素像素开口率对比图。从而进一步验证通过本技术的下基板结构优化设计，可以增大反射金属层的反射面积，提高显示面板的像素开口率的结果。
72.需要值得注意的是，采用本技术的所述下基板的结构，外界光照射到所述透明导电层被反射出显示面板的过程中，外界光的射入与射出显示面板都会穿过所述透明导电层及所述透明绝缘层，光线经所述透明导电层及所述透明绝缘层的每一层上、下表面反射的两束光会产生干涉，在不考虑所述透明导电层及所述透明绝缘层膜厚的情况下，当两束干涉光的相位差为半波长的奇数倍时为干涉相消，就会影响所述反射金属层的反射率。
73.实施例1
74.参考图2所示，所述下基板10包括下玻璃基板11和自下玻璃基板朝向所述上基板30一侧依次设置的薄膜晶体管结构12、有机平坦层13、反射金属层14、透明绝缘层15和透明导电层16。本实施例中，所述透明导电层采用氧化铟锡制成，所述透明绝缘层采用二氧化铪制成，所述反射金属层采用铝金属制成；所述透明导电层包括相互交替且间隔设置的方形导电电极，所述导电电极中像素尺寸为12μm。具体实施时，所述透明导电层以及所述透明绝缘层的材料折射率以及膜厚采用如表1所示的参数，通过测试得出如图5所示的实施例1在不同光谱下的反射率曲线图。
75.表1：实施例1中透明导电层及透明绝缘层的材料折射率以及膜厚参数
[0076] 折射率(n)膜厚(d)氧化铟锡2.06120nm二氧化铪2.05160nm铝//
[0077]
实施例2
[0078]
参考图2所示，所述下基板10包括下玻璃基板11和自下玻璃基板朝向所述上基板30一侧依次设置的薄膜晶体管结构12、有机平坦层13、反射金属层14、透明绝缘层15和透明导电层16。本实施例中，所述透明导电层采用氧化铟锡制成，所述透明绝缘层采用三氧化二钇制成，所述反射金属层采用铝金属制成；所述透明导电层包括相互交替且间隔设置的方形导电电极，所述导电电极中像素尺寸为12μm。具体实施时，所述透明导电层以及所述透明绝缘层的材料折射率以及膜厚采用如表2所示的参数，通过测试得出如图6所示的实施例2在不同光谱下的反射率曲线图。
[0079]
表2：实施例2中透明导电层及透明绝缘层的材料折射率以及膜厚参数
[0080][0081][0082]
实施例3
[0083]
参考图2所示，所述下基板10包括下玻璃基板11和自下玻璃基板朝向所述上基板30一侧依次设置的薄膜晶体管结构12、有机平坦层13、反射金属层14、透明绝缘层15和透明导电层16。本实施例中，所述透明导电层采用氧化铟锡制成，所述透明绝缘层采用二氧化硅制成，所述反射金属层采用铝金属制成；所述透明导电层包括相互交替且间隔设置的方形导电电极，所述导电电极中像素尺寸为12μm。具体实施时，所述透明导电层以及所述透明绝缘层的材料折射率以及膜厚采用如表1所示的参数，通过测试得出如图7所示的实施例3结构在不同光谱下的反射率曲线图。
[0084]
表3：实施例3中透明导电层及透明绝缘层的材料折射率以及膜厚参数
[0085] 折射率(n)膜厚(d)氧化铟锡2.06130nm二氧化硅1.46190nm铝//
[0086]
结合实施例1至实施例3，根据表1至表3对应的透明导电层以及透明绝缘层的材料折射率以及膜厚参数，以及图5至图7所示各自参数对应下在不同光谱下的反射率曲线图；从中可知，制备所述透明绝缘层的材料折射率小于制备所述透明导电层的材料折射率，可以提升外界光的反射率；意味着其它实施例中，所述透明绝缘层还可以采用二氟化镁或氮化硅材料制成，所述透明导电层还可依次采用铝掺杂的氧化锌材料制成，仅需要在材料选择过程中，确保制备所述透明绝缘层的材料折射率小于制备所述透明导电层的材料折射率，即可实现提升外界光的反射率的目的。优选地，所述显示面板满足以下条件式：
[0087]
n1-n2≥0.2；
[0088]
其中，n1表示制备所述透明导电层的材料折射率，n2表示制备所述透明绝缘层的材料折射率。
[0089]
实施例4
[0090]
参考图2所示，所述下基板10包括下玻璃基板11和自下玻璃基板朝向所述上基板30一侧依次设置的薄膜晶体管结构12、有机平坦层13、反射金属层14、透明绝缘层15和透明导电层16。本实施例中，所述透明导电层采用氧化铟锡制成，所述透明绝缘层采用二氧化硅制成，所述反射金属层采用铝金属制成；所述透明导电层包括相互交替且间隔设置的方形导电电极，所述导电电极中像素尺寸为12μm。具体实施时，所述透明导电层以及所述透明绝缘层的材料折射率以及膜厚采用如表4所示的参数，通过测试得出如图8所示的实施例4结构在不同光谱下的反射率曲线图。
[0091]
表4：实施例4中透明导电层及透明绝缘层的材料折射率以及膜厚参数
[0092] 折射率(n)膜厚(d)氧化铟锡2.06100nm二氧化硅1.46350nm铝//
[0093]
结合实施例3和实施例4，根据表3、表4对应的透明导电层以及透明绝缘层的材料折射率以及膜厚参数，以及图7至图8所示各自参数对应下在不同光谱下的反射率曲线图；其中，实施例3中，所述透明绝缘层采用二氧化硅，其折射率为1.46，膜厚为190nm，所述透明导电层采用氧化铟锡，其折射率为2.06，膜厚为130nm。具体地，在560nm附近时反射率最大，为约83％；在440nm附件时反射率最低，约为69.5％，可知在这种设计情况下，在不同波长下显示面板的反射率较低，且差异较大导致均一性较差。实施例4中，所述透明绝缘层的膜厚为350nm，所述透明导电层的膜厚为100nm，在波长430nm及560nm附近时反射率较低，430nm波长附近约为66％，560nm波长附近约为76％，680nm附近时反射率最大约为88％，可知在这种设计情况下，在不同波长下显示面板的同样反射率较低，且差异较大导致均一性较差。
[0094]
由实施例3和实施例4的两种情况可以看出，采用二氧化硅的所述透明绝缘层和采用氧化铟锡的所述透明导电层膜厚会影响铝对不同波长光的反射率，因此，本技术的所述透明绝缘层及所述透明导电层两者的厚度搭配需进行合理设计。根据布拉格反射原理，当介质的光学膜厚为设定光谱的λ/4时反射电极的反射率最高，即n
×d×
cosθ＝λ/4；式中，n表示折射率、d表示膜厚、θ表示入射角、λ表示入射光线波长。根据上述原理，设计如下不同实施例，以查找出采用二氧化硅的所述透明绝缘层和采用氧化铟锡的所述透明导电层的最佳膜厚参数，以使在该最佳膜厚参数下，采用铝金属制成的所述反射金属层具有反射率高且反射率均一性较好的特性。需要说明的是，下列各实施例中，入射光线均是垂直射入显示面板的情况。
[0095]
实施例5
[0096]
参考图2所示，所述下基板10包括下玻璃基板11和自下玻璃基板朝向所述上基板30一侧依次设置的薄膜晶体管结构12、有机平坦层13、反射金属层14、透明绝缘层15和透明导电层16。本实施例中，所述透明导电层采用氧化铟锡制成，所述透明绝缘层采用二氧化硅制成，所述反射金属层采用铝金属制成；所述透明导电层包括相互交替且间隔设置的方形导电电极，所述导电电极中像素尺寸为12μm。具体实施时，所述透明导电层以及所述透明绝缘层的材料折射率以及膜厚采用如表5所示的参数，通过测试得出如图9所示的实施例5在550nm中心波长对应的λ/4膜厚时的反射率曲线图。
[0097]
表5：实施例5中透明导电层及透明绝缘层的材料折射率以及膜厚参数
[0098] 折射率(n)膜厚(d)氧化铟锡2.0666.80nm二氧化硅1.4694.06nm铝//
[0099]
实施例6
[0100]
参考图2所示，所述下基板10包括下玻璃基板11和自下玻璃基板朝向所述上基板30一侧依次设置的薄膜晶体管结构12、有机平坦层13、反射金属层14、透明绝缘层15和透明
导电层16。本实施例中，所述透明导电层采用氧化铟锡制成，所述透明绝缘层采用二氧化硅制成，所述反射金属层采用铝金属制成；所述透明导电层包括相互交替且间隔设置的方形导电电极，所述导电电极中像素尺寸为12μm。具体实施时，所述透明导电层以及所述透明绝缘层的材料折射率以及膜厚采用如表6所示的参数，通过测试得出如图10所示的实施例6在500nm中心波长对应的λ/4膜厚时的反射率曲线图。
[0101]
表6：实施例6中透明导电层及透明绝缘层的材料折射率以及膜厚参数
[0102] 折射率(n)膜厚(d)氧化铟锡2.0660.73nm二氧化硅1.4685.51nm铝//
[0103]
实施例7
[0104]
参考图2所示，所述下基板10包括下玻璃基板11和自下玻璃基板朝向所述上基板30一侧依次设置的薄膜晶体管结构12、有机平坦层13、反射金属层14、透明绝缘层15和透明导电层16。本实施例中，所述透明导电层采用氧化铟锡制成，所述透明绝缘层采用二氧化硅制成，所述反射金属层采用铝金属制成；所述透明导电层包括相互交替且间隔设置的方形导电电极，所述导电电极中像素尺寸为12μm。具体实施时，所述透明导电层以及所述透明绝缘层的材料折射率以及膜厚采用如表7所示的参数，通过测试得出如图11所示的实施例7在450nm中心波长对应的λ/4膜厚时的反射率曲线图。
[0105]
表7：实施例7中透明导电层及透明绝缘层的材料折射率以及膜厚参数
[0106] 折射率(n)膜厚(d)氧化铟锡2.0654.67nm二氧化硅1.4676.96nm铝//
[0107]
结合实施例5至实施例7，其中，图9至图11分别展示以中心波长设定在550nm、500nm及450nm为例，二氧化硅及氧化铟锡的膜厚均设计为λ/4的不同光谱下的反射率结果。从结果中可以看出反射率曲线会随着设定波长的改变而平移，在中心波长为550nm的反射率光谱看出，在400nm～450nm范围内反射率从88％下降至70％，变化较为明显。在中心波长为500nm的反射率光谱看出，在400nm～450nm范围内反射率从90％下降至80％，效果优于中心波长为550nm结果。在中心波长为450nm的反射率光谱看出，在400nm～450nm范围内反射率从91％下降至86％，反射率下降明显减小优于中心波长为550nm和500nm的结果，且在400nm～700nm范围内反射率波动不大，均一性较好，故本技术的二氧化硅及氧化铟锡可以采用中心波长为450nm的λ/4光学膜厚，即76.96nm厚度的二氧化硅，54.67nm厚度的氧化铟锡，即可实现在400nm～700nm范围内金属材质铝的所述反射金属层的反射率均一性较好且反射率高于84％，提高了显示面板的反射率以及确保相似面板的反射率均一性较好。
[0108]
实施例8
[0109]
需要说明的是，除了上述方法设计出采用二氧化硅的所述透明绝缘层和采用氧化铟锡的所述透明导电层的最佳膜厚参数，以使在该最佳膜厚参数下，采用铝金属制成的所述反射金属层具有反射率高且反射率均一性较好的特性。还可以采用仿真反射率参数设定，拟合出二氧化硅和氧化铟锡的膜厚及在该膜厚下的反射率光谱。具体地，仿真设置内容
为在400nm～700nm波段下，设定反射率均接近90％得到的通过仿真优化的反射率曲线如图12所示，其对应的所述透明导电层以及所述透明绝缘层的材料折射率以及膜厚参数如表8所示。从图12可知，该反射率曲线在400nm～700nm波段内反射率均匀与图11结果相近，在700nm波长下反射率约为86％，反射率高于图11设计方案。因此，本技术具体实施时也可采用这种设计，二氧化硅膜厚设计为99.60nm，氧化铟锡膜厚设计为40.05nm，从而得到在400nm～700nm波长下反射率均一性较好，且反射率高于85％。
[0110]
表8：实施例8中透明导电层及透明绝缘层的材料折射率以及膜厚参数
[0111] 折射率(n)膜厚(d)氧化铟锡2.0640.05nm二氧化硅1.4699.60nm铝//
[0112]
实施例9
[0113]
在实施例8的结构及相关参数的基础上，通过仿真设定所述透明导电层16上的像素电极大小为10μm，且相邻两像素电极之间的缝隙为2μm，通过仿真模拟出如图13所示的所述实施例8显示面板相位调节的示意图。
[0114]
从图13中可以看出，在相邻两反射电极的像素电压为6v时，反射电极的缝隙处位相差与反射电极区域相比差异较大；在相邻两反射电极的像素电压为0v时，反射电极的缝隙处位相差与反射电极区域相比差异较小。由此可知，虽然采用如图2所示的显示面板的基本架构可以达到提高反射率以提高光利用率的目的，但是这种结构设计在反射电极的缝隙处位相差仍存在差异较大，导致影响成像质量。为了解决这一弊端，进一步通过采用如图14所示的显示面板的优化结构。
[0115]
需要说明的是，本实施例与实施例8架构的不同之处在于：所述透明导电层16及所述液晶层20之间设有无机绝缘层191及浮动金属层192，自所述透明导电层16朝向所述液晶层20一侧依次设置所述无机绝缘层191及所述浮动金属层192；所述浮动金属层192与所述透明导电层16上的缝隙相对应设置，且所述浮动金属层192与所述透明导电层16形成预设范围的交叠区域。具体地，所述无机绝缘层191采用二氧化硅材质制成，二氧化硅厚度为70nm，所述浮动金属层192采用氧化烟锡材质制成。进一步地，所述浮动金属层192与所述透明导电层16形成的交叠区域，其中，所述浮动金属层与形成对应缝隙的两相邻反射电极的交叠区域的宽度为1μm。通过仿真模拟出如图15所示实施例9显示面板相位调节的的示意图，从图15中可以看出在电压为6v时，反射电极缝隙处的相位差与反射电极处的相位差基本一致，与实施例8相比相位调制效果有所提升。
[0116]
实施例10
[0117]
本实施例与实施例10架构的不同之处在于：所述无极绝缘层191采用二氧化硅材质制成，二氧化硅厚度为80nm，所述浮动金属层与形成对应缝隙的两相邻反射电极的交叠区域的宽度为2μm。通过仿真模拟出如图16所示实施例10显示面板相位调节的的示意图，从图16中可以看出在电压为6v时，反射电极缝隙处的相位差与反射电极处的相位差基本一致，与实施例8相比相位调制效果有所提升。
[0118]
结合实施例8、实施例9及实施例10来看，所述浮动金属层192的设置可以进一步改善所述透明导电层16上的缝隙区域的位相差，从而提高显示面板的成像质量。
[0119]
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。