技术特征：
1.一种兼容2d与3d显示的液晶拼接大屏，其特征在于，包括液晶拼接屏(400)、1/2相位差层(104)和1/4相位差层(105)，液晶拼接屏(400)出光侧设置线偏振层，液晶拼接屏(400)的像素矩阵分辨率减半控制，液晶拼接屏(400)的线偏振层侧通过设置1/2相位差层(104)和1/4相位差层(105)实现被动式3d成像输出，1/4相位差层(105)与液晶拼接屏(400)的线偏振层的透光方向夹角为45
°
或者-45
°
。2.根据权利要求1所述一种兼容2d与3d显示的液晶拼接大屏，其特征在于，液晶拼接屏(400)的像素矩阵分辨率减半控制方式为：采用隔行子像素有效控制方式，一行子像素设置为有效子像素(101)，相邻行子像素设置为无效子像素(102)；或采用隔列子像素有效控制方式，一列子像素设置为有效子像素(101)，相邻列子像素设置为无效子像素(102)。3.根据权利要求2所述一种兼容2d与3d显示的液晶拼接大屏，其特征在于，1/2相位差层(104)由交替排布的有效区域和无效区域构成：液晶拼接屏(400)的像素矩阵采用隔行子像素有效控制方式时，1/2相位差层(104)由等宽的有效行a和无效行b交替排布构成，有效行a和无效行b分别正对覆盖一行有效子像素(101)，一组1/2相位差层(104)的节距为4行子像素，且边界分别在两行无效子像素中线处；液晶拼接屏(400)的像素矩阵采用隔列子像素有效控制方式时，1/2相位差层(104)由等宽的有效列c和无效列d交替排布构成，有效列c和无效列d分别正对覆盖一列有效子像素(101)，一组1/2相位差层(104)的节距为4列子像素，且边界分别在两列无效子像素中线处。4.根据权利要求1至3任一权利要求所述一种兼容2d与3d显示的液晶拼接大屏，其特征在于，还包括防眩层(200)，防眩层(200)设置于1/2相位差层(104)或1/4相位差层(105)的出光侧。5.一种液晶拼接大屏制备方法，该方法基于权利要求4所述一种兼容2d与3d显示的液晶拼接大屏实现，其特征在于，该方法包括以下步骤：a1、在液晶拼接屏(400)线偏振层出光侧对位贴合1/4相位差层(105)；a2、在1/4相位差层(105)出光侧表面对位贴合1/2相位差层(104)；所述的1/2相位差层(104)的有效区域横跨3个子像素，且宽度为相邻两个无效像素中心距离；a3、在1/2相位差层(104)出光侧形成均匀化层(103)；a4、在均匀化层(103)表面形成防眩层(200)，完成兼容2d与3d显示的液晶拼接大屏的制备。6.一种液晶拼接大屏制备方法，该方法基于权利要求4所述一种兼容2d与3d显示的液晶拼接大屏实现，其特征在于，该方法包括以下步骤：b1、在1/4相位差层(105)出光侧表面形成防眩层(200)；b2、在1/4相位差层(105)进光侧表面对位覆合1/2相位差层(104)，制备出3d单元；所述的1/2相位差层(104)的有效区域横跨3个子像素，且宽度为相邻两个无效像素中心距离；b3、将3d单元对位贴合在液晶拼接屏(400)上，对位贴合的原则为：3d单元中的1/2相位差层(104)与液晶拼接屏(400)的像素矩阵对位，完成兼容2d与3d显示的液晶拼接大屏的制备。
技术总结
一种兼容2D与3D显示的液晶拼接大屏及该大屏制备方法，属于3D显示技术领域，本发明为解决现有液晶拼接屏的3D显示采用柱镜分光技术无法兼容显示2D的问题。本发明包括液晶拼接屏400、1/2相位差层104和1/4相位差层105，液晶拼接屏400出光侧设置线偏振层，液晶拼接屏400的像素矩阵分辨率减半控制，液晶拼接屏400的线偏振层侧通过设置1/2相位差层104和1/4相位差层105实现被动式3D成像输出，1/4相位差层105与液晶拼接屏400的线偏振层的透光方向夹角为45
技术研发人员：顾开宇 鲜成波 王华波 赵刚 汤子懿
受保护的技术使用者：宁波维真显示科技股份有限公司
技术研发日：2022.07.04
技术公布日：2022/9/8