显示面板及显示装置的制作方法

1.本技术涉及显示器技术领域，特别是涉及一种显示面板及显示装置。


背景技术：

2.无边沿液晶显示面板是目前市面上一种有竞争力的产品，显示面板包括cf基板和tft基板，为了能更好的遮光，cf基板的边沿区域要全面覆盖不透光的bm光阻，同时tft基板的边沿位置也需要尽可能多的覆盖不透光的金属层。目前市面上的产品在tft基板的最外围和拐角位置一般设置金属信号线，这些金属信号线通常是功能性的，例如为cf基板的公共电极层通电。
3.然而，当这种无边沿的产品在沿海地区使用时或者需要经过海运方式运输时，空气中的盐雾分子会从显示面板边沿经毛细作用进入到显示面板内部，这些盐雾分子接触金属信号线，会发生电化学腐蚀，导致显示面板失效。


技术实现要素：

4.本技术主要提供一种显示面板及显示装置，以解决现有技术中盐雾分子进入显示面板发生电化学腐蚀，导致显示面板失效的问题。
5.为解决上述技术问题，本技术采用的一个技术方案是：提供一种显示面板，包括相对设置的阵列基板和对设基板，以及设置于所述阵列基板和所述对设基板之间的框胶；所述阵列基板靠近所述对设基板一侧的表面设有金属信号线，且所述金属信号线靠近所述阵列基板的边缘设置；
6.其中，所述阵列基板和所述对设基板之间还设有金属保护结构，所述金属保护结构设置于所述框胶的外围；所述金属保护结构与所述金属信号线间隔设置，且设置于所述金属信号线的至少部分与所述阵列基板的边缘之间。
7.其中，所述金属保护结构包括第一金属保护单元和/或第二金属保护单元；其中，所述第一金属保护单元与所述金属信号线材料相同且通过图案化同一金属层形成，所述第二金属保护单元与所述金属信号线材料不同且通过图案化不同金属层形成。
8.其中，所述金属保护结构包括金属保护走线，所述金属保护走线设置于所述阵列基板靠近所述对设基板一侧的表面；
9.所述金属保护走线设置于所述阵列基板的拐角位置处；或
10.所述金属保护走线沿着所述阵列基板的边缘环绕一周设置且与所述阵列基板的边缘间隔设置。
11.其中，所述阵列基板包括位于同一长边上的第一拐角和第二拐角，以及分别与所述第一拐角和所述第二拐角相对设置的第三拐角和第四拐角；所述第三拐角和所述第四拐角设置有倒角，所述金属保护走线设置于所述阵列基板的所述第三拐角和所述第四拐角位置处。
12.其中，所述金属保护走线与所述金属信号线之间的间距大于等于50μm；所述金属
保护走线与所述阵列基板的边缘之间的距离大于150μm，所述金属保护走线的宽度大于40μm。
13.其中，所述金属保护走线与所述金属信号线为通过图案化同一金属层形成。
14.其中，所述金属保护结构包括多个金属保护块，多个所述金属保护块设置于所述阵列基板靠近所述对设基板一侧的表面；多个所述金属保护块沿着所述阵列基板的边缘环绕一周设置，且多个所述金属保护块之间相互间隔设置；所述金属保护块的材料包括惰性金属材料；或
15.所述金属保护结构包括惰性金属走线，所述惰性金属走线沿着所述阵列基板的边缘环绕一周设置。
16.其中，所述显示面板还包括聚合物挡墙，所述聚合物挡墙设置于所述阵列基板和所述对设基板之间且分别延伸至所述对设基板和所述阵列基板相对的表面；所述聚合物挡墙沿着所述阵列基板的边缘环绕一周设置且位于所述金属保护结构的外围；
17.其中，所述聚合物挡墙的材料包括树脂；所述聚合物挡墙与所述阵列基板的边缘的间距大于等于50μm。
18.其中，所述框胶沿所述阵列基板的边缘环绕一周设置；所述金属信号线位于所述框胶内；或
19.所述金属信号线位于所述框胶与所述阵列基板的边缘之间；所述金属保护结构位于所述金属信号线与所述阵列基板的边缘之间；
20.其中，所述显示面板为无边框液晶显示面板；所述对设基板的尺寸大于所述阵列基板的尺寸。
21.为解决上述技术问题，本技术采用的另一个技术方案是：提供一种显示装置，包括：
22.显示面板，所述显示面板为如上所述任意一种的显示面板；背光模组，设置于所述显示面板一侧，用于为所述显示面板提供背光。
23.本技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本技术公开了一种显示面板及显示装置，该显示面板包括相对设置的阵列基板和对设基板，以及设置于阵列基板和对设基板之间的框胶；阵列基板靠近对设基板一侧的表面设有金属信号线，且金属信号线靠近阵列基板的边缘设置；其中，阵列基板和对设基板之间还设有金属保护结构，金属保护结构设置于框胶的外围；金属保护结构与金属信号线间隔设置，且设置于金属信号线的至少部分与阵列基板的边缘之间。通过上述设置，由设置于金属信号线与阵列基板的边缘之间的金属保护结构，对空气中的盐雾分子进行阻挡消耗，盐雾分子首先与金属保护结构进行接触，牺牲掉金属保护结构以防止盐雾分子与金属信号线接触发生电化学腐蚀，导致显示面板失效的问题发生，有利于提升显示面板的性能。
附图说明
24.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：
25.图1是本技术提供的显示面板的俯视结构示意图；
26.图2是图1提供的显示面板的截面示意图；
27.图3是图1提供的显示面板的阵列基板的俯视结构示意图；
28.图4是本技术提供的显示面板第一实施例中阵列基板第三拐角的局部放大示意图；
29.图5是本技术提供的显示面板第二实施例中阵列基板第三拐角的局部放大示意图；
30.图6是本技术提供的显示面板第三实施例中阵列基板第三拐角的局部放大示意图；
31.图7是本技术提供的显示面板第四实施例中阵列基板第三拐角的局部放大示意图；
32.图8是本技术提供的显示面板第四实施例的截面示意图；
33.图9是本技术提供的显示面板第五实施例一实施方式中阵列基板第三拐角的局部放大示意图；
34.图10是本技术提供的显示面板第五实施例另一实施方式中阵列基板第三拐角的局部放大示意图；
35.图11是本技术提供的显示装置一实施例的结构示意图。
36.附图标号
37.显示装置300 背光模组200 显示面板100 阵列基板1 第一长边11 第二长边12 第一拐角c1 第二拐角c2 第三拐角c3 第四拐角c4 对设基板2 框胶3 金属信号线4 金属保护结构5 第一金属保护单元51 第二金属保护单元52 聚合物挡墙53
具体实施方式
38.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
39.本技术实施例中的术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。本技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其他步骤或单元。
40.在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本技术的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其他实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其他实施例相结合。
41.参阅图1至图3，图1是本技术提供的显示面板的俯视结构示意图，图2是图1提供的
显示面板的截面示意图，图3是图1提供的显示面板的阵列基板的俯视结构示意图。
42.本技术提供了一种显示面板100，该显示面板100包括相对设置的阵列基板1和对设基板2，以及设置于阵列基板1和对设基板2之间的框胶3。阵列基板1靠近对设基板2一侧的表面设有金属信号线4，且金属信号线4靠近阵列基板1的边缘设置；其中，阵列基板1和对设基板2之间还设有金属保护结构5，金属保护结构5设置于框胶3的外围；金属保护结构5与金属信号线4间隔设置，且设置于金属信号线4的至少部分与阵列基板1的边缘之间。
43.可以理解，通过在阵列基板1和对设基板2之间设置金属保护结构5，且将金属保护结构5设置于框胶3外围，可以在框胶3对金属信号线4进行保护的基础上，进一步对金属信号线4进行保护；同时，将金属保护结构5设置于金属信号线4的至少部分与阵列基板1的边缘之间，可以由位于金属信号线4和阵列基板1之间的金属保护结构5对空气中的盐雾分子进行阻挡，对金属信号线4进行保护，避免空气中的盐雾分子进入显示面板100后直接经阵列基板1的边沿与金属信号线4接触，导致金属信号线4形成导电回路而发生电化学腐蚀，且金属保护结构5与金属信号线4间隔设置，也可以避免金属保护结构5与金属信号线4接触设置时，金属保护结构5与盐雾分子接触后与金属信号线4之间形成导电回路，从而影响金属保护结构5对金属信号线4的保护效果的问题发生。
44.具体的，阵列基板1设置有tft阵列(图未示)、扫描线(图未示)和像素电极(图未示)，对设基板2可以为彩膜基板，彩膜基板可以设置有彩色滤光层(图未示)和黑矩阵(图未示)，阵列基板1和对设基板2可以为玻璃基板。显示面板100还包括液晶分子(图未示)，液晶分子位于阵列基板1和对设基板2之间，框胶3延伸至阵列基板1和对设基板2相对的表面，用于封装液晶分子的同时连接固定阵列基板1和对设基板2。本实施例中，阵列基板1为tft驱动基板，对设基板2为彩膜基板。
45.金属信号线4可以设置于框胶3内也可以设置于框胶3外围，当框胶3内空间足够大时，金属信号线4可以设置于框胶3内，由框胶3和金属保护结构5共同对金属信号线4进行保护；而对于框胶3内空间不足时，金属信号线4可以设置在框胶3和阵列基板1的边缘之间，在金属信号线4和阵列基板1的边缘之间设置金属保护结构5对金属信号线4进行保护。
46.本技术提供的显示面板100可以为无边沿液晶显示面板100，也可以为其他任意一种液晶显示面板100。本技术实施例以显示面板100为无边沿液晶显示面板100为例进行介绍。
47.无边沿液晶显示面板100中对设基板2的尺寸大于阵列基板1的尺寸，阵列基板1和对设基板2的形状可以设置为任意形状。如图1和图2所示，阵列基板1和对设基板2的衬底为玻璃基板，阵列基板1和对设基板2大致呈矩形。
48.如图1和图3所示，阵列基板1包括相对的第一长边11和第二长边12，第一长边11上的两个拐角为第一拐角c1和第二拐角c2，第二长边12上的两个拐角为第三拐角c3和第四拐角c4，对设基板2覆盖阵列基板1位于第二长边12上的两个拐角。为避免在实际使用过程中阵列基板1的第三拐角c3和第四拐角c4位置处应力集中，导致阵列基板1的玻璃破裂影响显示性能，需要对阵列基板1的第三拐角c3和第四拐角c4进行倒角工艺处理。第一拐角c1和第二拐角c2位置设置有密封胶(图未示)，密封胶将第一拐角c1和第二拐角c2位置进行密封，第一拐角c1和第二拐角c2位置无需进行倒角处理。
49.阵列基板1朝向对设基板2的表面还覆盖有绝缘膜层(图未示)，绝缘膜层设置于金
属信号线4靠近对设基板2的表面并覆盖金属信号线4，绝缘膜层包括gi膜层和pv膜层，绝缘膜层采用氧化硅等材料制成。由于绝缘膜层覆盖金属信号线4，可以对金属信号线4进行保护，防止空气中的盐雾分子与金属信号线4接触。
50.具体的，金属保护结构5包括第一金属保护单元51和/或第二金属保护单元52，其中，第一金属保护单元51与金属信号线4的材料相同且通过图案化同一金属层形成，第二金属保护单元52与金属信号线4的材料不同且通过图案化不同金属层形成，金属保护结构5可以只包括第一金属保护单元51或第二金属保护单元52中的一个，也可以同时包括第一金属保护单元51和第二金属保护单元52。
51.参阅图4，图4是本技术提供的显示面板第一实施例中阵列基板第三拐角的局部放大示意图。
52.由于阵列基板1的第三拐角c3和第四拐角c4进行倒角工艺处理，而显示面板100的外壳在第三拐角c3和第四拐角c4对应的拐角没有进行倒角工艺处理或倒角处理的力度较小，因此，阵列基板1的第三拐角c3和第四拐角c4位置与显示面板100的外壳在拐角处的边沿之间具有一定空间，空气中的盐雾分子容易进入到第三拐角c3和第四拐角c4与显示面板100的边沿之间的空间内，同时，第三拐角c3和第四拐角c4进行倒角处理的过程中，对应位置处的绝缘膜层被破坏，绝缘膜层发生破损使得第三拐角c3和第四拐角c4位置处的金属信号线4暴露出来，空气中的盐雾分子进入到第三拐角c3和第四拐角c4与显示面板100的边沿之间的空间后，更容易在第三拐角c3和第四拐角c4位置与金属信号线4接触，导致金属信号线4形成导电回路，发生电化学腐蚀，进而导致显示面板100失效的问题发生。有鉴于此，本技术实施例提供了一种显示面板100，以对阵列基板1的第三拐角c3和第四拐角c4处的金属信号线4进行保护，防止空气中的盐雾分子进入到显示面板100后，在第三拐角c3和第四拐角c4位置处与金属信号线4接触发生电化学腐蚀的问题发生。
53.参见图4，在阵列基板1的第三拐角c3位置处，框胶3形状呈弧形，金属信号线4部分设置于框胶3外，位于框胶3和阵列基板1的边缘之间，在框胶3和阵列基板1之间设置有金属保护结构5。本实施例中，显示面板100的金属保护结构5仅包括第一金属保护单元51，第一金属保护单元51为金属保护走线，第一金属保护单元51与金属信号线4材料相同且通过图案化同一金属层形成。第一金属保护单元51即金属保护走线设置于阵列基板1靠近对设基板2一侧的表面，且设置于阵列基板1的拐角位置处，具体的，金属保护走线设置于阵列基板1的第三拐角c3和第四拐角c4位置处，金属信号线4与金属保护走线间隔设置，绝缘膜层设置于阵列基板1靠近对设基板2的表面，且覆盖金属信号线4和第一金属保护单元51。
54.可以理解，第一金属保护单元51即金属保护走线设置于阵列基板1的第三拐角c3和第四拐角c4位置处，可以有效解决由于第三拐角c3和第四拐角c4进行倒角工艺处理，造成的第三拐角c3和第四拐角c4与显示面板100的边沿之间具有一定空间，以及第三拐角c3和第四拐角c4处的绝缘膜层被破坏导致第三拐角c3和第四拐角c4处的金属信号线4暴露，进而导致金属信号线4在第三拐角c3和第四拐角c4处易与盐雾分子接触发生电化学腐蚀的问题。本实施例中，由于金属保护走线设置于第三拐角c3和第四拐角c4位置处，金属信号线4与金属保护走线间隔设置，即第三拐角c3和第四拐角c4位置不设置金属信号线4，即使进行倒角处理后第三拐角c3和第四拐角c4的绝缘膜层被破坏，也只是金属保护走线暴露出来，而其余位置的绝缘膜层仍然完好，金属信号线4仍被其余位置的绝缘膜层覆盖，盐雾分
子进入到第三拐角c3和第四拐角c4位置处，也会首先与暴露的金属保护走线接触，而不会与被绝缘膜层覆盖的金属信号线4接触反应，即牺牲掉金属保护走线与盐雾分子接触以对金属信号线4进行保护。金属保护走线设置于金属信号线4与阵列基板1的边缘之间，且金属保护走线与金属信号线4间隔设置，即金属保护走线与金属信号线4未连接，金属保护走线对盐雾分子进行阻挡消耗，盐雾分子与金属保护走线接触也不会与金属信号线4之间形成导电回路，不会发生电化学腐蚀，金属保护走线可以对金属信号线4进行良好的保护，防止显示面板100失效。
55.第一金属保护单元51即金属保护走线与金属信号线4之间间隔设置，其中，金属保护走线与金属信号线4之间的间距大于等于50μm，以保证金属保护走线对金属信号线4具有良好的保护效果，避免在金属保护走线和金属信号线4之间形成导电回路。具体的，本技术发明人经实验验证，发现金属保护走线与金属信号线4之间的间距小于50μm时，仍然存在盐雾分子与金属信号线4接触导致金属信号线4形成导电回路进而发生电化学腐蚀的问题，因此，为提升金属保护走线对金属信号线4的保护效果，金属保护走线与金属信号线4之间的间距需大于等于50μm。优选的，在产品的实际生产应用过程中，考虑到显示面板的实际尺寸等因素，金属信号线4和金属保护走线之间的间距在50-200μm的范围内，保证金属保护走线对金属信号线4的保护效果的同时也便于产品的设计。可以理解，若产品的尺寸足够大时，金属保护走线与金属信号线4的间距也可以大于200μm，金属保护走线对金属信号线4的保护作用更强。
56.金属保护走线和阵列基板1的边缘之间也间隔设置，金属保护走线与阵列基板1的边缘之间的距离大于150μm，避免金属保护走线延伸出阵列基板1的边缘，同时，金属保护走线与阵列基板1的边缘之间的距离越大，盐雾分子越不容易与金属信号线4接触，即对金属信号线4的保护作用更强。例如，金属保护走线与金属信号线4之间的间距为120μm，金属保护走线与阵列基板1的边缘之间的距离为200μm。金属保护走线的宽度要大于40μm，以保证盐雾分子进入显示面板100内部时，有足够的金属保护走线与盐雾分子接触，消耗更多的盐雾分子，避免由于金属保护走线宽度不足而导致盐雾分子未完全消耗，仍存在盐雾分子与金属信号线4接触的问题发生。
57.金属保护走线的形状可以设置为任意形状，例如，可以呈矩形、l形、或任意不规则形状，只要可以对盐雾分子进行阻挡，避免形成导电回路即可。第一金属保护单元51即金属保护走线可以设置为一个也可以设置为多个，如图4所示，阵列基板1的第三拐角c3位置处设置有两个金属保护走线，两个金属保护走线分别对应于第三拐角c3的两条边设置，且两个金属保护走线之间间隔设置。阵列基板1的第四拐角c4的金属保护走线的设置方式和第三拐角c3的金属保护走线的设置方式相同，不再赘述。
58.第三拐角c3和第四拐角c4处的金属信号线4位于框胶3外时，也可以通过将位于框胶3外的金属信号线4进行切割形成金属保护走线，使得金属保护走线与金属信号线4之间断开，即间隔设置，例如，可以通过金属图案化工艺将位于框胶3外的金属信号线4的部分金属刻除，形成相互间隔的金属信号线4和金属保护走线，且金属保护走线位于金属信号线4和阵列基板1的边缘之间，以对金属信号线4进行保护。
59.可选的，金属信号线4也可以设置于框胶3内，在第三拐角c3和第四拐角c4位置处仍可以设置有金属保护走线，由金属保护走线和框胶3共同对金属信号线4进行保护，其保
护作用更强，效果更好。
60.参阅图5，图5是本技术提供的显示面板第二实施例中阵列基板第三拐角的局部放大示意图。
61.本实施例中，如图5所示，显示面板100的金属保护结构5仅包括第一金属保护单元51，第一金属保护单元51为金属保护走线，金属保护走线与金属信号线4的材料相同且通过图案化同一金属层形成。金属保护走线设置于框胶3外围，区别于显示面板100第一实施例中的金属保护走线，本实施例中，第一金属保护单元51即金属保护走线设置于阵列基板1靠近对设基板2一侧的表面，且沿着阵列基板1的边缘环绕一周设置，金属保护走线与阵列基板1的边缘间隔设置，同时也与金属信号线4间隔设置。
62.可以理解，第一金属保护单元51即金属保护走线沿着阵列基板1的边缘环绕一周设置，可以使得阵列基板1沿着周向上各位置处的金属信号线4均可以被金属保护走线保护，由于金属保护走线设置于金属信号线4的外围，且绝缘膜层覆盖于金属信号线4和金属保护走线的表面，即使空气中的盐雾分子沿着显示面板100的边沿进入到显示面板100内部时，也会首先与位于金属信号线4外围的金属保护走线接触，被设置于阵列基板1的边缘位置处的金属保护走线进行阻挡消耗，牺牲掉金属保护走线以对金属信号线4进行保护。由于金属保护走线与金属信号线4之间间隔设置，即金属保护走线与金属信号线4之间未连接，盐雾分子与金属保护走线接触也不会与金属信号线4之间形成导电回路，避免了盐雾分子直接与金属信号线4接触形成导电回路、发生电化学腐蚀，进而导致显示面板100失效的问题发生。
63.具体的，金属保护走线与金属信号线4之间的间距大于等于50μm，避免在金属保护走线和金属信号线4之间形成导电回路；优选的，金属保护走线与金属信号线4之间的间距在50-200μm的范围内。金属保护走线与阵列基板1的边缘之间的间距大于150μm，避免金属保护走线延伸出阵列基板1的边缘，金属保护走线与阵列基板1的边缘之间的距离越大，盐雾分子越不容易与金属信号线4接触，即对金属信号线4的保护作用更强。金属保护走线的宽度要大于50μm，以保证金属保护走线对金属信号线4的保护强度。
64.本实施例中，金属信号线4可以设置于框胶3内，由框胶3和金属保护走线共同对金属信号线4进行保护；也可以设置于框胶3外，位于框胶3和阵列基板1的边缘之间，金属保护走线设置于框胶3和阵列基板1的边缘之间，由金属保护走线对金属信号线4进行保护。
65.本实施例中，通过图案化同一金属层制备形成第一金属保护单元51和金属信号线4时，也可以将第一金属保护单元51制备成多个沿着阵列基板1的边缘环绕一周设置的金属保护块，多个金属保护块之间相互间隔且与阵列基板1的边缘间隔设置，多个金属保护块位于金属信号线4外围，由多个金属保护块作为第一金属保护单元51对金属信号线4进行保护。金属保护块的形状可以为矩形、方形、圆形等任意形状。
66.参阅图6，图6是本技术提供的显示面板第三实施例中阵列基板第三拐角的局部放大示意图。
67.本实施例中，显示面板100的金属保护结构5仅包括第二金属保护单元52，第二金属保护单元52与金属信号线4的材料不同且通过图案化不同金属层制备形成。
68.在一实施方式中，如图6所示，第二金属保护单元52包括多个金属保护块，多个金属保护块与金属信号线4的材料不同。多个金属保护块设置于阵列基板1靠近对设基板2一
侧的表面，多个金属保护块沿着阵列基板1的边缘环绕一周设置，且多个金属保护块之间相互间隔设置。
69.多个金属保护块沿着阵列基板1的边缘环绕一周设置，可以对阵列基板1周向上各个位置处的金属信号线4均可以起到良好的保护作用。由于多个金属保护块设置于金属信号线4的外围，且绝缘膜层覆盖于金属信号线4和多个金属保护块的表面，盐雾分子经显示面板100的边沿进入显示面板100内部时，也会首先与位于金属信号线4外围的多个金属保护块接触，由多个金属保护块对盐雾分子进行阻挡消耗，牺牲掉多个金属保护块以避免盐雾分子直接与金属信号线4接触从而对金属信号线4进行保护。同时多个金属保护块之间间隔设置，即多个金属保护块之间相互独立，盐雾分子与金属保护块接触也不会在多个金属保护块之间形成导电回路，不会发生电化学腐蚀，使得金属信号线4得到保护。
70.具体的，多个金属保护块的形状可以相同也可以不同，金属保护块的形状可以设置为矩形、圆形、正方形、多边形、三角形、环形等任意形状。多个金属保护块可以沿着阵列基板1的边缘呈阵列分布，例如，多个金属保护块的形状相同，均为正方形，多个金属保护块可以在阵列基板1的每条边对应的位置处分布有两行或两列，且各个金属保护块之间的间隔距离相等(如图6所示)。在其他实施方式中，多个金属保护块在阵列基板1的每条边对应的位置处分布的列数或行数也可以为其他数量，例如可以为一行、三行或五行等任意数量。可以理解，金属保护块分布有多行或多列时，对盐雾分子的阻挡消耗能力会更强，盐雾分子更不容易与金属信号线4接触，对金属信号线4的保护效果也会更好。
71.金属保护块的尺寸可以根据显示面板100实际的空间大小进行设置。例如，在一实施方式中，金属保护块的尺寸可以设置为100μm，相邻两个金属保护块之间的间隔距离也设置为100μm。金属保护块与阵列基板1的边缘之间的间距大于150μm，例如，金属保护块与阵列基板1的边缘之间的距离为200μm，金属保护块与阵列基板1的边缘之间的距离越大，盐雾分子越不容易与金属信号线4接触，即对金属信号线4的保护作用更强。
72.本实施例中，金属保护块为惰性金属块，采用惰性金属材料制成，例如银、氧化铝等惰性金属，可以理解，惰性金属接触盐雾分子不易被氧化形成导电回路，对金属信号线4的保护效果更好。通过金属图案化工艺对不同金属层进行图案化处理形成金属信号线4和多个相互间隔设置的金属保护块，由多个金属保护块对金属信号线4进行保护。
73.在其他实施方式中，第二金属保护单元52也可以包括惰性金属走线，惰性金属走线通过金属图案化工艺制备形成，惰性金属走线与金属信号线4材料不同，采用惰性金属材料。惰性金属走线沿着阵列基板1的边缘环绕一周设置形成完整的环形走线，惰性金属走线位于金属信号线4的外围，由惰性金属走线对盐雾分子进行阻挡消耗，以对金属信号线4进行保护。
74.可以理解，本实施例中，第二金属保护单元52也可以采用其他与金属信号线4不同的金属材料制成，只要能对金属信号线4进行保护即可。
75.参阅图7及图8，图7是本技术提供的显示面板第四实施例中阵列基板第三拐角的局部放大示意图，图8是本技术提供的显示面板第四实施例的截面示意图。
76.参见图7及图8，本实施例中，显示面板100的还包括聚合物挡墙53，聚合物挡墙53位于阵列基板1和对设基板2之间，且分别延伸至对设基板2和阵列基板1的相对的表面(如图8所示)，即聚合物挡墙53连接于阵列基板1和对设基板2相对的表面，聚合物挡墙53的高
度与阵列基板1和对设基板2之间的间隔距离相等。聚合物挡墙53沿着阵列基板1的边缘环绕一周设置，位于金属信号线4和阵列基板1的边缘之间，由聚合物挡墙53对盐雾分子进行阻挡，防止盐雾分子与金属信号线4接触。
77.聚合物挡墙53的材料采用聚合物，包括树脂，聚合物不易与盐雾分子发生反应。聚合物挡墙53与阵列基板1的边缘之间的间距大于等于50μm。可以理解，由于聚合物挡墙53连接于对设基板2和阵列基板1相对的表面，金属信号线4位于聚合物挡墙53内部，由聚合物挡墙53将金属信号线4和外部空气阻隔开来，外部空气中的盐雾分子无法穿过聚合物挡墙53与金属信号线4接触，也就不会发生电化学腐蚀导致显示面板100失效的问题。
78.本实施例中，金属信号线4可以位于框胶3内部，由框胶3和聚合物挡墙53对金属信号线4进行双重保护，对金属信号线4的保护效果更强，也可以位于框胶3和聚合物挡墙53之间，由聚合物挡墙53对金属信号线4进行保护。
79.参阅图9至图10，图9是本技术提供的显示面板第五实施例一实施方式中阵列基板第三拐角的局部放大示意图，图10是本技术提供的显示面板第五实施例另一实施方式中阵列基板第三拐角的局部放大示意图。
80.本实施例中，显示面板100的金属保护结构5可以包括上述显示面板100的前三个实施例中的金属保护结构5的任意两种或两种以上，即本实施例中的金属保护结构5可以为上述实施例中的第二金属保护单元52和两种第一金属保护单元51中的任意两种或三种的组合，显示面板100还可以包括上述的金属保护结构5和聚合物挡墙53。例如，本实施例中的金属保护结构5可以包括显示面板100第一实施例中的第一金属保护单元51和显示面板100第二实施例中的第一金属保护单元51；或本实施例中的金属保护结构5可以包括显示面板100第一实施例中的第一金属保护单元51和显示面板100第三实施例中的第二金属保护单元52；或本实施例中的显示面板100可以包括金属保护结构5和聚合物挡墙53，金属保护结构5可以包括显示面板100第一实施例中的第一金属保护单元51和显示面板100第二实施例中的第一金属保护单元51和显示面板100第三实施例中的第二金属保护单元52，可以根据需要进行设计，本技术对此不作限定。可以理解，本实施例中的金属保护结构5包括上述实施例中的金属保护结构5的任意两种或两种以上，由多种不同形式的金属保护结构5共同对金属信号线4进行保护，其保护作用更强，保护效果更好。
81.如图9所示，在一实施方式中，金属信号线4部分位于框胶3外，显示面板100包括聚合物挡墙53和金属保护结构5，金属保护结构5包括显示面板100第二实施例中的第一金属保护单元51即金属保护走线，聚合物挡墙53为显示面板100第四实施例中的聚合物挡墙53。金属保护走线和聚合物挡墙53均设置于框胶3外围，均沿着阵列基板1的边缘环绕一周设置，且金属保护走线设置于金属信号线4和聚合物挡墙53之间。金属保护走线的宽度设置为100μm，金属保护走线与金属信号线4之间的间距设置为150μm，金属保护走线与阵列基板1的边缘之间的间距为200μm。聚合物挡墙53的宽度设置为100μm，聚合物挡墙53与金属保护走线之间的间距为150μm，聚合物挡墙53与阵列基板1的边缘之间的间距为50μm。
82.由聚合物挡墙53将空气中的盐雾分子进行阻挡，防止盐雾分子进入到聚合物挡墙53内，同时金属保护走线也可以对盐雾分子进行阻挡消耗，即使由于产品实际生产制备过程中聚合物挡墙53与阵列基板1和对设基板2之间存在一定间隙，少量的盐雾分子经过聚合物挡墙53与阵列基板1和对设基板2之间的间隙进入到聚合物挡墙53与框胶3之间，由于绝
缘膜层覆盖于金属信号线4和第一金属保护单元51即金属保护走线的表面，金属保护走线位于金属信号线4的外围，盐雾分子也会首先与位于金属信号线4外围的金属保护走线进行接触，牺牲掉金属保护走线，由金属保护走线对盐雾分子进行消耗，防止盐雾分子与金属信号线4接触形成导电回路，发生电化学腐蚀，影响显示性能。
83.如图10所示，在另一实施方式中，金属信号线4部分位于框胶3外，显示面板100包括金属保护结构5和聚合物挡墙53，金属保护结构5包括显示面板100第三实施例中的第二金属保护单元52即多个金属保护块，聚合物挡墙53为显示面板100第四实施例中的聚合物挡墙53。聚合物挡墙53和多个金属保护块均设置于框胶3外围，且均沿着阵列基板1的边缘环绕一周设置，且多个金属保护块设置于金属信号线4和聚合物挡墙53之间。多个金属保护块沿着阵列基板1的边缘呈阵列分布，阵列基板1的每条边对应的位置均设置有两行金属保护块，且多个金属保护块之间等间隔设置。金属保护块为正方形，其宽度为100μm，相邻两个金属保护块之间的间距为100μm。金属保护块与金属信号线4之间的间距为150μm，金属保护块与阵列基板1的边缘之间的间距为200μm。聚合物挡墙53的宽度设置为100μm，聚合物挡墙53与金属保护块之间的间距为150μm，聚合物挡墙53与阵列基板1的边缘之间的间距为50μm。
84.由聚合物挡墙53将空气中的盐雾分子阻挡在聚合物挡墙53之外，防止盐雾分子进入聚合物挡墙53之内与金属信号线4接触，同时第二金属保护单元52即多个金属保护块设置于聚合物挡墙53与金属信号线4之间，进一步避免盐雾分子与金属信号线4接触的可能，即使由于产品实际生产制备过程中聚合物挡墙53与阵列基板1和对设基板2之间存在一定间隙，少量的盐雾分子经过聚合物挡墙53与阵列基板1和对设基板2之间的间隙进入到聚合物挡墙53与框胶3之间，由于绝缘膜层覆盖于金属信号线4和第二金属保护单元52即多个金属保护块的表面，多个金属保护块位于金属信号线4的外围，盐雾分子也会首先与位于金属信号线4外围的多个金属保护块进行接触，牺牲掉多个金属保护块，由多个金属保护块对盐雾分子进行消耗，防止盐雾分子与金属信号线4接触形成导电回路、发生电化学腐蚀，进而导致显示面板100失效的问题发生。
85.参阅图11，图11是本技术提供的显示装置一实施例的结构示意图。
86.本技术还提供了一种显示装置300，该显示装置300包括显示面板100和背光模组200，如图11所示，背光模组200设置于显示面板100的一侧，用于为显示面板100提供背光，以实现图像显示功能。具体的，显示面板100可以为上述实施例中的任意一种显示面板100，可以根据需要进行设计。
87.区别于现有技术的情况，本技术公开了一种显示面板100和显示装置300，显示面板100包括相对设置的阵列基板1和对设基板2，以及设置于阵列基板1和对设基板2之间的框胶3；阵列基板1靠近对设基板2一侧的表面设有金属信号线4，且金属信号线4靠近阵列基板1的边缘设置；其中，阵列基板1和对设基板2之间还设有金属保护结构5，金属保护结构5设置于框胶3的外围；金属保护结构5与金属信号线4间隔设置，且设置于金属信号线4的至少部分与阵列基板1的边缘之间。通过上述设置，由设置于金属信号线4与阵列基板1的边缘之间的金属保护结构5，对空气中的盐雾分子进行阻挡消耗，盐雾分子首先与金属保护结构5进行接触，牺牲掉金属保护结构5以防止盐雾分子与金属信号线4接触发生电化学腐蚀，导致显示面板100失效的问题发生，有利于提升显示面板100的性能。
88.以上所述仅为本技术的实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本技术的专利保护范围内。