技术特征：
1.一种主动调控的等离子体诱导透明和手性超表面器件。其特征是：所述的主动调控的等离子体诱导透明和手性超表面器件由若干个周期分布的单元结构1组成，每个单元结构1包括硅基底层2，金属开口环3，十字金属棒4，可调谐材料填充层5；在所述系统中，在单元结构中十字金属棒处于中心位置，四个开口环分别处于四个象限中，其中在第二和第四象限中开口环的开口处填充二氧化钒。2.根据权利要求1所述的一种主动调控的等离子体诱导透明和手性超表面器件，其特征在于：所述基底材料可以为硅、蓝宝石、二氧化硅的一种，厚度为50-2μm。3.根据权利要求1所述的一种主动调控的等离子体诱导透明和手性超表面器件，其特征在于：所述金属导线的材料可以为金、银、铝、铜中的一种，所述金属导线的厚度为0.1-10μm。4.根据权利要求1所述的一种主动调控的等离子体诱导透明和手性超表面器件，其特征在于：所述的可调谐材料填充层5厚度为0.1-10μm。5.根据权利要求1所述的一种主动调控的等离子体诱导透明和手性超表面器件，其特征在于：所述的单元结构中十字金属棒处于中心位置，四个开口环分别处于四个象限中。6.根据权利要求1所述的一种主动调控的等离子体诱导透明和手性超表面器件，其特征在于：所述可调谐材料填充在第二和第四象限开口环的开口处或者第一和第三象限开口环的开口处的两种情况的一种。7.根据权利要求1所述的一种主动调控的等离子体诱导透明和手性超表面器件，其特征在于：所述可调谐材料包括锑化铟，二氧化钒，石墨烯、液晶中的一种。
技术总结
本发明提供的是一种基于主动调控的等离子体诱导透明和手性的超表面器件。其特征是：所述的主动调控的等离子体诱导透明和手性超表面器件由若干个周期分布的单元结构1组成，每个单元结构1包括硅基底层2，金属开口环3，十字金属棒4，可调谐材料层5。本发明使用硅作为基底2的材料，使用金属铝作为开口环3和十字金属棒4的材料，金属开口环3的开口部分填充可调谐材料4。本发明利用可调谐材料的相变性质，通过改变可调谐材料的电导率最终实现器件等离子体诱导透明和手性超表面器件的切换，通过改变器件的外界环境条件，可以较为容易的实现对器件的功能的切换，同时该主动调控器件还具有结构简单，实用性强，偏振不敏感等优点。偏振不敏感等优点。偏振不敏感等优点。
技术研发人员：韩家广 郝晓源 闵学涛 张玉婷 罗中岳 刘迈 陈昱澎
受保护的技术使用者：桂林电子科技大学
技术研发日：2022.09.22
技术公布日：2022/12/26