具有绝对同条楔形晶体的复合镜的制造方法与流程

1.本发明涉及光学镜片领域，尤其是涉及的是具有绝对同条楔形晶体的复合镜的制造方法。


背景技术：

2.光线通过光学透镜组合时，会因为镜片的厚度和角度的变化，使得光线中的o振动光与e振动光这两个不同振动方向的光在通过镜片时产生相位差。而且不同镜片的厚度和角度的变化，也会导致光线在通过镜片后出光角度有偏转。通过提高镜片的加工精度可以提升镜片的尺寸和角度的一致性，但是加工精度的提高成本上升很快，而且连续加工会有加工误差的累积，导致加工后的镜片的尺寸的一致性下降。


技术实现要素：

3.本发明的目的在于克服上述不足，提供具有绝对同条楔形晶体的复合镜的制造方法。
4.为实现上述目的，本发明的技术解决方案是：具有绝对同条楔形晶体的复合镜的制造方法，包括以下步骤：
5.将玻璃晶片粘在基板的表面组成复合片，对复合片的玻璃晶片进行切割，将玻璃晶片切割成至少一排楔形晶体，楔形晶体的一端设有通光斜面、另一端设有通光直角平面，
6.解除楔形晶体与基板的粘合，并保持成排的楔形晶体排序不变；
7.取相邻的两个楔形晶体分别安装在一法拉第旋转镜的左右两侧组成复合镜。
8.通光直角面为端面与底面呈直角。法拉第旋转镜为矩形截面。两个楔形晶体的通光直角面分别正对着法拉第旋转镜的两端，两个楔形晶体的通光斜面均朝外设置，两个楔形晶体的通光斜面平行设置。
9.相邻的两个楔形晶体通光斜面，其大小和通光斜面的倾斜角度均最为接近，和法拉第旋转镜组成复合镜后，光穿过复合镜后不会跑偏，复合镜安装于光纤系统后pmd数值低。
10.优选的，复合片放置在晶片夹具上进行切割，晶片夹具包括座体、限位柱，座体的顶部设有平行的两条左右方向延伸的挡墙，挡墙的顶部沿着长度方向设有一排刀槽，两条挡墙和座体的顶面组成限位槽，限位槽的左右两端均设有限位柱，复合片放置在晶片夹具的限位槽内进行切割，复合片放置在限位槽内时限位柱位于复合片的左右两侧。
11.玻璃晶片通过切割机被切割成条状或粒状，晶片夹具的限位槽和限位柱可在切割机在切割玻璃晶片时固定复合片。挡墙上的刀槽可在玻璃晶片切割时对切割机的切刀进行定位和导向。
12.优选的，限位槽在靠挡墙位置设有台阶，复合片的玻璃晶片的前后两端从基板的前后两端伸出形成伸出端，复合片放置在限位槽内时，伸出端搭在台阶上。
13.优选的，限位柱的下端与座体螺纹连接，限位柱的上端设有头部，转动限位柱可将
限位柱从座体上取下，转动限位柱可使限位柱的头部压住复合片。限位槽和限位柱可复合片的水平方向进行限位，限位柱的头部可对复合片的竖向进行限位，玻璃晶片切割完毕后，可通过旋转限位柱将限位柱从座体上取下，复合片就可以从晶片夹具上取下。
14.优选的，还包括以下步骤：
15.复合片放置在晶片夹具上进行切割，在对复合片的玻璃晶片进行切割后，复合片留在晶片夹具上，解除楔形晶体与基板的粘合，将基板从晶片夹具中抽出，转动楔形晶体使通光斜面朝上，压板压住楔形晶体并锁在晶片夹具上；
16.将晶片夹具放置在镀膜室的第一窗口位置，使得楔形晶体的通光斜面对着镀膜室内部，从镀膜室内部对通光斜面进行镀膜。镀膜可改善楔形晶体的透光率。将楔形晶体的通光斜面旋转到水平方向，可使得对通光斜面的镀膜变得容易，镀膜层更均匀。
17.优选的，晶片夹具包括座体、限位柱，座体的顶部设有平行的两条左右方向延伸的挡墙，挡墙的顶部沿着长度方向设有一排刀槽，两条挡墙和座体的顶面组成限位槽，限位槽在靠挡墙位置设有台阶，复合片的玻璃晶片的前后两端从基板的前后两端伸出形成伸出端，复合片放置在晶片夹具的限位槽内且伸出端搭在台阶上，复合片切割时，切刀沿着刀槽对复合片的玻璃晶片进行切割。晶片夹具用于夹住复合片切割玻璃晶片成楔形晶体。
18.优选的，晶片夹具还包括活动座，活动座可上下移动设置在限位槽的下方，活动座上设有两排顶杆，顶杆的顶面设有l形截面的卡槽，活动座可上移至楔形晶体的下部卡入顶杆的卡槽，顶杆通过卡槽顶动楔形晶体来转动楔形晶体。活动座的顶杆可通过卡槽顶动楔形晶体，使得楔形晶体转动并使通光斜面朝上。卡槽可对楔形晶体进行定位。
19.优选的，压板设置在限位槽的上方并盖住楔形晶体，压板压住楔形晶体的前后两端，压板在每个楔形晶体的中部位置设有第二窗口。压板用于压住楔形晶体，并配合顶杆对楔形晶体进行固定，同时压板可对相邻两个楔形晶体的空间进行遮挡，使得通光斜面镀膜时，膜层不会污染楔形晶体的非通光斜面。
20.优选的，玻璃晶片和基板通过热熔胶粘合，通过加热解除楔形晶体与基板的粘合。
21.通过采用上述的技术方案，本发明的有益效果是：本发明加工的复合镜的两个楔形晶体的大小和通光斜面的倾斜角度均最为接近，接近绝对同条。光复合镜安装于光纤系统后光穿过复合镜后不会跑偏，pmd数值低。
附图说明
22.图1为本发明的实施例1的流程示意图；
23.图2为本发明的复合镜的结构示意图；
24.图3为本发明的复合片在晶片夹具上切割后的结构示意图；
25.图4为本发明的实施例2的压板盖住楔形晶体时的截面图；
26.图5为本发明的实施例2的压板盖住楔形晶体时的结构示意图；
27.图6为本发明的实施例2镀膜时的结构示意图。
28.主要附图标记说明：
29.玻璃晶片1；楔形晶体11；通光斜面111；通光直角平面112；基板2；晶片夹具3；座体31；挡墙311；刀槽312；限位槽313；台阶314；限位柱32；活动座33；顶杆331；卡槽332；法拉第旋转镜4；压板5；第二窗口51；镀膜室6；第一窗口61；复合片10。
具体实施方式
30.以下结合附图和具体实施例来进一步说明本发明。
31.实施例1
32.如图1-图3所示，本发明具有绝对同条楔形晶体的复合镜的制造方法，包括以下步骤：
33.s1.将玻璃晶片1粘在基板2的表面组成复合片10。
34.s2.将复合片10放置在晶片夹具3上进行切割。晶片夹具3包括座体31、限位柱32。座体31的顶部设有平行的两条左右方向延伸的挡墙311，挡墙311的顶部沿着长度方向设有一排刀槽312。两条挡墙311和座体31的顶面组成限位槽313，限位槽313的左右两端均设有两个前后方向排列的限位柱32。复合片10放置在晶片夹具3的限位槽313内进行切割，复合片10放置在限位槽313内时限位柱32位于复合片10的左右两侧。限位柱32的下端与座体31螺纹连接，限位柱32的上端设有头部，转动限位柱32可将限位柱32从座体31上取下，转动限位柱32可使限位柱32的头部压住复合片10。
35.将复合片放入限位槽313，并锁上限位柱32对复合片进行固定。然后将晶片夹具3固定在切割机的工作台上，切割机的切刀对复合片10的玻璃晶片1进行切割，将玻璃晶片1切割成至少一排楔形晶体11。切刀可对玻璃晶片进行左右方向切割和前后方向切割，将玻璃晶片切割成多个楔形晶体的矩阵。每个楔形晶体11的一端设有通光斜面111、另一端设有通光直角平面112。
36.s3.解除楔形晶体11与基板2的粘合，并保持成排的楔形晶体11排序不变；
37.s4.取相邻的两个楔形晶体11分别安装在一法拉第旋转镜4的左右两侧组成复合镜。相邻的两个楔形晶体可以左右相邻或者前后相邻。
38.实施例2：
39.如图1-图6所示，本发明具有绝对同条楔形晶体的复合镜的制造方法，包括以下步骤：
40.s1.将玻璃晶片1粘在基板2的表面组成复合片10。玻璃晶片和基板通过热熔胶粘合，可通过加热解除楔形晶体与基板的粘合。
41.s2.将复合片10放置在晶片夹具3上进行切割。对复合片10的玻璃晶片1进行切割，将玻璃晶片1切割成至少一排楔形晶体11，楔形晶体11的一端设有通光斜面111、另一端设有通光直角平面112。
42.晶片夹具3包括座体31、限位柱32、活动座33。座体31的顶部设有平行的两条左右方向延伸的挡墙311，挡墙311的顶部沿着长度方向设有一排刀槽312。两条挡墙311和座体31的顶面组成限位槽313，限位槽313的左右两端均设有两个前后方向排列的限位柱32。复合片10放置在晶片夹具3的限位槽313内进行切割，复合片10放置在限位槽313内时限位柱32位于复合片10的左右两侧。限位柱32的下端与座体31螺纹连接，限位柱32的上端设有头部，转动限位柱32可将限位柱32从座体31上取下，转动限位柱32可使限位柱32的头部压住复合片10。限位槽313在靠挡墙位置设有台阶314，复合片的玻璃晶片的前后两端从基板的前后两端伸出形成伸出端，复合片放置在晶片夹具的限位槽内且伸出端搭在台阶314上。
43.s3.在对复合片10的玻璃晶片进行切割后，复合片10留在晶片夹具3上，解除楔形晶体11与基板2的粘合，并保持成排的楔形晶体11排序不变；将基板从晶片夹具中抽出，转
动楔形晶体使通光斜面朝上。活动座33可上下移动设置在限位槽313的下方，活动座33上设有两排顶杆331，顶杆331的顶面设有l形截面的卡槽332，活动座33可上移至楔形晶体11的下部卡入顶杆的卡槽332，顶杆331通过卡槽332顶动楔形晶体11来转动楔形晶体11。将活动板锁在座体上，活动板的两侧从座体的两侧伸出。
44.s4.压板5压住楔形晶体并锁在晶片夹具上；压板5设置在限位槽313的上方并盖住楔形晶体11，压板5压住楔形晶体11的前后两端，压板5在每个楔形晶体11的中部位置设有第二窗口51。将压板锁在座体上。
45.s5.翻转座体31使得压板朝下设置，将座体的下部和压板插入镀膜室6的第一窗口61，使得楔形晶体的通光斜面对着镀膜室内部，活动板的两侧伸出端分别卡住第一窗口的外沿。镀膜室6设有蒸镀装置，蒸镀装置对压板的第二窗口51内的楔形晶体11的通光斜面进行镀膜。
46.s6.取相邻的两个楔形晶体11分别安装在一法拉第旋转镜4的左右两侧组成复合镜。
47.以上所述的，仅为本发明的较佳实施例而已，不能限定本发明实施的范围，凡是依本发明申请专利范围所作的均等变化与装饰，皆应仍属于本发明涵盖的范围内。