技术特征：
1.一种光掩膜优化方法，其特征在于，包括如下步骤：获取需要优化的原始版图，并在所述原始版图上对待优化边缘进行切分，并设置每一个切分单元的初始移动量；基于所述原始版图设置约束条件以及多个目标参数，所述目标参数至少包括工艺变化带宽；基于多个所述目标参数建立复合目标函数；基于预设的调参边界和优化条件，根据所述初始移动量以及所述约束条件对所述复合目标函数进行最优化求解，获取满足所述约束条件的最优解所对应的目标移动量；以及根据所述目标移动量对相应切分单元进行移动。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标参数选自以下参数的至少其中之一：关键尺寸、图像归一化对数斜率、掩模误差增强因子、聚焦深度、掩模版中方孔的长宽比、掩模版中方孔经过曝光后图形的圆形度。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述约束条件为边缘放置误差的绝对值小于或等于预设阈值；所述调参边界为大于或等于0且小于或等于预设移动最大值；所述优化条件为优化时间小于或等于预设时间。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述复合目标函数为多个目标函数的加权组合；其中，所述目标函数基于相应的目标参数建立。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的对所述复合目标函数进行最优化求解的步骤进一步包括：调用多参数优化算法对所述复合目标函数进行最优化求解，其中，所述多参数优化算法选自遗传算法或者贝叶斯优化算法。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的获取需要优化的原始版图的步骤进一步包括：获取需要对金属层三维形貌进行优化的金属层原始版图；相应的，所设置的目标参数为图像归一化对数斜率、掩模误差增强因子、工艺变化带宽，所设置的约束条件为：|epe(x
i
)| <=1，其中，epe(x
i
)为边缘放置误差；相应的，所建立的复合目标函数为： c(x) =∑w1/nils(x
i
)+w2*meef(x
i
)+w3*pvband(x
i
)，1<=i<=n；其中，n为所述切分单元的总数量，nils(x
i
)为图像归一化对数斜率对应的第一目标函数，meef(x
i
)为掩模误差增强因子对应的第二目标函数，pvband(x
i
)为工艺变化带宽对应的第三目标函数，w1为所述第一目标函数的权重，w2为所述第二目标函数的权重，w3为所述第三目标函数的权重。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的获取需要优化的原始版图的步骤进一步包括：获取需要对通孔层通孔进行优化的通孔层原始版图；相应的，所设置的目标参数为图像归一化对数斜率、掩模版中方孔的长宽比、工艺变化带宽，所设置的约束条件为：|epe(x
i
)| <=1，其中，epe(x
i
)为边缘放置误差；相应的，所建立的复合目标函数为： c(x) =∑w1/nils(x
i
)+w2*aspect_ratio(x
i
)+w3*pvband(x
i
)，1<=i<=n；其中，n为所述切分单元的总数量，nils(x
i
)为图像归一化对数斜率对应的第一目标函数，aspect_ratio(x
i
)为掩模版中方孔的长宽比对应的第二目标函数，pvband(x
i
)为工艺变化带宽对应的第三目标函数，w1为所述第一目标函数的权重，w2为所述第二目标函数的权重，w3为所述第三目标函数的权重。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的获取需要优化的原始版图的步骤进一步包括：获取需要对通孔层通孔进行优化的通孔层原始版图；相应的，所设置的目标参数为掩模版中方孔经过曝光后图形的圆形度、工艺变化带宽，所设置的约束条件为：|epe(x
i
)| <=0.5，其中，epe(x
i
)为边缘放置误差；相应的，所建立的复合目标函数为： c(x) =∑w1/circularity(x
i
)+w2*pvband(x
i
)，1<=i<=n；其中，n为所述切分单元的总数量，circularity
(x
i
)为掩模版中方孔经过曝光后图形的圆形度对应的第一目标函数，pvband(x
i
)为工艺变化带宽对应的第二目标函数，w1为所述第一目标函数的权重，w2为所述第二目标函数的权重。9.一种光掩膜优化装置，其特征在于，包括：第一获取模块，用于获取需要优化的原始版图，并在所述原始版图上对待优化边缘进行切分，并设置每一个切分单元的初始移动量；设置模块，用于基于所述原始版图设置约束条件以及多个目标参数，所述目标参数至少包括工艺变化带宽；建立模块，用于基于多个所述目标参数建立复合目标函数；第二获取模块，用于基于预设的调参边界和优化条件，根据所述初始移动量以及所述约束条件对所述复合目标函数进行最优化求解，获取满足所述约束条件的最优解所对应的目标移动量；以及移动模块，用于根据所述目标移动量对相应切分单元进行移动。10.一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机可执行程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机可执行程序时实现如权利要求1~8任一项所述的光掩膜优化方法的步骤。
技术总结
本发明公开了一种光掩膜优化方法及装置、电子设备。本发明提供的光掩膜优化方法通过以包括工艺变化带宽的多个目标参数对应的多个目标函数加权组合构成复合目标函数，并结合约束条件对复合目标函数进行最优化求解，获取满足所述约束条件的最优解所对应的目标移动量，根据所述目标移动量对相应切分单元进行移动，使得优化后的光刻成像图形最大程度上优化了工艺窗口以及成像质量，为高端芯片光刻过程的OPC最终结果更加合理，具有更高的准确性。具有更高的准确性。具有更高的准确性。
技术研发人员：请求不公布姓名
受保护的技术使用者：华芯程（杭州）科技有限公司
技术研发日：2022.12.12
技术公布日：2023/1/13