一种高粘附性环氧型I线负性光刻胶及其制备与使用方法与流程

一种高粘附性环氧型i线负性光刻胶及其制备与使用方法
技术领域
1.本发明涉及光刻胶技术领域，具体涉及一种高粘附性环氧型i线负性光刻胶及其制备与使用方法。


背景技术：

2.su-8是一种高对比度、8个环氧基型紫外线曝光的常用光刻胶，具有优良的成像特性（垂直侧壁和高深宽比）、良好的力学性能、抗化学腐蚀性和热稳定性，不导电的特性也可在电镀时直接作为绝缘层使用，被广泛用于微加工和其他微电子应用。
3.随着分辨率要求的提高，特别在高深宽比（》5）光刻胶的应用中，含有环氧类光刻胶可以克服环境稳定性化学放大光刻胶（escap）中常见的基脚（footing）问题。但是对于实际应用，环氧类树脂会导致光刻胶的图案上出现脱胶现象，其对光刻的形貌和性能都有不利的影响。


技术实现要素：

4.本发明的目的是提供一种高粘附性环氧型i线负性光刻胶及其制备与使用方法，以解决在高深宽比光刻胶应用中环氧类光刻胶存在的粘附性问题。
5.为了实现本发明之目的，本技术提供以下技术方案。
6.在第一方面中，本技术提供一种高粘附性环氧型i线负性光刻胶，所述光刻胶包括如下质量百分比的各组分：环氧树脂
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40～80%；光致产酸剂
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4～7%；聚合型缩水甘油醚添加剂
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1～5%；硅烷偶联剂
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1～4%；流平剂
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0.01～0.30%；溶剂
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余量。
7.在第一方面的一种实施方式中，还包括如下技术特征中的至少一项：a1）所述环氧树脂为双酚a型酚醛环氧树脂；a2）所述光致产酸剂选自二芳基碘鎓盐、多芳基锍鎓盐中的一种或多种；a3）所述聚合型缩水甘油醚添加剂选自聚丙二醇二缩水甘油醚及其衍生物或聚乙二醇二缩水甘油醚及其衍生物；a4）所述硅烷偶联剂选自（甲基）丙烯酰氧基硅烷偶联剂和环氧基硅烷偶联剂中的一种或多种。
8.在第一方面的一种实施方式中，还包括如下技术特征中的至少一项：a11）所述环氧树脂选用epon su-8环氧树脂；a21）所述光致产酸剂选自以下结构中的一种或多种：
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(a-1)
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(a-2)
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(a-3)
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(a-4)
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(a-5)
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(a-6)
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(a-7)
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(a-8)。
9.在第一方面的一种实施方式中，所述硅烷偶联剂还包括如下技术特征中的至少一项：a41）所述（甲基）丙烯酰氧基硅烷偶联剂选自下列通式：，
其中，n为1-3的整数，r1、r2和r3为甲基或可水解基团，其中，所述可水解基团为甲氧基、乙氧基、异丙氧基、三甲基硅氧烷基，且r1、r2和r3中至少含有2个可水解基团，r4为氢原子或者甲基；a42）所述环氧基硅烷偶联剂选自下列通式：，其中，m为1-3的整数，p1、p2和p3为甲基或可水解基团，其中，所述可水解基团为甲氧基、乙氧基，且p1、p2和p3中至少含有2个可水解基团，p4为-o-ch
2-或c
2-c4的亚烷基，p5为氢原子或c
2-c4的烷基，或p4可与p5键结而形成环。
10.在第一方面的一种实施方式中，所述硅烷偶联剂还包括如下技术特征中的至少一项：a411）所述（甲基）丙烯酰氧基硅烷偶联剂选自以下结构中的至少一种：
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(b-1)
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(b-2)
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(b-3)
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(b-4)
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(b-5)
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(b-6)
（b-7）。
11.a421）所述环氧基硅烷偶联剂选自以下结构中的至少一种：
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(b-8)
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(b-9)
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(b-10)
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(b-11)
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(b-12)
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(b-13)
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(b-14)
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(b-15)。
12.在第一方面的一种实施方式中，还包括如下技术特征中的至少一项：b1）所述流平剂选自3m氟碳表面活性剂fc-4430或特洛伊troysol s366中的一种或多种；b2）所述溶剂选自丙二醇甲醚醋酸酯、丙二醇甲醚、乳酸乙酯、苯甲醚、丙二醇单醋酸酯、丙二醇单乙醚、二缩乙二醇甲醚、二缩乙二醇乙醚、二缩乙二醇甲乙醚、醋酸丁酯、醋酸新戊酯、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、环戊酮、环己酮、双丙酮醇或γ-丁内脂中的一种或
多种。
13.在第二方面中，本技术还提供一种如上所述高粘附性环氧型i线负性光刻胶的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：将所述环氧树脂、所述光致产酸剂、所述聚合型缩水甘油醚添加剂、所述硅烷偶联剂、所述流平剂按质量百分比溶于溶剂中混合，搅拌溶解后，过滤得到所述光刻胶。
14.在第二方面的一种实施方式中，所述过滤采用孔径为5
µ
m的聚丙烯微孔滤膜。
15.在第三方面中，本技术提供一种如上所述高粘附性环氧型i线负性光刻胶的使用方法，所述使用方法包括如下步骤：将所述光刻胶旋涂在硅片上，依次经过前烘、曝光、后烘、显影，得到所需光刻图案。
16.在第三方面的一种实施方式中，还包括如下技术特征中的至少一项：c1）所述光刻胶旋涂的主转速为1500～3000rpm；c2）所述前烘的温度为80～110 ℃，前烘的时间为5～30min；c3）所述曝光采用的设备为led 365nm曝光机，曝光能量为100～500mj；c4）所述后烘依次包括低温后烘和高温后烘，所述低温后烘的温度为40～75℃，低温后烘的时间为0.5～3min，所述高温后烘的温度为80～110 ℃，高温后烘的时间为1～5min；c5）所述显影采用的显影液丙二醇甲醚醋酸酯（pgmea），显影时间为1～5min，显影采用的定影液为异丙醇（ipa）。
17.在第四方面中，本技术提供一种膜厚和粘附性的测量方法。
18.在第四方面的一种实施方式中，所述膜厚的测量方法为在前烘之后，采用f20型号膜厚仪进行测量。
19.所述粘附性的测量方法为通过切片用扫描电子显微镜进行底部观察，如若底部与基材接触较好，未出现倒塌、脱落等现象，则表明粘附性良好。
20.在第四方面的一种实施方式中，所述扫描电子显微镜所观察的线宽尺寸为6μm。
21.与现有技术相比，本发明提供的高粘附性环氧型i线负性光刻胶配方中添加了选定的硅烷偶联剂，可解决光刻胶胶样粘附性的问题，实现对高深宽比光刻胶厚胶图案形貌的改善。
附图说明
22.图1为本技术中实施例1的扫描电子显微镜图。
23.图2为本技术中实施例2的扫描电子显微镜图。
24.图3为本技术中实施例3的扫描电子显微镜图。
25.图4为本技术中实施例4的扫描电子显微镜图。
26.图5为本技术中对比例1的扫描电子显微镜图。
27.图6为本技术中对比例2的扫描电子显微镜图。
具体实施方式
28.除非另有说明、从上下文暗示或属于现有技术的惯例，否则本技术中所有的份数和百分比都基于重量，且所用的测试和表征方法都是与本技术的提交日期同步的。在适用
的情况下，本技术中涉及的任何专利、专利申请或公开的内容全部结合于此作为参考，且其等价的同族专利也引入作为参考，特别这些文献所披露的关于本领域中的合成技术、产物和加工设计、聚合物、共聚单体、引发剂或催化剂等的定义。如果现有技术中披露的具体术语的定义与本技术中提供的任何定义不一致，则以本技术中提供的术语定义为准。
29.本技术中的数字范围是近似值，因此除非另有说明，否则其可包括范围以外的数值。数值范围包括以1个单位增加的从下限值到上限值的所有数值，条件是在任意较低值与任意较高值之间存在至少2个单位的间隔。例如，如果记载组分、物理或其它性质（如分子量，熔体指数等）是100至1000，意味着明确列举了所有的单个数值，例如100， 101, 102等，以及所有的子范围，例如100到166,155到170,198到200等。对于包含小于1的数值或者包含大于1的分数（例如1.1， 1.5等）的范围，则适当地将1个单位看作0.0001， 0.001， 0.01或者0.1。对于包含小于10（例如1到5）的个位数的范围，通常将1个单位看作0.1.这些仅仅是想要表达的内容的具体示例，并且所列举的最低值与最高值之间的数值的所有可能的组合都被认为清楚记载在本技术中。本技术内的数值范围尤其提供了含钙填料含量，搅拌温度，以及这些组分的各种特征和性质。
30.关于化学化合物使用时，除非明确地说明，否则单数包括所有的异构形式，反之亦然（例如，“己烷”单独地或共同地包括己烷的全部异构体）。另外，除非明确地说明，否则用“一个”，“一种”或“该”形容的名词也包括其复数形式。
31.术语“包含”，“包括”，“具有”以及它们的派生词不排除任何其它的组分、步骤或过程的存在，且与这些其它的组分、步骤或过程是否在本技术中披露无关。为消除任何疑问，除非明确说明，否则本技术中所有使用术语“包含”，“包括”，或“具有”的组合物可以包含任何附加的添加剂、辅料或化合物。相反，除了对操作性能所必要的那些，术语“基本上由
……
组成”将任何其他组分、步骤或过程排除在任何该术语下文叙述的范围之外。术语“由
……
组成”不包括未具体描述或列出的任何组分、步骤或过程。除非明确说明，否则术语“或”指列出的单独成员或其任何组合。
32.在第一方面中，本技术提供一种高粘附性环氧型i线负性光刻胶，所述光刻胶包括如下质量百分比的各组分：环氧树脂
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40～80%，如40～60%或60～80%；光致产酸剂
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4～7%，如4～5%或5～7%；聚合型缩水甘油醚添加剂
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1～5%，如1～3%或3～5%；硅烷偶联剂
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1～4%，如1～2%或2～3%或3～4%；流平剂
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0.01～0.30%，如0.01%～0.15%或0.15～0.30%；溶剂
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余量。
33.在第一方面一种具体的实施方式中，还包括如下技术特征中的至少一项：a1）所述环氧树脂为双酚a型酚醛环氧树脂；a2）所述光致产酸剂选自二芳基碘鎓盐、多芳基锍鎓盐中的一种或多种；a3）所述聚合型缩水甘油醚添加剂选自聚丙二醇二缩水甘油醚及其衍生物或聚乙二醇二缩水甘油醚及其衍生物；a4）所述硅烷偶联剂选自（甲基）丙烯酰氧基硅烷偶联剂和环氧基硅烷偶联剂中的一种或多种。
34.在第一方面一种具体的实施方式中，还包括如下技术特征中的至少一项：a11）所述环氧树脂选用epon su-8环氧树脂；a21）所述光致产酸剂选自以下结构中的一种或多种：
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(a-1)
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(a-2)
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(a-3)
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(a-4)
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(a-5)
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(a-6)
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(a-7)
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(a-8)。
35.在第一方面一种具体的实施方式中，所述聚丙二醇二缩水甘油醚和聚乙二醇二缩水甘油醚的结构式如下： 、，
在上述结构式中，y、z表示重复单元个数，是大于1的正整数。
36.在第一方面一种具体的实施方式中，所述硅烷偶联剂还包括如下技术特征中的至少一项：a41）所述（甲基）丙烯酰氧基硅烷偶联剂选自下列通式：，其中，n为1-3的整数，r1、r2和r3为甲基或可水解基团，其中，所述可水解基团为甲氧基、乙氧基、异丙氧基、丁氧基、三甲基硅氧烷基，且r1、r2和r3中至少含有2个可水解基团，r4为氢原子或者甲基。
37.a42）所述环氧基硅烷偶联剂选自下列通式：，其中，m为1-3的整数，p1、p2和p3为甲基或可水解基团，其中，所述可水解基团为甲氧基、乙氧基、异丙氧基、丁氧基，且p1、p2和p3中至少含有2个可水解基团，p4为-o-ch
2-或c
2-c4的亚烷基，p5为氢原子或c
2-c4的烷基，或p4可与p5键结而形成环，优选地，p4可与p5键结可形成六元环。
38.本发明使用的硅氧烷偶联剂可水解末端基团，水解后形成硅羟基，然后与硅表面暴露的硅羟基发生缩合形成硅-氧-硅，从而增加了粘附性。
39.在第一方面的一种实施方式中，所述硅烷偶联剂还包括如下技术特征中的至少一项：a411）所述（甲基）丙烯酰氧基硅烷偶联剂选自以下结构中的至少一种：
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(b-1)
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(b-2)
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(b-3)
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(b-4)
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(b-5)
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(b-6)（b-7）。
40.a421）所述环氧基硅烷偶联剂选自以下结构中的至少一种：
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(b-8)
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(b-9)
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(b-10)
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(b-11)
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(b-12)
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(b-13)
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(b-14)
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(b-15)。
41.在第一方面的一种具体的实施方式中，还包含如下技术特征中的至少一项：b1）所述流平剂选自3m氟碳表面活性剂fc-4430或特洛伊troysol s366中的一种或多种；b2）所述溶剂选自丙二醇甲醚醋酸酯、丙二醇甲醚、乳酸乙酯、苯甲醚、丙二醇单醋酸酯、丙二醇单乙醚、二缩乙二醇甲醚、二缩乙二醇乙醚、二缩乙二醇甲乙醚、醋酸丁酯、醋酸新戊酯、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、环戊酮、环己酮、双丙酮醇或γ-丁内脂中的一种或多种。
42.在第二方面中，本技术还提供一种如上所述高粘附性环氧型i线负性光刻胶的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：将所述环氧树脂、所述光致产酸剂、所述聚合型缩水甘油醚添加剂、所述硅烷偶联剂、所述流平剂按质量百分比溶于溶剂中混合，搅拌溶解后，过滤得到所述光刻胶。
43.在第二方面的一种具体的实施方式中，所述过滤采用孔径为5
µ
m的聚丙烯微孔滤膜。
44.在第三方面中，本技术提供一种如上所述高粘附性环氧型i线负性光刻胶的使用方法，所述使用方法包括如下步骤：将所述光刻胶旋涂在硅片上，依次经过前烘、曝光、后烘、显影，得到所需光刻图案。
45.在第三方面的一种具体的实施方式中，还包括如下技术特征中的至少一项：c1）所述光刻胶旋涂的主转速为1500～3000rpm，优选2000rpm；c2）所述前烘的温度为80～110 ℃，优选95℃，前烘的时间为5～30min，优选10min；c3）所述曝光采用的设备为led 365nm曝光机，曝光能量为100～500mj，优选200mj；c4）所述后烘依次包括低温后烘和高温后烘，所述低温后烘的温度为40～75℃，优选65℃，低温后烘的时间为0.5～3min，优选1min,所述高温后烘的温度为80～110 ℃，优选95℃，高温后烘的时间为1～5min，优选2min；c5）所述显影采用的显影液为丙二醇甲醚醋酸酯（pgmea），显影时间为1～5min，优选2min，显影采用的定影液为异丙醇（ipa）。
46.在第四方面中，本技术提供一种膜厚和粘附性的测量方法。
47.在第四方面的一种实施方式中，所述膜厚的测量方法为在前烘之后，采用f20型号膜厚仪进行测量；所述粘附性的测量方法为通过切片用扫描电子显微镜进行底部观察，如若底部与基材接触较好，未出现倒塌、脱落等现象，则表明粘附性良好。
48.在第四方面的一种实施方式中，所述扫描电子显微镜所观察的线宽尺寸为6μm。
49.下面将对本发明的实施例作详细说明，本实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本发明的保护范围不限于下述的实施例。
50.实施例和对比例所用的光致产酸剂结构如下：（a-7）。
51.（a-8）。
52.实施例所用的硅烷偶联剂结构如下：3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷（b-5）。
53.4-缩水甘油醚氧丙基三乙氧基硅烷
（b-8）。
54.实施例1一种高粘附性环氧型i线负性光刻胶，包括如下重量份（共100份计）的各组分：epon su8环氧树脂
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60份；光致产酸剂a-7
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2份；光致产酸剂a-8
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2份；聚乙二醇二缩水甘油醚
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5份；3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷b-5
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2份；3m氟碳表面活性剂fc-4430
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0.1份；环戊酮
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28.9份。
55.上述高粘附性环氧型i线负性光刻胶的制备方法如下：将各组分按照比例加入后充分混合，搅拌达到完全溶解后，经5μm的孔径聚丙烯（pp）微孔滤膜过滤后完成光刻胶制备。
56.将制备得到的高粘附性环氧型i线负性光刻胶按照如下方法进行使用：在4寸硅片上旋涂，然后在95℃下前烘10min，获得的膜厚为39.2μm，然后在led365nm曝光机中曝光，其曝光能量为200mj，然后在65℃温度下后烘1min、95℃温度下后烘2min，最后进行显影，其中，显影时间为2min，显影液采用丙二醇甲醚醋酸酯（pgmea），定影液采用异丙醇（ipa）。光刻胶的使用情况如图1所示，经测定，线高39.2μm，线宽6.18μm，粘附性：底部有轻微的翘起。
57.实施例2一种高粘附性环氧型i线负性光刻胶，包括如下重量份（共100份计）的各组分：epon su8环氧树脂
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60份；光致产酸剂a-7
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2份；光致产酸剂a-8
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2份；聚乙二醇二缩水甘油醚
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5份；3-缩水甘油醚氧丙基三乙氧基硅烷b-8
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2份；3m氟碳表面活性剂fc-4430
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0.1份；环戊酮
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28.9份。
58.上述高粘附性环氧型i线负性光刻胶的制备方法如下：将各组分按照比例加入后充分混合，搅拌达到完全溶解后，经5μm的孔径聚丙烯（pp）微孔滤膜过滤后完成光刻胶制备。
59.将制备得到的高粘附性环氧型i线负性光刻胶按照如下方法进行使用：在4寸硅片上旋涂，然后在95℃下前烘10min，获得的膜厚为40.1μm，然后在led365nm曝光机中曝光，其曝光能量为200mj，然后在65℃温度下后烘1min、95℃温度下后
烘2min，最后进行显影，其中，显影时间为2min，显影液采用丙二醇甲醚醋酸酯（pgmea），定影液采用异丙醇（ipa）。光刻胶的使用情况如图2所示，经测定，线高40.1μm，线宽6.50μm，粘附性：底部胶与基材接触完好。
60.实施例3一种高粘附性环氧型i线负性光刻胶，包括如下重量份（共100份计）的各组分：epon su8环氧树脂
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80份；光致产酸剂a-7
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2份；光致产酸剂a-8
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2份；聚乙二醇二缩水甘油醚
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5份；3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷b-5
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3份；3m氟碳表面活性剂fc-4430
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0.1份；环戊酮
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7.9份。
61.上述高粘附性环氧型i线负性光刻胶的制备方法如下：将各组分按照比例加入后充分混合，搅拌达到完全溶解后，经5μm的孔径聚丙烯（pp）微孔滤膜过滤后完成光刻胶制备。
62.将制备得到的高粘附性环氧型i线负性光刻胶按照如下方法进行使用：在4寸硅片上旋涂，然后在95℃下前烘10min，获得的膜厚为50.4μm，然后在led365nm曝光机中曝光，其曝光能量为200mj，然后在65℃温度下后烘1min、95℃温度下后烘2min，最后进行显影，其中，显影时间为2min，显影液采用丙二醇甲醚醋酸酯（pgmea），定影液采用异丙醇（ipa）。光刻胶的使用情况如图3所示，经测定，线高50.4μm，线宽7.87μm，粘附性：底部有轻微的翘起。
63.实施例4一种高粘附性环氧型i线负性光刻胶，包括如下重量份（共100份计）的各组分：epon su8环氧树脂
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80份；光致产酸剂a-7
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2份；光致产酸剂a-8
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2份；聚乙二醇二缩水甘油醚
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5份；3-缩水甘油醚氧丙基三乙氧基硅烷b-8
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3份；3m氟碳表面活性剂fc-4430
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0.1份；环戊酮
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7.9份。
64.上述高粘附性环氧型i线负性光刻胶的制备方法如下：将各组分按照比例加入后充分混合，搅拌达到完全溶解后，经5μm的孔径聚丙烯（pp）微孔滤膜过滤后完成光刻胶制备。
65.将制备得到的高粘附性环氧型i线负性光刻胶按照如下方法进行使用：在4寸硅片上旋涂，然后在95℃下前烘10min，获得的膜厚为51.5μm，然后在led365nm曝光机中曝光，其曝光能量为200mj，然后在65℃温度下后烘1min、95℃温度下后烘2min，最后进行显影，其中，显影时间为2min，显影液采用丙二醇甲醚醋酸酯（pgmea），定影液采用异丙醇（ipa）。光刻胶的使用情况如图4所示，经测定，线高51.5μm，线宽7.16μm，粘附性：底部胶与基材接触完好，但有轻微扭曲。
66.对比例1一种光刻胶，包括如下重量份（共100份计）的各组分：epon su8环氧树脂
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60份；光致产酸剂a-7
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2份；光致产酸剂a-8
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2份；聚乙二醇二缩水甘油醚
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5份；3m氟碳表面活性剂fc-4430
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0.1份；环戊酮
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30.9份。
67.上述光刻胶的制备方法如下：将各组分按照比例加入后充分混合，搅拌达到完全溶解，经5μm的孔径聚丙烯（pp）微孔滤膜过滤后完成光刻胶制备。
68.将制备得到的光刻胶按照如下方法进行使用：在4寸硅片上旋涂，然后在95℃下前烘10min，获得的膜厚为38.8μm，然后在led365nm曝光机中曝光，其曝光能量为200mj，然后在65℃温度下后烘1min、95℃温度下后烘2min，最后进行显影，其中，显影时间为2min，显影液采用丙二醇甲醚醋酸酯（pgmea），定影液采用异丙醇（ipa）。光刻胶使用的情况如图5所示，经测定，线高39.2μm，线宽6.18μm，粘附性：胶底部翘起，且线条扭曲。
69.对比例2一种光刻胶，包括如下重量份（共100份计）的各组分：epon su8环氧树脂
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70份；光致产酸剂a-7
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2份；光致产酸剂a-8
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2份；聚乙二醇二缩水甘油醚
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5份；3m氟碳表面活性剂fc-4430
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0.1份；环戊酮
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20.9份。
70.上述光刻胶的制备方法如下：将各组分按照比例加入后充分混合，搅拌达到完全溶解，经5μm的孔径聚丙烯（pp）微孔滤膜过滤后完成光刻胶制备。
71.将制备得到的光刻胶按照如下方法进行使用：在4寸硅片上旋涂，然后在95℃下前烘10min，获得的膜厚为43.4μm，然后在led365nm曝光机中曝光，其曝光能量为200mj，然后在65℃温度下后烘1min、95℃温度下后烘2min，最后进行显影，其中，显影时间为2min，显影液采用丙二醇甲醚醋酸酯（pgmea），定影液采用异丙醇（ipa）。光刻胶使用的情况如图6所示，经测定，线高43.4μm，线宽7.27μm，粘附性：胶底部翘起，且线条扭曲。
72.其中，实施例1～4和对比例1～2的光刻胶配方如表1所示。
73.表1 实施例1实施例2实施例3实施例4对比例1对比例2eponsu8环氧树脂60份60份80份80份60份70份光致产酸剂a-72份2份2份2份2份2份光致产酸剂a-82份2份2份2份2份2份聚乙二醇二缩水甘油醚5份5份5份5份5份5份3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷b-52份/3份///
3-缩水甘油醚氧丙基三乙氧基硅烷b-8/2份/3份//3m氟碳表面活性剂fc-44300.1份0.1份0.1份0.1份0.1份0.1份环戊酮28.9份28.9份7.9份7.9份30.9份20.9份
上述实施例1～4和对比例1～2的光刻胶粘附性测试结果如下表2：表2 实施例1实施例2实施例3实施例4对比例1对比例2线高39.2μm40.1μm50.4μm51.5μm39.2μm43.4μm线宽6.18μm6.50μm7.87μm7.16μm6.18μm7.27μm粘附性良好优异良好良好较差较差上述实施例1～4和对比例1～2的光刻胶使用的情况如图1～6所示。从图1～6可以看出，本技术实施例1～4的光刻胶胶膜的粘附性均优于对比例1～2的图案。
74.实施例1～4中，在光刻胶不同的配方中添加了不同类型的硅烷偶联剂，同时调整环氧树脂不同的使用量，其光刻图案光刻胶的粘附性良好，胶底与基底接触良好。
75.对比例1～2中，在光刻胶配方中未添加硅烷偶联剂，调整环氧树脂不同的使用量，其光刻图案的光刻胶粘附性较差，出现了胶底部翘起，且线条扭曲。
76.上述结果表明，本技术光刻胶配方中添加了不同类型的硅烷偶联剂之后，光刻胶的粘附性良好，实现对高深宽比（大于5）光刻胶图案形貌的改善。
77.上述对实施例的描述是为了便于本技术领域的普通技术人员能理解和应用本技术。熟悉本领域技术的人员显然可以容易地对这些实施例做出各种修改，并把在此说明的一般原理应用到其它实施例中而不必付出创造性的劳动。因此，本技术不限于这里的实施例，本领域技术人员根据本技术披露的内容，在不脱离本技术范围和精神的情况下做出的改进和修改都在本技术的范围之内。