1.一种用于从光刻装置的光学元件去除污染物的装置，所述装置包括：用于接纳所述光学元件的腔室、被配置为提供气体的供气源、以及从所述气体生成离子的等离子体生成器或离子/电子源，其中所述气体包括约0.01％体积含量至约10％体积含量的至少一种烃和/或约0.01％体积含量至约50％体积含量的he、ne和ar中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述光学元件是光刻装置的掩模版、反射镜、传感器、表膜或收集器。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的装置，其中所述至少一种烃包括一种或多种饱和、不饱和或部分氧化的烃。
4.根据任一前述权利要求所述的装置，其中所述至少一种烃是c1-c4烃，是甲烷，或具有化学式cxhyoz，其中1≤x≤4，y≤10，z≤3。
5.根据任一前述权利要求所述的装置，其中所述气体包括约0.1％体积含量至约10％体积含量的烃、约0.2％体积含量至约7％体积含量的烃、约0.3％体积含量至约5％体积含量的烃或约0.3％体积含量至3％体积含量的烃，和/或其中所述气体包括约0.1％体积含量至约50％体积含量的he、ne和ar中的至少一种，约0.1％体积含量至约10％体积含量的he、ne和ar中的至少一种，约0.2％体积含量至约7％体积含量的he、ne和ar中的至少一种，约0.3％体积含量至约5％体积含量的he、ne和ar中的至少一种或约0.3％体积含量至3％体积含量的he、ne和ar中的至少一种。
6.根据任一前述权利要求所述的装置，其中所述等离子体生成器包括电子回旋共振源、电子射束或离子射束，可选地，其中所述等离子体生成器是能够在电容耦合等离子体模式下操作的反应离子蚀刻器。
7.根据任一前述权利要求所述的装置，其中所述等离子体生成器或所述离子/电子源被配置为生成能量为大约1ev至大约100ev的离子，优选地，能量为大约5ev至大约30ev的离子。
8.根据任一前述权利要求所述的装置，其中所述装置包括一个或多个控制器，用以控制所述腔室内的所述气体的组成和/或压力和/或所述气体的电离速率。
9.根据任一前述权利要求所述的装置，其中所述装置还包括调节单元，所述调节单元被配置为控制所述光学元件的温度。
10.根据任一前述权利要求所述的装置，其中所述装置被配置为屏蔽所述光学元件的预选区域以免受所述等离子体或离子的影响。
11.根据任一前述权利要求所述的装置，其中所述装置被配置为响应于达到预定清洁阶段而更改所述气体的组成。
12.一种用于从光刻装置的光学元件去除污染物的方法，所述方法包括：提供气体，所述气体包括约0.01％体积含量至约10％体积含量的一种或多种烃和/或约0.01％体积含量至约50％体积含量的he、ne和ar中的至少一种；将所述气体的至少一部分转化为等离子体；并且使所述污染物与所述离子或等离子体接触以去除所述污染物的至少一部分。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述烃为c1-c4烃、甲烷或具有化学式cxhyoz，其中1≤x≤4，y≤10，z≤3。
14.根据权利要求12或13中任一项所述的方法，其中所述离子的能量在大约1ev至大约100ev的范围内，优选地，大约5ev至大约30ev的范围内。
15.一种光刻工具，包括受控环境，所述受控环境具有用于接纳光学元件的保持器、供气源和被配置为从所述气体生成离子的等离子体生成器或离子/电子源。