极紫外光源的量测系统的制作方法

所公开的主题涉及一种用于确定沿着目标轴向路径行进的目标的位置信息的量测系统。

背景技术：

1、极紫外(euv)光(例如，波长为50nm左右或更小的并且包括波长为约13nm的光的电磁辐射(有时还被称为软x射线))可以用于光刻过程以在衬底(例如，硅晶片)中产生极小特征。

2、产生euv光的方法包括但不一定限于将具有发射线在euv范围内的元素(例如，氙、锂或锡)材料转换为等离子体状态。在一个通常被称为激光产生等离子体(“lpp”)的这种方法中，通过使用可以被称为驱动激光器的放大光束辐照目标材料(例如，形式为微滴、板、带、流或材料团簇)，可以产生所需等离子体。对于该过程，等离子体通常在密封容器(例如，真空腔室)中产生，并且使用各种类型的量测装备进行监测。

3、光刻装置是将期望图案施加到衬底上(通常，施加到衬底的目标部分上)的机器。光刻装置可以用于例如制造集成电路(ic)。在该实例中，图案形成装置(其可互换地被称为掩模或掩模版)可以被用来生成要形成在ic的个别层上的电路图案。该图案可以转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的一部分、一个管芯、或几个管芯)上。图案转印通常是经由成像到设在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行。一般而言，单个衬底将包含经连续图案化的相邻目标部分的网络。传统的光刻装置包括所谓的步进器，其中通过将整个图案一次性曝光到目标部分上来辐照每个目标部分；以及所谓的扫描仪，其中通过在给定方向(“扫描”方向)上通过辐射射束扫描图案同时平行或反平行于该方向同步扫描衬底来辐照每个目标部分。还可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案形成装置转印到衬底。

4、极紫外(euv)光(例如，波长为50纳米左右(nm)或更小的并且包括波长为约13nm的光的电磁辐射(有时还被称为软x射线))可以用于光刻装置中或与光刻装置一起被用来在衬底(例如，硅晶片)中产生极小特征。产生euv光的方法包括但不一定限于将具有发射线在euv范围内的元素(例如，氙、锂或锡)的材料转换为等离子体状态。在一个通常被称为激光产生等离子体(“lpp”)的这种方法中，通过使用被称为驱动激光器的放大光束辐照目标材料(其在lpp源的上下文中可互换地被称为燃料，例如，形式为微滴、板、带、流或材料团簇)，可以产生所需等离子体。对于该过程，等离子体通常在密封容器(例如，真空腔室)中产生，并且使用各种类型的量测装备进行监测。

技术实现思路

1、在一些一般方面中，一种量测系统包括光装置、检测装置和控制装置，该控制装置与检测装置通信。光装置被配置为生成光学探针，该光学探针包括多个不同波长的光。光学探针包括沿着探针光轴传播的不同波长的光，该探针光轴在探针区域处与目标轴向路径相交。检测装置被配置为检测处于多个不同波长下的所产生的光。所产生的光由在探针区域中光学探针与沿着目标轴向路径行进的目标之间的相互作用产生。控制装置被配置为分析所检测到的光并且基于分析来调整与目标和目标轴向路径中的一者或多者有关的一个或多个特性。

2、各实施例可以包括以下特征中的一个或多个特征。例如，控制装置也可以与光装置通信。

3、光装置可以包括一个或多个光学源，该一个或多个光学源被配置为生成多个探测光束作为光学探针，每个探测光束沿着与目标轴向路径相交的探针光轴传播，并且每个探测光束具有不同的中心波长。每个探测光束可以具有不同的中心波长，其被聚焦在沿着探测光轴并且在探针区域内的不同位置处。光装置可以包括一个或多个光学源，该一个或多个光学源被配置为生成探测光束作为光学探针，该探测光束沿着与目标轴向路径相交的探针光轴传播，并且探测光束由连续中心波长光谱限定。

4、光学探针沿着探针光轴并且在探针区域内可能具有不同的焦点。量测系统还可以包括在光学探针的路径中的柱面聚焦光学器件，该柱面聚焦光学器件被配置为沿着垂直于探针光轴的方向形成不同的焦点作为光学探针的光学幕。

5、光学探针可以沿着探针光轴准直或可以在探针区域处成像。

6、检测装置可以包括多个检测器，每个检测器被配置为检测由光学探针的相应探测光束与目标之间的相互作用产生的光。每个检测器可以被配置为检测相应探测光束的入射在目标上的一部分。每个检测器被配置为检测相应探测光束的入射在目标上的一部分可以包括每个检测器被配置为检测相应探测光束的从目标反射或从目标散射的一部分。每个检测器可以被配置为检测所产生的光，该所产生的光的波长与由其他检测器检测到的所产生的光的波长不同。检测装置可以被配置为在不同的波长中的每个波长之间区分所产生的光。

7、所产生的光可以沿着与探针光轴不同并且也与目标轴向路径不同的路径传播。

8、所产生的光可以沿着与操作轴平行的路径行进，该操作轴由一个或多个操作光束行进所沿的方向限定，一个或多个操作光束与探针区域下游的目标区域中的目标相互作用。所产生的光可以是或包括探测光束的从目标沿着操作轴反射回的部分。所产生的光可以与一个或多个操作光束所相互作用的相同光学器件中的至少一些光学器件相互作用。

9、沿着目标轴向路径，探针区域可以在目标区域的上游，在该目标区域中，目标与一个或多个操作光束相互作用。目标轴向路径可以至少沿着x轴延伸，并且探针光轴可以不与x轴平行。控制装置可以被配置为确定目标沿着垂直于x轴的y方向的位置。探针光轴可以与y轴平行，并且操作光束通常可以沿着z轴行进。多个波长的光可以具有一范围，使得光的波长沿着y轴改变。探针光轴可以垂直于y轴。多个波长的光可以延伸，使得光的波长沿着y轴改变。

10、一个或多个操作光束可以包括第一放大光束和第二放大光束，该第一放大光束被配置为与目标相互作用，以修改目标的形状和移动，从而形成经修改的目标，该第二放大光束被配置为与经修改的目标相互作用，从而将经修改的目标转换为发射极紫外光的等离子体。

11、控制装置被配置为调整与目标和目标轴向路径中的一者或多者有关的一个或多个特性可以包括以下各项中的一项或多项：控制装置被配置为指示目标材料供应件调整与产生目标有关的一个或多个方面；以及控制装置被配置为指示操作光源调整一个或多个操作光束有关的一个或多个方面，该一个或多个操作光束产生与在探针区域下游的目标区域中与目标相互作用。

12、检测装置可以被配置为：以与目标通过探针区域的速率一样快的速率或比目标通过探针区域的速率更快的速率，检测处于多个不同的波长下的所产生的光。控制装置可以被配置为影响对一个或多个特性的调整，该一个或多个特性与分析目标所基于的目标有关。控制装置被配置为调整与目标有关的一个或多个特性可以包括：控制装置被配置为指示操作光源调整一个或多个操作光束的指向，该一个或多个操作光束在探针区域下游的目标区域中与目标相互作用，对指向的调整是相对于x、y、z坐标系的z轴而言的，其中目标轴向路径主要沿着x轴延伸，并且探针光轴与y轴对齐或与z轴对齐。

13、在其他一般方面中，一种极紫外(euv)光系统包括目标供应装置，该目标供应装置被配置为形成被引导到目标区域的目标流，每个目标沿着目标轴向路径行进，该目标轴向路径主要沿着x、y、z坐标系中的x轴延伸；操作光学源，该操作光学源被配置为产生被引导到目标区域的一个或多个操作光束，至少一个操作光束被配置为与目标相互作用以形成经修改的目标；以及量测系统。量测系统包括光装置、检测装置和控制装置，该控制装置与检测装置通信。光装置被配置为生成光学探针，该光学探针沿着探针光轴传播，该探针光轴在探针区域处与目标轴向路径相交。检测装置被配置为检测处于多个不同的波长下的所产生的光，每个波长与沿着x、y、z坐标系中的x横轴的不同位置相关联，所产生的光由在探针区域中光学探针与沿着目标轴向路径行进的目标之间的相互作用产生。控制装置被配置为分析所检测到的光并且确定沿着x、y、z坐标系中的x横轴与目标有关的位置信息。

14、各实施例可以包括以下特征中的一个或多个特征。例如，一个或多个操作光束可以包括第一放大光束和第二放大光束，第一放大光束被配置为与目标相互作用以修改目标的形状和移动，从而形成经修改的目标，第二放大光束被配置为与经修改的目标相互作用，从而将经修改的目标转换为发射极紫外光的等离子体。

15、在其他一般方面中，一种量测系统包括光装置、检测装置和控制装置，该控制装置与检测装置通信。该光装置被配置为生成光学探针，该光学探针沿着探针光轴传播，该探针光轴在探针区域处与目标轴向路径相交，该目标轴向路径主要沿着x、y、z坐标系中的x轴延伸。检测装置被配置为检测处于多个不同的波长下的所产生的光，每个波长与沿着x、y、z坐标系中的x横轴的不同位置相关联，所产生的光由在探针区域中光学探针与沿着目标轴向路径行进的目标之间的相互作用产生。控制装置被配置为分析所检测到的光并且确定沿着x、y、z坐标系中的x横轴与目标有关的位置信息。

16、各实施例可以包括以下特征中的一个或多个特征。例如，光学探针可以是宽频带光学探针。控制装置可以被配置为基于对所检测到的光的分析来确定沿着x、y、z坐标系中的x轴与目标有关的位置信息。