1.一种使用聚焦粒子束(227)修复样品(205、300、1500)的至少一个缺陷(320)的方法，该方法包含：
2.一种使用聚焦粒子束(227)修复样品(205、300、1500)的至少一个缺陷(320)的方法，该方法包含：
3.如权利要求1所述的方法，其中该第一牺牲层(400、500)包含第一局部导电牺牲层。
4.如权利要求2所述的方法，其中该第一导电牺牲层包含第一局部导电牺牲层。
5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中该聚焦粒子束(227)包含聚焦电子束。
6.如权利要求1至5中任一项所述的方法，更包含产生至少一个第一参考标记于该第一牺牲层上的步骤。
7.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中该第一牺牲层(400、500)具有第一部分(410、510)和至少一个第二部分(420、530、540、550、560)，其中该第一部分(410、510)与该至少一个缺陷(320)相邻，且其中该第一部分(410、510)和该至少一个第二部分(420、530、540、550、560)彼此导电连接(570、580)。
8.如权利要求7所述的方法，更包含产生至少一个第一参考标记(425、435、445、455、535、545、555、565)于该第一牺牲层(400、500)的该至少一个第二部分(420、530、540、550、560)上，以在该至少一个缺陷(320)的修复期间校正该至少一个缺陷(320)的漂移的步骤。
9.如权利要求6或8所述的方法，更包含：在修复该至少一个缺陷(320)之前，确定该至少一个第一参考标记(425、435、445、455、535、545、555、565)和该至少一个缺陷(320)之间的至少一个第一参考距离(720、730、740、750)。
10.如直接或间接引用权利要求1或2的权利要求1至9中任一项所述的方法，其中该第一部分(410、510)对该至少一个缺陷(320)的邻接包含下列群组中的至少一个元素：该第一部分(410、510)对该至少一个缺陷(320)的边缘(325)的邻接、该第一部分(410、510)部分覆盖该至少一个缺陷(325)、以及该第一部分(410、510)完全覆盖该至少一个缺陷(325)。
11.如权利要求8、或如直接或间接回引权利要求8的权利要求9或10中任一项所述的方法，其中该至少一个第二部分(430、530、540、550、560)延伸于该聚焦粒子束(227)的至少一个扫描区域(422、432、442、452、532、542、552、562)上方，以检测该至少一个第一参考标记(425、435、445、455、535、545、555、565)。
12.如权利要求1至11中任一项所述的方法，其中产生该第一牺牲层(400、500)包含：通过该聚焦粒子束(227)结合至少一个第一前驱物气体来沉积该第一牺牲层(400、500)。
13.如权利要求6或8、或如直接或间接回引权利要求6或8的权利要求7、或9至12中任一项所述的方法，其中产生该至少一个参考标记(425、435、445、455、535、545、555、565)包含：使用该聚焦粒子束(227)结合至少一个第二前驱物气体来沉积该至少一个第一参考标记(425、435、445、455、535、545、555、565)。
14.如权利要求10所述的方法，更包含：在修复该至少一个缺陷(320)之前，去除覆盖该至少一个缺陷(320)的第一牺牲层(400、500)的第一部分(410、510)的部分。
15.如权利要求1至14中任一项所述的方法，其中该至少一个缺陷(320)包含过剩材料的缺陷，且其中该方法更包含：至少部分通过该第一牺牲层(400、500、1510)修复该至少一个缺陷(320)。
16.如权利要求7或8、或如直接或间接回引权利要求7或8的权利要求9至15中任一项所述的方法，其中该第一牺牲层(400、500)的该第一部分(410、510)和该至少一个第二部分(420、530、540、550、560)具有横向范围，使得修复该至少一个缺陷(320)的动作使包含该至少一个缺陷(320)的成像区段失真不大于10％，较佳为不大于5％，更佳为不大于2％，最佳为不大于1％。
17.如权利要求7或8、或如直接或间接回引权利要求7或8的权利要求9至16中任一项所述的方法，其中该至少一个缺陷(320)包含过剩材料的缺陷，且其中修复该至少一个缺陷的动作包含：选择该第一牺牲层(400、500、1510)的该第一部分(410、510)、第二蚀刻气体、和/或至少一个添加气体的材料组成，使得聚焦粒子束(227)所诱发的蚀刻制程的蚀刻速率对于该至少一个缺陷(320)和该第一部分(410、510)实质相同。
18.如权利要求1至17中任一项所述的方法，更包含：以该聚焦粒子束(227)扫描该样品(205、300、1500)以产生该样品(205、300、1500)的缺陷地图。
19.如权利要求1至18中任一项所述的方法，更包含：产生至少一个第二参考标记(335、355、365、385)于该样品(205、300、1500)上；以及在产生该第一牺牲层(400、500)之前，确定该至少一个第二参考标记(335、355、365、385)和该至少一个缺陷(320)之间的至少一个第二参考距离(340、345、370、390)。
20.如权利要求1至19中任一项所述的方法，更包含：产生至少一个第二牺牲层(330、350、360、380)于该样品(205、300、1500)上；沉积至少一个第二标记(335、355、365、385)于该至少一个第二牺牲层(330、350、360、380)上；以及在产生该第一牺牲层(400、500)之前，确定该至少一个第二标记(335、345、365、385)和该至少一个缺陷(320)之间的至少一个第二参考距离(340、345、370、390)。
21.如直接或间接回引权利要求9的权利要求19或20所述的方法，中该至少一个第二参考距离(340、345、370、390)大于该至少一个第一参考距离(720、730、740、750)。
22.如权利要求19至21中任一项所述的方法，更包含：在执行下列群组中的至少一个元素时校正漂移：产生该第一牺牲层(400、500)以及通过使用该至少一个第二参考标记(335、355、365、385)和该至少一个第二参考距离(340、345、370、390)，去除覆盖来自该至少一个缺陷(320)的至少一个缺陷(320)的第一牺牲层(400、500)的第一部分(410、510)的一部分。
23.如权利要求6或8、或如直接或间接回引权利要求6或8的权利要求7或9至22中任一项所述的方法，更包含：使用湿式化学和/或机械清洁制程从该样品(205、300、1500)共同去除该第一牺牲层(400、500)和该至少一个第一参考标记(425、435、445、455、535、545、555、565)。
24.如直接或间接回引权利要求6或8的权利要求19至23中任一项所述的方法，更包含：使用湿式化学和/或机械清洁制程从该样品(205、300、1500)共同去除该第一牺牲层(400、500)、该至少一个第一参考标记(425、435、445、455、535、545、555、565)和该至少一个第二参考标记(335、355、365、385)。
25.一种计算机程序，包含指示计算机系统(240)执行如权利要求1至24中任一项所述的方法步骤的指令。
26.一种用于使用聚焦粒子束(227)修复样品(205、300、1500)的至少一个缺陷的装置(200)，包含：
27.一种用于使用聚焦粒子束(227)修复样品(205、300、1500)的至少一个缺陷的装置(200)，包含：
28.如权利要求26或27所述的装置(200)，其中所述用于产生该第一牺牲层的构件包含用于产生第一局部导电牺牲层的构件。
29.如权利要求26至28所述的装置(200)，更包含具有单级聚光器系统(218)的电子柱。
30.如权利要求26至29中任一项所述的装置(200)，其中所述用于产生该第一牺牲层(400、500)的构件包括至少一个电子束(227)，且其中该装置(200)配置成在<3000ev的电子撞击该样品(205、300、1500)的动能下，聚焦该电子束(227)于<2nm的直径上。
31.如权利要求26至29中任一项所述的装置(200)，其中所述用于产生该第一牺牲层(400、500)的构件包含至少一个电子束(227)，且其中该装置(200)配置成在<1500ev的电子撞击该样品(205、300、1500)的动能下，聚焦该电子束(227)于<2nm的直径上。
32.如权利要求26至29中任一项所述的装置(200)，其中所述用于产生该第一牺牲层(400、500)的构件包含至少一个电子束(227)，且其中该装置(200)配置成在<1000ev的电子撞击该样品(205、300、1500)的动能下，聚焦该电子束(227)于<2nm的直径上。
33.如权利要求26至29中任一项所述的装置(200)，其中所述用于产生该第一牺牲层(400、500)的构件包含至少一个电子束(227)，且其中该装置(200)配置成在<800ev的电子撞击该样品(205、300、1500)的动能下，聚焦该电子束(227)于<2nm的直径上。
34.如权利要求26至29中任一项所述的装置(200)，其中所述用于产生该第一牺牲层(400、500)的构件包含至少一个电子束(227)，且其中该装置(200)配置成在<600ev的电子撞击该样品(205、300、1500)的动能下，聚焦该电子束(227)于<2nm的直径上。
35.如权利要求26至34中任一项所述的装置(200)，其中该装置(200)的该聚焦粒子束(227)的局部处理区域具有<10nm的最小直径。
36.如权利要求26至34中任一项所述的装置(200)，其中该电子柱的出口与该样品(205、300、1500)之间的工作距离为<5mm。
37.如权利要求26至34中任一项所述的装置(200)，其中该电子柱的出口与该样品(205、300、1500)之间的工作距离为<4mm。
38.如权利要求26至34中任一项所述的装置(200)，其中该电子柱的出口与该样品(205、300、1500)之间的工作距离为<3mm。
39.如权利要求26至34中任一项所述的装置(200)，其中该电子柱的出口与该样品(205、300、1500)之间的工作距离为<2.5mm。
40.如权利要求26至39中任一项所述的装置(200)，其中该电子柱配置成使用一组不同的孔径。
41.如权利要求40所述的装置(200)，更包含控制单元(245)，其配置成通过选择该组孔径中的孔径来控制该电子束(227)的射束流。
42.如权利要求26至41中任一项所述的装置(200)，配置成实现如权利要求1至24中任一项所述的方法。