1.一种高温度调谐效率的宽带光学倍频波导芯片，其特征在于，包括：波导上包层、波导芯层、波导下包层和基底层；
2.根据权利要求1所述的高温度调谐效率的宽带光学倍频波导芯片，其特征在于，所述波导上包层为空气或二氧化硅；
3.根据权利要求1所述的高温度调谐效率的宽带光学倍频波导芯片，其特征在于，所述波导芯层的折射率高于波导上包层和波导下包层的折射率。
4.根据权利要求1所述的高温度调谐效率的宽带光学倍频波导芯片，其特征在于，高温度调谐效率的光学倍频基于以下条件：
5.根据权利要求1所述的高温度调谐效率的宽带光学倍频波导芯片，其特征在于，宽带的光学倍频基于以下条件：
6.根据权利要求1所述的高温度调谐效率的宽带光学倍频波导芯片，其特征在于，在所述周期性极化铌酸锂薄膜光波导中，te1模式的泵浦光和倍频光之间的群速度失配很小，te1模式泵浦光在所述周期性极化铌酸锂薄膜光波导中的光学倍频具有高温度调谐效率和大带宽的特点。
7.根据权利要求1所述的高温度调谐效率的宽带光学倍频波导芯片，其特征在于，所述te0到te1模式转换器的工作流程包括：
8.根据权利要求1所述的高温度调谐效率的宽带光学倍频波导芯片，其特征在于，所述te0到te1模式转换器包括：线性渐变波导型模式转换器或mmi型模式转换器。
9.根据权利要求8所述的高温度调谐效率的宽带光学倍频波导芯片，其特征在于，所述线性渐变波导型模式转换器的主要模式耦合区包括：两段宽度线性渐变的波导；第一段为宽度逐渐变小的窄波导，第二段为宽度逐渐变大的宽波导；基于模式耦合理论和仿真计算，在耦合区内窄波导中的te0模有效折射率逐渐变小，宽波导中的te1模有效折射率逐渐变大，两者的有效折射率在耦合区的某一位置必定会重叠，因此在耦合区内第一段窄波导中的te0模式泵浦光能高效耦合为第二段宽波导中的te1模式泵浦光。
10.根据权利要求8所述的高温度调谐效率的宽带光学倍频波导芯片，其特征在于，所述mmi型模式转换器的工作流程包括：利用一个1×3的mmi，将两个相位差为180度的te0模式转换为te1模式输出。