反射型光掩模坯料，制造反射型光掩模的方法和反射型光掩模与流程

本发明涉及一种用于制造半导体器件的反射型光掩模，以及一种制造反射型光掩模的方法，以及一种用于制造反射型光掩模材料的反射型光掩模坯料。

背景技术：

1、根据半导体器件的小型化，特别是大规模集成电路的高集成度，要求投影曝光具有高的图案分辨率。因此，已经开发出相移掩模作为改善光掩模的转印图案分辨率的一种手段。相移法的原理是，通过调整以使已经经过相移膜开口的透射光相位相对于已经经过与开口相邻的相移膜部分的透射光相位反转约180度，透射光之间的干涉降低了开口边界和与开口相邻部分处的光强度。结果，转印图案的分辨率和焦深得到改善。利用这一原理的光掩模通常称为相移掩模。

2、用于制造相移掩模的最常见相移掩模坯料(作为相移掩模的材料)具有这样的结构：其中将相移膜层叠在透明衬底如玻璃衬底上，并且将由含铬(cr)材料组成的膜层叠在相移膜上。相移膜通常具有175至185度的相移，对于曝光光约6％至30％的透射率，而主流的相移膜是由含硅(si)材料组成的膜，特别是含有钼(mo)和硅(si)的材料。此外，调整由含铬材料组成的膜，使其具有与相移膜一起提供所需光密度的厚度，并且由含铬材料组成的膜通常用作遮光膜，并且还用作相移膜刻蚀中的硬掩模膜。

3、特别是，其中通过图案化相移膜在透明衬底上按此顺序形成由含硅材料组成的相移膜和由含铬材料组成的遮光膜，从相移掩模坯料制造相移掩模的一般方法如下所述。首先，在相移掩模坯料的由含铬材料组成的遮光膜上形成抗蚀剂膜，并通过光或电子束在抗蚀剂膜上绘制图案形成抗蚀剂膜图案，并显影。接着，使用抗蚀剂图案作为刻蚀掩模和氯基气体刻蚀由含铬材料组成的遮光膜，以形成遮光膜的图案。另外，使用遮光膜的图案作为刻蚀掩模和氟基气体刻蚀由含硅材料组成的相移膜，以形成相移膜的图案。然后，去除抗蚀剂图案，并使用氯基气体刻蚀来去除遮光膜的图案。

4、在这种情况下，遮光膜保留在相移膜的一部分上，在形成相移膜图案(电路图案)的部分之外，并且在相移膜的外围部分设置光密度不小于3的遮光部分(遮光图案)，以及相移膜和遮光膜。这是为了防止在通过晶片曝光装置将电路图案转印到晶片时，通过位于电路图案外部的部分将相移膜外周部分处的泄漏曝光光照射到晶片中相邻芯片上形成的抗蚀剂膜。在形成这种遮光图案的一般方法中，在形成相移膜的图案并去除抗蚀剂图案后，通过绘制图案并显影，重新形成抗蚀剂膜，并在相移膜的外围部分形成保留的抗蚀剂图案。然后，使用抗蚀剂图案作为刻蚀掩模来刻蚀由含铬材料组成的膜，以形成保留在相移膜的外围部分的遮光膜。

5、需要以高精度形成图案的相移掩模的主流刻蚀是使用气体等离子体的干刻蚀。使用氯基气体的干刻蚀(氯基干刻蚀)用于由含铬材料组成的膜，使用氟基气体的干刻蚀(氟基干刻蚀)用于由含硅材料组成的膜或由含钼和硅的材料组成的膜。特别地，已知在对由含铬材料组成的膜的干刻蚀中，使用混有10至25体积％氧气(o2气体)的氯气(cl2气体)的刻蚀气体作为刻蚀气体，化学反应性和刻蚀速率增加。

6、根据电路图案的小型化，相移掩模的电路图案还需要精细图案形成的技术。特别是，需要形成得小于主图案的线图案的辅助图案(其有助于相移掩模主图案的分辨率)以便在电路图案通过晶片曝光装置转印到晶片上时不会转印到晶片上。在晶片上电路的线和空间图案的半间距为10nm的一代相移掩模中，要求相移掩模上的电路线图案的辅助图案的线宽约为40nm。

7、可以形成精细图案的化学放大型抗蚀剂由基础树脂、酸发生剂、表面活性剂等组成，且可用于将因暴露产生的酸作为催化剂的许多反应中。因此，化学放大型抗蚀剂可以具有高的灵敏度，并且通过使用化学放大型抗蚀剂，可形成掩模图案，例如线宽不大于0.1μm的精细相移膜图案。通过使用抗蚀剂涂覆机旋涂，将抗蚀剂涂覆到光掩模坯料上。

8、用于高级相移掩模坯料的抗蚀剂膜厚度为100至150nm。之所以难以在相移掩模上形成更精细的辅助图案，是因为在由含铬材料组成的遮光膜上形成的用于形成辅助图案的抗蚀剂图案具有高的纵横比，在形成抗蚀剂图案的显影过程中，由于冲洗过程中显影溶液的冲击或纯水的冲击，辅助图案会塌陷。

9、因此，已经考虑了降低抗蚀剂图案的高宽比(纵横比)用于减少显影液或纯水冲击的影响。在这种情况下，抗蚀剂膜将减薄。但是，当抗蚀剂膜薄时，如果在对含铬材料组成的遮光膜进行干刻蚀时抗蚀剂膜损失，则导致在由含铬材料组成的遮光膜中产生针孔缺陷。因此，当使用由含铬材料组成的遮光膜作为刻蚀掩模对相移膜进行干刻蚀时，相移膜刻蚀中的等离子体通过针孔到达相移膜，导致在相移膜中也形成针孔缺陷。因此，相移掩模无法正常制造。

10、为了解决这个问题，在由含铬材料组成的遮光膜上进一步设置了由含硅材料组成的硬掩模。在这种情况下，由含硅材料组成的硬掩模是厚度为5至15nm的薄膜，并且在硬掩模上形成的抗蚀剂膜的厚度已减薄至80至110nm。

11、在使用氯基气体对由含铬材料组成的遮光膜进行干刻蚀的情况下，则必须在刻蚀完成时间(etching-clear-time)内进行刻蚀，在该时间内由含铬材料组成的遮光膜消失，并添加刻蚀完成时间100％至300％的过度刻蚀。这是因为氯基干刻蚀是以化学组分为主的各向同性刻蚀。因此，由于由含铬材料组成的遮光膜的图案在与相移膜的边界处刻蚀不充分，导致拖尾形状，因此没有稳定地形成所需的图案宽度。

12、此外，由于氯基干刻蚀是以化学组分为主的各向同性刻蚀，氯基等离子体沿竖直和水平方向向衬底移动，在由含铬材料组成的遮光膜图案中导致侧面刻蚀。因此，为了在掩模的整个表面上获得均匀的cd(临界尺寸)，即一种图案线宽，有必要在掩模的整个表面上获得相同数量的侧面刻蚀。为此，需要长时间的干刻蚀，直到侧面刻蚀量饱和并稳定。

13、另一方面，在使用氟基气体对由含硅材料组成的相移膜进行干刻蚀的情况下，则在刻蚀完成时间内进行刻蚀，在该时间内由含硅材料组成的相移膜消失，并添加刻蚀完成时间的至多20％的过度刻蚀(例如1至6秒的短过度刻蚀)。通过干刻蚀，相对于曝光光将相移调节到175至185度的相移，而稍微刻蚀与相移膜接触的透明衬底。在这种情况下，通常由含硅材料组成的相移膜被设定为具有175至179度的初始相移，并且通过过度刻蚀向下刻蚀到透明衬底中获得了所需的相移(即175至185度)。

14、在氟基干刻蚀中，短时间的过度刻蚀是可以接受的，因为氟基干刻蚀是以物理组分为主的各向异性刻蚀。因此，在与衬底的边界处对由含硅材料组成的相移膜的图案不形成拖尾形状。此外，由于氟基等离子体沿竖直方向移动到衬底表面，并且用作刻蚀掩模的由含铬材料组成的遮光膜的cd被忠实地复制，因此不需要长时间的过度刻蚀。

15、氟基干刻蚀是以物理组分为主的各向异性刻蚀，因此抗蚀剂的损失量通常大于氯基干刻蚀。因此，用于形成由含硅材料组成的硬掩模膜图案的抗蚀剂膜必须适当厚。但是，当使用氯基气体对由含铬材料组成的遮光膜进行干刻蚀时，由含硅材料组成的硬掩模充当刻蚀掩模，并且对氯基气体具有足够的耐蚀性，因此可以使由含硅材料组成的硬掩模减薄。当由含硅材料组成的硬掩模膜减薄时，硬掩模的氟基干刻蚀的刻蚀时间缩短。因此，也可以减小形成由含硅材料组成的硬掩模图案所需的抗蚀剂膜厚度。为此，通过使用含硅材料组成的硬掩模，可减薄用于刻蚀硬掩模膜的抗蚀剂膜的厚度，即首先用于相移掩模坯料的抗蚀剂膜。通过使抗蚀剂膜减薄，可以降低抗蚀剂图案的高宽比(纵横比)。因此，在形成抗蚀剂图案的显影过程中，减少了冲洗过程中显影液冲击或纯水冲击的影响，可以形成良好的辅助图案，并且可实现高分辨率的转印图案。

16、其中通过图案化相移膜在透明衬底上按此顺序形成由含硅材料组成的相移膜、由含铬材料组成的遮光膜和由含硅材料组成的硬掩模，从相移掩模坯料制造相移掩模的一般方法如下所述。首先，在含硅材料组成的硬掩模上形成抗蚀剂膜，并通过光或电子束在抗蚀剂膜上绘制图案形成抗蚀剂图案，并显影。接着，使用抗蚀剂图案作为刻蚀掩模和氟基气体刻蚀由含硅材料组成的硬掩模膜以形成硬掩模的图案，然后去除抗蚀剂膜。接着，使用硬掩模的图案作为刻蚀掩模和氯基气体来刻蚀由含铬材料组成的遮光膜以形成遮光膜的图案。另外，使用作为刻蚀掩模的遮光膜图案和氟基气体刻蚀由含硅材料组成的相移膜以形成相移膜的图案，同时去除硬掩模的图案。然后，通过使用氯基气体刻蚀来去除遮光膜的图案。

17、此外，即使使用相移掩模，获得近年来投影曝光所要求的进一步的高图案分辨率也变得困难。因此，已使用euv光刻，其利用极紫外范围内的光作为曝光光。

18、极紫外范围内的光容易被所有材料吸收，不能使用透射式光刻，例如使用arf准分子激光的常规光学光刻。因此，在euv光刻中使用了反射光学系统。euv光刻中使用的极紫外范围内的光波长为13至14nm，而常规arf准分子激光的波长为193nm。因此，与使用arf准分子激光的常规光刻相比，极紫外范围内的光的波长更短，并且可转印在光掩模中形成的更精细的图案。

19、euv光刻中使用的光掩模通常具有这样的结构：其中在衬底如玻璃衬底上按此顺序形成反射极紫外范围内的光的反射膜，用于保护反射膜的保护膜和吸收极紫外范围内的光的吸光膜。作为反射膜，使用其中低折射率层和高折射率层交替层叠的多层反射膜，当极紫外范围内的光照射到反射膜表面时其可以增强反射率。通常，对于多层反射膜，将钼(mo)层用作低折射率层，硅(si)层用作高折射率层。通常使用钌(ru)膜作为保护膜。另一方面，对于吸光膜，使用对euv光具有高吸收系数的材料作为主组分，特别是例如含铬(cr)或钽(ta)的材料。

20、其中通过图案化吸光膜在衬底上按此顺序形成反射极紫外范围内的光的反射膜、用于保护反射膜的保护膜和吸收极紫外范围内光的吸光膜，从反射型光掩模坯料制造反射型光掩模的一般方法为如下所述。首先，在吸光膜上形成抗蚀剂膜，通过光或电子束在抗蚀剂膜上绘制图案形成抗蚀剂图案，并显影。接着，形成吸光膜的图案，然后去除抗蚀剂图案。

21、在euv光刻所需的反射型光掩模中，随着主图案的最小化，有助于主图案分辨率的线图案的辅助图案进一步更细，并且要求辅助图案的线宽减小到约30nm，特别是约25nm。因此，与相移掩模坯料相比，需要使用于反射型光掩模坯料的抗蚀剂膜减薄。

22、在反射型光掩模中，当形成厚度为约30nm，特别是约25nm的线图案的辅助图案时，要求抗蚀剂膜的厚度不超过80nm。例如，当使用抗蚀剂图案作为刻蚀掩模由含有钽作为主组分的吸光膜形成吸光膜图案(电路图案)时，氟基干刻蚀是以物理组分为主的各向异性刻蚀，并且抗蚀剂图案的刻蚀速率相对高。因此，当抗蚀剂图案太薄时，抗蚀剂图案在吸光膜的干刻蚀过程中消失，导致吸光膜中形成针孔缺陷，无法制造正常的反射型光掩模。

23、为了避免针孔缺陷的产生，必须形成厚的抗蚀剂膜。然而，厚抗蚀剂膜导致用于形成更精细辅助图案的抗蚀剂图案的纵横比更高。因此，在形成抗蚀剂图案的显影过程中，辅助图案会因冲洗过程中显影液的冲击或纯水的冲击而塌陷。因此，无法获得所需的分辨率。

24、例如，wo 2012/105508 a1(专利文献1)公开了一种用于euv光刻的反射型光掩模坯料，其中按此顺序在衬底上形成反射euv光的层、吸收euv光的吸收层和硬掩模层。在这种情况下，通过使吸收层是其中钽(ta)和钯(pd)中至少一种为主组分的层，以及硬掩模层含有铬(cr)、氮(n)或氧(o)和氢(h)，并且cr和n或cr和o的总含量为85至99.9at％，而氢含量为0.1-15at％，硬掩模层具有小的表面粗糙度，在吸收层的刻蚀条件下具有足够高的刻蚀选择性，以及能充分降低表面粗糙度的非晶态。结果，可以在不增加硬掩模层图案的线边粗糙度的情况下，进一步在不增加使用硬掩模层图案形成的吸收层图案的线边粗糙度的情况下获得高分辨率图案。

25、此外，wo 2012/105508 a1(专利文献1)公开了用于对用于euv光刻的反射型光掩模坯料形成图案的程序，如下所述。首先，在euv掩模坯料的硬掩模层上形成抗蚀剂膜，并通过电子束绘制装置在抗蚀剂膜中形成图案。接着，使用图案化的抗蚀剂膜作为掩模，通过氯基气体工艺进行刻蚀以形成硬掩模层的图案。接着，使用图案化的硬掩模层作为掩模，通过氟基气体工艺进行刻蚀以形成吸收层的图案。接着，进行刻蚀以通过氯基气体工艺去除硬掩模层。

26、引文列表

27、专利文献1：wo 2012/105508 a1

技术实现思路

1、例如，在wo 2012/105508 a1(专利文献1)中描述的方法中，使用crnh膜或croh膜作为硬掩模层，使用含钽膜作为吸收层，并且通过氟基干刻蚀而图案化吸收层。在这种情况下，由含铬材料组成的膜(crnh膜和croh膜)对氟基干刻蚀具有高的耐受性，因此所述膜具有低刻蚀速率，并且含有钽作为主组分的膜对氟基干刻蚀具有低的耐受性，因此所述膜具有高刻蚀速率。因此，可以减薄抗蚀剂膜。另一方面，将含钽膜通过氯基干刻蚀进行图案化，当硬掩模层减薄时，在干刻蚀过程中抗蚀剂膜的损失量减少。因此，在硬掩模上形成的抗蚀剂膜可减薄。结果，降低了抗蚀剂图案的高宽比(纵横比)，并且在形成抗蚀剂图案的显影过程中，减少了冲洗过程中显影液冲击或纯水冲击的影响。因此，可以形成良好的辅助图案。

2、然而，如上所述，当使用氯基气体对由含铬材料组成的硬掩模层进行干刻蚀时，必须进行刻蚀，持续刻蚀完成时间，在该时间内，由含铬材料组成的硬掩模层消失，并添加刻蚀完成时间100％至300％的过度刻蚀。在这种情况下，抗蚀剂膜的厚度不能减少到不超过80nm。

3、阻碍形成良好辅助图案的另一个因素是由含铬材料组成的膜引起的问题。在由含铬材料组成的膜上形成抗蚀剂膜时，如果在抗蚀剂膜的表面上或内部产生颗粒，并且按原样使用抗蚀剂膜，则颗粒导致相移掩模或反射型光掩模中的缺陷。因此，通常，通过清洁去除其中产生颗粒的抗蚀剂膜一次，并施加抗蚀剂以再次形成抗蚀剂膜。

4、硫酸和过氧化氢溶液的混合溶液(硫酸-过氧化氢混合物，spm)通常用于去除和清洁抗蚀剂膜。在这种情况下，在使用硫酸和过氧化氢溶液的混合溶液除去抗蚀剂膜后，由含铬材料组成的膜表面是酸性的。因此，为了中和，使用添加有氨的碱性溶液(氨-过氧化物水混合物(apm))冲洗表面。然而，硫酸通常腐蚀由含铬材料组成的膜的表面部分。因此，通常不能从已被硫酸腐蚀的含铬材料组成的膜的表面部分完全去除硫酸，且硫酸根离子保留在由含铬材料组成的膜表面上。当硫酸根离子保留在由含铬材料组成的膜的表面上时，硫酸根离子劣化由含铬材料组成的膜与之后会形成的抗蚀剂膜之间的粘附性。因此，在形成抗蚀剂图案的显影过程中，抗蚀剂图案，特别是线图案如辅助图案，在冲洗过程中容易因显影液的冲击或纯水的冲击而塌陷。因此，无法令人满意地形成线图案如辅助图案。因此，要求与抗蚀剂膜接触的膜对抗蚀剂膜具有良好的粘附性，并且即使所述膜与硫酸和过氧化氢溶液的混合物溶液接触时，对抗蚀剂膜的粘附性也不会劣化。

5、在wo 2012/105508 a1(专利文献1)中描述的上述方法中，由用于euv光刻的反射型光掩模坯料形成硬掩模层(即由含铬材料组成的膜)的图案，其中按此顺序在衬底上形成反射euv光的层、吸收euv光的吸收层和硬掩模层，当形成硬掩模层的图案时，在硬掩模层上形成抗蚀剂膜。因此，在这种情况下，当使用硫酸和过氧化氢溶液的混合溶液去除抗蚀剂膜时，硬掩模层和抗蚀剂膜之间的粘附性也会劣化。

6、本发明已经解决了上述问题。本发明的第一个目的是提供一种反射型光掩模坯料，其具有对再次形成的抗蚀剂膜的粘附性，即使在制造反射型光掩模中使用硫酸和过氧化氢溶液的混合溶液从反射型光掩模坯料去除抗蚀剂膜也难以降低该粘附性，在所述光掩模坯料中在衬底上形成反射极紫外范围内的光(即曝光光)的多层反射膜、用于保护多层反射膜的保护膜和吸收曝光光的吸光膜。本发明的第二个目的是提供一种可令人满意地形成线宽约为30nm，特别是约25nm的辅助图案的反射型光掩模坯料，特别是即使使用薄的抗蚀剂膜，例如厚度不超过80nm的抗蚀剂膜时可令人满意地形成线宽约为30nm，特别是约25nm的辅助图案的反射型光掩模坯料。本发明的第三个目的是提供一种由这种反射型光掩模坯料制造反射型光掩模的方法，以及由这种反射型光掩模坯料制成的反射型光掩模。

7、如上所述，常规的反射型光掩模存在这样的问题：由于干刻蚀后不保留抗蚀剂膜，因此反射型光掩模不能通过厚度不超过80nm的抗蚀剂膜令人满意地形成精细的辅助图案，并且存在这样的问题：硫酸和过氧化氢溶液的混合溶液劣化对抗蚀剂膜的粘附性。

8、发明人已经发现，在包括形成于衬底上的反射在极紫外范围内的光(即曝光光)的多层反射膜、用于保护多层反射膜的保护膜以及吸收曝光光的吸光膜的反射型光掩模坯料中，可以通过如下方式来解决该问题：在吸光膜上并与吸光膜接触地形成硬掩模膜，该硬掩模膜在通过干刻蚀而图案化吸光膜时充当硬掩模，并形成由多层构成的硬掩模膜，所述多层包括设置在离衬底最远一侧并由含有硅且不含铬的材料组成的第一层，和由含有铬且不含硅的材料组成的第二层，特别是通过形成具有规定的组成和/或规定厚度的第一层和第二层。

9、在一个方面，本发明提供了一种反射型光掩模坯料，包括：

10、衬底，

11、在衬底上形成且反射曝光光的多层反射膜，该曝光光是极紫外范围内的光，

12、在多层反射膜上形成的保护多层反射膜的保护膜，

13、在保护膜上形成并吸收曝光光的吸光膜，以及

14、在吸光膜上形成并与吸光膜接触的硬掩模膜，且其在通过干刻蚀图案化吸光膜中充当硬掩模，其中

15、硬掩模膜由包括第一层和第二层的多层构成，第一层设置在离衬底最远的一侧，

16、第一层由含有硅且不含铬的材料组成，并且

17、第二层由含有铬且不含硅的材料组成。

18、优选地，所述第一层的材料还含有氧，并且具有不低于25at％且不大于65at％的硅含量和不低于30at％的氧含量。

19、优选地，第一层的厚度不小于2纳米且不大于12纳米。

20、优选地，所述第二层的材料还含有氮，并且具有不低于30at％且不大于90at％的铬含量，以及不低于8at％且不大于55％的氮含量。

21、优选地，所述第二层的材料还含有氧，并且具有不超过40at％的氧含量。

22、优选地，所述第二层的材料还含有碳，并且具有不超过20at％的碳含量。

23、优选地，第二层具有不小于2纳米且不大于16纳米的厚度。

24、优选地，所述吸光膜由含钽材料组成。

25、优选地，所述吸光膜的厚度不小于50纳米且不大于74纳米。

26、优选地，反射型光掩模坯料包括在硬掩模膜上形成并与之接触且厚度不超过80纳米的抗蚀剂膜。

27、在另一方面，本发明提供了一种从反射型光掩模坯料制造包括吸光膜图案的反射型光掩模的方法，其中该方法包括以下步骤：

28、(a)在离衬底最远的一侧形成与硬掩模膜接触的抗蚀剂膜，

29、(b)图案化该抗蚀剂膜以形成抗蚀剂图案，

30、(c)利用抗蚀剂图案作为刻蚀掩模，使用氟基气体进行干刻蚀来图案化该第一层以形成第一层的图案，

31、(d)去除抗蚀剂图案，

32、(e)利用第一层的图案作为刻蚀掩模，使用氯基气体进行干刻蚀来图案化该第二层以形成第二层的图案，

33、(f)利用第二层的图案作为刻蚀掩模，使用氟基气体进行干刻蚀来图案化吸光膜以形成吸光膜的图案，同时去除第一层的图案，以及

34、(g)使用氯基气体通过干刻蚀去除第二层的图案。

35、优选地，所述抗蚀剂膜的厚度不超过80纳米。

36、优选地，吸光膜的图案包括宽度不超过25纳米的线图案。

37、在另一方面，本发明提供了一种从反射型光掩模坯料制造包括吸光膜图案的反射型光掩模的方法，其中该方法包括以下步骤：

38、(b)图案化抗蚀剂膜，以形成抗蚀剂图案，

39、(c)利用抗蚀剂图案作为刻蚀掩模，使用氟基气体进行干刻蚀来图案化该第一层以形成第一层的图案，

40、(d)去除抗蚀剂图案，

41、(e)利用第一层的图案作为刻蚀掩模，使用氯基气体进行干刻蚀来图案化该第二层以形成第二层的图案，

42、(f)利用第二层的图案作为刻蚀掩模，使用氟基气体进行干刻蚀来图案化吸光膜以形成吸光膜图案，同时去除第一层的图案，以及

43、(g)使用氯基气体通过干刻蚀去除第二层的图案。

44、优选地，所述抗蚀剂膜的厚度不超过80纳米。

45、优选地，吸光膜的图案包括宽度不超过25纳米的线图案。

46、在另一方面，本发明提供了一种反射型光掩模，包括：

47、衬底，

48、在衬底上形成且反射曝光光的多层反射膜，所述曝光光是极紫外范围内的光，

49、在多层反射膜上形成的保护多层反射膜的保护膜，以及

50、在保护膜上形成并吸收曝光光的吸光膜图案，其中

51、吸光膜的图案包括宽度不超过25nm的线图案。

52、本发明的有益效果

53、根据本发明，由于即使在使用硫酸和过氧化氢溶液的混合溶液用于去除抗蚀剂膜时，也难以降低再次形成的抗蚀剂膜的粘附性，因此在用于形成抗蚀剂图案的显影过程的冲洗中，用于形成精细辅助图案的抗蚀剂图案难以因显影液的冲击或纯水的冲击而塌陷。此外，根据本发明，抗蚀剂膜被减薄，并且可以通过具有降低的高宽比(纵横比)的抗蚀剂图案令人满意地形成具有约30纳米，特别是约25纳米线宽的辅助图案。因此，可以在由反射型光掩模坯料制造的反射型光掩模的转印图案中获得高分辨率。