二氧化硅粒子、调色剂、静电潜像显影剂、调色剂盒、处理盒、图像形成装置及方法与流程

本发明涉及一种二氧化硅粒子、调色剂、静电潜像显影剂、调色剂盒、处理盒、图像形成装置及方法。

背景技术：

1、专利文献1中公开了一种静电潜像显影调色剂，其混合调色剂粒子和外添用电荷控制粒子而成，外添用电荷控制粒子为由载体粒子和电荷控制剂构成的外添用电荷控制粒子，并且相对于载体粒子1质量份具有1×10-3～1×10-1质量份的范围的电荷控制剂，所述载体粒子由通过对利用溶胶凝胶法获得的亲水性球状二氧化硅微粒的表面进行疏水化处理而得的平均粒径20～500nm的疏水性球状二氧化硅微粒构成，所述电荷控制剂被覆盖在载体粒子的表面上，所述静电潜像显影调色剂相对于调色剂粒子1质量份混合外添用电荷控制粒子0.001～0.05质量份而成。

2、专利文献2中公开了一种二氧化硅粒子，其含有季铵盐，由清洗前的二氧化硅粒子的氮气吸附法的孔分布曲线求出的孔径为2nm以下的频度的最大值fbefore与由清洗后的二氧化硅粒子的氮气吸附法的孔分布曲线求出的孔径为2nm以下的频度的最大值fafter之比fbefore/fafter为0.90以上且1.10以下，并且最大值fbefore与由将清洗前的二氧化硅粒子在600℃下煅烧后的二氧化硅粒子的氮气吸附法的孔分布曲线求出的孔径为2nm以下的频度的最大值fsintering之比fsintering/fbefore为5以上且20以下。

3、专利文献1：日本特开2011-185998号公报

4、专利文献2：日本特开2021-151944号公报

技术实现思路

1、本发明的课题在于，提供一种包含含有钼元素的含氮元素化合物且带电量不易随时间发生变化的二氧化硅粒子。

2、用于解决所述课题的手段包括下述方式。

3、＜1＞一种二氧化硅粒子，其具有：

4、二氧化硅母粒；

5、包覆结构，包覆所述二氧化硅母粒，并且由3官能硅烷化合物的反应产物构成；及

6、含氮元素化合物，附着于所述包覆结构，并且含有钼元素，

7、在利用sem-edx创建的钼元素图中，在钼元素的总面积中所占的形成长径500nm以上的团簇的区域的总面积为5％以下。

8、＜2＞根据＜1＞所述的二氧化硅粒子，其中，

9、所述含有钼元素的含氮元素化合物为选自包括含有钼元素的季铵盐及季铵盐和含有钼元素的金属氧化物的混合物的组中的至少一种。

10、＜3＞根据＜1＞所述的二氧化硅粒子，其中，

11、所述含有钼元素的含氮元素化合物为cas注册号为117342-25-3的化合物。

12、＜4＞根据＜1＞至＜3＞中任一项所述的二氧化硅粒子，其中，

13、所述3官能硅烷化合物包含烷基三烷氧基硅烷。

14、＜5＞根据＜1＞至＜4＞中任一项所述的二氧化硅粒子，其中，

15、通过荧光x射线分析测定的钼元素的net强度nmo与硅元素的net强度nsi之比nmo/nsi为0.035以上且0.45以下。

16、＜6＞根据＜1＞至＜4＞中任一项所述的二氧化硅粒子，其中，

17、通过荧光x射线分析测定的钼元素的net强度nmo与硅元素的net强度nsi之比nmo/nsi为0.05以上且0.35以下。

18、＜7＞根据＜1＞至＜6＞中任一项所述的二氧化硅粒子，其中，

19、当将由350℃煅烧前后的氮气吸附法的孔分布曲线求出的孔径为1nm以上且50nm以下的孔体积分别设为a及b时，b/a为1.2以上且5以下，并且b为0.2cm3/g以上且3cm3/g以下。

20、＜8＞根据＜1＞至＜7＞中任一项所述的二氧化硅粒子，其平均一次粒径为10nm以上且200nm以下。

21、＜9＞根据＜1＞至＜8＞中任一项所述的二氧化硅粒子，其粒度分布指标为1.1以上且2.0以下。

22、＜10＞根据＜1＞至＜9＞中任一项所述的二氧化硅粒子，其平均圆度为0.60以上且0.96以下。

23、＜11＞一种静电潜像显影用调色剂，其含有调色剂粒子和外添于所述调色剂粒子的＜1＞至＜10＞中任一项所述的二氧化硅粒子。

24、＜12＞一种静电潜像显影剂，其含有＜11＞所述的静电潜像显影用调色剂。

25、＜13＞一种调色剂盒，其容纳＜11＞所述的静电潜像显影用调色剂，并且

26、装卸于图像形成装置。

27、＜14＞一种处理盒，其具备显影构件，

28、所述显影构件容纳＜12＞所述的静电潜像显影剂，且通过所述静电潜像显影剂将形成在图像保持体的表面上的静电潜像显影为调色剂图像，

29、所述处理盒装卸于图像形成装置。

30、＜15＞一种图像形成装置，其具备：

31、图像保持体；

32、充电构件，使所述图像保持体的表面带电；

33、静电潜像形成构件，在带电的所述图像保持体的表面上形成静电潜像；

34、显影构件，容纳＜12＞所述的静电潜像显影剂，且通过所述静电潜像显影剂将形成在所述图像保持体的表面上的静电潜像显影为调色剂图像；

35、转印构件，将形成在所述图像保持体的表面上的调色剂图像转印到记录媒体的表面上；及

36、定影构件，将转印到所述记录媒体的表面上的调色剂图像定影。

37、＜16＞一种图像形成方法，其包括：

38、充电工序，使图像保持体的表面带电；

39、静电潜像形成工序，在带电的所述图像保持体的表面上形成静电潜像；

40、显影工序，通过＜12＞所述的静电潜像显影剂将形成在所述图像保持体的表面上的静电潜像显影为调色剂图像；

41、转印工序，将形成在所述图像保持体的表面上的调色剂图像转印到记录媒体的表面上；及

42、定影工序，将转印到所述记录媒体的表面上的调色剂图像定影。

43、发明效果

44、根据＜1＞、＜2＞、＜3＞、＜4＞、＜8＞、＜9＞及＜10＞所涉及的发明，提供一种相较于在利用sem-edx创建的钼元素图中，在钼元素的总面积中所占的形成长径500nm以上的团簇的区域的总面积超过5％的二氧化硅粒子，带电量不易随时间发生变化的二氧化硅粒子。

45、根据＜5＞所涉及的发明，提供一种相较于比nmo/nsi小于0.035或超过0.45的二氧化硅粒子，带电量不易随时间发生变化的二氧化硅粒子。

46、根据＜6＞所涉及的发明，提供一种相较于比nmo/nsi小于0.05或超过0.35的二氧化硅粒子，带电量不易随时间发生变化的二氧化硅粒子。

47、根据＜7＞所涉及的发明，提供一种相较于b/a小于1.2或b小于0.2cm3/g的二氧化硅粒子，带电量不易随时间发生变化的二氧化硅粒子。

48、根据＜11＞所涉及的发明，提供一种相较于含有如下二氧化硅粒子的静电潜像显影用调色剂，带电量不易随时间发生变化的静电潜像显影用调色剂，所述二氧化硅粒子在利用sem-edx创建的钼元素图中，在钼元素的总面积中所占的形成长径500nm以上的团簇的区域的总面积超过5％。

49、根据＜12＞所涉及的发明，提供一种相较于含有如下静电潜像显影用调色剂的静电潜像显影剂，带电量不易随时间发生变化的静电潜像显影剂，所述静电潜像显影用调色剂含有如下二氧化硅粒子，所述二氧化硅粒子在利用sem-edx创建的钼元素图中，在钼元素的总面积中所占的形成长径500nm以上的团簇的区域的总面积超过5％。

50、根据＜13＞所涉及的发明，提供一种相较于容纳有含有如下静电潜像显影用调色剂的静电潜像显影剂的情况，容纳有带电量不易随时间发生变化的静电潜像显影剂的调色剂盒，所述静电潜像显影用调色剂含有如下二氧化硅粒子，所述二氧化硅粒子在利用sem-edx创建的钼元素图中，在钼元素的总面积中所占的形成长径500nm以上的团簇的区域的总面积超过5％。

51、根据＜14＞所涉及的发明，提供一种相较于容纳有含有如下静电潜像显影用调色剂的静电潜像显影剂的情况，容纳有带电量不易随时间发生变化的静电潜像显影剂的处理盒，所述静电潜像显影用调色剂含有如下二氧化硅粒子，所述二氧化硅粒子在利用sem-edx创建的钼元素图中，在钼元素的总面积中所占的形成长径500nm以上的团簇的区域的总面积超过5％。

52、根据＜15＞所涉及的发明，提供一种相较于容纳有含有如下静电潜像显影用调色剂的静电潜像显影剂的情况，容纳有带电量不易随时间发生变化的静电潜像显影剂的图像形成装置，所述静电潜像显影用调色剂含有如下二氧化硅粒子，所述二氧化硅粒子在利用sem-edx创建的钼元素图中，在钼元素的总面积中所占的形成长径500nm以上的团簇的区域的总面积超过5％。

53、根据＜16＞所涉及的发明，提供一种相较于使用含有如下静电潜像显影用调色剂的静电潜像显影剂的情况，使用带电量不易随时间发生变化的静电潜像显影剂的图像形成方法，所述静电潜像显影用调色剂含有如下二氧化硅粒子，所述二氧化硅粒子在利用sem-edx创建的钼元素图中，在钼元素的总面积中所占的形成长径500nm以上的团簇的区域的总面积超过5％。