二氧化硅粒子、调色剂、显影剂、盒、成像装置及成像方法与流程

文档序号:37435192发布日期:2024-03-25 19:32阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种二氧化硅粒子,其特征在于,

2.根据权利要求1所述的二氧化硅粒子,其中,

3.根据权利要求1或2所述的二氧化硅粒子,其中,

4.根据权利要求1至3中任一项所述的二氧化硅粒子,其中,

5.根据权利要求4所述的二氧化硅粒子,其中,

6.根据权利要求4或5所述的二氧化硅粒子,其中,

7.根据权利要求6所述的二氧化硅粒子,其中,

8.根据权利要求4至7中任一项所述的二氧化硅粒子,其中,

9.根据权利要求4至8中任一项所述的二氧化硅粒子,其中,

10.根据权利要求4至9中任一项所述的二氧化硅粒子,其中,

11.一种静电荷图像显影用调色剂,其特征在于,包含:

12.一种静电荷图像显影剂,其特征在于,包含权利要求11所述的静电荷图像显影用调色剂。

13.一种调色剂盒,其特征在于,容纳权利要求11所述的静电荷图像显影用调色剂,

14.一种处理盒,其特征在于,具备显影构件,所述显影构件容纳权利要求12所述的静电荷图像显影剂,并且通过所述静电荷图像显影剂将形成于图像保持体的表面上的静电荷图像显影为调色剂图像,

15.一种图像形成装置,其特征在于,具备:

16.一种图像形成方法,其特征在于,包括:


技术总结
本发明公开了二氧化硅粒子、调色剂、显影剂、盒、成像装置及成像方法。所述二氧化硅粒子在氮气吸附法的350℃煅烧后的细孔分布曲线中,在细孔径为2nm以下的范围及超过2nm且50nm以下的范围内分别具有至少一个峰,在将由氮气吸附法的350℃煅烧后的细孔分布曲线求出的细孔径为2nm以下的范围及2nm以上且25nm以下的范围内的细孔体积分别设为D及B时,D/B为0.50以上且2.50以下。

技术研发人员:持田麻衣,竹内荣,钱谷优香,菅原启,关三枝子,野原晃太
受保护的技术使用者:富士胶片商业创新有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/3/24
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