掩膜版、光学临近修正方法、装置及电子设备与流程

本发明涉及半导体制造，特别涉及一种掩膜版、光学临近修正方法、装置及电子设备。

背景技术：

1、目前，在基于模型的光学临近修正（optical proximity correction，简称opc）方法得到广泛应用后，一般的光学临近效应都能得到很好的补偿，使得最终在芯片上的图形能尽量接近目标图形的尺寸和形状。而基于模型的opc修正方法是通过模拟不同版图在特定条件下的光刻图形，从而补偿光学临近效应引起的图形失真，并通过不断的修正和模拟得到能最接近目标图形的修正后版图。

2、具体的，针对版图上所包含的线条端点图形，目前业界主要执行的opc修正方法是先在线条端点图形的每个线边上分别设置多个切分点，然后对线条端点图形所包含的多条线边进行多次线边移位调整，且在每次按照预设第一移动量移动所述线条端点图形所包含的多条线边后，均分别计算每次移动后的线条端点图形的仿真图形和目标图形的边缘位置误差，且所述线边的当次第一移动量均是根据该线边的上一次移位后所计算出的边缘位置误差来确定，直至达到预先设置的总迭代次数时停止。

3、然而，由于切分点的设置不合理或者其设置无法兼顾到线条端点图形的所有位置的原因，导致采用现有的opc修正方法修正后的掩膜版上的线条端点图形在硅片上形成对应结构时，常会出现一条线边的两条线段之间的线宽小于目标设计值而造成的该条线边发生“断路”（pinch）的问题。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种掩膜版、光学临近修正方法、装置及电子设备，能够有效降低掩膜版上的线条端点图形在硅片上所形成的半导体结构发生“断路”（pinch）的概率，从而提高opc修正的精度和效率，并最终实现降低半导体光刻工艺风险的目的。

2、第一方面，为解决上述技术问题，本发明提供一种光学临近修正方法，具体包括：确定预制作版图对应的测试版图和所述测试版图上所包含的线条端点图形的目标图形，所述线条端点图形为由多条线边组成的闭合图形。

3、针对所述线条端点图形，对至少一所述线边进行至少一次第一移动量的初始光学临近修正，直至所述线条端点图形的边缘放置误差小于第一阈值。

4、根据所述线条端点图形的目标图形和其执行至少一次所述初始光学临近修正后的第一仿真图形，筛选出所述第一仿真图形相较于所述目标图形的凹陷区域，并计算所述凹陷区域的面积。

5、若所述凹陷区域的面积不小于第二阈值，则对所述凹陷区域在所述线条端点图形上所对应的线边执行至少一次第二移动量的目标光学临近修正，直至达到预设修正迭代总次数或所述凹陷区域的面积小于所述第二阈值。

6、进一步的，所述线边可以由两条线段组成，所述两条线段之间的距离为所述线条端点图形的线宽。

7、针对所述线条端点图形，对至少一所述线边执行至少一次第一移动量的初始光学临近修正的步骤，具体可以包括：

8、确定所述第一移动量的初始值，并将所述初始值作为所述第一移动量的当前值调整所述线条端点图形的线边所包含的两条线段之间的线宽，以完成所述线边的本次初始光学临近修正。

9、确定执行完所述本次初始光学临近修正后的线条端点图形的仿真图形，并计算所述仿真图形与所述目标图形的本次边缘位置误差。

10、比对所述本次边缘位置误差和所述第一阈值，若所述本次边缘位置误差不小于所述第一阈值，则将所述本次边缘位置误差作为预设第一移动量计算公式的输入，而将所述预设第一移动量计算公式的输出作为所述线边执行下次所述初始光学临近修正的第一移动量的初始值，并返回执行将所述初始值作为所述第一移动量的当前值调整所述线条端点图形的线边所包含的两条线段之间的线宽的步骤，直至所述线条端点图形的边缘放置误差小于第一阈值。

11、进一步的，所述预设第一移动量计算公式具体可以为：

12、

13、其中，所述为第i次执行所述初始光学临近修正时的第一移动量，所述为执行完第i-1次所述初始光学临近修正后所计算得到的边缘位置误差，所述i为执行所述初始光学临近修正的次数，所述i的取值为1、2、3、…，n，所述d1为可调参数，所述d1的取值范围为：0.5~0.9。

14、进一步的，根据所述线条端点图形的目标图形和所述第一仿真图形，筛选出所述凹陷区域的步骤，具体可以包括：

15、在所述线条端点图形的每一所述线边上分别设置多个切分点，所述第一仿真图形和所述目标图形的相应位置上均对应设置有所述切分点。

16、通过所述切分点，将所述第一仿真图形和所述目标图形对准，遍历对准后的所述第一仿真图形和所述目标图形，筛选出所述第一仿真图形上的两条线段之间的线宽小于所述目标图形在相同位置处的两条线段之间的线宽的线边及其临近的切分点。

17、所述临近的切分点、所述筛选出的所述线边以及该线边与所述目标图形的交点所围成的封闭区域即为所述凹陷区域。

18、进一步的，对所述凹陷区域在所述线条端点图形上所对应的线边执行至少一次第二移动量的目标光学临近修正的步骤，具体可以包括：

19、确定执行末次所述初始光学临近修正后，所述线条端点图形的边缘位置误差。

20、将该边缘位置误差和所述凹陷区域的面积代入预设第二移动量计算公式，以得到所述线条端点图形上所对应的线边执行本次目标光学临近修正的第二移动量。

21、确定执行完所述本次目标光学临近修正后的线条端点图形的仿真图形，并将该仿真图形作为所述第一仿真图形，返回执行筛选出所述第一仿真图形相较于所述目标图形的凹陷区域，并计算所述凹陷区域的面积的步骤，直至达到预设修正迭代总次数或所述凹陷区域的面积小于所述第二阈值。

22、进一步的，所述预设第二移动量计算公式具体可以为：

23、

24、其中，所述为第j次执行所述目标光学临近修正时的第二移动量，所述j为执行所述目标光学临近修正的次数，所述j的取值为i、i+1、i+2、…、n，所述j为所述预设修正迭代总次数，所述为凹陷区域的面积，所述为执行完末次所述初始光学修正后所计算出的第一移动量，所述为构成所述凹陷区域的临近的切分点在所述目标图形上所对应的线段的片段长度，所述d为可调参数，所述d的取值范围为：0.1~1。

25、进一步的，本发明实施例中所提供的所述光学临近修正方法还可以包括：

26、若所述凹陷区域的面积小于第二阈值，则判断所述测试版图已执行的所述初始目标光学临近修正的和目标光学临近修正的次数之和是否达到预设修正迭代总次数，若是，则将执行完末次所述目标光学临近修正后的线条端点图形作为掩膜版的制版图形。

27、第二方面，基于如上所述的光学临近修正方法，本发明还提供了一种光学临近修正装置，具体可以包括：制作模块，用于定预制作版图对应的测试版图和所述测试版图上所包含的线条端点图形的目标图形，所述线条端点图形为由多条线边组成的闭合图形。

28、初始光学临近修正模块，用于针对所述线条端点图形，对至少一所述线边进行至少一次第一移动量的初始光学临近修正，直至所述线条端点图形的边缘放置误差小于第一阈值。

29、面积计算模块，用于根据所述线条端点图形的目标图形和其执行至少一次所述初始光学临近修正后的第一仿真图形，筛选出所述第一仿真图形相较于所述目标图形的凹陷区域，并计算所述凹陷区域的面积。

30、目标光学临近修正模块，用于若所述凹陷区域的面积不小于第二阈值，则对所述凹陷区域在所述线条端点图形上所对应的线边执行至少一次第二移动量的目标光学临近修正，直至达到预设修正迭代次数或所述凹陷区域的面积小于所述第二阈值。

31、第三方面，基于如上所述的光学临近修正方法，本发明实施例中还提供了一种掩膜版，其特征在于，所述掩膜版是基于如上所述的光学临近修正方法得到的掩膜版版图图形制成。

32、第四方面，基于如上所述的光学临近修正方法，本发明还提供了一种电子设备，包括处理器、通信接口、存储器和通信总线，其中，处理器，通信接口，存储器通过通信总线完成相互间的通信。

33、存储器，用于存放计算机程序。

34、处理器，用于执行存储器上所存放的程序时，实现如上所述的光学临近修正方法的步骤。

35、与现有技术相比，本发明提供的技术方案至少具有如下有益效果之一：

36、本发明提供了一种光学临近修正方法、装置及电子设备，其首先是对测试版图中的线条端点图形进行多次第一移动量的初始光学临近修正，直至所述线条端点图形的边缘位置误差小于第一阈值时停止，之后，再通过引入一新的评价函数，即以线条端点图形的第一仿真图形和目标图形为基础构建一凹陷区域，然后利用该凹陷图形的面积与第二阈值的关系，筛选出线条端点图形发生pinch问题的线边，并对其进行第二移动量的线边移位调整，从而得到意想不到的效果是：在预先设定的修正迭代的总次数内先后执行了两种移动量的光学临近修正，且第二移动量的目标光学临近修正时基于线条端点图形发生断路的线边所围成的凹陷区域所确定，进而其可以有效的实现降低掩膜版上的线条端点图形在硅片上所形成的半导体结构发生“断路”（pinch）的概率，实现提高opc修正的精度和效率，以及降低半导体光刻工艺风险的目的。

37、并且，本发明所提供的光学修正方法中还为线条端点图形所进行的第二移动量的目标光学临近修正提供了判断线边发生pinch断路的具体方式和第二移动量的计算公式。