1.一种反射掩模坯料，其是在euv光作为曝光用光的euv光刻中使用的反射掩模的材料，所述反射掩模坯料包含：
2.根据权利要求1所述的反射掩模坯料，其中：
3.根据权利要求2所述的反射掩模坯料，其中，所述保护膜在靠近所述反射多层膜的一侧具有由钌(ru)组成或由钌(ru)和铌(nb)组成的组成。
4.根据权利要求3所述的反射掩模坯料，其中，在所述保护膜中，靠近所述反射多层膜一侧的组成具有不大于60at％的铌(nb)含量。
5.根据权利要求3所述的反射掩模坯料，其中，所述保护膜具有沿着厚度方向从靠近所述反射多层膜的一侧向与所述吸收膜接触的一侧阶梯式和/或连续增加的铌(nb)含量。
6.根据权利要求2所述的反射掩模坯料，其中，在所述保护膜中，靠近所述吸收膜一侧的组成具有不小于60at％的铌(nb)和氧(o)的总含量。
7.根据权利要求2所述的反射掩模坯料，其中，所述保护膜具有沿着厚度方向从靠近所述反射多层膜的一侧向与所述吸收膜接触的一侧阶梯式和/或连续增加的氧(o)含量。
8.根据权利要求1所述的反射掩模坯料，其中，所述保护膜包含与所述吸收膜接触形成的应力松弛层。
9.根据权利要求8所述的反射掩模坯料，其中，所述保护膜由如下两层构成：
10.根据权利要求9所述的反射掩模坯料，其中，所述层(a)由钌(ru)组成或由钌(ru)和铌(nb)组成。
11.根据权利要求10所述的反射掩模坯料，其中，所述层(a)在靠近所述反射多层膜的一侧具有铌(nb)含量不大于60at％的组成。
12.根据权利要求10所述的反射掩模坯料，其中：
13.根据权利要求9所述的反射掩模坯料，其中，所述层(b)在靠近所述吸收膜的一侧具有铌(nb)和氧(o)的总含量不小于60at％的组成。
14.根据权利要求9所述的反射掩模坯料，其中：
15.根据权利要求9所述的反射掩模坯料，其中：
16.根据权利要求1所述的反射掩模坯料，其中，所述吸收膜包含钽(ta)和氮(n)。
17.根据权利要求16所述的反射掩模坯料，其中：
18.根据权利要求16所述的反射掩模坯料，其中：