用于euv投射光刻投射曝光设备的照明系统的制作方法
【专利说明】
[0001] 相关申请的交叉引用
[0002] 通过引用将德国专利申请DE 10 2012 214 063. 8的内容并入本文。
技术领域
[0003] 本发明设及一种用于EUV投射光刻投射曝光设备的照明系统。另外，本发明设及 该种照明系统的操作方法、具有该种照明系统的光学系统、具有该种光学系统的投射曝光 设备、使用该种投射曝光设备制造微结构和/或纳米结构化组件的方法W及由该方法制造 的微结构和/或纳米结构化组件。
【背景技术】
[0004] 从WO 2009/121 438A1已知一种具有照明系统的投射曝光设备。从DE103 58 225 B3已知EUV光源。已知EUV光源的其它引用发现于W02009/121 438 A1中。另外，从US 2003/0043359 A1 和 US 5, 896, 438 已知 EUV 照明光学单元。
【发明内容】
[000引本发明的目的在于发展一种照明系统，其W基于电子束的抓V光源为基础进行操 作，使得提供了针对分辨率优化的照明而改进的输出光束。
[0006] 根据本发明，该目的通过用于EUV投射光刻投射曝光设备的照明系统而实现，所 述照明系统
[0007] -包含EUV光源，其产生具有预定偏振态的EUV照明光的输出光束，
[000引-包含照明光学单元，其沿光轴引导输出光束，因此，掩模母版平面中的照明场由 输出光束照明，
[0009] -其中，所述EUV光源包含W下各项：
[0010] --电子束供应装置，
[0011] --EUV产生装置，由电子束供应装置供应电子束，
[0012] --偏振设定装置，其对电子束施加可调偏转效应，用于设定输出光束的偏振。
[0013] 根据本发明，确定的是，对电子束施加可调偏转效应W设定偏振的偏振设定装置 导致对输出光束进行预定偏振指定（prescription)的选项。那么，输出光束的偏振在通过 照明系统的物照明期间可适配于相应偏振要求。
[0014] 与常规抓V福射源有关的问题，例如与LPP (激光致等离子体）光源相关或GDP (气 体放电致等离子体）光源有关的问题得到避免。
[0015] 输出光束的偏振态可为线偏振的、楠圆偏振的、圆偏振的或该些偏振形式的混合。 偏振态可W，由偏振设定装置预定的方式在各偏振形式之间交替改变。
[0016] 举例而言，偏振设定装置对波动器偏转磁体的影响效应可通过移动偏转磁体来改 变磁体布置而产生，在所述波动器偏转磁体中，EUV产生装置实施为波动器，其中偏振设定 装置实施为使得其影响波动器的偏转磁体对电子束的效应。EUV光源可W同步加速器的形 式或W自由电子激光器（FED的形式来实施。
[0017] 电流控制可避免移动组件的必要性，在电流控制中，偏转磁体实施为电磁体，其中 偏振设定装置控制通过电磁体的电流的电流强度。因此，可在不移动部件的情况下进行偏 振规定。
[0018] 用于偏转输出光束的扫描装置W与偏振设定装置同步的方式工作，使得能够尤其 可变地照明。该种扫描装置的优点详细解释于WO 2009/121 438 A1中。根据本发明，扫描 装置与偏振设定装置的同步导致进行特别灵活的照明调整的选项。
[0019] 具有照明光学单元的照明系统使用尤其好地同步扫描装置与偏振设定装置的选 项，所述照明光学单元包含；具有多个场分面的场分面反射镜；W及具有多个光瞳分面的 光瞳分面反射镜，用于通过输出光束规定照明场的照明的照明角分布，其中输出光束沿照 明通道引导，W在场分面的相应一个与光瞳分面的相应一个上规定照明角，并且其中用于 偏转输出光束的扫描装置布置在场分面反射镜的前方，并且偏振设定装置实施为使得输出 光束偏振态在照在第一场分面上与通过扫描装置的适当扫描偏转之后照在另外的场分面 之间变化。每个场分面又可由多个单独反射镜构成。尤其在扫描期间的偏振态变化可在邻 近的场分面之间产生。
[0020] 根据本发明的照明系统的操作方法的优点对应于上文参考根据本发明的照明系 统已说明的那些，借助该操作方法，特别地，可规定输出光束在光瞳分面反射镜上的偏振分 布W及因此在照明角上的偏振分布。所述操作方法包含W下步骤：
[0021] -设定场分面反射镜的场分面与光瞳分面反射镜的光瞳分面的倾斜角关联，使得 场分面组的场分面中的要由输出光束照射的相应一个经由照明通道与光瞳分面中的一个 相应地关联，
[0022] -其中所述扫描装置、偏振设定装置和倾斜角关联彼此匹配，使得各个光瞳分面上 的输出光束具有预定偏振态。
[0023] 如果在扫描装置、偏振设定装置和倾斜角关联彼此匹配使得各个光瞳分面上的输 出光束的偏振态具有线偏振成分的偏振规定的情况下，则该可产生切向偏振，其中照明物 体的输出光束的偏振相应地垂直于输出光束的入射平面，该线偏振成分垂直于从光瞳分面 至光瞳分面反射镜上的光瞳分面布置的中屯、的连接线，垂直于上述连接线的线偏振成分仅 是输出光束的偏振成分。替代地，还可提供楠圆偏振，其较大的偏振主轴垂直于连接线。
[0024] 在引导输出光束通过光瞳分面反射镜与照明场之间的照明光学单元时，在所照射 的光瞳分面上规定的偏振态中包含的偏振引导（polarization lead)例如可预先补偿偏振 变化、尤其是偏振旋转的效应，所述偏振引导考虑在光瞳分面反射镜之后沿输出光束路径 的随后偏振的影响。
[0025] W使光瞳分面反射镜上的多个光瞳分面被顺次照射的方式产生的匹配可通过偏 振设定装置减少必要的切换过程数量，在多个光瞳分面之间，没有规定偏振态差别。
[0026] 光学系统、EUV光刻投射曝光设备、用于制造结构化组件的方法W及根据本发明的 方法制造的微结构和/或纳米结构化组件的优点对应于上文参考根据本发明的照明系统 所说明的优点。所述光学系统；-包含根据本发明的照明系统，-包含用于将照明场成像至 像场的投射光学单元。所述EUV光刻投射曝光设备；-包含根据本发明的光学系统，-包含 在掩模母版平面中保持掩模母版的掩模母版保持器，光学系统的照明光要照在所述掩模母 版上，-包含用于将照明场成像至像面中的像场的投射光学单元，-包含在像面中保持晶片 的晶片保持器，使得在投射曝光期间布置在照明场中的掩模母版结构成像至布置在像场中 的晶片部分上。所述用于制造结构化组件的方法包含W下方法步骤；-提供掩模母版和晶 片，-借助于根据本发明的投射曝光设备，将掩模母版上的结构投射至晶片的光敏层，-在 投射期间操作根据本发明的照明系统，-在晶片上产生微结构和/或纳米结构。
【附图说明】
[0027] 下文基于附图将更详细地说明本发明的示例性实施例。在图中：
[0028] 图1参考照明光学单元W子午截面示意性显示抓V投射光刻投射曝光设备；
[0029] 图2参考场分面反射镜示意性显示根据图1的投射曝光设备的照明系统的几个组 件的平面图，W及用于偏转EUV光源的EUV输出光束的扫描装置；
[0030] 图3同样示意性显示输出光束的扫描轮廓的示意图；
[0031] 图4显示照明光学单元的光瞳分面反射镜的平面图，其中数字表示在扫描装置的 扫描过程期间，光瞳分面的照明序列；W及
[0032] 图5 W类似于图4的示意图显示在扫描装置的扫描过程期间的光瞳分面照明序列 的变型。
【具体实施方式】
[0033] 微光刻投射曝光设备1用