一种阵列基板、液晶显示面板和显示装置的制造方法

文档序号:8256490阅读:498来源:国知局
一种阵列基板、液晶显示面板和显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、包括该阵列基板的液晶显示面板和显示装置。
【背景技术】
[0002]随着显示技术的发展,液晶显示面板的显示效果不断地得到改善,从而使液晶显示面板的应用越来越广泛。
[0003]FFS型(Fringe Field Switching,边缘场开关型)液晶驱动模式的液晶显示面板一种常见的显示面板。FFS型液晶显示面板通过设置在阵列基板中的互相平行的像素电极和公共电极之间形成的电场来控制液晶分子的旋转,以使液晶显示面板实现显示效果。
[0004]现有技术中,随着液晶显示面板分辨率的不断提升,对于FFS液晶驱动模式的双畴(two domain)或假双畴(Pseudo two domain)的像素设计的液晶显示面板,开口率和穿透率逐渐降低。请参考图1,图1为现有技术中FFS液晶显示器分辨率与穿透率的关系折线图。如图1所示,横坐标为FFS液晶显示器分辨率,纵坐标为不同分辨率下FFS液晶显示器的穿透率,从图中可得出,随着FFS液晶显示器分辨率德增加,FFS液晶显示器的穿透率降低。
[0005]目前,提升显示面板穿透率最直接的办法是通过减少黑矩阵的面积来提高开口率,但往往会带来暗态漏光、对比度下降和大视角色偏等风险。因此,如何在保证像素开口区不变的条件下,有效地提升显示面板穿透率是目前急需解决的难题。

【发明内容】

[0006]有鉴于此,本发明实施例提供一种阵列基板,包括:
[0007]基板;
[0008]设置在所述基板上的多条栅极线和多条数据线,其中,所述多条栅极线和所述多条数据线交叉形成多个像素单元,所述多个像素单元呈阵列排布;
[0009]设置在所述像素单元上且呈面状的公共电极,所述公共电极对应所述像素单元的区域内包括多个条形狭缝,其中与同一行像素单元对应的多个条形狭缝的长轴互相平行,与任意相邻两行像素单元对应的条形狭缝的长轴延长线相交;
[0010]在所述公共电极所在的平面内,每个所述条形狭缝的长轴与垂直于所述栅极线的方向的夹角设置为第一角度,其中,所述第一角度大于等于3°且小于等于5°。
[0011]本发明实施例还提供一种阵列基板,包括:
[0012]基板;
[0013]设置在所述基板上的多条栅极线和多条数据线,其中,所述多条栅极线和所述多条数据线交叉形成多个像素单元,所述多个像素单元呈阵列排布;
[0014]每个所述像素单元包括条状的像素电极,所述像素电极包括多个条形狭缝,其中位于同一行所述像素单元中的像素电极中的多个条形狭缝的长轴互相平行,位于任意相邻两行所述像素单元中的像素电极中的条形狭缝的长轴延长线相交;
[0015]在所述像素电极所在的平面内,每个所述像素电极中的条形狭缝的长轴与垂直于所述栅极线的方向的夹角设置为第一角度,其中,所述第一角度大于等于3°且小于等于
5° ο
[0016]本发明实施例还提供一种液晶显示面板,包括上述实施例所述的阵列基板。
[0017]本发明实施例还提供一种显示装置,包括上述实施例所述的液晶显示面板。
[0018]本发明实施例提供的阵列基板、液晶显示面板和显示装置,通过阵列基板上公共电极或像素电极包含的条形狭缝的长轴与垂直于所述栅极线的方向的夹角设置为大于等于3°且小于等于5°,这样可以在较低的驱动电压下增加液晶显示面板中液晶分子的转动角度,在不改变开口区面积的情况下增加了液晶显示面板的穿透率。
【附图说明】
[0019]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
[0020]图1是现有技术中FFS液晶显示器分辨率与穿透率的关系折线图;
[0021]图2是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图;
[0022]图3是本发明实施例提供的一种液晶分子转动角度与第一角度的关系曲线图;
[0023]图4是本发明实施例提供的一种驱动电压、穿透率与第一角度的关系曲线图;
[0024]图5是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图;
[0025]图6是本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图;
[0026]图7是图2中沿A1-A2方向的剖面示意图;
[0027]图8是本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图;
[0028]图9是本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图;
[0029]图10是本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图;
[0030]图11是图8中沿B1-B2方向的剖面示意图;
[0031]图12是本发明实施例提供的一种液晶显示面板的结构示意图;
[0032]图13是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
【具体实施方式】
[0033]下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。
[0034]本发明实施例提供一种阵列基板。图2是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。如图2所示,阵列基板包括:基板21 ;设置在基板21上的多条栅极线22和多条数据线23,其中,多条栅极线22和多条数据线23交叉形成多个像素单元24,所述多个像素单元24呈阵列排布;设置在像素单元24上且呈面状的公共电极25,所述公共电极25对应像素单元24的区域内包括多个条形狭缝251,其中与同一行像素单元24对应的多个条形狭缝的长轴Xl互相平行,与任意相邻两行像素单元24对应的条形狭缝251的长轴Xl延长线相交;在公共电极25所在的平面内,每个条形狭缝251的长轴与垂直于栅极线22的方向X2的夹角设置为第一角度α,其中,所述第一角度α大于等于3°且小于等于5°。
[0035]需要说明的是,在本发明实施例中,均以从基板21到公共电极25的方向作为朝上的方向,相反的方向则作为朝下的方向,其中上方或者下方仅仅是对所处方位的描述,对具体结构不构成限定。
[0036]在图2中,与同一行像素单元24对应的多个条形狭缝的长轴Xl互相平行,与任意相邻两行像素单元24对应的条形狭缝251的长轴Xl延长线相交,这表明公共电极25中与每个像素单元24对应的区域构成了伪双畴的像素结构。
[0037]请参考图3,图3是本发明实施例提供的一种液晶分子转动角度与第一角度的关系曲线图,横坐标为电压,纵坐标为液晶分子转动角度,从图中可得,同一驱动电压下,第一角度α等于5°时液晶分子转动角度比第一角度α等于7°时液晶分子转动角度大,即达到同样亮度,第一角度α等于5°时需要的驱动电压度比第一角度α等于7°时驱动电压小。上述选取第一角度α为大于等于3°且小于等于5°,仅是本发明的一个具体示例,在另一个具体示例中,第一角度α也可以进一步地选取为大于等于3°且小于等于4°。由图3可知,通过选取第一角度α为大于等于3°且小于等于5°,可以改善显示面板的穿透率,并减小驱动电压。
[0038]图4是本发明实施例提供的一种驱动电压、穿透率与第一角度的关系曲线图。在图4中,纵坐标代表显示面板处于白态时的穿透率TR,横坐标代表驱动电压。如图4所示,在同一驱动电压下,第一角度α由3°增大到5°的过程中,显示面板处于白态时的透光率TR随着第一角度α的增大而减小;在同一穿透率下,第一角度α由3°增大到5°的过程中,驱动电压随着第一角度α的增大而减小。因此,上述选取第一角度α为大于等于3°且小于等于4°,可以进一步改善显示面板的穿透率,并减小驱动电压。
[0039]在本发明的另一个具体示例中,也可以选取第一角度α为3。。如图4可知,对于第一角度α在大于等于3°到小于等于5°范围内,如果选取第一角度α为3°,则可以更加有效地减小驱动电压,增加显示面板穿透率。
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