......，偶数列亚像素的排列方式为
G-R-B-G……。另外，以图1中S2C4位置的绿色亚像素为例，该绿色亚像素与其上下左右的相邻亚像素的颜色均不同。每个亚像素与其相邻同一列的其余其它两种颜色的亚像素呈倒三角(delta)结构。以图1中SlRl位置的蓝色亚像素为例，该蓝色亚像素与S2C1位置的绿色亚像素及S2C1位置的红色亚像素形成一个delta结构。
[0085]需要说明的是，图1及后续各图中，各标号前面的S表示亚像素所在的列，各标号前面的R表示奇数列亚像素所在的行，各标号前面的C表示偶数列亚像素所在的行。各个亚像素上的字母用于标识该亚像素的颜色。例如，R用于标识亚像素为红色亚像素，G用于标识亚像素为绿色亚像素，B用于标识亚像素为蓝色亚像素。如，S2C1位置处的亚像素即为蓝色亚像素。图中各亚像素上所标识的数字“ I ”表示该亚像素位于奇数列，数字“2”表示该亚像素位于偶数列。
[0086]在另一个实施例中，光栅的遮光区和透光区可以为网格形或者条形等，光栅的遮光区和透光区为不同形状时，可以控制光线沿不同方向传播，因此，可以通过光栅划分得到不同的视图。可选地，光栅的遮光区和透光区呈竖直条形分布。当通过该种结构的光栅遮挡像素阵列中的部分区域时，显示装置可以将显示的图像划分为左视图像和右视图像，从而分别控制左视图像和右视图像进入用户的左右眼，从而实现两视图下的3D显示。其中，两视图下的3D显示工艺简单，容易实现。
[0087]需要说明的是，本发明实施例中采用的光栅可以用于将该像素阵列的奇数列亚像素显示的图像划分至左视图，将该像素阵列的偶数列亚像素显示的图像划分至右视图。另夕卜，该光栅的遮光区可以遮挡该像素阵列的奇数列亚像素，并采用一定的角度，将该像素阵列的奇数列亚像素上的光线投射至左侧而形成左视图，并将该像素阵列的偶数列亚像素上的光线投射至右侧而形成右视图。该光栅的遮光区还可以遮挡该像素阵列的偶数列亚像素，并采用另一角度，仍可以将该像素阵列的奇数列亚像素上的光线投射至左侧而形成左视图，并将该像素阵列的偶数列亚像素上的光线投射至右侧而形成右视图。当然，该光栅的遮光区还可以遮挡该像素阵列奇数列亚像素的一部分以及偶数列亚像素的一部分，配合相应的角度实现左视图和右视图的划分，本发明实施例对该光栅的遮光区所遮挡的位置不作限定。
[0088]在另一个实施例中，为了减少到达用户左右眼睛的视图之间的串扰，从而使得呈现的3D画面比较均匀，该部分区域可以为像素阵列的一半区域。具体地，光栅的遮光区可以遮挡像素阵列奇数列亚像素的左半部分区域和偶数列亚像素的右半部分区域。此时，光栅的透光区对应奇数列亚像素的右半部分区域和偶数列亚像素的左半部分区域。另外，遮光区也可以遮挡像素阵列奇数列亚像素的右半部分区域和偶数列亚像素的左半部分区域。此时，光栅的透光区对应奇数列亚像素的左半部分区域和偶数列亚像素的右半部分区域。如图2所示的一种像素阵列与光栅的遮光区的关系示意图中，光栅的遮光区遮挡像素阵列奇数列亚像素的左半部分区域和偶数列亚像素的右半部分区域。
[0089]在另一个实施例中，在设置像素阵列中每个亚像素的大小时，可以控制每个亚像素横向长度与纵向长度之间的比例关系。可选地，可以设置每个亚像素横向长度与纵向长度之间的比值介于1:1至2:1之间。例如，可以是1:1、1.5:1或2:1。
[0090]仍以图1为例，本发明各实施例中所述的横向是指图1中的左右方向，纵向是指图1中的上下方向。以设置每个亚像素横向长度与纵向长度之间的比值为3:2为例，如果设置每个亚像素横向长度为3厘米，则可以设置每个亚像素纵向长度为2厘米。
[0091]在另一个实施例中，还可以设置每个亚像素横向长度与纵向长度之间的比值为2:1。例如，如果设置每个亚像素横向长度为2厘米，则可以设置每个亚像素纵向长度为I厘米。图1所示的像素阵列中，每个亚像素的横向长度与纵向长度之间的比值为2:1。
[0092]无论将每个亚像素横向长度与纵向长度之间的比值设置为1:1至2:1之间，还是直接设置为2:1，均可以保证每个亚像素横向方向具有较大长度，便于加工制作。
[0093]这样当制作与亚像素横向宽度相对应的第一基板上的电极时电极的宽度也可以相应的提高宽度，方便制作并降低成本。
[0094]上述所有可选技术方案，可以采用任意结合形成本发明的可选实施例，在此不再
--赘述。
[0095]本实施例针对上述的像素排布方式提供了一种光栅结构，下面以横屏的光栅结构进行介绍，应当理解的是对于竖屏也可以适用的。
[0096]具体地，所述光栅包括液晶层和位于所述液晶层两侧的第一基板和第二基板；
[0097]所述第一基板包括在纵向平行间隔设置的多个电极；
[0098]所述第二基板包括在横向平行间隔设置的多个电极；
[0099]所述第一基板和第二基板的电极用于产生电场控制所述液晶层中液晶分子的偏转；
[0100]如图3所示，示例性的给出了光栅第一基板(未示出)上的部分电极V1-V12;以及光栅第二基板(未示出)上的部分电极H1-H6 ;没有示出第一基板和第二基板的之间的液晶层。
[0101]所述第一基板的电极的宽度小于所述亚像素的横向长度；
[0102]所述第一基板的各电极的之间的距离与所述相邻亚像素之间的黑矩阵横向的宽度相等；
[0103]所述第二基板的电极的宽度与所述亚像素纵向长度相等；
[0104]所述第二基板的各电极的之间的距离与所述相邻亚像素之间的黑矩阵纵向的宽度相等；
[0105]上述亚像素的排布中能保证每个亚像素横向方向具有较大长度，这样当制作与亚像素横向宽度相对应的第一基板上的电极时电极的宽度也可以相应的提高宽度，方便制作并降低成本。
[0106]通过控制所述光栅的开启实现3D显示；
[0107]所述光栅的开启包括:
[0108]将第二基板上的电极通入高电平信号时，将第一基板的电极间隔通入高电平信号和低电平信号；形成间隔分布的包括至少一个电极的高电平信号电极组和包括至少一个电极的低电平信号电极组；
[0109]或
[0110]将第二基板上的电极通入低电平信号时，将第一基板的电极间隔通入高电平信号和低电平信号；形成间隔分布的包括至少一个电极的高电平信号电极组和包括至少一个电极的低电平信号电极组。
[0111]具体地，当第一基板的电极间隔两个电极通入高电平信号和低电平信号，即形成间隔分布的包括2个电极的高电平信号电极组和包括至少2个电极的低电平信号电极组时，两种可选的控制方法如下:
[0112]第一种控制方法:当V1、V2、V5、V6、V9、VlO为低电平，H1-H6都为低电平时，则上下电极之间不存在压差，液晶分子不发生旋转，正常透光；
[0113]当V3、V4、V7、V8、VI1、V12为高电平，H1-H6都为低电平时，则上下电极之间存在压差，使得液晶分子发生旋转90°，不透光；
[0114]其中，光栅的显示效果如图4所示；从而在像素阵列上形成了类似于图2中光栅遮挡区和透光区的效果，其中，Vl可以对应地遮挡SI列亚像素的右半部分，其余电极依此排布。
[0115]第二种控制方法:同样，当V1、V2、V5、V6、V9、V10为高电平，H1-H6都为高电平时，则上下电极之间不存在压差，液晶分子也不发生旋转，正常透光；
[0116]当V3、V4、V7、V8、VI1、V12为低电平，H1-H6都为高电平时，则上下电极之间存在压差，使得液晶分子发生旋转90°，不透光；