电极凸部242相互连成一体。多个电极平部 241覆盖第一绝缘层22的未形成有绝缘凸起部231的表面上，多个电极凸部242分别覆盖 第二绝缘层23的多个绝缘凸起部231。
[0034] 第三绝缘层25形成于第一电极层24上，第一电极层24的多个电极凸部242的上 表面242a未被第三绝缘层25覆盖，从而露出第一电极层24的多个电极凸部242的上表面 242a。本实施例中，第三绝缘层25覆盖第一电极层24的多个电极平部241的上表面241a 以及第一电极层24的多个电极凸部242的侧表面242b，而多个电极凸部242的上表面242a 未被第三绝缘层25覆盖。
[0035] 第二电极层26形成于第三绝缘层25上。第二电极层26包括间隔排列的多个电 极部261，多个电极部261分别位于多个电极平部241的上方，多个电极部261与多个电极 凸部242相互错开且交替设置。本实施例中，多个电极部261例如是平行设置的条状结构， 且多个电极部261之间彼此电性连接在一起。第二电极层26的每相邻两个电极部261之 间具有一个第一电极层24的电极凸部242,第一电极层24的每相邻两个电极凸部242之间 具有一个第二电极层26的电极部261。
[0036] 本实施例中，各电极部261的宽度W1小于各电极平部241的W2宽度，第三绝缘层 25上于对应各电极平部241的上方形成有凹陷251，各电极部261收容在对应的凹陷251 中，并可以控制使多个电极部261的上表面262与多个电极凸部242的上表面242a位于同 一水平面上。
[0037] 本发明实施例中，第三绝缘层25覆盖于除了多个电极凸部242之外的第一电极层 24上，露出第一电极层24的多个电极凸部242,而形成于第三绝缘层25上的第二电极层 26包括间隔排列的多个电极部261，多个电极部261分别位于多个电极平部241的上方，使 多个电极部261与多个电极凸部242相互错开且交替设置，且第二电极层26的多个电极部 261的上表面262与第一电极层24的多个电极凸部242的上表面242a可设置位于同一水 平面上，从而第一电极层24的多个电极凸部242的上表面242a与第二电极层26的多个电 极部261的上表面262平齐，使得第一电极层24的多个电极凸部242和第二电极层26的多 个电极部261相互错开但几乎位于同一水平线上，大大降低了第一电极层24和第二电极层 26之间在垂直面板的方向上的距离，从而使第一电极层24的多个电极凸部242和第二电极 层26的多个电极部261上方的水平方向电场分量得到增强，由于边缘电场得到了增强，因 此使用较小的电压即能驱使液晶分子在水平面内扭转，即可以相应降低液晶分子的驱动电 压，从而降低功耗。
[0038] 另外，第一电极层24的多个电极凸部242未被第三绝缘层25覆盖，使多个电极凸 部242的上表面242a露出，当薄膜晶体管阵列基板20在最靠向液晶分子的表面上形成配 向层（图未示）时，配向层覆盖在第一电极层24的多个电极凸部242和第二电极层26的 多个电极部261上，使配向层与第一电极层24和第二电极层26接触导通。这样，当液晶显 示面板在驱动时存在DC偏置时，混入液晶分子中的离子型不纯物可以通过第一电极层24 和第二电极层26及时地释放掉，以克服配向层释放电荷较慢的弱点，这样无论液晶显示面 板内存在正的DC偏置还是负的DC偏置，均能及时将液晶分子内的离子型不纯物及时释放 掉，从而改善残像问题。
[0039] 以上，第一电极层24和第二电极层26其中之一为像素电极，另一为公共电极。例 如，第一电极层24为公共电极，第二电极层26为像素电极。薄膜晶体管103用于控制像素 电极。薄膜晶体管103的栅极为对应扫描线101的一部分或与对应的扫描线101电性连接， 薄膜晶体管103的源极与对应的数据线102电性连接，薄膜晶体管103的漏极通过位于绝 缘层13上的通孔104(图1)与像素电极电性连接。第一电极层24和第二电极层26材质 是透明的导电层，例如可以为氧化铟锡。第一绝缘层22和第三绝缘层25的材质可以无机 绝缘材料，例如可以是氮化硅。第二绝缘层23的材质可以是氮化硅或树脂材料。
[0040] 图4是现有的液晶显示装置与采用本实施例的边缘场开关模式的薄膜晶体管阵 列基板20的液晶显示装置的电压一穿透率曲线图。其中，所用的液晶为负性液晶。表1为 采用以上不同的液晶显示装置的电压一穿透率的具体测试值。表1中FFS为现有的液晶 显示装置的穿透率、阈值电压、饱和电压的测试结果，HFFS为采用本实施例的边缘场开关模 式的薄膜晶体管阵列基板20的液晶显示装置的穿透率、阈值电压、饱和电压的测试结果， HFFS(HorizontalFringeFieldSwitching)即代表本发明实施例所具有的水平边缘场开 关模式。其中，采用现有的液晶显示装置的穿透率是25. 449%，采用本实施例的边缘场开 关模式的薄膜晶体管阵列基板20的液晶显示装置的穿透率是25. 309%，后者的穿透率是 前者的99. 1%，两者穿透率几乎没有差别。采用现有的液晶显示装置的阈值电压是3. 14v， 采用本实施例的边缘场开关模式的薄膜晶体管阵列基板20的液晶显示装置的阈值电压是 2. 45v。采用现有的液晶显示装置的饱和电压是5v，采用本实施例的边缘场开关模式的薄膜 晶体管阵列基板20的液晶显示装置的饱和电压是4. 4v。
[0041] 表 1
[0042]
【主权项】
1. 一种边缘场开关模式的薄膜晶体管阵列基板，包括透明基板以及形成在透明基板上 的多条扫描线和多条数据线，所述多条扫描线和所述多条数据线交叉限定多个像素区域， 其特征在于，所述像素区域包括： 第一绝缘层，形成于所述透明基板上； 第二绝缘层，形成于所述第一绝缘层上，所述第二绝缘层包括间隔排列的多个绝缘凸 起部，所述多个绝缘凸起部凸出于所述第一绝缘层的表面上； 第一电极层，形成于所述第二绝缘层上，所述第一电极层包括多个电极平部和多个电 极凸部，所述多个电极平部覆盖所述第一绝缘层的未形成有所述绝缘凸起部的表面上，所 述多个电极凸部分别覆盖所述多个绝缘凸起部； 第三绝缘层，形成于所述第一电极层上，所述多个电极凸部的上表面未被所述第三绝 缘层覆盖而露出；以及 第二电极层，形成于所述第三绝缘层上，所述第二电极层包括间隔排列的多个电极部， 所述多个电极部分别位于所述多个电极平部的上方，所述多个电极部与所述多个电极凸部 相互错开且交替设置。
2. 根据权利要求1所述的边缘场开关模式的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述 多个电极部的上表面与所述多个电极凸部的上表面位于同一水平面上。
3. 根据权利要求1所述的边缘场开关模式的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述 第三绝缘层覆盖所述多个电极平部的上表面以及所述多个电极凸部的侧表面。
4. 根据权利要求1所述的边缘场开关模式的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，各所 述电极部的宽度小于各所述电极平部的宽度，所述第三绝缘层上于对应各所述电极平部的 上方形成有凹陷，各所述电极部收容在所述凹陷中。
5. 根据权利要求1所述的边缘场开关模式的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述 第一绝缘层和所述第二绝缘层为同一层结构，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的各绝缘 凸起部为一体成型。
6. 根据权利要求1所述的边缘场开关模式的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述 第一电极层和所述第二电极层其中之一为像素电极，另一为公共电极，且所述多个电极部 之间彼此电性连接在一起。
7. -种液晶显示面板，包括薄膜晶体管阵列基板、彩色滤光片基板以及夹设于所述薄 膜晶体管阵列基板与所述彩色滤光片基板之间的液晶分子，其特征在于，所述薄膜晶体管 阵列基板为权利要求1至6任一项所述的边缘场开关模式的薄膜晶体管阵列基板。
8. -种边缘场开关模式的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，包括： 在透明基板上形成第一绝缘层； 在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层包括间隔排列的多个绝缘凸起 部，所述多个绝缘凸起部凸出于所述第一绝缘层的表面上； 在所述第二绝缘层上形成第一电极层，所述第一电极层包括多个电极平部和多个电极 凸部，所述多个电极平部覆盖所述第一绝缘层的未形成有所述绝缘凸起部的表面上，所述 多个电极凸部分别覆盖所述多个绝缘凸起部； 在所述第一电极层上形成第三绝缘层，所述多个电极凸部的上表面未被所述第三绝缘 层覆盖而露出；以及 在所述第三绝缘层上形成第二电极层，所述第二电极层包括间隔排列的多个电极部， 所述多个电极部分别位于所述多个电极平部的上方，所述多个电极部与所述多个电极凸部 相互错开且交替设置。
9. 根据权利要求8所述的边缘场开关模式的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征 在于，该制造方法还包括将所述多个电极部的上表面与所述多个电极凸部的上表面设置位 于同一水平面上。
10. 根据权利要求8所述的边缘场开关模式的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特 征在于，在形成第一绝缘层和第二绝缘层时，利用一道光罩制程同时制作形成所述第一绝 缘层和所述第二绝缘层。
【专利摘要】一种边缘场开关模式的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，阵列基板包括第一绝缘层，形成于透明基板上；第二绝缘层，形成于第一绝缘层上，第二绝缘层包括间隔排列的多个绝缘凸起部，多个绝缘凸起部凸出于第一绝缘层的表面上；第一电极层，形成于第二绝缘层上，第一电极层包括多个电极平部和多个电极凸部，多个电极平部覆盖第一绝缘层的未形成有绝缘凸起部的表面上，多个电极凸部分别覆盖多个绝缘凸起部；第三绝缘层，形成于第一电极层上，多个电极凸部的上表面未被第三绝缘层覆盖而露出；第二电极层，形成于第三绝缘层上，第二电极层包括间隔排列的多个电极部，多个电极部分别位于多个电极平部的上方，多个电极部与多个电极凸部相互错开且交替设置。
【IPC分类】H01L23-485, G02F1-1343, G02F1-1368, H01L21-48, H01L21-84, G02F1-1362, H01L27-12
【公开号】CN104714343
【申请号】CN201510119221
【发明人】李东朝, 王俊, 李海波, 祝秀芬, 唐先柱
【申请人】昆山龙腾光电有限公司
【公开日】2015年6月17日
【申请日】2015年3月18日