阵列基板、显示面板以及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明的实施例涉及一种阵列基板、显示面板以及显示装置。
【背景技术】
[0002]薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-1XD)，其基本结构包括阵列基板(Array Substrate)、彩膜基板(Color FilterSubstrate)、以及夹设在两片基板之间的液晶(Liquid Crystal)层。显示器件中还包括用于控制液晶偏转的像素电极和公共电极。TFT-LCD中，通过控制液晶分子的偏转，从而实现对光线强弱的控制，然后通过彩膜基板的滤光作用，实现彩色图像显示。
[0003]TFT-LCD包括面内开关(In-Plane Switching，IPS)模式和高级超维场(Advanced-Super Dimens1nal Switching，ADS)模式。在 IPS 模式和 ADS 中，通过像素电极或公共电极边缘所产生的平行电场以及像素电极与公共电极间产生的纵向电场形成多维电场，使液晶盒内像素电极或公共电极之间、像素电极或公共电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而可提高平面取向系液晶工作效率并增大透光效率。
[0004]然而，随着技术的进步，消费者对电子产品的显示效果提出了更高的要求。人们不断追求显示器件可具有更好的显示效果，更高的透过率。
【发明内容】
[0005]本发明实施例提供一种阵列基板、显示面板以及显示装置，通过在阵列基板上形成让像素电极和公共电极突起的隔垫条，来增强水平电场，抑制纵向电场，从而提高透过率。
[0006]本发明实施例提供一种阵列基板，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的多个子像素，其特征在于，各所述子像素包括第一电极、第二电极和多个隔垫条，所述多个隔垫条设置在所述第一电极和所述第二电极的下方。
[0007]例如，在本发明一实施例提供的阵列基板中，所述隔垫条包括直线形、折线形、波浪形、锯齿形、弧形中的任意一种。
[0008]例如，在本发明一实施例提供的阵列基板中，所述多个隔垫条为多个平行设置的直线形隔垫条。
[0009]例如，在本发明一实施例提供的阵列基板中，各所述子像素内，所述第一电极和/或所述第二电极包括与所述多个隔垫条对应的电极条。
[0010]例如，在本发明一实施例提供的阵列基板中，所述第一电极和所述第二电极异层设置，所述第一电极和所述第二电极之间设置第一绝缘层，所述第二电极位于所述第一电极之上，在各所述子像素内，所述第二电极包括多个电极条，并且在所述第二电极所在的层中，对应所述多个隔垫条的位置处，每间隔一个所述隔垫条设置一个所述第二电极的电极条。
[0011]例如，在本发明一实施例提供的阵列基板中，所述第一电极为面状电极或者所述第一电极包括多个电极条；
[0012]所述第一电极包括多个电极条的情况下，在所述第一电极所在的层中，对应所述多个隔垫条的位置处，每间隔一个所述隔垫条设置一个所述第一电极的电极条，并且，相邻两个隔垫条分别对应所述第一电极的电极条和所述第二电极的电极条。
[0013]例如，在本发明一实施例提供的阵列基板中，所述第二电极为狭缝状电极或梳状电极。
[0014]例如，在本发明一实施例提供的阵列基板中，所述第一电极和所述第二电极同层设置，在各所述子像素内，所述第一电极和所述第二电极均包括多个电极条，在所述第一电极和所述第二电极所在的层中，对应所述多个隔垫条的位置处，交替设置或每隔一个所述隔垫条交替设置所述第一电极的电极条和所述第二电极的电极条。
[0015]例如，在本发明一实施例提供的阵列基板中，所述第一电极和所述第二电极在沿垂直于所述多个隔垫条的方向上的截面呈锯齿形结构。
[0016]例如，在本发明一实施例提供的阵列基板中，所述隔垫条的截面包括梯形、三角形、半圆形、台阶形、山峰形中的任意一种。
[0017]例如，在本发明一实施例提供的阵列基板还包括第二绝缘层，其中，所述第二绝缘层位于所述第一电极和所述第二电极之下，所述多个隔垫条通过所述第二绝缘层的一部分来形成。
[0018]例如，在本发明一实施例提供的阵列基板还包括栅极绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述第一电极和所述第二电极之下，所述多个隔垫条通过所述栅极绝缘层的一部分来形成。
[0019]例如，在本发明一实施例提供的阵列基板还包括设置在所述衬底基板上的多条数据线和多条栅线，所述多条数据线和所述多条栅线交叉限定多个呈阵列排列的所述多个子像素，所述多个隔垫条的延伸方向平行于所述栅线或所述数据线的延伸方向。
[0020]本发明实施例还提供一种显示面板，包括任一上述的阵列基板。
[0021]本发明实施例还提供一种显示装置，包括任一上述的显示面板。
【附图说明】
[0022]为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。
[0023]图1为一种ADS模式阵列基板示意图；
[0024]图2a为本发明一实施例提供的一种阵列基板不意图；
[0025]图2b为本发明一实施例提供的一种阵列基板中像素电极和公共电极示意图；
[0026]图2c为本发明一实施例提供的一种阵列基板中直线形隔垫条的示意图；
[0027]图2d为本发明一实施例提供的一种阵列基板中折线形隔垫条的示意图；
[0028]图3a为一种图2a中阵列基板A_A’示意图(ADS模式)；
[0029]图3b本发明一实施例提供的一种阵列基板剖面示意图(ADS模式);
[0030]图3c为一种图2a中第一电极和第二电极均包括多个电极条的阵列基板的A_A’示意图(ADS模式)；
[0031]图4a为另一种图2a中阵列基板A-A’示意图(IPS模式)；
[0032]图4b为图2a中IPS模式阵列基板中每隔一个隔垫条交替设置第一电极的电极条和第二电极的电极条的A-A’示意图；
[0033]图5为本发明一实施例提供的一种显示面板示意图；
[0034]图6为一种显不面板水平电场强度分布不意图；
[0035]图7为本发明一实施例提供的一种显不面板水平电场强度分布不意图；
[0036]图8为本发明另一实施例提供的一种显不面板水平电场强度分布不意图；
[0037]附图标记:
[0038]10-阵列基板；20_对置基板；100_阵列基板的衬底基板；101_子像素；102_第一电极；1021_第一电极的电极条；103_第二电极；1031_第二电极的电极条；104_隔垫条；105-第一绝缘层；106_第二绝缘层；107_栅极绝缘层；108_栅极；109_有源层；110_源极；111_漏极；112_薄膜晶体管；113_过孔；114_数据线；115_栅线；122_公共电极；1221-公共电极的电极条；123-像素电极；1231-像素电极的电极条；1232-像素电极的狭缝；131_通常技术中显示面板内水平电场强度分布；132_本发明实施例显示面板内水平电场强度分布；200_对置基板的衬底基板；201_彩膜层；202_黑矩阵；30_液晶层。
【具体实施方式】
[0039]为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0040]对于通常的低功耗ADS技术，像素电极和公共电极各自形成在相应的平面结构层上。例如，像素电极为狭缝状电极，公共电极为面状电极的情况