Tft基板结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板结构的制作方法。
【背景技术】
[0002]在显示技术领域，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)与有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting D1de, OLED)等平板显示器已经逐步取代CRT显示器，广泛的应用于液晶电视、手机、个人数字助理、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。
[0003]薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)是目前液晶显示装置和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(Active Matrix/Organic Light-Emitting D1de，简称AM0LED)中的主要驱动元件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。薄膜晶体管具有多种结构，制备相应结构的薄膜晶体管的材料也具有多种，低温多晶娃(Low TemperaturePoly-silicon，简称LTPS)材料是其中较为优选的一种，由于低温多晶娃的原子规则排列，载流子迀移率高，对电压驱动式的液晶显示装置而言，多晶硅薄膜晶体管由于其具有较高的迀移率，可以使用体积较小的薄膜晶体管实现对液晶分子的偏转驱动，在很大程度上缩小了薄膜晶体管所占的体积，增加透光面积，得到更高的亮度和解析度；对于电流驱动式的有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置而言，低温多晶硅薄膜晶体管可以更好的满足驱动电流要求。
[0004]如图1所示，液晶显示面板可分成有效显示区(active area) 110以及周边线路区(peripheral circuit area) 120。有效显不区110内配置有多个像素以形成像素阵列(未标示)，每个像素均包括一薄膜晶体管和与该薄膜晶体管连接的像素电极，且每个像素都被两条相邻的扫描线130以及两条相邻的数据线140包围，周边线路区120则设计有扇出(fan out)引线，扇出引线集中的区域即为扇出区120S。通常，扫描线130以及数据线140会由有效显示区110延伸至周边线路区120，并通过扇出引线与驱动芯片(driver IC) 500即COF端电连接。
[0005]在液晶显示面板的制作过程中，如图2所示，已经形成薄膜晶体管的基板100上需要覆盖一层高介电常数的有机膜作为平坦层(planarizat1n，PLN) 200，以改变下层膜表面的平整性，防止有效显示区内电场互相干扰，减少电容耦合效应，提高穿透率；在有效显示区110外，平坦层200上的沟槽210能够增加框胶的粘附性、增加框胶的接触面积，避免出现液晶汽包(LC Bubble)、框I父穿刺等显不不良。
[0006]平坦层200通常为感旋光材料，如图3所示，利用光罩，通过曝光显影工艺可在平坦层200上形成沟槽210 ;之后，如图4所示，需要在平坦层200上沉积氧化铟锡(ITO)薄膜300以用作于共通电极(COM);由于共通电极与TFT电性绝缘，因此，如图5所示，需要通过在ITO薄膜300上涂覆光阻400 (photo resist，PR);之后，如图6所示，对光阻400曝光、显影，但是由于平坦层200厚度较大，一般约为2.5 μ m，平坦层200上的沟槽210的坡度(taper)较陆峭，在进行光阻涂覆时，光阻流动性大，taper角位置处光阻偏厚，会导致曝光不彻底，从而造成沟槽210内taper角位置处光阻残留；之后，如图7所示，将未被光阻400覆盖的平坦层沟槽210内的ITO刻蚀掉，但是，由于沟槽210内taper角位置处光阻残留从而造成ITO 300’残留。
[0007]然而，在扇出区120s内有ITO残留则会引起下方的金属线路短路，从而造成画面异常、画面分屏等画质不良。
[0008]目前业界改善ITO残留最常用的方法是采用的是埋沟和架桥技术，制程复杂且成本较高。
【发明内容】
[0009]本发明的目的在于提供一种TFT基板结构的制作方法，采用半色调光罩工艺，使得位于扇出区的平坦层上的沟槽的坡度变缓，避免透明导电层在沟槽角落处残留的现象，可大大提高液晶显示面板的显示品质，且工艺简单、易于实现。
[0010]为实现上述目的，本发明提供一种TFT基板结构的制作方法，包括如下步骤:
[0011]步骤1、提供一基板，所述基板上设有薄膜晶体管；所述基板包括有效显示区和围绕所述有效显示区的周边线路区，所述周边线路区包括扇出区和非扇出区；在所述基板上涂布形成平坦层；
[0012]步骤2、提供第一光罩，所述第一光罩上具有对应于所述有效显示区的第一图案、对应于所述周边线路区的非扇出区的第二图案、及对应于所述扇出区的第三图案；所述第二图案、第三图案用于在所述周边线路区的平坦层上形成沟槽；所述第一光罩为半色调光罩，所述第一图案、第二图案为全透光，所述第三图案为半透光；
[0013]利用所述第一光罩对所述平坦层进行曝光、显影，通过第一光罩上的第一图案实现全曝光从而在有效显示区上方形成过孔；通过第一光罩上的第二图案实现全曝光从而在非扇出区的平坦层上形成第一沟槽；通过第一光罩上的第三图案实现半曝光从而在扇出区的平坦层上形成第二沟槽；
[0014]步骤3、在所述平坦层上形成透明导电层；
[0015]步骤4、在所述透明导电层上涂覆光阻；提供第二光罩，利用第二光罩对所述光阻进行曝光、显影，去除位于所述第一沟槽、第二沟槽上的光阻；
[0016]步骤5、以剩余的光阻为遮挡，对所述透明导电层进行蚀刻，并剥离剩余的光阻，得至IJ电极。
[0017]所述第二沟槽的深度小于所述第一沟槽的深度。
[0018]所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。
[0019]所述步骤I中形成的平坦层的材料为有机光阻。
[0020]所述步骤I中形成的平坦层的厚度为2.5 μ m。
[0021]所制作的TFT基板用于形成液晶显示面板，所述液晶显示面板内的封框胶粘附于所述第一沟槽、第二沟槽内。
[0022]所述第二沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度。
[0023]所述步骤5中形成的电极为液晶显示面板的共通电极。
[0024]所述步骤3中形成的透明导电层的材料为ΙΤ0，所述透明导电层通过物理气相沉积法形成。
[0025]所述步骤5采用湿法蚀刻制程对所述透明导电层进行蚀刻。
[0026]本发明的有益效果:本发明的TFT基板结构的制作方法，利用半色调光罩通过一次曝光在平坦层上形成过孔与沟槽，位于有效显示区的平坦层的过孔设计不受周边线路区的沟槽设计的影响，从而保证了液晶显示面板的开口率；通过半色调光罩上的半透光性的图案实现半曝光从而在位于扇出区的平坦层上形成深度较浅的沟槽，从而使得位于扇出区的平坦层上的沟槽的坡度变缓，避免了在进行光阻曝光显影时沟槽角落处的光阻曝光不彻底而导致透明导电层在沟槽角落处残留的现象，进而避免了扇出区的金属线路之间出现短路的现象，进而大大提高了液晶显示面板的显示品质；并且通过加宽位于扇出区的沟槽的宽度，避免了由于沟槽坡度变缓、深度减少而带来的封框胶粘附力变差的现象，进而保证了液晶显示面板内的封框胶的粘附性不受影响。
【附图说明】
[0027]为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
[0028]附图中，
[0029]图1为现有液晶显不面板中阵列基板的结构不意图；
[0030]图2为现有阵列基板中平坦层上的沟槽在周边线路区分布示意图；
[0031]图3为现有的阵列基板的制作方法中在平坦层上形成沟槽的示意图；
[0032]图4为现有的阵列基板的制作方法中在平坦层上形成导电薄膜的示意图；
[0033]图5为现有的阵列基板的制作方法中在导电薄膜上涂布光阻的示意图；
[0034]图6为现有的阵列基板的制作方法中对导电薄膜上的光阻进行曝光显影的示意图；
[0035]图7为现有的阵列基板的制作方法中对导电薄膜进行蚀刻的示意图；
[0036]图8为本发明的TFT基板结构的制作方法的流程示意图；
[0037]图9为本发明的TFT基板结构的制作方法的步骤I中所提供的基板的示意图；
[0038]图10为本发明的TFT基板结构的制作方法的步骤2中所提供的光罩的示意图；
[0039]图11为本发明的TFT基板结构的制作方法的步骤2的示意图；
[0040]图12为本发明的TFT基板结构的制作方法的步骤2中在平坦层上形成的沟槽的示意图。
【具体实施方