主动式阵列基板及显示面板的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及一种主动式阵列基板及一种使用该主动式阵列基板的显示面板。
【背景技术】
[0002] 主动式阵列基板（ActiveMatrixArray)已被广泛应用于显示面板中，如液晶显 示面板、有机发光显示面板等。其中，液晶显示面板通常包括对向基板、主动式阵列基板W 及夹着于对向基板与主动式阵列基板之间的液晶层。而有机发光显示面板则包括主动式阵 列基板、位于该主动式阵列基板上用于发光显示的有机发光结构及封装基板。主动式阵列 基板上通常包括多条扫描线、多条数据线W及多个薄膜晶体管。该些扫描线、数据线及该多 个薄膜晶体管均形成在一衬底上。该扫描线与该数据线交错排列定义多个像素区域，每一 像素区域对应设置有薄膜晶体管。然而，在形成该些扫描线与数据线时，该些扫描线与数据 线的位置经常会产生一些偏差，而导致显示面板的显示效果不佳。
【发明内容】
[0003] 有鉴于此，有必要提供一种主动式阵列基板，所述主动式阵列基板包括多条扫描 线与多条数据线，所述多条扫描线与多条数据线相互交叉设置，相邻的二扫描线界定一行 像素区域，同行排列的相邻二像素区域之间设置有二数据线，且该二数据线分别提供相应 的图像数据给该行位于该二数据线两侧的像素区域，所述二数据线两侧的像素区域中的结 构基本相同，所述主动式阵列基板还包括位于所述像素区域的栅极、源极W及漏极，所述扫 描线与栅极由一第一金属层构成，所述数据线、源极与漏极由一第二金属层构成，所述主动 式阵列基板的每一像素区域内还包括补偿结构，当所述第一金属层与第二金属层对位偏差 而导致位于所述像素区域内的所述第一金属层与第二金属层的重叠面积增加或减少时，所 述补偿结构相应地减少或增加所述第一金属层与第二金属层的重叠面积。
[0004] 还有必要提供一种液晶显示面板。所述液晶显示面板包括所述主动式阵列基板、 对向基板W及夹设在所述主动式阵列基板与对向基板之间的液晶层。
[0005] 与现有技术相比较，本发明所提供的主动式阵列基板及液晶显示面板中的第一金 属层与第二金属层之间的电容不易产生变化，显示效果稳定。
【附图说明】
[0006] 图1是本发明【具体实施方式】所提供的液晶显示面板的示意图。
[0007] 图2是图1中主动式阵列基板的第一实施方式的平面结构的局部示意图。
[0008] 图3是沿图2中切割线所形成的剖视图。
[0009] 图4是沿图2中IV-IV切割线所形成的剖视图。
[0010] 图5是图2中主动式阵列基板对位偏差时的示意图。
[0011] 图6是图1中主动式阵列基板的第二实施方式的平面结构的局部示意图。
[0012] 图7是沿图6中VII-VII切割线所形成的剖视图。
[0013] 图8是图7中主动式阵列基板对位偏差时的示意图。
[0014] 主要元件符号说日_
如下【具体实施方式】将结合上述附图进一步说明本发明。
【具体实施方式】
[0015] 显示面板随着解析度越来越高，显示面板中的像素容易随着解析度等提升而减少 充电时间，从而导致充电率不足。为改善此不良现象，业界通常会增加2倍的数据线的数 量，借此来使得像素充电率足够。
[0016] 在本发明的主动式阵列基板中，该主动式阵列基板包括n条扫描线与化条数据 线进行驱动，相邻的二扫描线界定一行子像素，相邻二列子像素之间设置有两条数据线，且 该二数据线分别提供相应的图像数据给位于该二数据线两侧的子像素。同时，驱动该二子 像素的薄膜晶体管则分别邻近对应连接的数据线设置，如：位于数据线左侧的子像素的薄 膜晶体管设置在像素区域的右下角，位于数据线右侧的子像素的薄膜晶体管设置在像素区 域的左下角。当存在扫描线与数据线的对位偏差而造成的相邻子像素，左侧子像素中的栅 极-源极寄生电容与栅极-汲极寄生电容与右侧子像素中的对应寄生电容值将会存在明显 的偏差，从而影响显示面板的显示效果。
[0017] 而本发明中的主动式阵列基板通过设置补偿结构，具体包括栅极补偿结构、源极 补偿结构与漏极补偿结构，可解决上述问题。尤其是对于通过上述方式驱动的红、绿、蓝、白 (RGBW)四原色的显示面板，每一像素包括姑2排列的RGBW子像素，二列子像素之间设置有 两条数据线，其中一数据线驱动其中一子像素，另一数据线驱动同行排列的另一子像素，且 该二子像素内的薄膜晶体管是对应连接的数据线设置。更进一步地，该二子像素可加载相 同的极性或不同的极性。可W理解，本发明的主动式阵列基板可作为显示面板，如液晶显 示面板与0L邸显示面板的驱动基板，并不W此为例。下面W液晶显示面板为例进行具体说 明： 如图1所示，本发明第一实施方式所提供的液晶显示面板1包括主动式阵列基板10、对 向基板20W及液晶层30。所述主动式阵列基板10与所述对向基板20相对设置。所述液 晶层30夹设于所述主动式阵列基板10与对向基板20之间。在本实施方式中，所述对向基 板20为彩色滤光片基板。
[0018] 请参阅图2,为所述主动式阵列基板10的平面结构的局部示意图。所述主动式阵 列基板10包括多条扫描线12与多条数据线13。在本实施方式中，所述数据线13的数量是 扫描线12数量的两倍。所述多条扫描线12与所述多条数据线13相互交叉设置，且二者界 定的最小区域定义一像素区域181。相邻的二扫描线12界定一行像素区域181。同行排列 的相邻二像素区域181之间设置有一对数据线13,每对数据线13包括第一数据线131与第 二数据线132,且第一数据线131与第二数据线132分别提供相应的图像数据给该行位于 该第一数据线131与第二数据线132两侧的像素区域181。所述第一数据线131与所述第 二数据线132两侧的像素区域181中的结构基本相同。所述第一数据线131与第二数据线 132两侧的像素区域181中的栅极14、源极15、漏极16相对于所述第一数据线131与第二 数据线132对称设置。
[0019] 请一并参阅图2、图3与图4,所述主动式阵列基板10还包括位于所述像素区域 181的栅极14、栅极绝缘层140、源极15、漏极16、通道层17W及像素电极18。所述扫描线 12与栅极14是由同一金属层形成的。所述数据线13、源极15与漏极16是由同一金属层 形成的。在下文中，将扫描线12与栅极14统称为第一金属层，将数据线13、源极15与漏极 16统称为第二金属层。
[0020] 所述像素电极18对应设置在所述像素区域181内。在本实施方式中，所述栅极14 从所述扫描线12向所述像素区域181延伸。所述栅极绝缘层140覆盖所述扫描线12与栅 极14。所述通道层17设置在所述栅极绝缘层140上且位置与所述栅极14相对应。所述源 极15与漏极16形成在所述栅极绝缘层140上且分别覆盖所述通道层17的两端。所述源 极15与所述数据线13电性连接。所述漏极16与所述像素电极18电性连接。
[0021] 在本实施方式中，所述源极15包括一主体部155W及一源极连接部156。所述主 体部155大致呈一U形结构，所述主体部155的位置与所述栅极14相对应。所源极连接部 156将所述主体部155与所述数据线13电性连接。在本实施方式中，所述漏极16包括一插 入部165W及一漏极连接部166。所述插入部165的一端伸入所述主体部155的U形开口 中并与所述主体部155电性绝缘，另一端与该漏极连接部166相连。所述漏极连接部166 将所述插入部165与所述像素电极18电性连接。
[0022] 在本实施方式中，所述栅极14还包括栅极补偿结构121，所述源极15还包括源极 补偿结构151，所述漏极16还包括漏极补偿结构161。所述栅极补偿结构121与源极补偿 结构151能够在当所述主动式阵列基板10的第一金属层与第二金属层对位产生偏差时，补 偿所述源极15与所述第一金属层的之间所改变的电容量。所述漏极补偿结构161能够在 当所述主动式阵列基板10的第一金属层与第二金属层对位产生偏差时，补偿所述漏极16 与所述第一金属层之间的改变的电容量。
[0023] 具体地，该栅极补偿结构121为由所述扫描线12向远离所述扫描线12的方向延 伸的凸起。在本实施例中，该栅极补偿结构121设置在该第一数据线131与该第二数据线 132之间。所述源极补偿结构151为自该源极15延伸而出的分支，且与该栅极补偿结构121 绝缘并部分层叠设置，从而构成一补偿电容。在本实施例中，该源极补偿结构151与该源极 连接部156相连，且向所述数据线13远离所述源极连接部156的一侧延伸长出，并延伸至 栅极补偿结构121所在位置，从而与所述栅极补偿结构121部分重叠。在本实施方式中，所 述源极补偿结构151与所述扫描线12相互平行。
[0024] 所述漏极补偿结构161为自该漏极16延伸而出的分支，并与该扫描线12绝缘且 部分层叠设置，从而构成另一补偿电容。在本实施例中，该漏极补偿结构161与该插入部 165相连，且向所述插入部165远离所述源极15的一侧延伸长出，并延伸至邻近的扫描线 12,从而与该扫描线12部分重叠。在本实施例中，所述漏极补偿结构161与所述扫描线12 亦相互平行。
[00巧]由此，请参阅图5,当在制作所述主动式阵列基板10时，图案化该第一金属层与第 二金属层的过程中，该第一金属层与该第二金属层产生对位偏差时，如图5所示，第二金属 层向右偏移，所述源极15与所述栅极14的重叠面积增加或减少，所述源极补偿结构151与 栅极补偿结构121的重叠面积会相应地减少或增加，W抵消所述源极15与栅极14重叠面 积的变化，从而补偿所述源极15与所述第一金属层的之间电容的变化量。同样地，当所述 漏极16的插入部165与所述栅极14的重叠面积增加或减少时，所述漏极补偿结构161与 所述扫描线12的重叠面积会相应地减少或增加