Coa上基板及制作方法、液晶显示面板及装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示技术领域，具体地说，涉及一种COA上基板及制作方法、液晶显示面板及装置。
【背景技术】
[0002]COA(Color Film On Array，彩膜层在阵列基板上)是将彩膜层集成在阵列基板上的液晶面板结构，其优点在于可以增大面板开口率，提升画质、面板亮度和画面对比度。
[0003]基于光配向的COA液晶显示面板的上基板结构包括:黑矩阵、ITO公共电极和隔垫物。在矩阵图层工艺过程中，由于机台磨损产生的金属小颗粒(一般宽或长小于8um，高度大于2um)容易掉落在黑矩阵线上，难以被清洗。这些ITO电极较薄，膜厚约1000A?1500A，难以覆盖金属小颗粒。金属小颗粒使得ITO电极与TFT基板的信号线连接到一起，导致液晶盒和模组出现线上有点等不良现象，造成降等和报废。
【发明内容】
[0004]为解决以上问题，本发明提供了一种COA上基板及制作方法、液晶显示面板及装置，用以解决金属颗粒使得ITO电极与TFT基板的信号线连接连接到一起，导致液晶盒和模组出现线上有点等不良现象，造成降等和报废问题。
[0005]根据本发明的一个方面，提供了一种COA上基板，与设置有彩膜层的TFT下基板对应，包括:
[0006]基底；
[0007]黑矩阵层，设置于所述基底上；
[0008]中间层，设置于所述黑矩阵层和裸露的基底上，包括层叠设置的有机平坦层和公共电极层；
[0009]间隔物，设置于所述中间层上。
[0010]根据本发明的一个实施例，在所述中间层中，
[0011]所述公共电极层设置于所述黑矩阵层和裸露的基底上；
[0012]所述有机平坦层设置于所述公共电极层上；
[0013]所述间隔物设置于所述有机平坦层上。
[0014]根据本发明的一个实施例，在所述中间层中，
[0015]所述有机平坦层设置于所述黑矩阵层和裸露的基底上；
[0016]所述公共电极层设置于所述有机平坦层上；
[0017]所述间隔物设置于所述公共电极层上。
[0018]根据本发明的一个实施例，所述有机平坦层的厚度为2um-5um。
[0019]根据本发明的一个实施例，所述有机平坦层采用高穿透性的材料制成。
[0020]根据本发明的另一个方面，还提供了一种用于COA上基板的制作方法，包括:
[0021]在基底上涂覆遮光材料，并经处理形成黑矩阵层；
[0022]在所述黑矩阵层和裸露的基底上沉积有机材料，并经处理形成有机平坦层；
[0023]在所述有机平坦层上涂敷透明导电材料，并经处理形成公共电极层；
[0024]在所述公共电极层上对应所述黑矩阵层的部分区域形成间隔物。
[0025]根据本发明的另一个方面，还提供了一种用于COA上基板的制作方法，包括:
[0026]在基底上涂覆遮光材料，并经处理形成黑矩阵层；
[0027]在所述黑矩阵层和裸露的基底上涂敷透明导电材料，并经处理形成公共电极层；
[0028]在所述公共电极层上沉积有机材料，并经处理形成有机平坦层；
[0029]在所述有机平坦层上对应所述黑矩阵层的部分区域形成间隔物。
[0030]根据本发明的一个实施例，在形成所述有机平坦层之后还包括对形成的有机平坦层进行曝边处理过程，所述曝边处理过程包括:
[0031]在所述有机平坦层上涂敷负性光刻胶，并对显示区域的有机平坦层进行处理，以去除非显示区域的有机平坦层，暴露出非显示区域的公共电极层，以实现COA上基板和TFT下基板公共电极的连接导通。
[0032]根据本发明的另一个方面，还提供了一种采用以上所述上基板的液晶显示面板。
[0033]根据本发明的另一个方面，还提供了一种采用以上所述液晶显示面板的液晶显示
目.ο
[0034]本发明的有益效果:
[0035]本发明通过在COA上基板上设置一层有机平坦层，覆盖黑矩阵层和公共电极层或单独黑矩阵层制作过程中产生的小颗粒，可以解决金属颗粒使得ITO电极与TFT基板的信号线连接连接到一起，导致液晶盒和模组出现线上有点等不良现象，造成降等和报废问题。
[0036]本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
【附图说明】
[0037]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要的附图做简单的介绍:
[0038]图1是现有技术中一种传统的基于光配向的COA面板的上基板结构示意图；
[0039]图2是现有技术中一种非COA面板的上基板结构示意图；
[0040]图3是根据本发明的一个实施例的一种COA面板的上基板结构示意图；以及
[0041]图4是根据本发明的另一个实施例的一种COA面板的上基板结构示意图。
【具体实施方式】
[0042]以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
[0043]如图1所示为一种传统的基于光配向的C0A(即彩膜层做在薄膜晶体管TFT下基板上，黑矩阵层做在上基板上)面板的上基板结构示意图。如图1所示，该上基板包括:基底11 ;在基底11上形成的黑矩阵层12 ;在黑矩阵层12和裸露的基底11上形成的公共电极层13 ;在公共电极层13上对应黑矩阵层12的部分区域形成的隔垫物14。一般情况下，黑矩阵层12的膜厚为Ium?3um，公共电极13的ITO薄膜膜厚为1000A?1500A，隔垫物14的高度一般为2um?4um。在黑矩阵层12和公共电极层13的制作过程中产生的小颗粒a，当小颗粒a的高度大于2um时很容易在产品的后段产生点缺陷。
[0044]如图2所示为一种传统的非COA面板的上基板结构示意图。如图2所示，该上基板包括:基底21 ;在基底21上形成的黑矩阵层22 ;在黑矩阵层22和裸露的基底21上形成的包括红色阻块25、绿色阻块26和蓝色阻块27的彩膜层；在彩膜层上形成的公共电极层23 ;在公共电极层23上对应黑矩阵层22的部分区域形成的隔垫物24。由于色阻层的覆盖，上基板侧黑矩阵层22制作过程中产生的小颗粒a被覆盖，进而大大降低了产品后段产生的点缺陷。
[0045]但是，对于COA面板，在黑矩阵层和公共电极层制作过程中产生的小颗粒a不能被覆盖。因此，本发明提供了一种新的COA上基板，与设置有彩膜层的TFT下基板对应，用以解决黑矩阵层和/或公共电极层制作过程中产生的小颗粒a。如图3所示为根据本发明的一个实施例的COA上基板结构示意图，以下参考图3来对本发明进行详细说明。
[0046]如图3所示，该COA上基板与设置有彩膜层的TFT下基板对应，包括:基底31 ;黑矩阵层32，设置于基底31上；中间层，设置于黑矩阵层32和裸露的基底31上，包括层叠设置的有机有机平坦层35和公共电极层33 ;间隔物35设置于中间层上，与黑矩阵层32的部分区域对应。
[0047]由图3可知，在中间层中，有机平坦层35设置于黑矩阵层32和裸露的基底31上，公共电极层33设置于有机平坦层35上，间隔物34设置于公共电极层33上。与图1相较，在公共电极层33和黑矩阵层34之间设置了一有机平坦层35，该层厚度大于公共电极层33，可以覆盖黑矩阵层32制作过程中产生的小颗粒a，降低金属小颗粒使得公共电极层和TFT基板上信号线的连接几率，但不能覆盖公共电极层33制作过程中产生的小颗粒a。