偏振板、包括该偏振板的tft基板及制造该偏振板的方法
【技术领域】
[0001]本发明的示例性实施例涉及一种偏振板、一种包括该偏振板的薄膜晶体管(TFT)基板以及一种制造该偏振板的方法。
【背景技术】
[0002]包括相互平行地布置以使来自电磁波的光偏振的平行导线阵列可以称作线栅偏振器(wire grid polarizer)。
[0003]当非偏振光入射到周期比入射光的波长短的线栅偏振器时，线栅偏振器会对平行于线栅偏振器的线的方向的偏振光进行反射，并会对垂直于线栅偏振器的线的方向的偏振光进行透射。线栅偏振器可以比吸收型偏振器更有利之处在于线栅偏振器对被反射的偏振光进行了再利用。
[0004]在该【背景技术】部分所公开的上述信息仅用于强化对发明构思的背景的理解，因此，它可以包含不形成对于该国的本领域技术人员已经公知的现有技术的信息。
【发明内容】
[0005]本发明的示例性实施例提供了一种具有改善了的加工性和透射率的偏振板。
[0006]附加方面将在接下来的描述中部分地阐述，部分地通过公开内容将是清楚的，或者可通过实施本发明构思而获知。
[0007]本发明的示例性实施例还提供了一种制造具有改善了的加工性和透射率的偏振板的方法。
[0008]本发明的示例性实施例还提供一种具有改善了的加工性和透射率的薄膜晶体管(TFT)基板。
[0009]根据本发明的示例性实施例，一种偏振板包括基板和导电图案层，导电图案层包括:第一图案，包括以周期比入射光的波长短的间隔布置成相互隔离的线形结构，第一图案被构造成使射光的第一偏振光透射通过并反射入射光的垂直于第一偏振光的第二偏振光；第二图案，设置在第一图案的外边界上，第二图案与第一图案隔离且绝缘，第二图案包括主干和从主干朝向第一图案突出的至少一个分支。
[0010]导电图案层还可以包括被构造成反射第一偏振光和第二偏振光的第三图案，第三图案可以与第二图案隔离且绝缘。
[0011]导电图案层可以是金属图案层。
[0012]金属图案层可以包括铝(Al)、铬(Cr)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、钛(Ti)、钴(Co)、钼(Mo)和它们的合金中的至少一种。
[0013]根据本发明的示例性实施例，一种薄膜晶体管基板包括偏振板和设置在偏振板上的数据布线，所述偏振板包括:偏振器，被构造成使入射光的第一偏振光透射通过并对入射光的垂直于第一偏振光的第二偏振光进行反射；栅极布线，设置在偏振器的外边界上。
[0014]偏振器可以包括第一图案，所述第一图案包括以具有比入射光的波长短的周期的间隔设置的线形结构。
[0015]偏振器可以设置在被栅极布线和数据布线围绕的像素区中。
[0016]栅极布线可以包括栅极线和从栅极线朝向第一图案突出的至少一个栅电极。
[0017]偏振板还可以包括设置在栅极布线的外边界上的共电极布线。
[0018]偏振板还可以包括设置在栅极布线的外边界上的共电极布线，共电极布线可以包括沿基本上平行于栅极线的方向延伸的共电极线和从共电极线朝向第一图案突出的突起。
[0019]偏振板还可以包括被构造成反射第一偏振光和第二偏振光的至少一个反射部分。
[0020]反射部分可以设置在栅极线之间并与栅极线绝缘。
[0021]反射部分可以设置在围绕像素区的非像素区中。
[0022]根据本发明的示例性实施例，一种制造偏振板的方法包括下述步骤:在基板上形成导电层；在导电层上形成引导图案层，引导图案层包括第一引导图案和第二引导图案，第一引导图案包括第一隔壁和连接到第一隔壁的半色调区域，半色调区域覆盖导电层，第二引导图案包括暴露导电层的第二隔壁，导电层位于第二隔壁之间；利用第二引导图案通过图案化导电层来形成第二图案；通过去除半色调区域来形成第三引导图案；在形成在第二图案和第三引导图案中的沟槽中形成纳米结构的自取向嵌段共聚物；利用设置在自取向嵌段共聚物上的第一区域或第二区域通过图案化导电层来形成第一图案，其中，第一图案被构造成使入射光的第一偏振光透射通过并对入射光的垂直于第一偏振光的第二偏振光进行反射，第二图案设置在第一图案的外边界上并与第一图案隔离且绝缘，第二图案包括主干和从主干朝向第一图案突出的至少一个分支。
[0023]所述方法还可以包括修整第一隔壁和第二隔壁的宽度。
[0024]修整第一隔壁和第二隔壁的宽度的步骤可以包括氧(O2)等离子体蚀刻工艺。
[0025]设置纳米结构的自取向嵌段共聚物的步骤可以包括:设置包括交替地设置在沟槽中的第一重复单元和第二重复单元的嵌段共聚物层；对嵌段共聚物层进行退火，其中，第一重复单元和第二重复单元具有相互不同的蚀刻速率。
[0026]嵌段共聚物层可以包括聚苯乙烯-嵌段-聚丁二烯(PS-b-PB)、聚苯乙烯-嵌段-聚异戊二烯(PS-b-PI)、聚苯乙烯-嵌段-聚(甲基丙烯酸甲酯)(PS-b-PMMA)、聚苯乙烯-嵌段-聚(2-乙烯基吡啶)(PS-b-P2VP)、聚苯乙烯-嵌段-聚(二茂铁-二甲基硅烷)(PS-b-PFDMS)、聚苯乙烯-嵌段-聚(丙烯酸叔丁酯)(PS-b-PtBA)、聚苯乙烯-嵌段-聚(二茂铁乙基甲基硅烷)(PS-b-PFEMS)、聚异戊二烯-嵌段-聚(环氧乙烷)(P1-b-PEO)、聚丁二烯-嵌段-聚(丁二烯-嵌段-乙烯基吡啶鑰)(PB-b-PVP)、聚(丙烯酸叔丁酯)-嵌段-聚(甲基丙烯酸肉桂酰乙酯)(PtBA-b-PCEMA)、聚苯乙烯-嵌段-聚乳酸(PS-b-PLA)、聚(α-甲基苯乙烯)_嵌段-聚(4-羟基苯乙烯)(PaMS-b-PHS)、十五烷基苯酚改性聚苯乙烯-嵌段-聚(4-乙烯基吡啶)(ProPS-b-P4VP)、聚(苯乙烯-嵌段-环氧乙烷)(PS-b-PEO)、聚苯乙烯-嵌段-聚(二甲基硅氧烷)(PS-b-PDMS)、聚苯乙烯-嵌段-聚乙烯(PS-b-PE)、聚苯乙烯-嵌段-聚(二茂铁二甲基硅烷)(PS-b-PFS)、聚苯乙烯-嵌段-聚(对苯)(PS-b-PPP)、PS-b-PB-b-PS、PS-b-P1-b-PS、聚(环氧丙烷)-嵌段-PEO (PE0-b-PP0)、聚(4-乙烯基-苯基二甲基-2-丙氧基硅烷)-b-P1-b-PVPDMPS (PVPDMPS)、PS-b_P2VP-b_PtBMA和它们的嵌段共聚物(BCP)中的至少一种。
[0027]对嵌段共聚物层进行退火的步骤可以包括热退火或溶剂退火。
[0028]设置第一图案的步骤可以包括:去除第一区域和第二区域中的一个，第一区域是通过使嵌段共聚物层的第一重复单元自取向来获得，第二区域是通过使嵌段共聚物层的第二重复单元自取向来获得；利用剩余的第一区域和第二区域中的一个来图案化导电层。
[0029]根据本发明的示例性实施例，可以使提供具有改善了的加工性和透射率的偏振板、包括偏振板的TFT基板和制造偏振板的方法成为可能。
[0030]以上的总体描述和下面的详细描述是示例性和解释性的，并意图提供对所保护主题的进一步解释。
【附图说明】
[0031]附图示出了发明构思的示例性实施例，并且与描述一起用来解释发明构思的原理，其中，包括附图以提供对发明构思的进一步理解，并且将附图并入本说明书中且构成本说明书的一部分。
[0032]图1至图8是示出了根据本发明的示例性实施例的制造偏振板的方法的剖视图。
[0033]图9是根据本发明的不例性实施例的偏振板的剖视图。
[0034]图10是示出了根据图4的工艺的本发明的示例性实施例的偏振板的平面图。
[0035]图11是示出了根据图5的工艺的本发明的示例性实施例的偏振板的平面图。
[0036]图12至图14是示出了根据图5的工艺的本发明的示例性实施例的偏振板的平面图。
[0037]图15是根据本发明的示例性实施例的薄膜晶体管(TFT)基板的剖视图。
【具体实施方式】
[0038]在以下的描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体的细节以提供对各种示例性实施例的彻底的理解。然而，清楚的是，各种示例性实施例可以在没有这些具体细节或者利用一个或更多个等同布置的情况下实施。在其它实例中，为了避免不必要地模糊各种示例性实施例，众所周知的结构和装置以框图形式示出。
[0039]在附图中，为了清晰和说明的目的，可以夸大层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸。另外，同样的附图标号指示同样的元件。
[0040]当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”或者“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。然而，当元件被称作“直接在”另一元件或层“上”或者“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个/种”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个/种”可以被理解为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两个/种或更多个/种的任意组合(例如，以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例)。同样的标号始终指示同样的元件。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任意组合和所有组合。
[0041]尽管在这里可使用术语第一、第二等来描述各种的元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件、组件、区域、层和/或部分与另一个元件、组件、区域、层和/或部分区分开来。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层和/或部分可被命名为第二元件、组件、区域、层和/或部分。
[0042]出于描述性目的，在这里可使用诸如“在……下面”、“在……下方”、“下”、“在……上方”、“上”等空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。空间相对术语意在包含除了在附图中描述的方位之外的装置在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”的