显示装置和用于制造显示装置的方法与流程

文档序号:33155630发布日期:2023-02-03 23:39阅读:184来源:国知局
显示装置和用于制造显示装置的方法与流程
显示装置和用于制造显示装置的方法
1.本技术要求于2021年7月28日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0099251号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
2.公开涉及一种显示装置及其制造方法。


背景技术:

3.发光显示装置可以包括两个电极和设置在两个电极之间的发射层。从一个电极注入的电子和从另一个电极注入的空穴可以在有机发射层中结合以形成激子。当激子从激发状态变为基态时,它可以发射能量并且发射光。
4.显示装置通常包括多个像素,多个像素中的每个包括发光二极管(或自发光元件)。可以形成多个晶体管和至少一个电容器,用于驱动每个像素中的发光二极管。
5.多个像素通常包括不同颜色的像素(即,能够发射不同颜色的光的像素)。
6.将理解的是,本背景技术部分在一定程度上旨在提供用于理解技术的有用背景。然而,本背景技术还可以包括想法、构思或认识,所述想法、构思或认识不是这里公开的主题的相应有效提交日期之前相关领域技术人员已知或领会的内容的一部分。


技术实现要素:

7.公开的实施例示出了通过防止不同颜色的相邻像素之间的漏发射来改善图像质量。
8.根据实施例的显示装置可以包括彼此相邻的第一像素、第二像素和第三像素,其中,第一像素、第二像素和第三像素中的每个可以包括:第一电极,设置在基底上;第一子发光部,设置在第一电极上;第一电荷产生层,设置在第一子发光部上;第二子发光部,设置在第一电荷产生层上;以及第二电极,设置在第二子发光部上,第二子发光部可以包括:空穴传输层,设置在第一电荷产生层上;以及发射层,设置在空穴传输层上,第一像素的空穴传输层可以设置在第一像素的第一电荷产生层上并且可以完全覆盖第一像素的第一电荷产生层,第一像素的空穴传输层的边缘的部分可以与第二像素的第一电荷产生层叠置,并且第二像素的第一电荷产生层可以与第三像素的第一电荷产生层分离。
9.第一像素的空穴传输层的所述边缘的所述部分的顶表面可以接触第二像素的第一电荷产生层。
10.第一像素的空穴传输层的所述边缘的所述部分可以接触设置在第一像素的第一电荷产生层下方的层的顶表面。
11.第一像素、第二像素和第三像素中的每个还可以包括设置在第一电荷产生层下方的第二电荷产生层。
12.第一像素的第二电荷产生层、第二像素的第二电荷产生层和第三像素的第二电荷产生层可以彼此连接并且可以连续地形成在基底上。
13.在第一像素、第二像素和第三像素中的每个中,第一电荷产生层和空穴传输层可以彼此对准。
14.第一电荷产生层可以是p型电荷产生层,并且第一电荷产生层可以包括空穴传输层中包括的材料以及p型掺杂剂。
15.根据实施例的显示装置可以包括:彼此相邻的第一像素、第二像素和第三像素,其中,第一像素、第二像素和第三像素中的每个可以包括:第一电极,设置在基底上;第一子发光部,设置在第一电极上;第一电荷产生层,设置在第一子发光部上;第二子发光部,设置在第一电荷产生层上;以及第二电极,设置在第二子发光部上,第二子发光部可以包括:空穴传输层,设置在第一电荷产生层上;以及发射层,设置在空穴传输层上,第三像素的第一电荷产生层的边缘的部分可以设置在第一像素的发射层上并且可以与第一像素的发射层叠置,并且第三像素的第一电荷产生层可以与第一像素的第一电荷产生层和/或第二像素的第一电荷产生层分离。
16.第二像素的第一电荷产生层的边缘的部分可以设置在第一像素的空穴传输层上并且可以接触第一像素的空穴传输层。
17.第二像素的第一电荷产生层的边缘的部分可以设置在第一像素的发射层上并且可以接触第一像素的发射层。
18.第三像素的驱动电压可以高于第一像素的驱动电压和/或第二像素的驱动电压。
19.第三像素可以显示蓝色。
20.第一像素的空穴传输层可以设置在第一像素的第一电荷产生层上并且可以完全覆盖第一像素的第一电荷产生层。
21.第一像素的空穴传输层的边缘的部分的顶表面可以接触第二像素的第一电荷产生层。
22.第一像素的空穴传输层的边缘的部分可以接触设置在第一像素的第一电荷产生层下方的层的顶表面。
23.第一像素、第二像素和第三像素中的每个还可以包括设置在第一电荷产生层下方的第二电荷产生层。
24.第一像素的第二电荷产生层、第二像素的第二电荷产生层和第三像素的第二电荷产生层可以彼此连接并且可以连续地形成在基底上。
25.在第一像素、第二像素和第三像素中的每个中,第一电荷产生层和空穴传输层可以彼此对准。
26.根据实施例的用于制造显示装置的方法可以包括:在基底上形成第一像素、第二像素和第三像素的电极;在电极上形成第一像素、第二像素和第三像素的子发光部;在第一像素的子发光部上顺序地形成第一像素的电荷产生层、第一像素的空穴传输层和第一像素的发射层;以及在形成第一像素的发射层之后,在第三像素的子发光部上顺序地形成第三像素的电荷产生层、第三像素的空穴传输层和第三像素的发射层。
27.用于制造显示装置的方法还可以包括:在形成第一像素的发射层之后并且在形成第三像素的电荷产生层之前,在第二像素的子发光部上顺序地形成第二像素的电荷产生层、第二像素的空穴传输层和第二像素的发射层。
28.根据公开的实施例,可以通过防止不同颜色的相邻像素之间的漏发射来改善图像
质量。
附图说明
29.图1是根据实施例的显示装置的像素的剖视图;
30.图2示出了根据实施例的显示装置的像素的排列;
31.图3是根据实施例的显示装置的发光部的剖视图;
32.图4是根据实施例的用于形成显示装置的一种颜色的像素的掩模的开口的俯视平面图;
33.图5是根据实施例的用于形成显示装置的一种颜色的像素的掩模的开口的俯视平面图;
34.图6是根据实施例的用于形成显示装置的一种颜色的像素的掩模的开口的俯视平面图;
35.图7示出了根据对比示例的显示装置的相邻像素的发光部的部分层;
36.图8是示出根据对比示例的显示装置的相邻像素之间的漏发射的图片;
37.图9是示出根据实施例的显示装置的相邻像素的发光部的层的剖视图;
38.图10是根据实施例的显示装置的像素的发光部的层的剖视图;
39.图11示出了图1中所示的层的堆叠顺序;
40.图12是根据实施例的显示装置的像素的发光部的层的剖视图;并且
41.图13示出了图12中所示的层的堆叠顺序。
具体实施方式
42.在下文中将参照附图更充分地描述公开,在附图中示出了公开的实施例。如本领域技术人员将认识到的,可以以各种不同的方式修改所描述的实施例。
43.附图和描述本质上被认为是说明性的而非限制性的。在整个说明书中,同样的附图标记表示同样的元件。
44.另外,由于为了更好地理解和易于描述,任意地示出了附图中所示的每个构造的尺寸和厚度,因此公开不一定限于附图。在附图中,为了清楚起见,夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。另外,在附图中,为了更好地理解和易于描述,夸大了一些层和区域的厚度。
45.将理解的是,当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时,该元件可以直接在所述另一元件上,或者也可以存在居间元件。相反,当元件被称为“直接在”另一元件“上”时,不存在居间元件。此外,在整个说明书中,词语“在”目标元件“上”将被理解为意味着定位在目标元件的上方或下方,并且将不一定被理解为意味着基于与重力方向相反的方向定位在“上侧处”。
46.另外,除非明确地相反描述,否则词语“包括”以及诸如“包括”或“包含”的变型将被理解为暗示包括所陈述的元件但不排除任何其他元件。
47.此外,在整个说明书中,短语“在平面上”意味着从顶部观看目标部分,并且短语“在剖面上”意味着观看通过从侧面竖直切割目标部分而形成的剖面。
48.另外,当在整个说明书中使用“连接到”时,这不仅意味着两个或更多个构成元件直接连接,而且意味着两个或更多个构成元件通过其他构成元件间接连接、物理连接和电
连接,或者根据位置或功能由不同的名称表示同时是一体的。
49.出于本公开的目的,“x、y和z中的至少一个(种/者)”和“选自由x、y和z组成的组中的至少一个(种/者)”可以被解释为仅x、仅y、仅z,或者x、y和z中的两个或更多个的任何组合,诸如以xyz、xyy、yz和zz为例。如这里所使用的,术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。
50.尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件,但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一个元件区分开。因此,在不脱离公开的教导的情况下,下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。
51.术语“叠置”或“叠置的”意味着第一对象可以在第二对象的上方或下方或侧面,反之亦然。另外,术语“叠置”可以包括层、堆叠、面对或面向、在
……
之上延伸、覆盖或部分覆盖或者如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其他合适的术语。当元件被描述为“不与”另一元件“叠置”或“与”另一元件“不叠置”时,这可以包括元件彼此间隔开、彼此偏移或彼此分开设置或者本领域普通技术人员将领会和理解的任何其他合适的术语。
52.如这里所使用的“大约(约)”、“大致”或“基本上(基本)”包括所陈述的值,并且意味着:考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即,测量系统的局限性),在如由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受偏差范围内。例如,“大约(约)”可以表示在一个或更多个标准偏差内,或者在所陈述的值的
±
30%、
±
20%、
±
10%、
±
5%内。
53.参照图1和图2,将描述根据实施例的显示装置。
54.图1是根据实施例的显示装置的像素的示意性剖视图,并且图2示出了根据实施例的显示装置的像素的排列。
55.在x-y平面上的平面图中,根据实施例的显示装置包括发射不同颜色的像素px。每个像素px可以包括发光二极管120和用于将驱动电压传输到发光二极管120的至少一个晶体管t。
56.参照图1,将描述显示装置的在与x-y平面垂直的z方向上堆叠的剖面结构的示例。
57.根据实施例的显示装置可以包括基底110。
58.基底110可以包括诸如聚酰亚胺的塑料材料或者玻璃。基底110可以包括可以弯曲或折叠的柔性材料,并且可以是单层或多层。
59.尽管在附图中未示出,但是还可以在基底110上设置包括无机绝缘材料或有机绝缘材料的缓冲层。
60.半导体ac可以设置在基底110上。半导体ac可以包括导电区域和沟道区域。半导体ac可以包括诸如非晶硅、多晶硅、氧化物半导体等的半导体材料。
61.栅极绝缘层111可以定位在半导体ac上。栅极绝缘层111可以具有单层结构或多层结构,并且可以包括无机绝缘材料。
62.栅电极ge可以设置在栅极绝缘层111上。栅电极ge可以与半导体ac的沟道区域叠置。栅电极ge可以具有单层结构或多层结构,并且可以包括诸如钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和/或钛(ti)的金属材料。
63.层间绝缘层112可以定位在栅电极ge上。层间绝缘层112可以具有单层结构或多层结构,并且可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。
64.源电极se和漏电极de可以定位在层间绝缘层112上。源电极se和漏电极de可以具
有单层结构或多层结构,并且可以包括铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)、铜(cu)和/或其组合。
65.源电极se和漏电极de可以通过层间绝缘层112和栅极绝缘层111的各个孔与半导体ac的各个导电区域电连接。
66.半导体ac、栅电极ge、源电极se和漏电极de形成晶体管t。
67.保护层113可以设置在源电极se和漏电极de上。保护层113可以包括诸如各种聚合物树脂的有机绝缘材料。
68.第一电极pe可以定位在保护层113上。第一电极pe可以具有单层结构或多层结构,并且可以包括透明导电氧化物层和金属中的至少一种。透明导电氧化物层可以由例如izo、igzo、itzo等形成。
69.第一电极pe定位在每个像素px处,并且与相邻(或邻近)像素px的第一电极pe分离且绝缘。
70.第一电极pe可以通过保护层113中的孔电连接到晶体管t的漏电极de。第一电极pe可以从漏电极de接收将要传输到发光部tleu的输出电流。
71.绝缘层114可以设置在保护层113上。绝缘层114也可以被称为堤层或像素限定层,并且可以包括与第一电极pe叠置的像素开口114a。绝缘层114可以包括诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯或酚醛树脂的有机绝缘材料。在实施例中,绝缘层114还可以包括黑色颜料。
72.发光部tleu可以定位在第一电极pe上。发光部tleu包括多个层。如图1中所示,发光部tleu包括定位在绝缘层114的每个像素开口114a中的层。发光部tleu可以包括不但在像素开口114a内部而且在像素开口114a外部的绝缘层114的顶表面上定位的层。
73.第二电极ce可以定位在发光部tleu上。第二电极ce可以包括诸如ito、izo、igzo或itzo的透明导电材料。
74.像素px中的每个的第二电极ce可以彼此电连接以导电,并且可以形成为一个电极。
75.第二电极ce可以具有半透明特性,并且可以与第一电极pe一起形成光可以在其中往复和谐振的微腔。
76.第一电极pe、发光部tleu和第二电极ce可以形成发光二极管120。第一电极pe和第二电极ce中的一个可以用作阴极,并且另一个可以用作阳极。在公开中,将描述其中第一电极pe是阳极并且第二电极ce是阴极的示例。
77.在作为图2中所示的x-y平面的平面图中,每个像素px的发光部tleu的发光区域可以对应于第一电极pe的区域,并且可以定位在第一电极pe的区域内。
78.参照图2,第一电极pe或对应于第一电极pe的发光区域可以在平面图中以各种规则布置。在像素px包括表现(或显示)第一颜色、第二颜色和第三颜色的像素的情况下,第一颜色像素pxa的第一电极pea、第二颜色像素pxb的第一电极peb和第三颜色像素pxc的第一电极pec可以规则地布置。
79.例如,第一颜色像素pxa的第一电极pea和第二颜色像素pxb的第一电极peb可以在y方向上交替地布置,第三颜色像素pxc的第一电极pec可以与第一颜色像素pxa的第一电极pea和第二颜色像素pxb的第一电极peb在x方向上交替地布置。第一颜色像素pxa的第一电
极pea、第二颜色像素pxb的第一电极peb和第三颜色像素pxc的第一电极pec中的至少两个的面积可以在平面图中彼此不同。
80.例如,第一颜色可以是红色,第二颜色可以是绿色,并且第三颜色可以是蓝色,但是颜色不限于此。
81.密封并保护发光二极管120的封装层115可以设置在发光二极管120上。在实施例中,可以设置封装基底来替代封装层115。
82.参照图3以及图1和图2,将描述根据实施例的显示装置的发光部tleu的堆叠结构。
83.图3是根据实施例的显示装置的三个相邻(或邻近)像素pxa、pxb和pxc的发光部的示意性剖视图,并且示出了在第一电极pea、peb和pec与第二电极ce之间的发光部tleu的堆叠结构。
84.根据实施例的发光部tleu可以包括在z方向上布置的子发光部tleu1和tleu2。图3示出了单个发光部tleu包括两个子发光部(例如,第一子发光部tleu1和第二子发光部tleu2)的示例。在显示装置显示图像的情况下,第一子发光部tleu1和第二子发光部tleu2都发光,从而可以改善显示装置的图像显示特性。
85.第一子发光部tleu1可以包括从第一电极pea、peb和pec起顺序地堆叠的空穴注入层hil、空穴传输层htl、发射层lea、leb和lec以及电子传输层etl。
86.空穴注入层hil、空穴传输层htl和电子传输层etl中的每个可以连续地形成为遍及像素pxa、pxb和pxc的层。例如,空穴注入层hil、空穴传输层htl和电子传输层etl中的每个可以包括不但在图1的绝缘层114的像素开口114a内部而且在像素开口114a外部的绝缘层114的顶表面上定位的层。
87.相应的像素pxa、pxb和pxc的发射层lea、leb和lec可以大部分形成在相应的像素pxa、pxb和pxc中,并且可以与相邻像素pxa、pxb和pxc的发射层lea、leb和lec分离。例如,发射层lea、leb和lec可以主要形成在图1中所示的绝缘层114的像素开口114a中。然而,部分相邻像素pxa、pxb和pxc的发射层lea、leb和lec的边缘部分可以彼此部分地叠置。
88.发射层lea、leb和lec可以包括发射由相应的像素pxa、pxb和pxc表现(或显示)的原色的光的有机材料。
89.在相应的像素pxa、pxb和pxc中,还可以在发射层lea、leb和lec与空穴传输层htl之间形成辅助层lea-1、leb-1和lec-1。辅助层lea-1、leb-1和lec-1可以具有厚度,根据谐振条件以所述厚度调节光在第一电极pea、peb和pec与第二电极ce之间往复运动的路径的长度。另外,辅助层lea-1、leb-1和lec-1中的至少一部分(例如,第三颜色像素pxc的辅助层lec-1)可以阻挡发射层lea、leb和lec的电子传递到空穴传输层htl。
90.在其他实施例中可以省略辅助层lea-1、leb-1和lec-1。
91.类似于发射层lea、leb和lec,一些相邻像素pxa、pxb和pxc的辅助层lea-1、leb-1和lec-1的边缘部分可以彼此部分地叠置。
92.在第一颜色像素pxa表现(或显示)红色、第二颜色像素pxb表现(或显示)绿色、并且第三颜色像素pxc表现(或显示)蓝色的情况下,第一颜色像素pxa的辅助层lea-1可以在z方向上具有最厚的厚度,并且第三颜色像素pxc的辅助层lec-1可以在z方向上具有最薄的厚度。然而,实施例不限于此。
93.可以省略第一子发光部tleu1的空穴注入层hil、空穴传输层htl和电子传输层etl
中的至少一部分。
94.第二子发光部tleu2可以从底部起按顺序包括空穴传输层htla、htlb和htlc、发射层lea、leb和lec、缓冲层buf和电子传输层etl。
95.相应的像素pxa、pxb和pxc的第二子发光部tleu2的发射层lea、leb和lec可以具有与第一子发光部tleu1的发射层lea、leb和lec的功能和特性相同的功能和特性。
96.与发射层lea、leb和lec类似,相应的像素pxa、pxb和pxc的空穴传输层htla、htlb和htlc中的大部分可以形成在对应的像素pxa、pxb和pxc中,并且可以与相邻像素pxa、pxb和pxc的空穴传输层htla、htlb和htlc分离。例如,空穴传输层htla、htlb和htlc中的大部分可以形成在图1的绝缘层114的像素开口114a中。然而,部分相邻像素pxa、pxb和pxc的空穴传输层htla、htlb和htlc的边缘部分可以彼此部分地叠置。
97.在相应的像素pxa、pxb和pxc的第二子发光部tleu2中,还可以在发射层lea、leb和lec与空穴传输层htla、htlb和htlc之间形成辅助层lea-1、leb-1和lec-1。第二子发光部tleu2的辅助层lea-1、leb-1和lec-1可以具有与第一子发光部tleu1的辅助层lea-1、leb-1和lec-1的功能和特性相同的功能和特性。
98.缓冲层buf和电子传输层etl中的每个可以连续地形成为遍及像素pxa、pxb和pxc的层。例如,缓冲层buf和电子传输层etl可以包括不但在图1的上述绝缘层114的像素开口114a内部而且在像素开口114a外部的绝缘层114的顶表面上定位的层。
99.缓冲层buf可以包括绝缘材料。
100.可以省略缓冲层buf和电子传输层etl中的至少一部分。
101.电荷产生层cgl设置在沿z方向彼此相邻(或邻近)的第一子发光部tleu1与第二子发光部tleu2之间。
102.电荷产生层cgl可以包括n型电荷产生层n-cgl以及p型电荷产生层p-cgla、p-cglb和p-cglc。在相应的像素pxa、pxb和pxc中,n型电荷产生层n-cgl和p型电荷产生层p-cgla、p-cglb和p-cglc可以彼此接触以形成np结。可以通过np结在n型电荷产生层n-cgl与p型电荷产生层p-cgla、p-cglb和p-cglc之间同时产生电子和空穴。所产生的电子通过n型电荷产生层n-cgl传输到第一子发光部tleu1,并且所产生的空穴通过p型电荷产生层p-cgla、p-cglb和p-cglc传输到第二子发光部tleu2。
103.n型电荷产生层n-cgl可以连续地形成为遍及像素pxa、pxb和pxc的层。例如,n型电荷产生层n-cgl可以包括不但在图1的绝缘层114的像素开口114a内部而且在像素开口114a外部的绝缘层114的顶表面上定位的层。
104.相应的像素pxa、pxb和pxc的p型电荷产生层p-cgla、p-cglb和p-cglc中的大部分可以分别形成在对应的像素pxa、pxb和pxc中,并且可以与相邻像素pxa、pxb和pxc的p型电荷产生层p-cgla、p-cglb和p-cglc分离。例如,p型电荷产生层p-cgla、p-cglb和p-cglc中的大部分可以形成在图1的绝缘层114的像素开口114a中。然而,一些相邻像素pxa、pxb、pxc的p型电荷产生层p-cgla、p-cglb和p-cglc的边缘部分可以彼此部分地叠置。
105.n型电荷产生层n-cgl的导电性可以低于p型电荷产生层p-cgla、p-cglb和p-cglc的导电性,但是实施例不限于此。
106.在针对像素pxa、pxb和pxc形成连续的p型电荷产生层的情况下,像素pxa、pxb或pxc的电流会在显示装置被驱动时通过连续的p型电荷产生层流到相邻像素pxa、pxb和pxc,
因此非预期的像素也会发光。例如,当以相对高的驱动电压驱动像素(诸如蓝色像素)时,由高驱动电压引起的高电流会通过p型电荷产生层流到不同颜色的相邻像素,并且会泄漏和发射不同颜色的光。这被称为“漏发射”。
107.然而,根据实施例,p型电荷产生层p-cgla、p-cglb和p-cglc分别地形成在相应的像素pxa、pxb和pxc中。因此,如上所述,能够防止不同颜色的相邻像素之间的漏发射。
108.根据另一实施例,n型电荷产生层n-cgl也可以针对相应的像素pxa、pxb和pxc分别地形成。在这种情况下,每个像素的n型电荷产生层n-cgl可以主要形成在如上面参照图1所描述的绝缘层114的像素开口114a中。
109.参照图3,还可以在第二电极ce上形成作为绝缘层的覆盖层cpl。
110.参照图4至图6以及图1至图3,将描述根据实施例的用于制造显示装置的发光部的方法。
111.图4是根据实施例的用于形成显示装置的一种颜色的像素的掩模的开口的示意性俯视平面图,图5是根据实施例的用于形成显示装置的一种颜色的像素的掩模的开口的示意性俯视平面图,并且图6是根据实施例的用于形成显示装置的一种颜色的像素的掩模的开口的示意性俯视平面图。
112.可以在基底上形成第一电极pea、peb和pec,并且可以在整个基底上顺序地堆叠空穴注入层hil和空穴传输层htl。在这种情况下,可以在沉积室中使用具有用于像素pxa、pxb和pxc的开口的开口掩模。
113.可以在其上形成有空穴传输层htl的基底上顺序地堆叠辅助层lea-1、leb-1和lec-1以及发射层lea、leb和lec。
114.在这种情况下,如图4中所示,可以通过使用掩模fmma的沉积工艺来形成第一颜色像素pxa的辅助层lea-1和发射层lea,掩模fmma具有与第一颜色像素pxa的发光区域对应的开口fmoa。
115.如图5中所示,可以通过使用掩模fmmb的沉积工艺来形成第二颜色像素pxb的辅助层leb-1和发射层leb,掩模fmmb具有与第二颜色像素pxb的发光区域对应的开口fmob。
116.如图6中所示,可以通过使用掩模fmmc的沉积工艺来形成第三颜色像素pxc的辅助层lec-1和发射层lec,掩模fmmc具有与第三颜色像素pxc的发光区域对应的开口fmoc。
117.掩模fmma、fmmb和fmmc中的每个可以是例如精细金属掩模。
118.可以在整个基底上顺序地堆叠电子传输层etl和n型电荷产生层n-cgl。因此,可以完成第一子发光部tleu1,并且可以在第一子发光部tleu1上形成n型电荷产生层n-cgl。在这种情况下,可以在沉积室中使用具有用于像素pxa、pxb、pxc的开口的开口掩模。可以通过使用电子传输层etl的材料作为主体并掺杂和沉积n型掺杂剂材料来形成n型电荷产生层n-cgl。
119.可以在基底上顺序地堆叠p型电荷产生层p-cgla、p-cglb和p-cglc以及空穴传输层htla、htlb和htlc。在这种情况下,可以使用利用分别在图4至图6中示出的掩模fmma、fmmb和fmmc的沉积工艺。
120.例如,可以通过在沉积室中使用具有与第一颜色像素pxa对应的开口fmoa的掩模fmma来在第一颜色像素pxa中顺序地堆叠p型电荷产生层p-cgla和空穴传输层htla。
121.在形成第一颜色像素pxa的辅助层lea-1和发射层lea之前或之后,可以通过使用
掩模fmmb或掩模fmmc分别在第二颜色像素pxb或第三颜色像素pxc中顺序地堆叠p型电荷产生层p-cglb和空穴传输层htlb或者p型电荷产生层p-cglc和空穴传输层htlc。
122.因此,在像素pxa、pxb和pxc中的每个中顺序地沉积的p型电荷产生层p-cgla、p-cglb和p-cglc以及空穴传输层htla、htlb和htlc可以彼此对准。
123.在相应的像素pxa、pxb和pxc中,也可以通过使用如图4至图6中所示的掩模fmma、fmmb和fmmc的沉积工艺来形成辅助层lea-1、leb-1和lec-1以及发射层lea、leb和lec。在这种情况下,可以在与在其中沉积p型电荷产生层p-cgla、p-cglb和p-cglc以及空穴传输层htla、htlb和htlc的室不同或相同的室中进行发射层lea、leb和lec的沉积。可以在发射层lea、leb和lec的沉积之前沉积辅助层lea-1、leb-1和lec-1。
124.在实施例中,在相应的像素pxa、pxb和pxc中,p型电荷产生层p-cgla、p-cglb和p-cglc以及空穴传输层htla、htlb和htlc的沉积可以在同一室中连续地进行。
125.因此,在相应的像素pxa、pxb和pxc中,p型电荷产生层p-cgla、p-cglb和p-cglc以及空穴传输层htla、htlb和htlc可以通过使用掩模fmma、fmmb和fmmc来沉积,因此它们可以在x-y平面上基本上彼此对准。然而,由于p型电荷产生层p-cgla、p-cglb和p-cglc以及空穴传输层htla、htlb和htlc在相邻像素pxa、pxb和pxc之间使用不同的掩模来沉积,因此它们可以进一步彼此分离,或者边缘中的一些可以由于掩模fmma、fmmb和fmmc的对准误差而彼此叠置。
126.在相应的像素pxa、pxb和pxc中,在形成对应的像素的p型电荷产生层p-cgla、p-cglb和p-cglc以及空穴传输层htla、htlb和htlc之后,可以用相同的掩模fmma、fmmb和fmmc来堆叠发射层lea、leb和lec中的每个。在这种情况下,相应的发射层lea、leb和lec可以与对应的p型电荷产生层p-cgla、p-cglb和p-cglc以及空穴传输层htla、htlb和htlc基本上对准。然而,在通过单独的工艺来沉积相应的像素pxa、pxb和pxc的发射层lea、leb和lec的情况下,掩模fmma、fmmb和fmmc会被重新对准,并且在相应的像素pxa、pxb和pxc中,发射层lea、leb和lec会由于掩模fmma、fmmb和fmmc的对准误差而与下面的p型电荷产生层p-cgla、p-cglb和p-cglc以及空穴传输层htla、htlb和htlc不精确地对准。
127.由于在相邻像素pxa、pxb和pxc之间使用不同的掩模fmma、fmmb和fmmc来沉积发射层lea、leb和lec,因此发射层lea、leb和lec会由于掩模fmma、fmmb和fmmc的对准误差而彼此间隔开,或者发射层lea、leb和lec的边缘的部分会彼此叠置。
128.与上述附图一起来参照图7至图9,根据实施例的显示装置的特征将与对比示例进行对比。
129.图7是作为对比示例的显示装置的相邻像素的发光部的部分层的示意性剖视图,在该对比示例中,形成了第一颜色像素pxa的p型电荷产生层p-cgla和空穴传输层htla并且使用掩模fmmb形成第二颜色像素pxb的p型电荷产生层p-cglb和空穴传输层htlb。
130.参照图7,在发生对准误差sh因此掩模fmmb在一侧上对准的情况下,响应于开口fmob而沉积的第二颜色像素pxb的p型电荷产生层p-cglb和空穴传输层htlb的边缘的一部分会与第一颜色像素pxa的p型电荷产生层p-cgla和空穴传输层htla的边缘部分地叠置。如图7中的区域aa中所示,会出现第一颜色像素pxa的p型电荷产生层p-cgla和第二颜色像素pxb的p型电荷产生层p-cglb可能在其中彼此接触的高风险区域。
131.相邻像素pxa和pxb的p型电荷产生层p-cgla和p-cglb可以彼此电连接,就好像它
们形成为连续的层一样。在相邻像素pxa和pxb的驱动电压存在差异的情况下,漏电流会通过在两个像素pxa和pxb之间的彼此接触的p型电荷产生层p-cgla和p-cglb从具有高驱动电压的像素流到具有低驱动电压的像素,这会导致漏发射。例如,在具有高驱动电压的像素被驱动的情况下,与该像素相邻的不同颜色的像素的发射层也被驱动,这会导致漏发射。
132.图8是示出根据对比示例的显示装置的相邻像素之间的漏发射的图片,并且图9是示出根据实施例的显示装置的相邻像素的发光部的一些层的示意性剖视图。
133.参照图8,例如,当通过仅使蓝色像素b发射来表现(或显示)蓝色时,因蓝色像素b的相对高的驱动电压引起的电流会流过绿色像素g的p型电荷产生层或红色像素r的p型电荷产生层(如图7的区域aa中所示,绿色像素g或红色像素r是接触蓝色像素b的p型电荷产生层的相邻像素),使得绿色像素g或红色像素r的发射层发光,这会导致颜色混合。在这种情况下,蓝色像素b的驱动电压可以高于绿色像素g或红色像素r的驱动电压。
134.与图7相比,图8的蓝色像素b可以是图7的第二颜色像素pxb,并且图8的绿色像素g和红色像素r可以是图7的第一颜色像素pxa。在发生对准误差sh因此蓝色像素b的p型电荷产生层p-cglb向右侧对准的情况下,蓝色像素b的p型电荷产生层p-cglb与作为第一颜色像素pxa的绿色像素g或红色像素r的发射层叠置,因此绿色像素g的发射层或红色像素r的发射层会如图8中的由箭头标记的区域中所示地发光。
135.然而,根据实施例,如图9中所示,空穴传输层htla设置在相邻(或邻近)的p型电荷产生层p-cgla和p-cglb之间,因此即使相邻的p型电荷产生层p-cgla和p-cglb的一些边缘彼此叠置,它们也可以可靠地彼此绝缘。
136.第二颜色像素pxb的p型电荷产生层p-cglb的边缘的一部分定位在设置在第一颜色像素pxa的p型电荷产生层p-cgla上的空穴传输层htla的边缘上,并且空穴传输层htla的边缘的一部分的顶表面可以接触第二颜色像素pxb的p型电荷产生层p-cglb。
137.设置在相邻的p型电荷产生层p-cgla和p-cglb之间的空穴传输层htla的边缘部分可以接触设置在p型电荷产生层p-cgla和p-cglb下方的层的顶表面,例如,如图3中所示的n型电荷产生层n-cgl的顶表面。
138.在相应的像素pxa、pxb和pxc中,空穴传输层htla、htlb和htlc的宽度在平面图中大于p型电荷产生层p-cgla、p-cglb和p-cglc的宽度,并且空穴传输层htla、htlb和htlc可以分别完全覆盖对应的p型电荷产生层p-cgla、p-cglb和p-cglc。
139.例如,在第一颜色像素pxa中,空穴传输层htla的边缘可以比对应的p型电荷产生层p-cgla的边缘大第一宽度waa。在第二颜色像素pxb中,空穴传输层htlb的边缘可以比对应的p型电荷产生层p-cglb的边缘大第二宽度wab。第一宽度waa和第二宽度wab中的每个大于零。
140.在相应的像素pxa、pxb和pxc中,对应的p型电荷产生层p-cgla、p-cglb和p-cglc与空穴传输层htla、htlb和htlc之间的宽度差可以不同或相同。例如,第一宽度waa和第二宽度wab可以彼此相同或不同。
141.由于第二颜色像素pxb的p型电荷产生层p-cglb在右侧具有对准误差sh,因此p型电荷产生层p-cglb的左侧可以进一步远离其相邻(或邻近)的第三颜色像素pxc的p型电荷产生层p-cglc和空穴传输层htlc。
142.在制造显示装置的这种方法中,p型电荷产生层p-cgla、p-cglb和p-cglc的p型掺
杂剂的沉积源的入射角可以大于空穴传输层htla、htlb和htlc的材料(p型电荷产生层的主体也可以是相同的材料)的沉积源的入射角,从而可以进行沉积工艺。因此,沉积空穴传输层htla、htlb和htlc的区域可以大于沉积p型电荷产生层p-cgla、p-cglb和p-cglc的区域,因此空穴传输层htla、htlb和htlc可以完全围绕p型电荷产生层p-cgla、p-cglb和p-cglc。因此,相邻像素的p型电荷产生层p-cgla、p-cglb和p-cglc可以彼此完全分离。
143.因此,尽管相邻像素pxa和pxb的p型电荷产生层p-cgla和p-cglb在z方向上彼此叠置或者形成为在平面图中彼此靠近,但是可以防止漏电流在相邻的p型电荷产生层p-cgla和p-cglb之间流动,从而防止来自不同颜色的相邻像素的不期望的漏发射。
144.参照图10和图11,将描述根据实施例的显示装置。
145.图10是根据实施例的显示装置的像素的发光部的一些层的示意性剖视图,并且图11示出了图10中所示的层的堆叠顺序。
146.本实施例的显示装置可以包括p型电荷产生层p-cgla、p-cglb和p-cglc、第二子发光部tleu2的空穴传输层htla、htlb和htlc以及发射层lea、leb和lec的堆叠结构。
147.例如,在不同颜色的相邻像素pxa、pxb、pxc之中,可以首先形成两个像素(例如,pxa和pxb)的p型电荷产生层p-cgla和p-cglb、空穴传输层htla和htlb以及发射层lea和leb,然后可以顺序地形成剩余像素(例如,pxc)的p型电荷产生层p-cglc、空穴传输层htlc和发射层lec。
148.在形成两个像素的p型电荷产生层p-cgla和p-cglb以及空穴传输层htla和htlb之后,可以顺序地形成两个像素的发射层lea和leb。
149.首先形成的两个像素可以是第一颜色像素pxa和第二颜色像素pxb,并且随后形成的像素可以是第三颜色像素pxc。
150.最后形成的第三颜色像素pxc可以是三个像素pxa、pxb和pxc之中的以最高驱动电压驱动的像素。第一颜色像素pxa和第二颜色像素pxb的驱动电压可以彼此相似或相同。
151.在实施例中,具有高驱动电压的第三颜色像素pxc的p型电荷产生层p-cglc可以晚于第一颜色像素pxa的发射层lea和第二颜色像素pxb的发射层leb形成。因此,第一颜色像素pxa的发射层lea和第二颜色像素pxb的发射层leb可以定位在第三颜色像素pxc的p型电荷产生层p-cglc下方。因此,在仅驱动第三颜色像素pxc的情况下,即使存在发射层lea和leb与第三颜色像素pxc的p型电荷产生层p-cglc叠置的区域,相邻的第一颜色像素pxa和第二颜色像素pxb的发射层lea和leb也可以不发光。
152.例如,尽管第二颜色像素pxb的发射层leb的一部分由于掩模对准误差而在区域bb中与第三颜色像素pxc的p型电荷产生层p-cglc叠置,但是在区域bb中没有光从发射层leb发射。相反,第三颜色像素pxc的发射层lec可以在第三颜色像素pxc的发射层lec与p型电荷产生层p-cglc叠置的区域cc中正常发光。当驱动第三颜色像素pxc时,不存在来自其他颜色的相邻像素的漏光,因此可以防止颜色混合并且可以改善图像质量。
153.在第一颜色像素pxa中,也可以以相同或相似的方式来防止不期望的光发射,并且因此可以防止漏发射。
154.例如,如图10中所示,第三颜色像素pxc的p型电荷产生层p-cglc的边缘的一部分可以定位在第一颜色像素pxa的发射层lea上,以与第一颜色像素pxa的发射层lea叠置。第三颜色像素pxc的p型电荷产生层p-cglc可以与第一颜色像素pxa的p型电荷产生层p-cgla
和/或第二颜色像素pxb的p型电荷产生层p-cglb分离。
155.此外,如图10中所示,第三颜色像素pxc的p型电荷产生层p-cglc的另一边缘的一部分可以定位在第二颜色像素pxb的发射层leb之上,因此可以与第二颜色像素pxb的发射层leb叠置。第三颜色像素pxc的p型电荷产生层p-cglc的另一边缘的该部分可以与第二颜色像素pxb的发射层leb间隔开或者可以不与第二颜色像素pxb的发射层leb间隔开。
156.参照图12和图13,将描述根据实施例的显示装置。
157.图12是根据实施例的显示装置的像素的发光部的一些层的示意性剖视图,并且图13示出了图12中所示的层的堆叠顺序。
158.本实施例的显示装置可以包括p型电荷产生层p-cgla、p-cglb和p-cglc、第二子发光部tleu2的空穴传输层htla、htlb和htlc以及发射层lea、leb和lec的堆叠结构。
159.可以连续地沉积像素pxa、pxb和pxc的p型电荷产生层p-cgla、p-cglb和p-cglc、空穴传输层htla、htlb和htlc以及发射层lea、leb和lec。
160.例如,在顺序地形成第一颜色像素pxa的p型电荷产生层p-cgla、空穴传输层htla和发射层lea之后,可以顺序地形成第二颜色像素pxb的p型电荷产生层p-cglb、空穴传输层htlb和发射层leb,然后可以顺序地形成第三颜色像素pxc的p型电荷产生层p-cglc、空穴传输层htlc和发射层lec。
161.在这种情况下,可以首先形成具有低驱动电压的像素,并且可以稍后形成具有高驱动电压的像素。在图12和图13中所示的实施例中,在第一颜色像素pxa、第二颜色像素pxb和第三颜色像素pxc的驱动电压之中,最后形成的第三颜色像素pxc的驱动电压可以是最高的,首先形成的第一颜色像素pxa的驱动电压可以是最低的,并且在中间形成的第二颜色像素pxb的驱动电压可以在第一颜色像素pxa的驱动电压与第三颜色像素pxc的驱动电压之间。
162.在实施例中,具有相对高的驱动电压的像素的p型电荷产生层可以晚于具有相对低的驱动电压的相邻像素的发射层形成。因此,具有相对低的驱动电压的像素的发射层可以定位在具有相对高的驱动电压的相邻像素的p型电荷产生层下方,因此可以不发光。
163.具有相对低的驱动电压的第一颜色像素pxa和第二颜色像素pxb的发射层lea和leb可以设置在具有相对高的驱动电压的第三颜色像素pxc的p型电荷产生层p-cglc下方。具有相对低的驱动电压的第一颜色像素pxa的发射层lea可以定位在具有相对高的驱动电压的第二颜色像素pxb的p型电荷产生层p-cglb下方。
164.因此,尽管第二颜色像素pxb的发射层leb的一部分由于掩模的对准误差而在区域dd中与第三颜色像素pxc的p型电荷产生层p-cglc叠置,但是在区域dd中没有光从发射层leb发射。相反,第三颜色像素pxc的发射层lec可以在发射层lec与p型电荷产生层p-cglc叠置的区域ee中正常发光。尽管第一颜色像素pxa的发射层lea的一部分在区域ff中与第二颜色像素pxb的p型电荷产生层p-cglb叠置,但是在区域ff中没有光从发射层lea发射。
165.因此,当驱动一种颜色的像素时,不存在来自其他颜色的相邻像素的漏发射,因此可以防止颜色混合并且可以改善图像质量。
166.参照图9描述的实施例的特征适用于图10和图11的实施例以及图12和图13的实施例。
167.将理解的是,实施例不限于本公开的那些实施例。相反,旨在覆盖包括在所附权利
要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。
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