显示面板的制作方法

显示面板
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2021年8月11日提交的韩国专利申请第10-2021-0105806号的权益和优先权，出于所有目的，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
3.本公开内容涉及显示面板。


背景技术：

4.根据发光层的材料，电致发光显示装置通常分为无机发光显示装置和有机发光显示装置。有源矩阵型的有机发光显示装置包括有机发光二极管(在下文中，被称为“oled”)，所述oled通过自身发光并且具有响应速度快、发光效率和亮度高且视角宽的优点。在有机发光显示装置中，oled形成在每个像素中。有机发光显示装置不仅具有快响应速度以及优异的发光效率、亮度和视角，而且还具有优异的对比度和颜色再现性，这是因为它能够以全黑表现灰度黑。
5.由于像素结构和互连的规则性，可以在显示装置中看到干涉条纹。这样的干涉条纹导致显示在显示面板上的图像的显示质量下降。
6.在背景部分中提供的描述不应当仅仅因为它在背景部分中被提及或与背景部分相关联而被认为是现有技术。背景部分可以包括描述主题技术的一个或更多个方面的信息。


技术实现要素：

7.在一个或更多个方面中，本公开内容的实施方式可以解决上述需求和/或问题以及相关技术的其他缺点。
8.在一个或更多个方面中，本公开内容的实施方式旨在提供一种减少干涉条纹的显示面板。
9.由本公开内容的实施方式所解决的问题不限于以上所提及的这些，并且本领域技术人员通过本文的描述将清楚地理解其他问题(未提及但是由本公开内容的实施方式解决的)。
10.根据本公开内容的一方面，显示面板可以包括设置在基板上的电路层、设置在电路层上的发光元件层、以及被配置成覆盖发光元件层的封装层。
11.发光元件层可以包括具有开口的堤图案，该开后覆盖电极图案的边缘。堤图案可以包括锥形部分，该锥形部分具有从电极图案的端部到开口的宽度。
12.堤图案可以包括形成在发射区域与非发射区域之间的边界处的锥形部分。
13.子像素内的锥形部分的宽度和倾斜角中的至少一个可以被部分不同地设置。锥形部分的宽度和倾斜角可以在显示面板的子像素内变化。
14.附加特征和方面将部分地在随后的描述中阐述，并且将部分地从描述中变得明
显，或者可以通过在本文中提供的发明构思的实践而获知。本发明构思的其他特征和方面可以通过在本公开内容中指出的或可从其得出的结构及其权利要求以及附图来实现和获得。
15.应当理解，前述描述和以下对本公开内容的描述两者都是示例性的和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本公开内容的进一步说明。
附图说明
16.附图被包括以提供对本公开内容的进一步理解并且被并入并构成本技术的一部分，附图示出了本公开内容的各方面和实施方式并且与说明书一起用于说明本公开内容的原理。在附图中：
17.图1是示出根据本公开内容的示例实施方式的显示装置的视图；
18.图2至图4是示出可用作本公开内容的示例实施方式的像素电路的各种像素电路的电路图；
19.图5是示出施加至图4所示的像素电路的驱动信号的波形图的示例；
20.图6至图8是示出根据本公开内容的示例实施方式的显示面板的各种结构的截面图；
21.图9是示出发光元件和堤图案的结构的截面图的示例；
22.图10a和图10b是示出其中干涉条纹被视觉识别的堤图案的视图的示例；
23.图11是示出具有与图10a和图10b中相同的堤图案的子像素的干涉条纹的实验结果图像的示例；
24.图12是示出根据本公开内容的示例实施方式的堤图案的平面图；
25.图13是图12中的部分“a”的放大图的示例；
26.图14a是示出图12中所示的不平坦图案的凸部的截面图的示例；
27.图14b是示出图12中所示的不平坦图案的凹部的截面图的示例；
28.图15是示出由图14a和图14b所示的堤图案的锥形部分反射的光的示意图的示例；
29.图16是示出从具有与图14a和图14b中相同的堤图案的子像素发射的光的实验结果图像的示例；
30.图17a至图17c是示出根据本公开内容的另一示例实施方式的堤图案的结构的平面图和截面图；
31.图18是示出由图17a至图17c所示的堤图案的锥形部分反射的光的示意图的示例；
32.图19a至图21b是示出与堤图案的开口直径相比具有不同宽度的不平坦图案的子像素的平面图的示例、以及示出从子像素发射的光的实验结果图像的示例；
33.图22a至图24b是示出具有不同倾斜角的锥形部分的子像素的平面图的示例以及示出从子像素发射的光的实验结果图像的示例；
34.图25a和图25b是示出其中锥形部分的不平坦图案形成为不规则图案的子像素的平面图的示例以及示出从子像素发射的光的实验结果图像的示例；
35.图26是示出对不同颜色的子像素不同地应用不平坦图案和雕刻图案的示例的视图；以及
36.图27是示出对相同颜色的子像素不同地应用不平坦图案和雕刻图案的示例的视
图。
37.贯穿附图和详细描述，除非另外描述，否则相同的附图标记应当被理解为指代相同的元件、特征和结构。为了清楚、说明和方便起见，可以扩大这些元件的相对尺寸和描绘。
具体实施方式
38.从下面参照附图描述的实施方式中，将更加清楚地理解本公开内容的优点和特征以及用于实现本公开内容的方法。然而，本公开内容不限于以下实施方式，而是可以以各种不同的形式来实现。相反，本实施方式将使本公开内容的公开完整，并且使本领域技术人员能够完全理解本公开内容的范围。本公开内容仅被限定在所附权利要求及其等同物的范围内。
39.用于描述本公开内容的实施方式的附图中所示的形状、尺寸、区域、比率、角度、数目等仅仅是示例，并且本公开内容不限于此。贯穿本说明书，相同的附图标记通常表示相同的元件。此外，在描述本公开内容时，可以省略已知相关技术的详细描述，以避免不必要地使本公开内容的主题不清楚。
40.诸如“包含”、“包括”、“具有”、“含有”、“构成”、“由
……
形成”等术语通常旨在允许添加一个或更多个其他部件，除非这些术语与限制性术语例如“仅”一起使用。除非另有明确说明，否则对单数形式的任何引用都可以包括复数形式。词语“示例性”用于意指充当示例或说明。本文中被描述为“示例”的任何实现方式不必被解释为比其他实现方式优选或有利。
41.即使没有明确说明，部件也被解释为包括误差或容差范围。
42.当使用诸如“上”、“上方”、“下方”、“之上”、“下面”、“之下”、“靠近”、“接近”或“邻近”、“旁边”、“紧邻”等术语来描述两个部件之间的位置关系时，一个或更多个部件可以设置在或位于两个部件之间，除非这些术语与限制性术语例如“立即”或“直接”一起使用。例如，当结构被描述为位于另一结构“上”、“上方”、“下方”、“之上”、“下面”、“之下”、“旁边”，或“靠近”、“接近”、“邻近”、“紧邻”另一结构时，该描述应当被解释为包括结构彼此接触的情况以及一个或更多个附加结构被设置或插入其间的情况。此外，术语“左”、“右”、“顶”、“底”、“向下”、“向上”、“上”、“下”等指的是任意参照系。
43.在描述时间关系时，当时间顺序被描述为例如“在
……
之后”、“随后”、“接下来”或“在
……
之前”时，可以包括不连续的情况，除非使用限制性术语，例如“紧接”、“立即”或“直接”。
44.术语“第一”、“第二”等可以用于将部件彼此区分开，但是部件的功能或结构不受部件前面的序号或部件名称的限制。
45.在描述本公开内容的元件时，可以使用术语“第一”、“第二”、“a”、“b”、“(a)”、“(b)”等。这些术语旨在将对应元件与其他元件区分，并且对应元件的基础、顺序或数量不应当受到这些术语的限制。
46.除非另有说明，否则对于元件或层“连接”、“耦接”或“粘附”至另一元件或层的表达，该元件或层不仅可以直接连接、耦接或粘附至另一元件或层，而且还可以间接连接、耦接或粘附至另一元件或层，其中在该元件或层之间设置或插入有一个或更多个插入元件或层。
47.除非另有说明，否则对于元件或层与另一元件或层“接触”、“交叠”等的表达，该元件或层不仅可以与另一元件或层直接接触、交叠等，而且还可以与另一元件或层间接接触、交叠等，其中在该元件或层之间设置或插入有一个或更多个插入元件或层。
48.术语“至少一个”应当被理解为包括一个或更多个相关联的列举项的任何和所有组合。例如，“第一项、第二项和第三项中的至少一个”的含义表示从第一项、第二项和第三项中的两个或更多个提出的项的组合以及仅第一项、第二项或第三项之一。
49.第一元件、第二元件“和/或”第三元件的表达应当被理解为第一元件、第二元件和第三元件之一或者第一元件、第二元件和第三元件的任何或所有组合。通过示例的方式，a、b和/或c可以指的是仅a；仅b；仅c；a、b和c的任何或一些组合；或所有a、b和c。
50.本公开内容的各种实施方式的特征可以部分地或完全地彼此耦接或组合，并且可以以各种方式互操作、链接或驱动在一起。本公开内容的实施方式可以彼此独立地执行，或者可以以相互依赖的或相关的关系一起执行。根据本公开内容的各种实施方式的每个设备的部件可操作地耦接和配置。
51.在本公开内容的一个或更多个示例实施方式的显示装置中，像素电路和栅极驱动电路可以包括多个晶体管。晶体管可以被实现为包括氧化物半导体的氧化物薄膜晶体管(氧化物tft)、包括低温多晶硅的低温多晶硅(ltp)tft等。晶体管中的每个晶体管可以被实现为p沟道tft或n沟道tft。
52.通常，晶体管可以是包括栅极、源极和漏极的三电极元件。源极可以是向晶体管供应载流子的电极或者可以包括向晶体管供应载流子的电极。在晶体管中，载流子可能从源极开始流动。漏极可以是载流子通过其从晶体管离开的电极或者可以包括载流子通过其从晶体管离开的电极。在晶体管中，载流子可以从源极流到漏极。在n沟道晶体管的情况下，由于载流子是电子，源极电压是低于漏极电压的电压，使得电子可以从源极流到漏极。n沟道晶体管具有从漏极流到源极的电流方向。在p沟道晶体管的情况下，由于载流子是空穴，源极电压高于漏极电压，使得空穴可以从源极流到漏极。在p沟道晶体管中，由于空穴从源极流到漏极，电流从源极流到漏极。应当注意的是，晶体管的源极和漏极不是固定的。例如，可以根据施加的电压来改变源极和漏极。因此，本公开内容不受晶体管的源极和漏极的限制。在下面的描述中，可以将晶体管的源极和漏极称为第一电极和第二电极。
53.栅极信号可以在栅极导通电压与栅极截止电压之间摆动。栅极导通电压可以被设置为高于晶体管的阈值电压的电压，并且栅极截止电压可以被设置为低于晶体管的阈值电压的电压。
54.晶体管可以响应于栅极导通电压而导通，以及响应于栅极截止电压而截止。在n沟道晶体管的情况下，栅极导通电压可以是栅极高电压vgh和veh，并且栅极截止电压可以是栅极低电压vgl和vel。在p沟道晶体管的情况下，栅极导通电压可以是栅极低电压vgl或vel，并且栅极截止电压可以是栅极高电压vgh或veh。
55.在下文中，可以参照附图详细描述本公开内容的各种实施方式。另外，为了便于描述，附图中所示的每个元件的比例、尺寸和厚度可能与实际的比例、尺寸和厚度不同，并且因此，本公开内容的实施方式不限于附图中所示出的比例、尺寸和厚度。
56.参照图1，本公开内容的示例实施方式的显示装置包括显示面板pnl和显示面板驱动器，在显示面板pnl中，像素阵列aa设置在屏幕上。
57.显示面板pnl的像素阵列aa包括数据线dl、与数据线dl交叉的栅极线gl、以及多个像素p。像素p可以以由数据线dl和栅极线gl限定的矩阵的形式布置。
58.像素p中的每个像素包括具有用于颜色实现的不同颜色的子像素。子像素包括红色子像素(在下文中，被称为“r子像素”)、绿色子像素(在下文中，被称为“g子像素”)、以及蓝色子像素(在下文中，被称为“b子像素”)。像素p中的每个像素还可以包括白色子像素。在下文中，除非另有定义，否则像素可以被解释为子像素。子像素中的每个子像素可以包括像素电路。
59.像素电路可以包括发光元件、向发光元件供应电流的驱动元件、切换驱动元件和发光元件的电流路径的一个或更多个开关元件、维持驱动元件的栅极-源极电压vgs的电容器等。
60.发光元件可以被实现为有机发光二极管(oled)。oled可以包括在阳极与阴极之间形成的有机化合物层。有机化合物层可以包括空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、发射层(eml)、电子传输层(etl)和电子注入层(eil)，但是本公开内容不限于此。当电压被施加到oled的阳极和阴极时，穿过htl的空穴和穿过etl的电子被移动到eml以形成激子，并且从eml发射可见光。
61.显示面板驱动器将输入图像的像素数据写入像素p中。显示面板驱动器包括将像素数据的数据电压供应给数据线dl的数据驱动器以及将栅极脉冲顺序供应给栅极线gl的栅极驱动器gip。数据驱动器可以被集成至驱动集成电路(ic)dic中。驱动ic dic可以粘附在显示面板pnl的上端或下端处的边框区域bz上。边框区域bz是像素阵列aa之外的非显示区域。
62.驱动ic dic的数据驱动器通过数模转换器(dac)将像素数据转换成伽马补偿电压并且输出数据电压。驱动ic dic通过数据输出通道连接至数据线dl，以将数据电压供应给数据线dl。
63.驱动ic dic可以包括时序控制器。时序控制器将从主机系统sys接收到的输入图像的像素数据传输至数据驱动器并且控制数据驱动器和栅极驱动器gip的操作时序。
64.栅极驱动器gip可以包括移位寄存器，移位寄存器与像素阵列aa一起形成在显示面板pnl的电路层上。栅极驱动器gip的移位寄存器在时序控制器的控制下向栅极线gl顺序供应栅极信号。栅极信号可以包括扫描脉冲和发射控制脉冲(在下文中被称为“em脉冲”)。移位寄存器可以包括输出扫描脉冲的扫描驱动器和输出em脉冲的em驱动器。栅极驱动器gip可以设置在显示面板pnl的左边框区域bz和右边框区域bz中。
65.主机系统sys可以被实现为应用处理器(ap)。主机系统sys将输入图像的像素数据传输至驱动ic dic。主机系统sys可以通过柔性印刷电路(fpc)连接至驱动ic dic。
66.显示面板pnl具有在x轴方向上的宽度、在y轴方向上的长度和在z轴方向上的恒定厚度。显示面板pnl可以被制造成具有矩形板形状，但是本公开内容不限于此。
67.由于在显示面板的制造过程中引起的过程变化和元件特性变化，子像素之间的驱动元件的电特性可能存在差异，并且该差异会随着像素的驱动时间的流逝而进一步增加。为了补偿像素之间的驱动元件的电特性的变化，可以将内部补偿技术或外部补偿技术应用于有机发光显示装置。
68.在内部补偿技术中，在每个像素电路中实现的内部补偿电路用于检测每个子像素
的驱动元件的阈值电压，并且用阈值电压补偿驱动元件的栅极-源极电压vgs。在外部补偿技术中，外部补偿电路用于实时检测驱动元件的电流或电压，该电流或电压根据驱动元件的电特性而变化。在外部补偿技术中，通过经由针对每个像素检测到的驱动元件的电特性的变化(或改变)来调制输入图像的像素数据(数字数据)，驱动元件的电特性的变化(或改变)在每个像素中被实时补偿。
69.图2至图4是示出可用作本公开内容的示例实施方式的像素电路的各种像素电路的电路图。应当注意的是，本公开内容的像素电路不限于图2至图4所示的那些像素电路。
70.参照图2，像素电路可以包括发光元件el、向发光元件el供应电流的驱动元件dt、响应于扫描脉冲scan连接数据线dl的开关元件m01、以及连接至驱动元件dt的栅极电极的电容器cst。在像素电路中，驱动元件dt和开关元件m01可以被实现为n沟道晶体管。
71.开关元件m01可以根据扫描脉冲scan的栅极导通电压而导通，以将数据线dl连接至驱动元件dt的栅极电极。
72.驱动元件dt可以包括连接至施加有像素驱动电压elvdd的vdd线pl的第一电极、连接至开关元件m01和电容器cst的栅极电极、以及连接至发光元件el的第二电极。驱动元件dt可以根据栅极-源极电压vgs向发光元件el供应电流以驱动发光元件el。当阳极与阴极之间的正向电压大于或等于阈值电压时，发光元件el导通并且发光。
73.电容器cst可以设置在驱动元件dt的栅极电极与第二电极之间并且连接至驱动元件dt的栅极电极和第二电极，并且存储驱动元件dt的栅极-源极电压vgs。
74.参照图3，像素电路还可以包括第二开关元件m02，第二开关元件m02设置在参考电压线refl与驱动元件dt的第二电极之间并且连接至参考电压线refl和驱动元件dt的第二电极。在像素电路中，驱动元件dt以及开关元件m01和m02可以被实现为n沟道晶体管。
75.第二开关元件m02可以根据扫描脉冲scan或感测脉冲sense的栅极导通电压而导通，以将施加有参考电压vref的参考电压线refl连接至驱动元件dt的第二电极。
76.在感测模式中，可以通过参考线refl检测流过驱动元件dt的沟道的电流或者驱动元件dt与发光元件el之间的电压。流过参考线refl的电流可以通过积分器被转换成电压，并且通过模数转换器(在下文中被称为“adc”)被转换成数字数据。数字数据可以是包括驱动元件dt的阈值电压或迁移率信息的感测数据。感测数据可以被传输至驱动ic dic的补偿单元。补偿单元可以从adc接收感测数据并且通过将基于感测数据选择的补偿值添加至像素数据或者将补偿值与像素数据相乘来补偿驱动元件dt的阈值电压的偏差或变化。
77.图2和图3中所示的像素电路还可以包括响应于em脉冲而切换发光元件el的电流路径的em开关元件。em开关元件可以设置在像素驱动电压elvdd与驱动元件dt之间并且连接至该像素驱动电压elvdd和驱动元件dt，或者可以设置在驱动元件dt与诸如发光二极管(例如，led)的发光元件之间并且连接至该驱动元件dt和发光元件。
78.图4是示出应用内部补偿电路的像素电路的示例的电路图。图5是示出施加至图4所示的像素电路的驱动信号的波形图的示例。
79.参照图4和图5，像素电路可以包括发光元件el、向发光元件el供应电流的驱动元件dt、以及切换施加至发光元件el和驱动元件dt的电压的开关电路。
80.开关电路可以连接至电力线pll、pl2和pl3、数据线dl以及栅极线gl1、gl2和gl3，像素驱动电压elvdd、初始化电压vini和低电位电源电压elvss被施加至电力线pl1、pl2和
pl3。开关电路可以响应于扫描脉冲scan(n-1)和scan(n)以及em脉冲em(n)来切换施加至发光元件el和驱动元件dt的电压。
81.开关电路可以使用多个开关元件m1至m6对驱动元件dt的阈值电压vth进行采样，以将采样的驱动元件dt的阈值电压vth存储在电容器cst中，并且利用驱动元件dt的阈值电压vth来补偿驱动元件dt的栅极电压。驱动元件dt和开关元件m1至m6中的每一个都可以被实现为p沟道晶体管。
82.像素电路的驱动时段可以被划分为初始化时段tini、采样时段tsam和发射时段tem，如图5所示。
83.在采样时段tsam中可以产生第n个扫描脉冲scan(n)作为栅极导通电压vgl，并且将第n个扫描脉冲scan(n)施加至第一栅极线gll。在第n个扫描脉冲scan(n)之前可以产生第(n-1)个扫描脉冲scan(n-1)并且将第(n-1)个扫描脉冲scan(n-1)施加至第二栅极线gl2。初始化时段tini由第(n-1)个扫描脉冲scan(n-1)限定。在初始化时段tini和采样时段tsam中可以产生em脉冲em(n)作为栅极截止电压veh并且将em脉冲em(n)施加至第三栅极线gl3。
84.在初始化时段tini期间，可以产生第(n-1)个扫描脉冲scan(n-1)作为栅极导通电压vgl，并且将第(n-1)个扫描脉冲scan(n-1)施加至第二栅极线gl2。在初始化时段tini期间，第一栅极线gl1和第三栅极线gl3的电压可以是栅极截止电压vgh和veh。
85.在采样时段tsam期间，可以产生第n个扫描脉冲scan(n)作为栅极导通电压vgl的脉冲并且将第n个扫描脉冲scan(n)施加至第一栅极线gl1。在采样时段tsam期间，第二栅极线gl2和第三栅极线gl3的电压可以是栅极截止电压vgh。
86.在发射时段tem的至少一部分期间，可以产生em脉冲em(n)作为栅极导通电压vel并且将em脉冲em(n)施加至第三栅极线gl3。在发射时段tem期间，第一栅极线gl1和第二栅极线gl2的电压可以是栅极截止电压vgh。
87.发光元件el的阳极可以连接至设置在第四开关元件m4与第六开关元件m6之间的第四节点n4。第四节点n4可以连接至发光元件el的阳极、第四开关元件m4的第二电极和第六开关元件m6的第二电极。发光元件el的阴极可以连接至施加有低电位电源电压elvss的vss线pl3。发光元件el可以利用根据驱动元件dt的栅极-源极电压vgs流动的电流来发光。发光元件el的电流路径可以由第二开关元件m2和第四开关元件m4切换。
88.电容器cst可以设置在vdd线pll与第二节点n2之间并且连接至vdd线pll和第二节点n2。电容器cst可以包括连接至vdd线pl1的第一电极和连接至第二节点n2的第二电极。利用驱动元件dt的阈值电压vth补偿的数据电压vdata可以被充入电容器cst。由于在每个子像素中利用驱动元件dt的阈值电压vth来补偿数据电压vdata，因此补偿了子像素中的驱动元件dt的特性的变化(或改变)。
89.第一开关元件m1可以根据第n个扫描脉冲scan(n)的栅极导通电压vgl而导通，并且将第二节点n2连接至第三节点n3。第二节点n2可以连接至驱动元件dt的栅极电极、电容器cst的第二电极和第一开关元件m1的第一电极。第三节点n3可以连接至驱动元件dt的第二电极、第一开关元件m1的第二电极和第四开关元件m4的第一电极。第一开关元件m1的栅极电极可以连接至第一栅极线gl1以接收第n个扫描脉冲scan(n)。第一开关元件m1的第一电极可以连接至第二节点n2，并且第一开关元件m1的第二电极可以连接至第三节点n3。
90.在一个或更多个示例中，由于第一开关元件ml在一个非常短的水平时段1h期间导通，其中在一个帧时段内产生第n个扫描脉冲scan(n)作为栅极导通电压vgl，因此可以在截止状态下产生漏电流。为了抑制第一开关元件m1的漏电流，第一开关元件m1可以被实现为具有其中两个晶体管串联连接的双栅极结构的晶体管。
91.第二开关元件m2可以根据第n个扫描脉冲scan(n)的栅极导通电压vgl而导通，以将数据电压vdata供应给第一节点nl。第二开关元件m2的栅极电极可以连接至第一栅极线gl1以接收第n个扫描脉冲scan(n)。第二开关元件m2的第一电极可以连接至第一节点n1。第二开关元件m2的第二电极可以连接至施加有数据电压vdata的数据线dl。第一节点n1可以连接至第二开关元件m2的第一电极、第三开关元件m3的第二电极和驱动元件dt的第一电极。
92.第三开关元件m3可以根据em脉冲em(n)的栅极导通电压vel而导通，以将vdd线pl1连接至第一节点n1。第三开关元件m3的栅极电极可以连接至第三栅极线gl3以接收em脉冲em(n)。第三开关元件m3的第一电极可以连接至vdd线pl1。第三开关元件m3的第二电极可以连接至第一节点n1。
93.第四开关元件m4可以根据em脉冲em(n)的栅极导通电压vel而导通，以将第三节点n3连接至第四节点n4。第四开关元件m4的栅极电极可以连接至第三栅极线gl3以接收em脉冲em(n)。第四开关元件m4的第一电极可以连接至第三节点n3，并且第四开关元件m4的第二电极可以连接至第四节点n4。
94.第五开关元件m5可以根据第(n-1)个扫描脉冲scan(n-1)的栅极导通电压vgl而导通，以将第二节点n2连接至vini线pl2。第五开关元件m5的栅极电极可以连接至第二栅极线gl2以接收第(n-1)个扫描脉冲scan(n-1)。第五开关元件m5的第一电极可以连接至第二节点n2，并且第五开关元件m5的第二电极可以连接至施加有初始化电压vini的vini线pl2。为了抑制第五开关元件m5的漏电流，第五开关元件m5可以被实现为具有其中两个晶体管串联连接的双栅极结构的晶体管。
95.第六开关元件m6可以根据第n个扫描脉冲scan(n)的栅极导通电压vgl而导通，以将vini线pl2连接至第四节点n4。第六开关元件m6的栅极电极可以连接至第一栅极线gl1以接收第n个扫描脉冲scan(n)。第六开关元件m6的第一电极可以连接至vini线pl2，并且第二电极可以连接至第四节点n4。在另一实施方式中，第五开关元件m5和第六开关元件m6的栅极电极可以共同连接至施加有第(n-1)个扫描脉冲scan(n-1)的第二栅极线gl2。在这种情况下，第五开关元件m5和第六开关元件m6可以响应于初始化时段tini中的第(n-1)个扫描脉冲scan(n-1)而同时导通。
96.驱动元件dt可以根据栅极-源极电压vgs调整流过发光元件el的电流以驱动发光元件el。驱动元件dt可以包括连接至第二节点n2的栅极电极、连接至第一节点n1的第一电极和连接至第三节点n3的第二电极。
97.在初始化时段tini期间，可以产生第(n-1)个扫描脉冲scan(n-1)作为栅极导通电压vgl。第n个扫描脉冲scan(n)和em脉冲em(n)在初始化时段tini期间可以维持栅极截止电压vgh和veh。因此，在初始化时段tini期间，第五开关元件m5可以导通，并且第二节点n2可以被初始化为初始化电压vini。当第五开关元件m5和第六开关元件m6在初始化时段tini期间导通时，第二节点n2和第四节点n4可以被初始化为初始化电压vini。
98.可以在初始化时段tini与采样时段tsam之间以及采样时段tsam与发射时段tem之间设置保持时段th。在保持时段th中，扫描脉冲scan(n-1)和scan(n)以及em脉冲em(n)可以为栅极截止电压vgh，并且像素电路的主节点n1至n4可以被浮置。
99.在采样时段tsam期间，可以产生第n个扫描脉冲scan(n)作为栅极导通电压vgl。第n个扫描脉冲scan(n)的脉冲可以与要写入第n个像素线的子像素的像素数据的数据电压vdata同步。在采样时段tsam期间，第(n-1)个扫描脉冲scan(n-1)和em脉冲em(n)可以是栅极截止电压vgh和veh。因此，在采样时段tsam期间，第一开关元件m1和第二开关元件m2可以导通。在这种情况下，第六开关元件m6也可以导通以将初始化电压vini供应给第四节点n4，并且因此可以防止发光元件el的发光。
100.在采样时段tsam期间，驱动元件dt的栅极电压dtg可以通过流过第一开关元件m1和第二开关元件m2的电流而增加。在采样时段tsam中，驱动元件dt的阈值电压vth可以被电容器cst采样。
101.在发射时段tem期间，可以产生em脉冲em(n)作为栅极导通电压vgl。在发射时段tem期间，em脉冲em(n)的电压可以以预定占空比反转。因此，在发射时段tem的至少一部分期间，可以产生em脉冲em(n)作为栅极导通电压vgl。
102.当em脉冲em(n)为栅极导通电压vel时，电流在像素驱动电压elvdd与发光元件el之间流动，并且因此发光元件el可以发光。在发射时段tem期间，第(n-1)个扫描脉冲scan(n-1)和第n个扫描脉冲scan(n)可以为栅极截止电压vgh。在发射时段tem期间，第三开关元件m3和第四开关元件m4可以根据em脉冲em(n)的栅极导通电压vel而导通。当em脉冲em(n)为栅极导通电压vel时，第三开关元件m3和第四开关元件m4可以导通，并且电流可以流过发光元件el。在发射时段tem期间，流过发光元件el的电流为k(elvdd-vdata)2。k表示由驱动元件dt的电荷迁移率、寄生电容和沟道电容确定的常数值。
103.图6至图8是示出根据本公开内容的示例实施方式的显示面板的各种结构的截面图。
104.参照图6，显示面板pnl可以包括堆叠在基板10上的电路层12、发光元件层14和封装层16。
105.电路层12可以包括连接至诸如数据线、栅极线、电力线等互连的像素电路、连接至栅极线的栅极驱动器gip等。电路层12的互连和电路元件可以包括多个绝缘层、通过插入其间的绝缘层彼此分离的两个或更多个金属层、以及包括半导体材料的有源层。
106.发光元件层14可以包括由像素电路驱动的发光元件el。发光元件el可以包括红色(r)发光元件、绿色(g)发光元件和蓝色(b)发光元件。在另一实施方式中，发光元件层14可以包括白色发光元件和滤色器。发光元件层14的发光元件el可以被包括有机膜和保护膜的保护层覆盖。
107.封装层16可以覆盖发光元件层14以密封电路层12和发光元件层14。封装层16可以具有其中有机膜和无机膜交替堆叠的多绝缘膜结构。无机膜可以阻挡水分或氧气的渗透。有机膜可以使无机膜的表面平坦化。当有机膜和无机膜被堆叠为多层时，水分或氧气的移动路径变得比有机膜和无机膜形成为单层时更长，并且因此可以有效地阻挡影响发光元件层14的水分/氧气的渗透。
108.参照图7，显示面板pnl还可以包括形成在封装层16上的触摸传感器层18。
109.在封装层16中，可以堆叠无机膜pasl、有机膜pcl和无机膜pas2。触摸传感器层18可以设置在封装层16的无机膜pas2上。
110.触摸传感器层18可以包括基于触摸输入之前和之后的电容的变化来检测触摸输入的电容式触摸传感器。触摸传感器层18可以包括金属互连图案19以及形成触摸传感器的电容的绝缘膜ins1和ins2。触摸传感器的电容可以形成在金属互连图案19之间。绝缘膜ins1和ins2可以使与金属互连图案19交叉的部分绝缘并且使触摸传感器层18的表面平坦化。
111.偏振板20可以设置在触摸传感器层18上。偏振板20可以转换被触摸传感器层18和电路层12的金属反射的外部光的偏振，并且因此可以改善可见度和对比度。偏振板20可以被实现为其中结合了线性偏振板和相位延迟膜的偏振板或被实现为圆偏振板。可以将盖玻璃22粘附至偏振板20上。在图7中，附图标记“21”指示用于结合盖玻璃22的粘合剂。粘合剂21可以是光学透明粘合剂(oca)。
112.在图8所示的显示面板pnl中，移除了偏振板20，并且添加了滤色器层24。
113.参照图8，显示面板pnl还可以包括形成在封装层16上的触摸传感器层18，以及形成在触摸传感器层18上的滤色器层24。
114.滤色器层24可以包括红色滤色器cf_r、绿色滤色器cf_g和蓝色滤色器cf_b。滤色器层24还可以包括黑色矩阵图案bm。滤色器层24可以吸收由电路层12和触摸传感器层18反射的部分波长的光以用作偏振板，并且因此可以提高颜色纯度。在本示例实施方式中，可以将具有比偏振板更高透光率的滤色器层24应用于显示面板pnl，并且因此可以改善显示面板pnl的透光率，并且可以改善显示面板pnl的厚度和柔性。滤色器层24可以包括覆盖滤色器cf_r、cf_g和cf_b以及黑色矩阵图案bm并且使滤色器层24的表面平坦化的有机膜pac。盖玻璃22可以粘附至滤色器层24的有机膜pac上。
115.发光元件层14可以包括限定发光元件el的发射区域的堤图案。图9是示出发光元件el和堤图案bnk的结构的截面图的示例。
116.参照图9，发光元件el可以包括阳极81、有机化合物层82和阴极83。有机化合物层82可以包括hil、htl、eml、etl和eil。
117.堤图案bnk可以限定每个子像素中的发射区域。堤图案bnk可以包括开口op，该开口op覆盖阳极81的边缘。在堤图案bnk的开口op中，阳极81暴露。堤图案bnk的开口op在平面图中可以具有圆形形状、椭圆形形状或多边形形状。
118.堤图案bnk可以由有机物形成。堤图案bnk可以包括形成在发射区域与非发射区域之间的边界处的锥形部分ol。锥形部分ol可以包括与阳极81交叠并且具有朝向开口op减小的厚度t的锥形表面tp。锥形部分ol可以包括具有恒定厚度t的平坦部分，但是本公开内容不限于此。锥形部分ol可以具有从阳极81的电极图案的端部到开口op的宽度w。锥形部分ol的厚度t在与开口op接触的位置处具有最小值。
119.可以根据堤图案bnk的形状来视觉识别如图11所示的干涉条纹。
120.图10a和图10b是示出其中干涉条纹被视觉识别的堤图案90的视图的示例。图10b是沿图10a中的线i-i'的截面图的示例。
121.参照图10a和图10b，当堤图案90的锥形部分92的宽度w和倾斜角恒定时，可以看到干涉条纹。这是因为，当光被锥形部分92反射时，由锥形部分92反射的光的相长干涉和相消
干涉以规则的间隔出现。
122.图11示出了由具有与图10a和图10b中相同的堤图案90的子像素反射的光的实验结果的示例。如图11中可以看出，在图10a和图10b所示的堤图案90中，相长干涉区域和相消干涉区域在空间上分离，并且因此可以看到同心圆形式的干涉条纹。
123.在本公开内容的一个或更多个示例实施方式的显示面板中，子像素内的堤图案的锥形部分ol的宽度和倾斜角中的至少一个被部分不同地或不规则地设置，并且因此防止了由被锥形部分ol反射的光的相长干涉和相消干涉引起的干涉条纹。
124.图12是示出根据本公开内容的示例实施方式的堤图案的平面图。图13是图12中的部分“a”的放大图的示例。图14a是示出图12所示的不平坦图案的凸部(或凸形部)的截面图的示例。图14b是示出图12所示的不平坦图案的凹部(或凹形部)的截面图的示例。
125.参照图12至图14b，堤图案100的锥形部分102可以包括与开口op相邻的不平坦图案102a。
126.不平坦图案102a可以使锥形部分102的宽度wl和w2规则地或不规则地不同。在光刻过程中，锥形部分102的不平坦图案102a可以形成为对应于光掩模的光阻挡部分的形状。锥形部分102可以在不平坦图案102a的凸部处具有第一宽度w1，并且在不平坦图案102a的凹部处具有小于第一宽度w1的第二宽度w2。锥形部分102的宽度的变化程度可以由不平坦图案102a的凹部的深度d来确定。
127.如图15所示，由具有不平坦图案102a的锥形部分102反射的光的相长干涉和相消干涉可以不规则地混合。因此，如从图16的实验结果可以看出，可以降低干涉条纹图案的识别水平。
128.图17a至图17c是示出根据本公开内容的另一示例实施方式的堤图案的结构的平面图和截面图。图17a是示出堤图案和阳极的平面图的示例。图17b和图17c是示出具有不同角度的堤图案的锥形部分的部分的截面图的示例。
129.参照图17a至图17c，堤图案100的锥形部分102可以包括与开口op相邻的雕刻图案102b。
130.雕刻图案102b可以使锥形部分的倾斜角部分地不同。存在雕刻图案102b的锥形部分102的宽度和不存在雕刻图案102b的锥形部分102的宽度w可以相同或不同。
131.在光刻过程中，可以使用具有半色调的光掩模。这样的光掩模可以包括以高透射率透射光的光透射部分、阻挡光的光阻挡部分以及以低于光透射部分的透射率的透射率透射光的半色调部分。在半色调部分中，可以根据曝光量调整堤图案的倾斜角，并且因此可以在锥形部分102中形成雕刻图案102b。如图17b和图17c所示，当锥形部分102在不存在雕刻图案102b的部分中的倾斜角为θ时，锥形部分102在雕刻图案102b中的倾斜角减小到θ'。锥形部分102在雕刻图案102b中的厚度可以减小到t'。
132.如图18所示，由具有雕刻图案102b的锥形部分102反射的光的相长干涉和相消干涉可以不规则地混合。因此，可以降低干涉条纹图案的识别水平。
133.根据实验结果，确认了当锥形部分102的不平坦图案102a的宽度被设置为堤图案100的开口的直径d的10％至30％时，干涉条纹的识别水平降低而制造过程没有显著变化。当开口op具有椭圆形形状或多边形形状时，开口op的直径d为最大直径。图19a是其中将不平坦图案102a的宽度设置为堤图案100的开口的直径d的10％(d
×
10％)的子像素的平面图
的示例。图19b是示出从图19a所示的子像素发射的光的实验结果图像的示例。图20a是其中将不平坦图案102a的宽度设置为堤图案100的开口的直径d的20％(d
×
20％)的子像素的平面图的示例。图20b是示出从图20a所示的子像素发射的光的实验结果图像的示例。图21a是其中将不平坦图案102a的宽度设置为堤图案100的开口的直径d的30％(d
×
30％)的子像素的平面图的示例。图21b是示出从图21a所示的子像素发射的光的实验结果图像的示例。如从图11、图19b、图20b和图21b的比较可以看出，确认了当不平坦图案102a的宽度被设置在堤图案100的开口的直径d的10％至30％的范围内时，干涉条纹的识别水平显著降低，并且特别地，当不平坦图案102a的宽度被设置为堤图案100的开口的直径d的约20％时，干涉条纹改善效果最优异。
134.根据实验结果，确认了当由于锥形部分102的雕刻图案102b引起的倾斜角的差δtaper(参见图18)大于0
°
且小于或等于45
°
时，干涉条纹的识别水平降低而制造过程没有显著变化。图22a是其中将锥形部分102的倾斜角的差δtaper设置为15
°
的子像素的平面图的示例。在图22a中，将没有雕刻图案102b的情况下的倾斜角设置为45
°
，并且将具有雕刻图案102b的情况下的倾斜角设置为30
°
。图22b是示出从图22a所示的子像素发射的光的实验结果图像的示例。图23a是其中将锥形部分102的倾斜角的差δtaper设置为30
°
的子像素的平面图。在图23a中，将没有雕刻图案102b的情况下的倾斜角设置为45
°
，并且将具有雕刻图案102b的情况下的倾斜角设置为15
°
。图23b是示出从图23a所示的子像素发射的光的实验结果图像的示例。图24a是其中将锥形部分102的倾斜角的差δtaper设置为45
°
的子像素的平面图的示例。在图24a中，将没有雕刻图案102b的情况下的倾斜角设置为45
°
，并且将具有雕刻图案102b的情况下的倾斜角设置为0
°
。图24b是示出从图24a所示的子像素发射的光的实验结果图像。如从图11、图19b、图20b、图21b、图22b、图23b和图24b的比较可以看出，确认了当锥形部分102的倾斜角的差δtaper被设置在15
°
至45
°
的范围内时，干涉条纹的识别水平显著降低，并且特别是当锥形部分102的倾斜角的差δtaper被设置为约30
°
时，干涉条纹改善效果最优异。
135.锥形部分102的不平坦图案102a和雕刻图案102b可以规则地或不规则地布置在一个子像素内。当不平坦图案102a和雕刻图案102b不规则地布置时，可以进一步改善干涉条纹减少效果。图25a和图25b是示出其中锥形部分的不平坦图案102a以不规则图案形成的子像素的平面图的示例，以及示出从子像素发射的光的实验结果图像的示例。
136.上述实施方式可以进行各种组合。例如，不平坦图案102a和雕刻图案102b可以一起应用于一个子像素，并且不平坦图案102a和雕刻图案102b可以规则地或不规则地布置。
137.如图26所示，可以将不平坦图案102a和雕刻图案102b不同地应用于相邻子像素。图26示出了其中将不平坦图案102a和雕刻图案102b不同地应用于不同颜色r、g和b的子像素的示例，并且图27示出了其中将不平坦图案102a和雕刻图案102b不同地应用于相同颜色r的子像素的示例。
138.根据本公开内容的一个或更多个示例实施方式，通过部分不同地设置堤图案的锥形部分的宽度和倾斜角中的至少一个，可以降低干涉条纹的识别水平。因此，根据本公开内容的一个或更多个示例实施方式，可以防止在显示装置中由堤图案的锥形部分反射的光的干涉条纹被视觉识别的现象。
139.在一个或更多个方面中，本公开内容的实施方式的效果不限于以上提及的效果，
并且本领域技术人员将从包括所附权利要求的本公开内容中清楚地理解未提及的其他效果。
140.在一个或更多个方面中，由本公开内容的实施方式要实现的目的、用于实现该目的的手段和上述本公开内容的实施方式的效果没有指定权利要求的必要特征，并且因此，权利要求的范围不限于本公开内容的公开内容。
141.虽然已经参照附图更详细地描述了本公开内容的实施方式，但是本公开内容不限于此，并且本公开内容可以在不偏离本公开内容的范围的情况下以许多不同形式来体现。因此，提供本公开内容所公开的实施方式仅仅是出于说明目的，而非旨在限制本公开内容的范围。本公开内容的范围不限于此处描述的实施方式。因此，应当理解，上述实施方式在所有方面都是说明性的，并且不限制本公开内容。本公开内容的保护范围应当被解释为基于所附权利要求，并且其等同范围应当被解释为落入本公开内容的范围内。对于本领域技术人员将明显的是，在不脱离本公开内容的范围的情况下，可以在本公开内容中做出各种修改和变化。因此，本公开内容旨在涵盖本公开内容的修改和变化，只要其落入所附权利要求及其等同物的范围之内即可。